「アクセプタ対」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。例文帳に追加

The field effect transistor includes: a first impurity introduction region 110 which is formed on a first barrier layer 102 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb; and a second impurity introduction region 111 which is formed on a second barrier layer 104 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb. - 特許庁

この電極は基板１２４上に結合された支持フィラメント１１０と、その上に堆積された電気化学的反応の反応物を受容するように構成されたドナーアクセプタ材料を含む層間層より構成され、前記層間層の前記基板に対して遠位にある領域に比べて低量のドナーアクセプタ材料を含む前記層間層の前記基板に近接した領域とを具えている電極。例文帳に追加

The electrode is constituted of a support filament 110 coupled onto a substrate 124, and the intercalation layer, including a donor acceptor material configured to receive a reactant of an electrochemical reaction deposited thereon, and the electrode includes a region of the intercalation layer which is close to the substrate and includes a lower amount of donor acceptor material compared with a region of the intercalation layer distal with respect to the substrate. - 特許庁

液体リザーバと液体アクセプタとを接続した際に、当該液体リザーバと液体アクセプタとの接続位置に対する許容が広く、両者の接続状態を常に良好に維持することが可能であり、液体の送受を安全且つ確実に行うことができる液体送受用ジョイント装置及びこれを備えた燃料電池システムを提供する。例文帳に追加

To provide a joint device for liquid feeding and accepting having wide allowance to a connection position of a liquid reserver and a liquid acceptor when the liquid reserver and the liquid acceptor are connected, always favorably keeping the connection state of them, and safely conducting the feeding and accepting of the liquid; and to provide a fuel cell system equipped with this joint device. - 特許庁

三級芳香族アミン化合物、非対象型スクアリリウム化合物に、優れた電子アクセプターであるフラーレンを導入することで得られる、太陽発電用有機増感色素である。例文帳に追加

The organic sensitizing dye for solar power generation is obtained by introducing a fullerene being an excellent electron acceptor to a tertiary aromatic amine compound or an asymmetric squarylium compound. - 特許庁

第１有機半導体材料は、反対のタイプの材料である第２有機半導体材料に関連してドナータイプまたはアクセプタータイプである。例文帳に追加

The first organic semiconductor material is a donor type or an acceptor type relating to the second organic semiconductor material which is a converse type material. - 特許庁

ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動若しくは交流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a light emitting element satisfactorily providing surface emission according to donor-acceptor pair light emission by DC driving or AC driving of low voltage and, at the same time, having improved life characteristics than heretofore. - 特許庁

ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度が低下しにくい発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a light-emitting element whereby surface emission by donor/acceptor emission can be sufficiently obtained by direct current drive, and luminance is hardly deteriorated. - 特許庁

ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a light-emitting element sufficiently obtaining surface emission owing to donor-acceptor pair emission by DC drive and also improving emission brightness compared with conventional ones. - 特許庁

標的配列の非存在下では、リニアビーコンは、プローブの反対の端に結合したドナーとアクセプター残基間の効率的なエネルギー移動を促進する。例文帳に追加

In the absence of a target sequence, linear beacons facilitate efficient energy transfer between donor and acceptor moieties linked to opposite ends of the probe. - 特許庁

ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a light emitting element that sufficiently obtain surface light emission by donor-acceptor pair light emission by low-voltage DC driving and is improved in lifetime characteristics. - 特許庁

光照射前の開放電圧の極大値に対して、０．８５〜０．９９倍になるように、ｐ型半導体のアクセプタ不純物濃度を設定しても良い。例文帳に追加

The acceptor impurity concentration of the p-type semiconductor can be set so that the open voltage before the irradiation of light can be set so as to be 0.85-0.99 times as large as the maximum value of the open voltage before the irradiation of light. - 特許庁

例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。例文帳に追加

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band. - 特許庁

本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素と、少なくとも２成分からなり、各成分のアクセプター数が３５以下、比誘電率が４０以下の溶媒とを含み、高誘電率膜に対する２５℃でのエッチレートがシリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The microfabrication processing agent consisting of hydrogen fluoride, at least two components, and a solvent with acceptor number of each component of 35 or less and specific inductive capacity of 40 or less, and etching rate to the high permittivity film at 25°C twice or more than that to the silicone oxide film at 25°C. - 特許庁

発光素子１００は、一対の電極２，４と、電極２，４間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層３とを備え、発光層３は、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素を含む。例文帳に追加

The light emitting element 100 comprises a pair of electrodes 2, 4 and a light emitting layer 3 which is arranged between the electrodes 2, 4 and has a donor-acceptor pair light emission function, wherein the light emitting layer 3 contains at least one kind of element among Y, Nb, Mo, Zr, Hf, Ta, W and Re. - 特許庁

