「アルミニウム結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、ハロゲン化アルミニウム、より好ましくは、塩化アルミニウム(AlCl_3)と異種金属又はこれらの金属化合物とを含む混合雰囲気の低温条件で非晶質シリコン薄膜を結晶化することによって、経済的且つ効率的に多結晶シリコン薄膜を製造することを目的とする。例文帳に追加

To efficiently and economically manufacture a polycrystal silicon thin film by crystallizing an amorphous silicon thin film at a low temperature in the mixture atmosphere containing: aluminum halide, preferably aluminum chloride (AlCl_3), and heterologous metals or metallic compounds thereof. - 特許庁

原料としてのイットリウム、アルミニウムおよび鉄の化合物の粉末をボールミルにより処理して固相反応を生じさせ、得られる非平衡物質を結晶化させることで、イットリウム・アルミニウム・鉄ペロブスカイト型複合酸化物の多結晶粉末とする。例文帳に追加

This method comprises the steps of treating powder of compounds of yttrium, aluminum and iron as raw materials by a ball mill to effect solid reaction, and crystallizing the obtained non-equilibrated substance to form polycrystalline powder of yttrium - aluminum - iron perovskite-type oxide. - 特許庁

単結晶基板１上にアルミニウム層を形成し、そのアルミニウム層の表面を陽極酸化して得られる多孔質アルミナ層２上にIII 族窒化物結晶層３を成長させるという簡単な方法により、低欠陥の半導体が得られる。例文帳に追加

The semiconductor having the low defective rate is obtained by a simple method for forming an aluminum layer on a single-crystal substrate 1 and growing a group III nitride crystal layer 3 on a porous alumina layer 2 obtained by anode-oxidizing the surface of the aluminum layer. - 特許庁

人工水晶を育成する水熱合成法を実施する際に、アルカリ水溶液に添加材として水酸化アルミニウムもしくは炭酸アルミニウムを加えることにより、結晶中のＳｉをＡｌに置換する手法では、水晶結晶中に充分な量のＡｌを含有させることができない。例文帳に追加

To solve such a problem that the sufficient amount of Al can not be included in quartz crystal in such a technique as to replace Si in crystal with Al by adding aluminum hydroxide or aluminum carbonate into an aqueous alkaline solution as an additive when implementing a hydrothermal synthesis method for growing artificial quartz. - 特許庁

第１の金属電極ＬＥＬ１を形成する工程には、少なくとも１層の第１のバリア層Ｔ１を形成する工程と、第１のバリア層Ｔ１上に、アルミニウム層ＡＣ１を形成する工程と、アルミニウム層ＡＣ１を構成する結晶を再結晶化する工程とを含んでいる。例文帳に追加

The step for forming the first metal electrode LEL1 includes a step for forming at least one first barrier layer T1, a step for forming the aluminum layer AC1 on the first barrier layer T1, and a step for recrystallizing the crystal composing the aluminum layer AC1. - 特許庁

長時間の成長でも原料の昇華速度が長時間に亘り安定しており、安定した品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶用原料及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a raw material for an aluminum nitride single crystal and a method for producing the raw material, showing a stable sublimation rate of the raw material for a long time even in a long-term growing process and producing an aluminum nitride single crystal having stable quality. - 特許庁

微小な気泡に起因するピットやマイクロバブルが大幅に減少し、電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びマイクロバブルの発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide aluminium oxide single crystal having high quality which is reduced in pits and micro-bubbles that are caused by fine bubbles and is suitable for a material of electronic parts and a material of optical parts, and to provide a method for efficiently manufacturing aluminium oxide single crystal by suppressing the generation of micro-bubbles. - 特許庁

酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing the solid solution comprises a step of obtaining an aluminum oxide-gallium oxide solid solution by a floating zone melting method in which a sintered compact using a gallium oxide powder and an aluminum oxide powder as raw materials is used and a gallium oxide single crystal is used as a seed crystal. - 特許庁

Ｚｎ：４．８〜７％、Ｍｇ：１〜３％、Ｃｕ：１〜２．５％、Ｚｒ：０．０５〜０．２５％を含有し、残部Ａｌおよび不純物からなる組成を有するアルミニウム合金板であって、該アルミニウム合金板の板面において結晶方位差が３〜１０°の結晶粒界を２５％以上含む組織を有する。例文帳に追加

This aluminum alloy sheet has a composition containing 4.8 to 7% Zn, 1 to 3% Mg, 1 to 2.5% Cu and 0.05 to 0.25% Zr, and the balance Al with impurities, and, in the sheet face, a structure containing grain boundaries in which the crystal orientation difference is 3 to 10° are contained by ≥25% is provided. - 特許庁

