「"lead frame material"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a lead frame material construction of a photoelectric element.例文帳に追加

光電素子のリードフレーム素材構造を提供する。 - 特許庁

LEAD FRAME MATERIAL CONSTRUCTION OF PHOTOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

光電素子のリードフレーム素材構造 - 特許庁

LEAD FRAME MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE, THE METHOD FOR SOLDERING THE LEAD FRAME MATERIAL AND SEMICONDUCTOR PACKAGE例文帳に追加

半導体パッケージのリードフレーム材およびリードフレーム材への半田めっき方法ならびに半導体パッケージ - 特許庁

LEAD FRAME MATERIAL, RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE LEAD FRAME MATERIAL例文帳に追加

リードフレーム部材とそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびリードフレーム部材の製造方法 - 特許庁

OUTER LEAD PART OF LEAD FRAME MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE OUTER LEAD PART例文帳に追加

リ—ドフレ—ム材のアウタ—リ—ド部、それを用いた半導体装置 - 特許庁

Finally, the optical couplers are cut from the lead frame material.例文帳に追加

最後に、リードフレーム素材からこれらの光カプラを切り取る。 - 特許庁

LEAD FRAME MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR SYSTEM COMPOSED OF COPPER ALLOY EXCELLENT IN ROLLABILITY AND BENDING WORKABILITY例文帳に追加

圧延性および曲げ加工性にすぐれたＣｕ合金で構成された半導体装置のリードフレーム材 - 特許庁

HIGH-STRENGTH COPPER ALLOY LEAD FRAME MATERIAL FOR BARE BONDING AND BARE BONDING METHOD例文帳に追加

ベアボンディング用高強度銅合金リードフレーム材及びベアボンディング方法 - 特許庁

LEAD FRAME MATERIAL, MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リードフレーム材及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

Projection parts 20a, 20b for positioning the side faces of the lead frame material 2 are formed on a die 5.例文帳に追加

また、ダイ５には、リードフレーム材２の側面を位置決めする突起部２０ａ，２０ｂが形成されている。 - 特許庁

The lead frame material construction includes a first lead frame array and a second lead frame array.例文帳に追加

リードフレーム素材構造は、第１リードフレームアレイと、第２リードフレームアレイとからなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a lead frame in which a bare lead frame material is immersed in a salt solution.例文帳に追加

ベアリードフレーム材料が塩溶液に浸漬されるリードフレームの製造方法である。 - 特許庁

To reduce the manufacturing cost of an optical coupler, by increasing a usage rate of lead frame material.例文帳に追加

リードフレーム素材の使用率を上げて光カプラの製造コストを下げること。 - 特許庁

The copper oxide layer formed on the lead frame material prevents a brittle copper oxide coating film from being formed, and tight adhesiveness between the lead frame material and the formed copper oxide layer improves reliability of a semiconductor device.例文帳に追加

リードフレーム材に形成した酸化銅層によって、脆弱な酸化銅皮膜の形成を防ぎ、リードフレーム材と形成した酸化銅層の強固な密着性により、半導体装置の信頼性が向上する。 - 特許庁

Then, the etching resist film 24 on the rear surface side of the lead frame material 21 is removed and the rear surface side of the lead frame material 21 is etched to make the outer connection terminal parts 13 protrude independently.例文帳に追加

この後、リードフレーム材２１の裏面側の耐エッチングレジスト膜２４を除去してエッチング加工を行って、外部接続端子部１３を突出及び独立させる。 - 特許庁

After a semiconductor chip 11 is mounted on the front side of the lead frame material 21, the chip 11 is electrically connected to the lead frame material 21 by wire bonding and the front side is sealed with resin.例文帳に追加

そして、リードフレーム材２１の表側に半導体素子１１を搭載した後、ワイヤボンディングを行って、表面側の樹脂封止を行う。 - 特許庁

To provide a lead frame material that allows burrs generated at the time of punching a lead frame to be reduced while maintaining required ductility as the lead frame material.例文帳に追加

リードフレーム材として所要の延性を維持しつつ、しかも、リードフレームの打抜き加工時に発生するバリを低減し得るリードフレーム材を提供する。 - 特許庁

LEAD FRAME MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE CONSTITUTED BY HIGH-STRENGTH Cu ALLOY SUPERIOR IN ROLLING AND BENDING CHARACTERISTICS例文帳に追加

