「あるごんぷらずま」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

このプラズマ処理にはアルゴン（Ａｒ）が用いられる。例文帳に追加

Argon (Ar) is used for the plasma processing. - 特許庁

あるいはプラズマの発生とプラズマの極性化とを兼務する課電装置５も用いられる。例文帳に追加

Alternatively, a charge device 5 performing both of the generation of plasma and the polarization of plasma is also used. - 特許庁

プラズマディスプレーの周辺にある電子機器の誤動作を防止する。例文帳に追加

To prevent the malfunction of electronic equipment located along the periphery of a plasma display. - 特許庁

トーチ１内にアルゴンプラズマを点火させる。例文帳に追加

Argon plasma is ignited in a torch 1. - 特許庁

アルミニウム合金板材のプラズマ溶接方法例文帳に追加

PLASMA WELDING METHOD OF ALUMINUM ALLOY PLATE - 特許庁

アルゴンが供給されプラズマを始動する。例文帳に追加

Argon is fed, and plasma is started. - 特許庁

さらには、繊維が合成繊維であることや、プラズマ処理時の媒体が、窒素を主とするものであること、あるいはプラズマ処理時のアルケン類及び／またはアルキン類の濃度が０．１〜１５体積％であることが好ましい。例文帳に追加

Further, it is preferable that the fiber is a synthetic fiber, the medium for the plasma treatment is a compound consisting mainly of nitrogen and the concentration of the alkenes and/or alkynes on the plasma treatment is 0.1-15 vol%. - 特許庁

プラズマ吹出し手段の吹出し方向にある配置物をプラズマから保護可能なプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device which protects objects disposed in the blowoff direction of a plasma blowoff means from plasma. - 特許庁

識別対象のプログラムに含まれる暗号アルゴリズムを識別する。例文帳に追加

To identify encryption algorithm included in a program of an identification target. - 特許庁

その貴金属１０は金、プラチナ、または銀のいずれか、あるいはそのいずれかを主成分とする合金である。例文帳に追加

The precious metal 10 is made of gold, platinum or silver or an alloy which has a main component of any of them. - 特許庁

それぞれの第１の側面（３１）の、プリズム縁（３７）からプリズムの第１の足（３５）までの間隔は、それぞれの第２の側面の、プリズム縁（３７）からプリズムの第２の足（３６）までの間隔よりもわずかである。例文帳に追加

An interval from a prism edge 37 to a first prism foot 35 on each first side 31 is shorter than the prism edge 37 to a second prism foot 36 on each second side. - 特許庁

上記プラズマは、窒素ガス、アルゴンガス、酸素ガス、フッ素系炭化水素ガスから選ばれる少なくとも１種のガス中で発生させたプラズマである。例文帳に追加

The plasma is generated in at least one gas selected from a nitrogen gas, an argon gas, an oxygen gas and a fluorinated hydrocarbon gas. - 特許庁

回避した排出量はリサイクルからの排出量（カテゴリ5 または13）の算定あるいは他のスコープ3 カテゴリの活動から生ずる場合もある。例文帳に追加

Avoided emissions may also arise when accounting for emissions from recycling (category 5 or 13), or from activities in other scope 3 categories.  - 経済産業省

プラズマ生成室５を有し、プラズマ生成室５で発生させたプラズマでウエハ３を処理するプラズマ処理装置において、プラズマ生成室５を導電性の部材（アルミニウムで形成された母材１２）によって形成する。例文帳に追加

In plasma treatment apparatus having the plasma generating chamber 5 and treating the wafer 3 by the plasma generated in the chamber 5, the chamber 5 is formed of the conductive member (a base material 12 formed of aluminum). - 特許庁

また、レンズがプラスチックで構成され、レンズの外径Φが６０ｍｍ≦Φ≦１５０ｍｍである。例文帳に追加

The lens is made from plastic, and has an outer diameter ϕ of ≥60 mm and ≤150 mm. - 特許庁

プラズマ生成用ガス８としてアルゴンと水素の混合ガスを用いる。例文帳に追加

A mixture gas of argon and hydrogen is used for the gas 8 for generating the plasma. - 特許庁

あるいはまた、その方法は、銀、アンチモン、銅、あるいは金からなるグループから選択された金属と錫とのはんだ合金を塗布するステップを含む。例文帳に追加

In another embodiment, the method includes a step of applying solder alloy containing stannum and the metal selected from silver, antimony, copper or gold. - 特許庁

非環式テルペンアルコールのプラズマ励起により形成された薄膜であることを特徴とするプラズマ重合薄膜とする。例文帳に追加

This plasma-polymerized thin film is a thin film formed by plasma excitation of an acyclic terpene alcohol. - 特許庁

