「じるこんさん」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

シリコン酸化膜１４上にシリコン窒化膜１５を形成し、シリコン窒化膜１５上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１６を形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film 15 is formed on the film 14 and a silicon oxide film 16 is formed on the film 15 by a CVD method. - 特許庁

一献はてて国栖歌笛を奏し、二献三献にして舞妓が40人参入する。例文帳に追加

When the first dish was finished, Kuzu no Utabue (the music and dance dedicated to the emperor by kuzu [people who lived in Mt. Yoshino, Yamato Province]) was performed, and when the second and third dishes were served, as many as 40 maiko (apprentice geisha) arrived.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

彼女は｢クレオパトラ｣での共演者である俳優のリチャード・バートンさんと２度結婚し，離婚した。例文帳に追加

She married and divorced actor Richard Burton, her co-star in "Cleopatra," twice.  - 浜島書店 Catch a Wave

反射防止膜とレジストをマスクにしてシリコン酸化膜３とシリコン窒化膜を加工する。例文帳に追加

The silicon oxide film 3 and the silicon nitride film are processed through the antireflection film and the resist as a mask. - 特許庁

半導体基板１上に保護酸化シリコン膜２および窒化シリコン膜３を形成する。例文帳に追加

A protective silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 are formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。例文帳に追加

A silicon nitride film 2 and a silicon oxide film 3 are formed on a glass substrate 1. - 特許庁

半導体基板１上にシリコン酸化膜３を介して多結晶シリコン層１５が形成されている。例文帳に追加

A polycrystalline silicon layer 15 is formed on a semiconductor substrate 1 via a silicon oxide film 3. - 特許庁

シリコン基板１上に、パッド酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成する。例文帳に追加

On a silicon substrate 1, a pad oxide film 2 and a silicon nitride film 3 are formed. - 特許庁

シリコン酸化膜７およびパッド１０の上層にシリコン酸化膜１１を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film 11 is formed on the silicon oxide film 7 and the pad 10. - 特許庁

続いて、酸化シリコン膜７上に概ね均一な膜厚の酸化シリコン膜８を形成する。例文帳に追加

Successively, a silicon oxide film 8 having a nearly uniform thickness is formed on the silicon oxide films 7. - 特許庁

ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。例文帳に追加

A silicon nitride film 2 and a silicon oxide film 3 are formed on a glass substrate 1. - 特許庁

ローラコンベア３９は、バッファ９のローラコンベア６３と同一高さの支持面を有する。例文帳に追加

The roller conveyor 39 includes a support surface having the same height as that of the roller conveyor 63 of the buffer 9. - 特許庁

混合羽根７を備えたアーム８を混合軸３、３´に貫通させて取り付ける。例文帳に追加

An arm 8 with a mixing blade 7 is installed to be penetrated mixing shafts 3, 3'. - 特許庁

杭頭型枠３０内のコンクリート２の上面をコンクリート天端３として確保する。例文帳に追加

The top surface of the concrete 2 within the frame 30 is allocated to the upper surface 3. - 特許庁

物品搬送装置１は、一次下流側ローラーコンベア３０と、一次下流側ローラーコンベア３０による搬送方向と交差する方向に延びるように形成された二次上流側ローラーコンベア３１と、これらローラーコンベア３０，３１を連係させ、物品の支持を一次下流側ローラーコンベア３０から二次上流側ローラーコンベア３１に切り替えるためのリンク機構３５とを備えている。例文帳に追加

The article conveying device 1 includes a primary downstream side roller conveyor 30, a secondary upstream side roller conveyor 31 formed to be extended in a direction crossing a conveying direction by the primary downstream side roller conveyor 30, and a link mechanism 35 linking the roller conveyors 30 and 31 and switching supporting of the article from the primary downstream side roller conveyor 30 to the secondary upstream side roller conveyor 31. - 特許庁

混合容器３に、検体容器２を保持する保持部３３が一体的に形成され、検体ラック４が、混合容器３を保持することにより、混合容器３を介して検体容器２を保持する。例文帳に追加

A retaining section 33 that retains the specimen vessel 2 is integrally formed in the mixing vessel 3 and the specimen rack 4 retains the specimen vessel 2 through the mixing vessel 3 by retaining the mixing vessel 3. - 特許庁

これにより、振動が生じた場合でも、電解コンデンサ３のリード線３２、３３の端子部分に疲労損傷が生じるのを有効に防止できる。例文帳に追加

Consequently, fatigue damages in the terminals of lead wires 32 and 33 of the capacitor 3 can be prevented effectively even when the capacitor swings. - 特許庁

粘着剤３６は、導電性樹脂と粘着性樹脂の混合樹脂である。例文帳に追加

The adhesive 36 is mixed resin with conductive resin and adhesive resin. - 特許庁

シリコン系共重合体をポリジメチルシロキサン系共重合体とする。例文帳に追加

The silicone based copolymer is a polydimethylsiloxane based copolymer. - 特許庁

離散時間フィルタリング及びダウンコンバージョン機能を有する受信器例文帳に追加

RECEIVER WITH DISCRETE TIME FILTERING AND DOWN-CONVERSION FUNCTIONS - 特許庁

電圧安定化コンデンサ３３７−３３９のディスチャージ処理において、ディスチャージ回路３４６−３４８がＯＮ状態となると、電圧安定化コンデンサに蓄えられていたチャージがＩＣ３００の内部配線を介して、電源配線３３１−３３３に流れ込む。例文帳に追加

