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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > アルミニウム結晶に関連した英語例文

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アルミニウム結晶の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 642



例文

結晶性N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム塩の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE N-NITROSO-N-PHENYLHYDROXYLAMINE ALUMINUM SALT - 特許庁

N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム結晶およびその製造方法例文帳に追加

N-NITROSO-N-PHENYLHYDROXYLAMINE ALUMINUM SALT CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

ガリウム‐アルミニウム酸化物結晶膜及びその製造方法並びにそれを用いた半導体素子例文帳に追加

GALLIUM-ALUMINUM OXIDE CRYSTAL FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

フッ化リチウムカルシウムアルミニウム結晶の加工歪み、残留歪みを除去すること。例文帳に追加

To relieve the work strain and residual strain of a lithium calcium aluminum fluoride single crystal. - 特許庁

例文

窒化アルミニウム結晶ブール成長のための方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for growing an aluminum nitride monocrystal boule. - 特許庁


例文

窒素雰囲気でアニールし、多結晶シリコンのゲート電極をアルミニウムに置換する。例文帳に追加

This is annealed in a nitrogen atmosphere so that the polycrystal silicon gate electrode is substituted with aluminum. - 特許庁

また、酸性染料が食用色素であるアルミニウムレーキ顔料の結晶例文帳に追加

The aluminum lake pigment crystal, wherein the acidic dye is an edible dye is provided. - 特許庁

酸化アルミニウム結晶媒体を利用するビット方式光学データ記憶例文帳に追加

BIT-SYSTEM OPTICAL DATA STORAGE UTILIZING ALUMINUM OXIDE SINGLE CRYSTAL MEDIUM - 特許庁

酸化アルミニウム蒸着サファイヤ単結晶基板及び半導体発光素子用基板例文帳に追加

ALUMINUM OXIDE EVAPORATED SAPPHIRE SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE SUBSTRATE - 特許庁

例文

粗大結晶粒の存在しないアルミニウム合金製締結具の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a joining tool made of an aluminum alloy in which coarse crystal grains are not present. - 特許庁

例文

直径及び厚さの大きな単結晶窒化アルミニウムを製造する方法を提供。例文帳に追加

To provide a method for producing a single crystal aluminum nitride large in diameter and thick in thickness. - 特許庁

高温焼鈍時の再結晶粒微細化に優れた高強度高成形性アルミニウム合金板例文帳に追加

HIGH STRENGTH AND HIGH FORMABILITY ALUMINUM ALLOY SHEET EXCELLENT IN REFINING OF RECRYSTALLIZED GRAIN AT THE TIME OF HIGH TEMPERATURE ANNEALING - 特許庁

高温アルミニウム膜5の表面では、結晶粒界により開口部7が形成されている。例文帳に追加

An opening 7 is formed by a crystal grain boundary on the surface of the film 5. - 特許庁

高品質の窒化アルミニウム結晶自立基板を効率良く製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method achieving efficient production of a high-quality aluminum nitride single crystal self-supporting substrate. - 特許庁

大径の窒化アルミニウム結晶を安価に製造し得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing an aluminum nitride single crystal, by which the aluminum nitride single crystal having a large diameter can be produced at a low cost. - 特許庁

緻密で結晶の粒径が小さい窒化アルミニウム質焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a dense aluminum nitride sintered compact wherein crystal grains have small sizes. - 特許庁

超音波センサの製造法および多結晶アルミニウム成形体の製造法ならびに超音波センサ例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING ULTRASONIC SENSOR, METHOD OF MANUFACTURING POLYCRYSTAL ALUMINUM MOLDED ARTICLE AND ULTRASONIC SENSOR - 特許庁

熱伝導率の大きい窒化アルミニウムなどの材料を結晶成長用の基板として用いる。例文帳に追加

A material having high thermal conductivity, e.g. aluminum nitride or the like, is employed in a substrate for crystal growth. - 特許庁