上記多孔質プラチナ粒子は、結晶性プラチナ粒子と、アミン化合物および水素化アルミニウムの錯体とを５０〜３００℃において接触させて少なくともプラチナおよびアルミニウムからなる複合粒子を形成し、該複合粒子を酸または塩基と接触させて該複合粒子中のアルミニウムを溶出させる工程を経ることによって製造することができる。例文帳に追加

The porous platinum particles are manufactured by bringing crystalline platinum particles into contact with a complex of an amine compound and hydrogenated aluminum at 50-300°C to form composite particles composed of at least platinum and aluminum, and bringing the composite particles into contact with an acid or a base to elute the aluminum contained in the composite particles. - 特許庁

ランタノイド元素を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有させて、窒化アルミニウム結晶の粒界にランタノイド元素とアルミニウムとの複合酸化物が形成され、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍである窒化アルミニウム焼結体を得る。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact having volume resistivity at normal temperature of 1×10^9 to 1×10^14Ω cm is obtained by incorporating an element of the lanthanide in an amount of 0.5 to 7 mass%, expressed in terms of its oxide, so as to form a compound oxide of the lanthanide element and aluminum on the grain boundary of aluminum nitride crystals. - 特許庁

三塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスとアンモニア等の窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する際に、予め３００〜５５０℃で前記両ガスを反応させ、次いで１１００℃〜１６００℃で同両ガスを反応させる二段成長法を採用する。例文帳に追加

When manufacturing aluminum-based group III nitride crystal by vapor phase-growing it on a substrate by reacting a group III halide gas containing an aluminum halide such as aluminum trichloride with a nitrogen source gas such as ammonia on the substrate, there is employed a two step growing method where the both gases are reacted preliminarily at 300-550°C and then at 1,100-1,600°C. - 特許庁

三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。例文帳に追加

In the process for producing a crystal of Al based III nitride such as aluminium nitride by causing reaction of the gas of Al based III halide such as aluminium trichloride and ammonia gas on a substrate held in a reaction region thereby causing vapor phase epitaxy on the substrate, the Al based III halide gas is touched to metal aluminium 15 before being fed out to a growth reaction tube 16 to cause reaction. - 特許庁

アルミニウム合金層の使用により、櫛歯状電極の抵抗値を減少させることができ、また窒素を含むアルミニウム合金層の使用により、微小欠陥の発生、成長を抑え、またアルミニウムの異常結晶成長を抑え、櫛歯状電極の断線と、他の配線との間の電気的ショートを防止することができる。例文帳に追加

The resistance value of the comb-shaped electrode can be reduced by using the aluminum alloy layer and the occurrence and the growth of the fine defect and abnormal crystal growth of aluminum can be suppressed and disconnection of the comb-shaped electrode and electric short circuit between the comb-shaped electrode and another wiring can be prevented by using the aluminum alloy layer containing nitrogen. - 特許庁

アルミニウム合金基材の表面に、前記アルミニウム合金基材よりも高強度を有する準結晶分散合金またはアモルファス分散合金からなる粉末を、コールドスプレー法により固相状態のまま不活性ガスと共に超音速流で基材に衝突させて強化皮膜を形成させ前記アルミニウム合金基材を強化する。例文帳に追加

The surface of an aluminum alloy base material is collided with a quasicrystal-dispersed alloy or an amorphous substance-dispersed alloy having strength higher than that of the aluminum alloy base material as a solid phase state together with an inert gas at a supersonic flow by a cold spray process, so as to form a strengthening film, thus the aluminum alloy base material is strengthened. - 特許庁

本発明に係る表面弾性波素子１２の製造方法は、圧電性基板２８上に形成されたアルミニウム電極膜３４の比抵抗値を測定して、このアルミニウム電極膜３４を構成するアルミニウムが単結晶であるか否かを評価するステップと、比抵抗値の測定によって単結晶であると評価されたアルミニウム電極膜３４をパターニングして、櫛形電極３２を形成するステップとを有することを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of a surface elastic wave device 12 has a step of measuring a specific resistance value of an aluminum electrode film 34 formed on a piezoelectric substrate 28, and evaluating whether the aluminum composing the aluminum electrode film 34 is single crystal; and a step of patterning the aluminum electrode film 34 evaluated as single crystal by the measuring of the specific resistance value, and forming a comb electrode 32. - 特許庁

賦活剤としてエルビウムを含有するフッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子であり、エルビウムの含有量は、通常フッ化リチウムカルシウムアルミニウムに対して、０．００１〜５モル％である。例文帳に追加

The vacuum ultraviolet light-emitting element comprises lithium fluoride calcium aluminum single crystal containing erbium as an activator, and the erbium content of lithium fluoride calcium aluminum is normally 0.001 to 5 mol%. - 特許庁