When discharge circuits 346-348 are turned on in discharge processing of voltage stabilized capacitors 337-339, charges accumulated in the voltage stabilized capacitors flow through internal wiring of an IC 300 to power supply wiring 331-333. - 特許庁

ポリシリコン膜１１３上には、シリコン酸化膜１１４、ポリシリコン膜１１５、シリコン酸化膜１１６、ポリシリコン膜１１７およびシリコン酸化膜１１８からなる複合膜を形成している。例文帳に追加

On the polysilicon film 113, a composite film is formed of a silicon oxide film 114, a polysilicon film 115, a silicon oxide film 116, a polysilicon film 117, and a silicon oxide film 118. - 特許庁

また、第一駆動機構３３５および第二駆動機構３３６が第一張軸３３３および第二張軸３３４をブランケット胴３３の周方向外側から挟み込んで配置される。例文帳に追加

Furthermore, the first driving mechanism 335 and the second driving mechanism 336 are arranged so as to put the first tension shaft 333 and the second tension shaft 334 between the mechanisms from their peripheral outsides of the blanket cylinder 33. - 特許庁

シリコン基板１上に導電膜３を形成し、導電膜３上にレジスト膜２を形成する。例文帳に追加

A conductive film 3 is formed on a silicon substrate 1, and a resist film 2 is also formed on the conductive film 3. - 特許庁

端部３１の両開放端３１ａ，３１ｂには、輪郭が三角状で凹んだ一対のマーク部３６ａ，３６ｂが設けられている。例文帳に追加

Both open ends 31a and 31b of the end part 31 are provided with a pair of recessed mark parts 36a and 36b whose contours are triangular. - 特許庁

撮像ユニット３０はＣＭＯＳ撮像素子３１、Ｔ／Ｇ３２、Ａ／Ｄコンバータ３３、およびパケット変換部３４を有する。例文帳に追加

The image pickup unit 30 has a CMOS image pickup device 31, a T/G (Timing Generator) 32, an A/D converter 33 and a packet transformation section 34. - 特許庁

第４配線層の配線３３上に絶縁膜３４〜３８を順次形成し（絶縁膜３４，３６，３８はシリコン窒化膜からなる。絶縁膜３５，３７はシリコン酸化膜からなる）、絶縁膜３８に溝パターン４０をフォトリソグラフィを用いて転写する。例文帳に追加

This manufacturing method is carried out through such a manner where insulating films 34 to 38 are successively formed on a fourth wiring layer 33 (insulating films 34, 36, and 38 are formed of silicon nitride, and insulating films 35 and 37 are formed of silicon oxide), and a groove pattern 40 is transferred onto the insulating film 38 through a photolithography method. - 特許庁

ベースプレート本体３２と基礎コンクリート１との隙間に形成されるモルタル充填層（ベースモルタル）１３に凸条３３を埋入させる。例文帳に追加

The projecting strips 33 are buried into a mortar filling layer (base mortar) 13 formed in an opening between the base plate body 32 and foundation concrete 1. - 特許庁

半導体基板３００上に、第１の有機含有シリコン酸化膜３０３、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第２の有機含有シリコン酸化膜３０５を順次堆積した後、第２の有機含有シリコン酸化膜３０５の上にマスクパターン３０８を形成する。例文帳に追加

In the method for formation of wiring structure, a first organic matter-bearing silicon oxide film 303, an SOG film 304 having a low specific inductive capacity, and a second organic matter-containing silicon oxide film 305 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 300, and then, a mask pattern 308 is formed on the silicon oxide film 305. - 特許庁

シリコン層３３とソース領域３７との間のベース領域３５上に薄いシリコン酸化膜３８を介してポリシリコンからなるゲート電極３９が形成される。例文帳に追加

A gate electrode 39 consisting of polysilicon is formed on the base region 35 between the silicon layer 33 and source region 37 via a thin silicon oxide 38. - 特許庁

第４液状ゲルは、第３液状ゲルに金属酸化物ゾルが混合ゲル化されて形成される。例文帳に追加

The forth liquid gel is composed by mixing metal oxide sol with the third liquid gel and by gelating it. - 特許庁

この場合、Ｈラジカルにより、ガラス基板１３上に成膜される酸化シリコン膜が改質される。例文帳に追加

In this case, the silicon oxide film formed on the glass substrate 13 is reformed with the H radical. - 特許庁

メモリカード１３は、表示部２に表示されるコンテンツ本体であるページファイル１３３，各コンテンツに属するページファイル１３３を管理するためのコンテンツ管理ファイル１３２，メモリカード１３内の全てのコンテンツ管理ファイル１３２を管理する全体管理ファイル１３１の３種類のファイルを有するデータ構造を有している。例文帳に追加