1モル部のリン源と0.8〜1.8モル部のアルミニウム源とを含有する液状混合物から結晶性リン酸アルミニウム水和物を合成する方法であって、マイクロ波照射により加熱することを特徴とする結晶性リン酸アルミニウム水和物の合成方法。例文帳に追加

In the method for synthesizing crystalline aluminum phosphate hydrate from a liquid mixture containing 1 part by mol of a phosphorus source and 0.8-1.8 parts by mol of an aluminum source, heating is carried out by irradiation with microwaves. - 特許庁

この場合、アルミニウム素管のアルミニウム結晶粒の抽伸方向の長さをL、抽伸方向と直角な方向の長さをDとするとき、70%以上のアルミニウム結晶粒のL/Dを1.5以上3.0以下、かつ旋削時の線速を6500mm/sec以上とする。例文帳に追加

In such a case, when length in the reduction direction of the aluminum crystal grain of the aluminum pipe stock is defined as L and length in a direction perpendicular to the reduction direction is defined as D, L/D of70% aluminum crystal grain is 1.5 to 3.0, and the linear velocity at the time of lathe turning is ≥6500 mm/sec. - 特許庁

Al-Mg-Si系アルミニウム合金板において、結晶粒内のMg_2Si 析出物の平均間隔が40nm以上であり、かつ、アルミニウム合金板表面の結晶粒内のすべり帯組織であって、アルミニウム合金板に5%の歪みを与えた際に生じるすべり帯組織同士の平均間隔が1.5 μm 以下であるものとする。例文帳に追加

In the Al-Mg-Si aluminum alloy sheet, the average spacing of Mg_2Si precipitates in a crystal grain is40 nm, and also the average distance between slip-band structures existing in the crystal grain at the surface of the aluminum alloy sheet and occurring when 5% strain is applied to the aluminum alloy sheet is ≤1.5 μm. - 特許庁

アルミニウム材の表面に結晶粒模様を有し、各々の結晶が視線の角度に応じてその色彩が変化し、アルミニウム材全体でコントラストのある華やかな虹彩色の装飾模様を発現するアルミニウム材の表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface treatment method for an aluminum material which forms crystal gain patterns on the surface of the aluminum material in such a manner that the colors of the respective crystals vary according to the angles of lines of vision and develop ornamental patterns of gorgeous rainbow colors having a contrast over the entire part of the aluminum material. - 特許庁

アルカリ土類金属アルミン酸塩を母体結晶とし、該母体結晶に賦活剤して希土類元素を含有する蓄光性蛍光体の粉末に重リン酸アルミニウム又はメタリン酸アルミニウム等のリン酸アルミニウムを添加して成形することを特徴とする蓄光性蛍光成形体。例文帳に追加

The objective light-accumulating fluorescent molded article is produced by adding an aluminum phosphate such as aluminum biphosphate or aluminum metaphosphate to light-accumulating fluorescent material powder containing an alkaline earth metal aluminate as a matrix crystal and a rare earth element added to the matrix as an activation agent and molding the obtained mixture. - 特許庁

高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an aluminum nitride crystal and a crystal growth device capable of growing a high-quality aluminum nitride crystal in a simple process. - 特許庁

気相法による窒化アルミニウム結晶の製造において、原料ガスや炉内に含まれる酸素に由来する窒化アルミニウム結晶への酸素の固溶を低減するための単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for an aluminum nitride single crystal by a gas phase process for reducing the solid solubilizing of oxygen derived from that included in a raw material gas or in a furnace to the single crystal. - 特許庁

長時間に亘り結晶成長速度が安定しており、良好な品質の窒化アルミニウム結晶を生産性良好に製造することのできる窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an aluminum nitride single crystal by which an aluminum nitride single crystal having good quality can be produced with good productivity while a crystal growth rate is stabilized for a long time. - 特許庁