また、電極間への電圧の印加に伴って電極内に蓄積される電荷Ｑの、印加電圧Ｖに対する微分係数の絶対値|ｄＱ／ｄＶ|の極小値が該キャパシタの使用電圧範囲内に入らないように、ドナー及び／又はアクセプタのドープ量を選定する。例文帳に追加

Also, the dope quantity of the donor and/or the acceptor is selected, so that the minimum value of the absolute value |dQ/dV| of the differential coefficients of charge Q to be stored in the electrodes according to the application of the voltage between electrodes to an application voltage V can be prevented from being within the working voltage limit of the capacitor. - 特許庁

不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。例文帳に追加

In the impurity diffusion layer 110, impurities which show acceptor properties to the AlGaN layer 104 are diffused, and an impurity level obtained through coupling nitrogen holes of the AlGaN layer 104 with the impurities is formed nearby a conduction band end of the AlGaN layer 104. - 特許庁

超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。例文帳に追加

The method of obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride comprises a step of crystallization on a seed of mono-crystalline gallium-containing nitride from a supercritical ammonia-containing solution, wherein at process conditions the molar ratio of acceptor dopant ions to the supercritical ammonia-containing solvent is at least 0.0001. - 特許庁

本発明は、署名鍵（ｐｋ_Ｂ，ｓｋ_Ｂ）を有する発行者と、エミッタ鍵（ｐｋ_Ｕ，ｓｋ_Ｕ）を有するエミッタと、一意のアイデンティティ（ｉｄ_Ｍ）および取引に対する限度（Ｎ_Ｍ）を有するアクセプタと、バリデータとの間の取引を自動的に妥当性検査する方法に関する。例文帳に追加

A validity checking method is provided for automatically checking validity of transaction among an issuer having signature keys pk_B, sk_B, an emitter having emitter keys pk_U, sk_U, an accepter having unique identity id_M and a limit N_M to transaction, and a validator. - 特許庁

一対の電極と、一対の電極の間に設けられた光電変換層とを備えた光電変換素子であって、光電変換層が、有機化合物として一種類のドナー−アクセプタ連結構造の有機化合物のみを含み、光電変換層の形成時に膜の温度を室温以下とした状態で形成される。例文帳に追加

The photoelectric conversion element includes a pair of electrodes and the photoelectric conversion layer provided between the pair of electrodes, and the photoelectric conversion layer contains only an organic compound of one kind of donor-acceptor linked structure as an organic compound and is formed in a state that the temperature of the layer is held at room temperature or below when formed. - 特許庁

FRETドナー実体を保有する第１のオリゴヌクレオチドおよびFRETアクセプター実体を保有する第２のオリゴヌクレオチドからなり、ドナー蛍光実体を保有するオリゴヌクレオチドが、少なくとも１つの第２の実体を保有しており、該第２の実体が該ドナー蛍光実体の蛍光発光を消光しうる化合物である、FRETハイブリダイゼーションプローブ対。例文帳に追加

The FRET hybridization probe pair comprises the first oligonucleotide having an FRET donor substance and the second oligonucleotide having an FRET acceptor substance, wherein an oligonucleotide having a donor fluorescent substance has at least one second substance and the second substance is a compound extinguishing fluorescene of the donor fluorescent substance. - 特許庁

一方のオリゴヌクレオチドにエネルギードナー蛍光色素が導入され、他方のオリゴヌクレオチドはエネルギーアクセプター蛍光色素が導入され、オリゴヌクレオチド対とＷＴ１ ｍＲＮＡとのハイブリッドにおいて、２つの蛍光色素の距離は２〜２０塩基であるＷＴ１ ｍＲＮＡ検出プローブ。例文帳に追加

A probe for detecting WT1 mRNA having 2-20 bases distance between two fluorescent dyes in a hybrid of an oligonucleotide pair with the WT1 mRNA comprising an energy donor fluorescent dye introduced into one oligonucleotide and an energy acceptor fluorescent dye introduced into the other oligonucleotide is provided. - 特許庁

割り当て済みユーザ（２、３、４）によって受信された識別子は、格納済み識別子とローカルに比較され、前記受信識別子の属するメッセージがそれを受信した割り当て済みユーザ（２、３、４）に適当かどうかを確認するために検査され、適当な場合には、対応するアクセプタンス信号が当該の割り当て済みユーザ（２、３、４）に送信される。例文帳に追加

The identifier received by the allocated users (2, 3, 4) is locally compared with a stored identifier, checked to confirm whether or not a message to which the received identifier belongs is proper to the allocated users (2, 3, 4) who receive it, and when it is proper, a corresponding acceptance signal is sent to the allocated users (2, 3, 4). - 特許庁

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。例文帳に追加

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device. - 特許庁

一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。例文帳に追加

The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order. - 特許庁