圧延性および曲げ加工性にすぐれた高強度Ｃｕ合金で構成された半導体装置のリードフレーム材 - 特許庁

To produce a lead frame material for a semiconductor system capable of the economical thinning of sheet thickness and strong bending working.例文帳に追加

板厚の経済的薄肉化および強曲げ加工が可能な半導体装置のリードフレーム材を提供する。 - 特許庁

To provide a lead frame material which exerts no adverse influence on the environment, has improved soldering property and can minimize uneven thickness caused upon reflow processing.例文帳に追加

環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。 - 特許庁

A light receiving frame array is cut from a lead frame material, in which the light receiving lead frame array and a light emitting lead frame array are provided.例文帳に追加

受光リードフレームアレイと、発光リードフレームアレイとが設けられたリードフレーム素材における受光リードフレームアレイを切り取る。 - 特許庁

After reversing the light receiving lead frame array, two or more light receiving elements in the light receiving lead frame array are mounted on the lead frame material in a way that they are aligned with two or more light emitting elements of the light emitting lead frame array in the lead frame material.例文帳に追加

受光リードフレームアレイを反転した後に、受光リードフレームアレイにおける複数の受光素子を、リードフレーム素材における発光リードフレームアレイの複数の発光素子に合わせるようにして、リードフレーム素材の上に載置する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor apparatus 28 for each unit lead frame to a lead frame material 10 in which a plurality of unit lead frames are arranged in multiple lines or a single line, after the lead frame material 10 is half-etched from a front surface side using a first plating layer 17 as a resist film, plating burr is removed by at least two or more means.例文帳に追加

複数の単位リードフレームが多列又は単列に配置されたリードフレーム材１０に、単位リードフレーム毎に半導体装置２８を製造する方法であって、リードフレーム材１０を表面側から第１のめっき層１７をレジスト膜としてハーフエッチングした後、少なくとも２以上の手段でめっきバリ除去を行う。 - 特許庁

Front and rear side wiring patterns 26 and 27 are formed on both sides of a lead frame material 23, using first and second resist films 24 and 25, with anti-etching plating 20 and 21 applied on the exposed portions.例文帳に追加

リードフレーム材２３の表裏面に第１及び第２のレジスト膜２４、２５で表側及び裏側配線パターン２６、２７を形成して、これらの露出部分に耐エッチングめっき２０、２１処理を行う。 - 特許庁

The lead frame is made up of a lead frame material including iron-nickel alloy or copper, a heat resistant tape is attached to a plurality of specific patterns having openings therein, and a contact terminal pattern is attached to the other surface of the heat resistant tape.例文帳に追加

鉄ニッケル合金または銅を含むリードフレーム素材からなり、内部に開口部を有する複数の所定のパターンに耐熱テープを貼付し、前記耐熱テープの他方の面に接触端子パターンを貼付する。 - 特許庁

To provide a lead frame which has no plating burrs caused by a plated layer along an circumferential edge serving as an outline of a lead frame material and around a pilot hole and can make a highly reliable semiconductor device, and the semiconductor device.例文帳に追加

リードフレーム材の外形となる外周縁部やパイロット孔の周辺にメッキ層によるメッキバリが生じない、信頼性の高い半導体装置を製造することのできるリードフレームおよび半導体装置を提供する。 - 特許庁

The front surface side of the lead frame material 23 is etched with the anti-etching plating 20 as a resist film, so that a lead frame base 12 is formed comprising joint terminals 14 and 14a and a lead 17.例文帳に追加

そして、リードフレーム材２３の表面側を耐エッチングめっき２０をレジスト膜としてエッチング処理を行って接合端子１４、１４ａ及びリード１７を備えたリードフレームベース１２を形成する。 - 特許庁

To provide a blanking die which does not cause abnormal operation of intermittent action punch and cutting failure of a lead frame material.例文帳に追加

本発明は、間欠動作パンチの動作異常が発生せず、リードフレーム材料の切断不良が発生しない打ち抜き用の金型を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an outer lead part, which does adversely effect the environment, is superior in solderability and in welding strength at welding and is small in an ununiform section which is formed on the outer lead part at the time of a reflow treatment, of a lead frame material.例文帳に追加

環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性や溶接時の溶接強度が優れており、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材のアウターリード部を提供する。 - 特許庁