金属担持結晶性シリカアルミノフォスフェート粒子の表面がリン酸アルミニウムで修飾されてなり、触媒中のリン酸アルミニウムの含有量が金属担持結晶性シリカアルミノフォスフェート粒子に対してリン酸アルミニウムをAl_2O_3+P_2O_5として0.1〜40重量%の範囲にあることを特徴とするリン酸アルミニウム修飾金属担持結晶性シリカアルミノフォスフェート触媒。例文帳に追加

In the aluminum phosphate-modified metal-supported crystalline silica aluminophosphate catalyst, the surface of the metal-supported crystalline silica aluminophosphate particles is modified by aluminum phosphate, and the content of aluminum phosphate in the catalyst is within the range of 0.1 to 40 wt.% when the aluminum phosphate is given as Al_2O_3+P_2O_5 based on the metal-supported crystalline silica aluminophosphate particles. - 特許庁

基板1としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のGaN層10、結晶性のAlC層20を順次積層して配置した積層基板100であって、炭化アルミニウム結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。例文帳に追加

In this laminated substrate 100 formed by laminating and arranging successively a crystalline GaN layer 10 and a crystalline AlC layer 20 on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate or an aluminum nitride substrate as a substrate 1, trimethyl aluminum as aluminum-containing gas and methane as catbon-containing gas are supplied as a growing condition of an aluminum carbide crystal, to thereby promote growth by a metal organic chemical vapor deposition method. - 特許庁

チタン酸アルミニウム結晶100重量部及びスピネル結晶2〜6重量部を含む混合物を粉砕することを特徴とするチタン酸アルミニウム焼結体製造用原料粉末の製造方法、及びこの方法で得られたチタン酸アルミニウム焼結体製造用原料粉末を成形した後、焼成することを特徴とするチタン酸アルミニウム焼結体の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing raw material powder for manufacturing the aluminum titanate sintered compact consisting in pulverizing a mixture containing 100 pts.wt. aluminum titanate crystal and 2 to 6 powder spinel crystal and the method for manufacturing the aluminum titanate sintered compact consisting in molding the raw material powder for manufacturing the aluminum titanate sintered compact obtained by the method, then sintering the molding. - 特許庁

本発明による窒化アルミニウム結晶の製造方法では、窒素元素を含む非酸化性雰囲気中において、一種以上の遷移金属元素を総量で1〜50原子%の範囲内で含むアルミニウム合金を溶融させて所定時間維持することによって、アルミニウムの窒化を促進させて窒化アルミニウム結晶を成長させることを特徴としている。例文帳に追加

In the method of producing the aluminum nitride single crystal, the aluminum nitride single crystal is grown by melting an aluminum alloy containing at least one transition metal element in an amount of 1 to 50 atom.% in total, in a non-oxidizing atmosphere containing nitrogen and maintaining the alloy in a molten state for a predetermined time so as to accelerate nitriding of aluminum. - 特許庁

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第1ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層上に結晶質補助層を形成する第2ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化する第3ステップと、を含むことを特徴とするアルファアルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用したメモリ素子の製造方法である。例文帳に追加

The forming method of an alpha aluminum oxide layer, along with a manufacturing method of a memory element which utilizes the same, includes a first step for forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower part film, a second step for forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and a third step for crystallizing the amorphous aluminum oxide layer. - 特許庁

カーボン、窒素および一酸化炭素の存在下に、基板を加熱処理することにより窒化して上記単結晶窒化アルミニウム膜並びに単結晶窒化アルミニウム積層基板が形成される。例文帳に追加

The single crystal aluminum nitride membrane as well as the single crystal aluminum laminated substrate are formed by nitriding the substrate through conducting the heat treatment in the presence of nitrogen and carbon monoxide. - 特許庁

結晶の核となる歪みが多く蓄積され、熱処理を施すことによって微細な再結晶組織を有するアルミニウムおよびアルミニウム合金の圧延方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for rolling of an aluminum and an aluminum alloy having a fine structure of recrystallization by accumulating much strain for nucleus of recrystallization and applying heat treatment. - 特許庁