A memory card 13 is provided with a data structure having three kinds of files, namely, page files 133 being content main bodies to be displayed on a display part 2, content management files 132 for managing the page file 133 belonging to respective contents, and an overall management file 131 for managing all the content management files 132 in the memory card 13. - 特許庁

ターボチャージャ３０を設けたエンジン１０において、コンプレッサインペラ３１の上流には補助コンプレッサ３８が設けられている。例文帳に追加

In the engine 10 equipped with the turbocharger 30, the auxiliary compressor 38 is provided upstream of a compressor impeller 31. - 特許庁

金融店舗３のＰＣ３０が広告コンテンツ情報や割込みコンテンツ情報を表示装置３７に表示させる。例文帳に追加

The PC30 of the financial store 3 displays the advertisement content information and the interruption content information on a display device 37. - 特許庁

バスバー・ボード３０は、コイル３５及びコンデンサ３６と電気的に接続されるバスバーを含み、コイル３５及びコンデンサ３６が固定される固定面３３ｂと、固定面３３ｂの裏面である接合面３３ａとを有している板状の部材である。例文帳に追加

A bus bar board 30 includes a bus bar electrically connected to the coil 35 and the capacitor 36, and is a plate-like member having a fixation surface 33b to which the coil 35 and the capacitor 36 are fixed and a joint surface 33a which is the back surface of the fixation surface 33b. - 特許庁

チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体の製造方法、チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体及びチタン酸ジルコン酸鉛系スパッタリングターゲット例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SINTERED BODY, LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SINTERED BODY, AND LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SPUTTERING TARGET - 特許庁

携帯端末装置３は、入力部３１と、割り込みコントローラ３２と、管理部３３と、キャッシュ３４と、ＩＣカードインターフェース３６と、ＲＯＭ３７と、ＲＡＭ３８と、送受信部３９と、表示部４０とから構成される。例文帳に追加

The mobile terminal 3 comprises: an entry section 31; an interrupt controller 32; a management section 33; a cache 34; an IC card interface 36; a ROM 37; a RAM 38; a transmission reception section 39; and a display section 40. - 特許庁

３Ｄ ＲＲＡＭで用いられるメモリアレイ層は、シリコン基板上の周辺回路で形成され、シリコン酸化物層、下部電極材料、シリコン酸化物、抵抗器材料、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化物、上部電極およびカバーリング酸化物が堆積されて、形成される。例文帳に追加

A memory array layer used for 3D RRAM is formed with peripheral circuit on a silicon substrate, and formed by depositing: silicon oxide layer; lower electrode material; silicon oxide; resistor material; silicon oxide; silicon nitride; silicon oxide; upper electrode material; and covering oxide. - 特許庁

サーバ３は携帯電話機からリモコンデータが要求されると（３２１）、電話番号情報をキーワードにして携帯電話情報記憶部３２に登録されている機器情報を取得し（３２２，３２３）、リモコン信号の詳細なデータ構成をリモコンデータ部３４から取得する（３２４，３２５）。例文帳に追加

When the remote control data are requested from the portable telephone (321), a server 3 acquires the apparatus information registered with a portable telephone information storage part 32 with telephone number information as a keyword (322, 323), and acquires a detailed data structure of a remote control signal from a remote control data part 34 (324, 325). - 特許庁

参照元コンポーネントでは、ファイル１３を用いて、他のコンポーネントを参照するオリジナルシンボル名がコンポーネントＩＤとシンボルＩＤとの対に置き換えられ、シンボル参照情報テーブル２３が作成される。例文帳に追加

In a reference source component, the original symbol name referring the other component is replaced with a pair of the component ID and the symbol ID by using the file 13, and the symbol reference information table 23 is made. - 特許庁

情報配信システムは、情報登録者毎に設置され、少なくとも１つの配信コンテンツ２３３と配信コンテンツ２３３の再生制御情報２３２とが入力される情報登録端末と、配信コンテンツ２３３および再生制御情報２３２を送信するデータ送信手段とを有している。例文帳に追加

An information distribution is set up for each information registrant and has an information registration terminal for at least one distribution content 233 and a reproduction control information 232 to input the distribution content 233, and a data-transmitting means for transmitting the distribution content 233 and the reproduction control information 232. - 特許庁

セメント混和剤用ポリカルボン酸系重合体およびセメント混和剤例文帳に追加

POLYCARBOXYLIC ACID POLYMER FOR CEMENT ADMIXTURE AND CEMENT ADMIXTURE - 特許庁

薄膜状のブリッジ部３５の上面にポリシリコンからなるヒータ３６を設け、その両側にサーモパイル３７、３８を配置する。例文帳に追加

The heater 36 which is composed of polysiliocn is formed on the surface of a thin filmlike bridge part 35, and thermopiles 37, 38 are arranged on both sides of it. - 特許庁

無機酸化物は、シリカ、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの混合物からなる群より選択される。例文帳に追加

The inorganic oxide is selected from among a group consisting of silica, titanium dioxide, zirconium oxide, zinc oxide, tin oxide and mixtures thereof. - 特許庁