アルミニウム（Ａｌ）およびマンガン（Ｍｎ）を含有するマグネシウム合金溶湯１１中に、アルミニウム合金またはマグネシウム合金で構成した金属カプセル４に黒鉛（Ｃ）粉末および二酸化マンガン（ＭｎＯ_2）を収容して添加することにより、鋳造組織の結晶粒を微細化する。例文帳に追加

The crystal grain of the structure of the casting is refined by adding a metal capsule 4 made of aluminum alloy or magnesium alloy and loaded with the powder of graphite (C) and manganese dioxide (MnO_2) to molten magnesium alloy 11 containing aluminum (Al) and manganese (Mn). - 特許庁

スターター触媒は酸化アルミニウム上のパラジウムおよび酸化バリウムからなり、酸化バリウムおよびパラジウムが一緒に微細に分散した状態で、坦体材料、酸化アルミニウム上に析出され、パラジウム結晶子の平均粒度が３〜７ｎｍである。例文帳に追加

This starter catalyst is composed of palladium and balium oxide on aluminum oxide and is precipitated on the carrier material and aluminum oxide in a state where balium oxide and palladium are jointly dispersed, and the average grain size of the palladium crystallines is 3 to 7 nm. - 特許庁

基板上に、窒化ガリウム層と、窒化アルミニウム層と、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層している。例文帳に追加

A first nitride semiconductor layer consisting of a gallium nitride layer, an aluminum nitride layer, and a group III-V nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer consisting of a group III-V nitride semiconductor layer having microcrystal structure and containing no aluminum are laminated on a substrate. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W／ｍK以上の熱伝導率を有する。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact is characterized in that, in defect analysis in positron annihilation method, the ratio of positrons annihilated within 180 ps (picosecond) in aluminum nitride crystals is ≥90%, and preferably has thermal conductivity of ≥200 W/mK. - 特許庁

窒化アルミニウム結晶の少なくとも粒界に１０重量％以下の助剤相を含み、該助剤相には平均長径が１．０〜３．０μｍの鱗片状の窒化ホウ素粒子が分散していることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact comprises ≤10 wt.% auxiliary agent phase in at least a grain boundary of aluminum nitride crystal and flake like boron nitride particles having 1.0-3.0 μm average length are dispersed in the auxiliary agent phase. - 特許庁

結晶構造が立方晶のβ型ＳｉＣ粒子を３〜２５ｖｏｌ％含むブレーキディスク用アルミニウム基複合材であって、β型ＳｉＣ粒子の平均粒径が３〜３０μｍであることを特徴とするブレーキディスク用アルミニウム基複合材料。例文帳に追加

The aluminum-based composite material for the brake discs contains particles of β-SiC with a cubic crystal structure in amounts of 3 to 25 vol.%, and the average particle size of the β-SiC particles is made to 3 to 30 μm. - 特許庁

コバルト酸化物の微粒子をアルミニウム化合物で表面処理し、次いでこの表面処理した微粒子を酸素含有雰囲気中で焼成することを特徴とし、Ｃｏ_3 Ｏ_4 の結晶構造を有するとともにアルミニウムを含有する微粒子からなるコバルト系黒色顔料。例文帳に追加

The cobalt-based pigment is obtained by surface-treating fine particles of cobalt oxide with an aluminum compound, and sintering the surface-treated fine particles in a oxygen-containing atmosphere, which pigment has crystal structure of CoO and Co_3O_4 and comprises fine particles containing aluminum. - 特許庁

酸化性ガス雰囲気中において熱処理を行なうことにより、アルミニウム酸化物層１０９を堆積する際に結晶化容量絶縁膜１０７Ｂが受けたダメージを回復すると共にアルミニウム酸化物層１０９に含まれる不純物を除去する。例文帳に追加

By the thermal process in an oxidizing gas atmosphere, the damage which the crystallized capacity insulating film 107B suffers when the aluminum oxide layer 109 is deposited is remedied, and the impurities contained in the aluminum oxide layer 109 is removed as well. - 特許庁

窒化アルミニウム焼結体の粒界相には、ＡＥ−Ａｌ−Ｏ相とＲＥ−Ａｌ−Ｏ相、もしくはＡＥ−ＲＥ−Ａｌ−Ｏ相とＲＥ−Ａｌ−Ｏ相とが共存しており、かつ窒化アルミニウム焼結体の平均結晶粒径は 3μm 以下である。例文帳に追加

The AE-Al-O phase and the RE-Al-O phase or the AE-RE-Al-O phase and the RE-Al-O phase coexist at the grain boundary phases of the aluminum nitride sintered compact and the average crystal grain size of the aluminum nitride sintered compact is ≤3 μm. - 特許庁