結晶アルミニウムは、温度勾配炉中において当該アルミニウムを含むるつぼを降下させ当該るつぼを徐々に冷却することによって結晶化させたものを用いるとよい。例文帳に追加

Single crystal aluminum is obtained through a crystallizing process such that a crucible containing aluminum is lowered in a temperature gradient furnace and cooled gradually. - 特許庁

ガラス基板1の上にアルミニウム層3が形成され、アルミニウム層3の上に多結晶シリコン層4が形成された多結晶シリコン薄膜基板40が得られる。例文帳に追加

The polycrystalline silicon thin film substrate 40 which has the aluminum layer 3 formed on the glass substrate 1 and the polycrystalline silicon layer 4 formed on the aluminum layer 3 is obtained. - 特許庁

結晶アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD OF RAISING ENERGY BAND GAP OF CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING CHARGE TRAP MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CRYSTALLINE ALUMINUM OXIDE HAVING HIGH ENERGY BAND GAP - 特許庁

実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an aluminum nitride single crystal, by which an aluminum nitride single crystal being sufficiently large for practical use can be obtained at low cost in a short time and which has high productivity and wide usability. - 特許庁

窒化アルミニウムを主成分とし、Siの含有量が100〜5000質量ppmであって、窒化アルミニウム質焼結体の結晶中及び結晶粒界にSiを存在させる。例文帳に追加

The sintered compact of aluminum nitride comprises aluminum nitride as a main component, wherein the content of Si is 100-5,000 ppm by mass and Si is present in the crystal and the crystal grain boundary of the aluminum nitride sintered compact. - 特許庁

電子部品材料や光学部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム結晶、及びピット、マイクロバブル、突起の発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム結晶を製造する方法を提供。例文帳に追加

To provide a high quality aluminum oxide single crystal which is suitable for an electronic component material or an optical component material; an to provide a method for efficiently producing the aluminum oxide single crystal by suppressing the generation of pits, micro-bubbles and projections. - 特許庁

結晶アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of raising the energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer, and a method of manufacturing a charge trap memory device provided with a crystalline aluminum oxide layer having a high energy band gap. - 特許庁

本発明の電解コンデンサ用アルミニウム箔は、箔厚0.15〜0.6mmの範囲、純度99.9%以上のアルミニウムからなるアルミニウム箔であり、粒径5mm以上の粗大結晶粒が存在せず、かつ、立方晶率が90%以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The aluminum foil for an electrolytic capacitor is made from aluminum with a purity of 99.9% or more, has a foil thickness of 0.15 to 0.6 mm, has no coarse crystal grain with a grain size of 5 mm or larger exist thereon, and has a cubic crystal rate of 90% or higher. - 特許庁

加熱炉1内で窒化アルミニウムの原料粉末9を加熱して昇華させ、種結晶7上で窒化アルミニウムを成長させるに当たり、前記窒化アルミニウムの原料粉末9に、平均粒径10μm以上のもの又は比表面積0.02m^2/g以下のものを用いる。例文帳に追加

When growing aluminium nitride on a seed crystal 7 by heating and sublimating a raw material powder 9 of the aluminium nitride in a heating furnace 1, the manufacturing method uses as the raw material powder 9 of the aluminium nitride one that has an average particle diameter of 10 μm or larger or a specific surface area of 0.02 m^2/g or smaller. - 特許庁

アルミニウム合金溶湯中のチタン(Ti)濃度を減少させると共に、ボロン(B)濃度を安定させ、TiB_2粒子の混入を抑え、更に、微細結晶粒子を有したアルミニウム合金鋳塊を得るためのアルミニウム合金溶湯の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy molten metal treatment method for obtaining an aluminum alloy ingot in which the concentration of titanium (Ti) in aluminum alloy molten metal is reduced, further, the concentration of boron (B) is stabilized and the intrusion of TiB_2 particles is suppressed, and which comprises fine crystal particles. - 特許庁