熱プラズマ装置内で、体積比１５／１〜４／１のアルゴン／水素混合ガスの熱プラズマを発生させ、該熱プラズマにより、シリカ粉末を分解処理して、一般式（１） ＳｉＯ_x ・・・（１）（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。例文帳に追加

In the method for producing silicon lower oxide particles, silicon lower oxide particles represented by formula (1): SiO_x (wherein x is the number which meets the relation of 1.0<x≤1.6) - 特許庁

二酸化珪素膜がアルゴンを含有し、含有されるアルゴンの量が、原子の数の比で、珪素の１００に対してアルゴンの１〜１０である、二酸化珪素膜を、圧力勾配型プラズマガンを用いたアークプラズマ蒸着法で成膜する例文帳に追加

The translucent thin film is obtained by depositing the silicon dioxide film by an arc plasma enhanced vapor-deposition method using a pressure gradient type plasma gun. - 特許庁

インフレータ５２は、プラズマ溶射、グロープラグ加熱あるいは回転可能な通電ヘッドにて作動させる。例文帳に追加

The inflator 52 is operated by plasma thermal spraying or glow plug heating, or with a rotatable current carrying head. - 特許庁

アルゴン、窒素、およびシランガスを使用した窒化珪素プラズマ処理方法例文帳に追加

METHOD OF PROCESSING SILICON NITRIDE WITH PLASMA, USING ARGON, NITROGEN AND SILANE GAS - 特許庁

原料ガスはプラズマ化して供給することが望ましく、プラズマの励起法としては電子ビーム励起プラズマ法、高周波平行平板プラズマ法、ラダー状の放電電極を用いた高周波プラズマ法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型プラズマ法あるいはヘリコン波プラズマ法等の高密度プラズマを用いることを特徴とする。例文帳に追加

The material gas is preferably supplied in the form of high density plasma excited by electron beam excited plasma method, high frequency parallel plate plasma method, high frequency plasma method employing rudder-like discharge electrodes, electron cyclotron resonance plasma method, induction coupling plasma method, or helicon wave plasma method. - 特許庁

前記窒素プラズマを発生させる前に、アルゴンガスに所定のマイクロ波を放射してアルゴンプラズマを発生させ、該アルゴンガスを前記窒素ガスに置換することで前記窒素プラズマを発生させるものであってもよい。例文帳に追加

It is available that, prior to the generation of the nitrogen plasma, prescribed microwaves are radiated to gaseous argon to generate argon plasma, and the gaseous argon is substituted for the gaseous nitrogen, so as to generate the nitrogen plasma. - 特許庁

プラズマ面側の表面又は両表面が超鏡面であるプラズマエッチング電極板６及び表面を研磨して得られるプラズマエッチング電極板において、プラズマ面側の表面又は両表面の５０μｍ以上をポリッシュ研磨してなるプラズマエッチング電極板の製造法。例文帳に追加

In an electrode plate 6 for plasma etching, where the plasma face side surface or both surfaces are ultra mirror-finished surfaces and an electrode plate for plasma etching obtained by polishing the surface, the plasma face side surface or both surfaces are polished by 50 μm or more. - 特許庁

また６０Ｈｚである場合には、出力端子PWM2の信号レベルは「Ｌ」にならず、フリップフロップ回路１２の出力は常に「Ｈ」となる。例文帳に追加

The output of the flip-flop circuit 12 is "H" all the time, because a signal level of an output terminal PWM2 is not brought into the "L" in 60 Hz. - 特許庁

クランプ動作不許可手段２４は、着座検出手段１１による着座検出信号があるまでチャック１のクランプ動作を許可せず、着座検出信号があるとクランプの不許可を解除する手段である。例文帳に追加

The clamp action disapproving means 24 does not approve the clamp action of the chuck 1 until the seating detecting means 11 outputs a seating detection signal, and cancels the disapproval of the clamp action when the seating detection signal has been received. - 特許庁

フロン或いはフッ素化合物のプラズマ分解装置及び分解方法例文帳に追加

PLASMA DECOMPOSITION DEVICE AND METHOD FOR FLUOROCARBON OR FLUORINE COMPOUND - 特許庁

非塩素系合成樹脂と、粒度分布が５μｍ乃至５００μｍであるセルローズ系粉末との混合材料からなるスピーカ用振動板である。例文帳に追加

The diaphragm for the speaker comprises a mixed material containing a non-chlorine synthetic resin and cellulose powder whose grain size distribution is 5 μm to 500 μm. - 特許庁