The light receiving lead frame array and the lead frame material are jointed and packed to form two or more optical couplers on the lead frame raw material.例文帳に追加

次に、受光リードフレームアレイと、リードフレーム素材とを接合するとともにパックすることにより、リードフレーム素材上に複数の光カプラを形成する。 - 特許庁

To provide copper or a copper alloy material having surface characteristics of a low surface roughness and of fewer fine cracks and having excellent platability, to provide a method for manufacturing the same material, and to provide a semiconductor package employing the same material as a lead frame material.例文帳に追加

表面粗さの値が低くかつ微細クラックの少ない表面特性を有する、めっき性に優れた銅または銅合金材およびその製造方法、並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

To solve a problem that antirust function decreases and a selective electroplating process to be performed on a lead frame must be added due to the exposure of the lead frame material resulting in a complicated forming process of an electroplated layer and increased manufacturing cost.例文帳に追加

リードフレーム素材を露出させているため、防錆機能が低下すると共に、リードフレームに施す選択めっき工程が増え、めっき層形成工程が煩雑になり製造コストが上昇すること。 - 特許庁

In the lead frame for BCC which comprises an external connection terminal and a die, the first layer 4' of the plating layer of the external connection terminal which is the first layer when counted from a lead frame material 1 side has the same solubility characteristic as that of the material 1.例文帳に追加

外部接続端子部とダイ部とを有するＢＢＣ用リードフレームにおいて、外部接続端子部のメッキ層のリードフレーム素材１側から数えた第一層４' が、該素材１と同等の溶解特性を有している。 - 特許庁

To provide a Cu-Cr based alloy suitably usable in both of etching working and press (blanking) working and attaining the improvement of productivity for a lead frame material, a terminal connector, a switch material or the like.例文帳に追加

リードフレーム材、端子・コネクター材、スイッチ材等の生産性向上が図れるエッチング加工とプレス（打ち抜き）加工の双方で好適に使用できるＣｕ−Ｃｒ系合金を提供する - 特許庁

To provide a copper and copper alloy excellent in bare-bonding characteristics, together with the manufacturing method, wherein, related to copper and copper alloy for a lead frame of a semiconductor device, the lead wire for wire bonding can be directly jointed to a lead frame material (bare bonding).例文帳に追加

半導体機器のリードフレーム用銅及び銅基合金に、ワイヤーボンディング用リード線を直接リードフレーム材に接合（ベアボンディング）することを可能にするべアボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法を提案する。 - 特許庁

This lead frame material for a semiconductor system is composed of a Cu alloy having a composition containing, by weigh, 0.07 to 0.4% Cr, 0.01 to 0.15% Zr, 0.002 to 0.4% Al, and the balance Cu with inevitable impurities and excellent in rollability and bending workability.例文帳に追加

半導体装置のリードフレーム材を、重量％で、Ｃｒ：０．０７〜０．４％、Ｚｒ：０．０１〜０．１５％、Ａｌ：０．００２〜０．４％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなる組成を有する圧延性および曲げ加工性にすぐれたＣｕ合金で構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing individual semiconductor devices while individualizing by dicing after a plurality of unit lead frames arrayed in a matrix on a lead frame material are sealed together with a resin, wherein shortening of the life of a dicing cutter due to wear and generation of a defective product due to metal burrs formed during cutting are prevented beforehand.例文帳に追加

リードフレーム材にマトリクス状に配列した複数の単位リードフレームを一括して樹脂封止した後、ダイシングにより個別化して個々の半導体装置を製造する方法において、ダイシング刃物の摩耗による寿命の低減、および切断時の金属バリに起因する製品不良の発生を、未然に防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the lead frame 1 for the semiconductor device, an underlying film 9 is applied on the surface of the original lead frame material, Ag or Au films 10, 11 are formed on the semiconductor chip bonding portion 3 and the wire bonding portion 6, respectively, via the underlying film 9, and an Sn or Sn alloy film 12 is formed on an outer lead portion 5.例文帳に追加

半導体装置のリードフレーム１において、リードフレームの素材表面に下地皮膜９を施し、この下地被膜９を介して、半導体チップ接合部３及びワイヤ接合部６にＡｇ又はＡｕの皮膜１０、１１を形成し、さらに、アウターリード部５に、ＳｎまたはＳｎ合金の皮膜１２を形成する。 - 特許庁