α型酸化アルミニウム膜被覆工具の、内層膜との密着強度が高く、結晶粒径がより微細で耐クラック性と耐摩耗性とに優れたα型酸化アルミニウム膜を被覆した酸化アルミニウム被覆工具を実現することである。例文帳に追加

To realize an aluminum oxide coated tool coated with an α type aluminum oxide film which has higher adhesion strength with an inner-layer film of the α type aluminum oxide coated tool and has fine crystal grain sizes and is superior to crack-resistance and wear-resistance. - 特許庁

酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶結晶成長させる際に、サファイア単結晶中への気泡の混入をより抑制する。例文帳に追加

To suppress mixing of air bubbles into a sapphire single crystal when the sapphire single crystal is grown from the melt of aluminum oxide. - 特許庁

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第1ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層内に水素(H)または水酸基(OH)を導入する第2ステップと、水素または水酸基が導入された非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化させる第3ステップと、を含むことを特徴とするアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法である。例文帳に追加

The method of raising the energy band gap of an aluminum oxide layer includes a first step of forming an amorphous aluminum oxide layer on a bottom film, a second step of introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and a third step of crystallizing the amorphous aluminum oxide layer with the introduced hydrogen or hydroxyl group. - 特許庁

好ましくは、アルミニウム及び窒化アルミニウムの少なくとも一方を含む基体を、フッ化アルミニウム粉末と水とが入った容器中に入れ、その後、この容器を加熱することによって、前記基体に100℃以上の温度で熱処理し、前記基体の表面に、好ましくは、Al_2 F_3 (OH)_3 などの水酸化フッ化アルミニウム結晶相を有するフッ化物層を形成する。例文帳に追加

A substrate preferably contg. at least one of aluminum and aluminum nitride is introduced into a vessel contg. aluminum fluoride powder and water, and the vessel is then heated to heat-treat the substrate at100°C, thus forming a fluoride layer preferably having a main crystal phase consisting of aluminum fluoride hydroxide such as Al2F3(OH)3 on the substrate surface. - 特許庁

少なくともアルミニウムと、好ましくはSiCを含んでなる複合体を、フッ化アルミニウム粉末と水とが入った容器中に入れ、その後、この容器を加熱することによって、前記複合体に100℃以上の温度で熱処理を施し、前記複合体の表面に露出したアルミニウムを、好ましくは、水酸化フッ化アルミニウム結晶相を含んだフッ化物で覆う。例文帳に追加

A composite body contg. at least aluminum and preferably SiC is charged into a vessel charged with aluminum fluoride powder and water, and, after that, the vessel is heated, by which the composite body is subjected to heat treatment at100°C, and aluminum exposed to the surface of the composite body is covered with fluoride preferably contg. an aluminum hydroxide- fluoride main crystal phase. - 特許庁

結晶成長中に坩堝内壁より種結晶が剥離、脱落するのを抑制し、かつ、結晶性が良好な窒化アルミニウム結晶を製造することのできる窒化アルミニウム結晶の製造方法および製造装置の提供。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for manufacturing an aluminum nitride single crystal that suppresses peeling and falling of a seed crystal from an inner wall of a crucible during crystal growth and can manufacture an aluminum nitride single crystal of good crystallinity. - 特許庁

例文

結晶化セラミックス皮膜3として、炭化ケイ素、窒化ケイ素、α−アルミナ、ルチル、マグネシウムアルミニウムスピネル、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)、ムライト、チタン酸ジルコニウムが用いられる。例文帳に追加

For forming the crystallized ceramic coating film 3, silicon carbide, silicon nitride, α-alumina, rutile, magnesium aluminum spinel, YAG (yttrium-aluminum-garnet), mullite or zirconium titanate is used. - 特許庁

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