プラズマ処理チャンバ内で窒化珪素を形成する方法は、アルゴン（Ar）、窒素（N_2）、およびシラン（SiH_4）をプラズマ中で混合するステップを含む。例文帳に追加

A method of forming silicon nitride in a plasma process chamber includes a step of mixing argon(Ar), nitrogen(N2) and silane(SiH4) in a plasma. - 特許庁

プラズマ処理装置において、プラズマ処理によって生成されるプラズマ、荷電粒子、およびダストなどの拡散を防止することで、プラズマ処理前の被処理物あるいはプラズマ処理後の被処理物へのプラズマ処理に係る影響を防止し、被処理物の品質を一定に保つようにする。例文帳に追加

To retain the quality of an article to be treated at a constant by preventing an influence relating to plasma treatment on the article to be treated before plasma treatment or on the article to be treated after plasma treatment by preventing diffusion of the plasma produced by the plasma treatment, a charged particle and dust in a plasma treatment device. - 特許庁

不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスを大気圧プラズマ発生機３４によって活性化させる。例文帳に追加

Argon (Ar) gas, which is inert gas, is activated by an atmospheric-pressure plasma generator 34. - 特許庁

不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスを大気圧プラズマ発生機３４によって活性化させる。例文帳に追加

Argon (Ar) gas as an inert gas is activated by an atmospheric pressure plasma generator 34. - 特許庁

さらには、第１または第２プラズマ処理時の媒体が窒素を主とするものであること、第２プラズマ処理時のアルケン類またはアルキン類の濃度が０．１〜１５体積％であること、プラズマ処理後に接着剤を付与することが好ましい。例文帳に追加

In this process, it is preferable that the medium in the first or second plasma treatment consists mainly of nitrogen, the concentration of the alkene or alkyne in the second plasma treatment is 0.1-15 vol.%, and an adhesive is imparted after the plasma treatments. - 特許庁

また、簡単な構造のプリズム移動機構５であるから、経済的に構成できる。例文帳に追加

The prism moving mechanism 5 is constituted economically because it has a simple structure. - 特許庁

アルゴン希釈剤と一緒に高圧Ｆ２プラズマを用いる高速エッチング例文帳に追加

HIGH-RATE ETCHING USING HIGH PRESSURE F2 PLASMA WITH ARGON DILUENT - 特許庁

ΔΣ変調アルゴリズムを用いてプラントを制御する制御装置例文帳に追加

CONTROL DEVICE FOR CONTROLLING PLANT USING ΔΣ MODULATION ALGORITHM - 特許庁

ΔΣ変調アルゴリズムを用いてプラントを制御する制御装置例文帳に追加

CONTROL DEVICE FOR CONTROLLING PLANT BY USING ΔΣ MODULATION ALGORITHM - 特許庁

非塩素系合成樹脂と、粒度分布が５μｍ乃至５００μｍであるセルローズ系粉末との混合材料からなるスピーカキャビネットである。例文帳に追加

The speaker cabinet is made of a mixed material composed of non-chlorine synthetic resin and the cellulose powder ranging from 5 to 500 μm in grain size. - 特許庁

ここで、耐プラズマ性部材は、表面粗さＲａが５μｍ以下であることが望ましい。例文帳に追加

Therein, the plasma resistant member desirably has a surface roughness Ra of ≤5 μm. - 特許庁

プラズマ溶射によって、線材又は粉末の溶滴をアルミ合金製母材の表面に噴射する鉄系溶射被膜の製造方法である。例文帳に追加

In the manufacturing method of the thermally sprayed iron-based film, droplets of the wire or powder are jetted on a surface of the aluminum alloy-made base material by the plasma thermal spraying. - 特許庁

有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光の発光源であるプラズマにプラズマ媒質を所望の時間、安定供給することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma light source and a plasma light generating method which can supply plasma medium stably for a desired time to a light-emitting source of EUV light, i.e. plasma, in effective wavelength region (near 13.5 nm). - 特許庁

ガス耐食性とプラズマ耐食性に優れたアルミニウム合金材例文帳に追加

ALUMINUM ALLOY MATERIAL EXCELLENT IN CORROSION RESISTANCE FOR GAS AND PLASMA - 特許庁

プラズマ処理装置用アルミニウム合金およびヒータブロック例文帳に追加

ALUMINUM ALLOY FOR PLASMA TREATING SYSTEM AND HEATER BLOCK - 特許庁

プロセスおよびプロファイルシミュレータアルゴリズムを拡張する方法は、与えられたプラズマプロセスが生成する表面プロファイルを予測する。例文帳に追加

This extension method for the process and profile simulator algorithm predicts the surface profile generated by a given plasma process. - 特許庁