押し出し成形して形成されたアルミニウム−亜鉛−マグネシウム系のアルミニウム合金で形成された中空状衝撃吸収部材であれば、金属組織において、結晶粒界を挟む無析出物帯の幅が平均で１００ナノメートル以下に設定されている。例文帳に追加

Alternatively, the hollow shock-absorbing member is formed by extrusion molding an aluminum/zinc/magnesium alloy, wherein the width of the precipitate-free zone encompassing the grain boundary is set to ≤100 nm on average in its metal structure. - 特許庁

好ましくは、絶縁体層５は、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、２酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ダイヤモンド結晶炭素（Ｃ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）のいずれか１つを含んで形成される。例文帳に追加

Preferably, the insulator layer 5 is formed by containing at least either one of silicon nitride (Si_3N_4), silicon dioxide (SiO_2), aluminum oxide (Al_2O_3), magnesium oxide (MgO), diamond crystal carbon (C), aluminum nitride (AlN) and silicon carbide (SiC). - 特許庁

昇華法によって形成される窒化アルミニウム単結晶２４用の原料２２であって、窒化アルミニウム粉末と有機バインダとを含んでなる組成物を、圧粉成型後、加熱して有機バインダを除去し、さらに焼成して粉末粒子同士の合一化を行って得られる。例文帳に追加

The raw material 22 for an aluminum nitride single crystal 24 formed by a sublimation method is obtained by green compaction of a composition comprising an aluminum nitride powder and an organic binder, then heating to remove the organic binder, and further firing to unify the powder particles. - 特許庁

また、上記焼結体は、平均粒子径０．１〜２０μｍの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を０〜０．１質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が１５〜３０μｍに到達するまで焼結することによって得られる。例文帳に追加

The sintered compact can be obtained by sintering a formed body containing an aluminum nitride powder having a mean particle diameter of 0.1-20 μm and an auxiliary sintering agent of 0-0.1 pt.mass to the aluminum nitride powder under a neutral or a reducing atmosphere until the mean particle diameter reaches 15-30 μm. - 特許庁

圧電体膜１６は一般式Ａｌ_1-_x Ｇａ_x Ｎ（但し、０＜ｘ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの固溶体または一般式Ａｌ_1-y Ｉｎ_y Ｎ（但し、０＜ｙ＜１）で表される窒化アルミニウムと窒化インジウムとの固溶体よりなる配向性結晶膜である。例文帳に追加

The piezoelectric film 16 is an orientated crystal film, composed of solid solution of aluminum nitride and gallium nitride which is represented by general formula Al_1-xGa_xN (where 0<x<1) or a solid solution of aluminum nitride and indium nitride which is represented by general formula Al_1-yIn_yN (where 0<y<1). - 特許庁

アルミニウム基板の結晶粒界に浸入したフッ酸水溶液の存在により生じるアルミニウム基板上の膨れを抑制し、電流のリーク発生および変換効率の低下を防止できる光電変換装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a photoelectric converter for preventing generation of leak of current and drop of conversion efficiency by controlling local expansion of an aluminum substrate because of existence of aqueous solution of hydrofluoric acid diffused into crystal grain boundary of the aluminum substrate, and to provide a manufacturing method of the photoelectric converter. - 特許庁

本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム結晶組織にＹＡＧ，ＹＡＭおよびＹＡＬの少なくとも一種を含む粒界相が形成され、粒界相の最大径が１μｍ以下であり、かつ熱伝導率が１８８Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact has grain boundary phases which are formed in the crystal structure of aluminum nitride and each of which contains at least one of YAG, YAM and YAL and has ≤1 μm maximum diameter and ≥188 W/m.K thermal conductivity. - 特許庁

ストリーク、面質むらと呼ぶ結晶粒の方位差によるアルミニウム溶解速度の差に起因する処理むらの発生し難く、かつ電気化学的な表面処理で発生する処理むらの発生しにくい平版印刷版用アルミニウム支持体の粗面化方法及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface roughening method and a manufacturing method for an aluminum supporting body for lithographic printing plate by which treatment irregularity, called streak/picture quality irregularity, caused by the difference in the aluminum dissolving rate due to the difference in the azimuth of crystal grains is hardly generated and treatment irregularity caused by the electrochemical surface treatment is hardly generated. - 特許庁

硫酸アルミニウムアンモニウム溶液、又は、硫酸アルミニウム溶液と重炭酸アンモニウム溶液の反応で得られるアンモニウムドーソナイトを水熱処理、焼成、焼成後水熱処理することによって製造される高純度のＢＥＴ比表面積、結晶子径の制御されたベーマイト。例文帳に追加

The high purity boehmite produced by hydrothermally treating ammonium dawsonite obtained by the reaction of an aluminum ammonium sulfate solution or an aluminum sulfate solution with an ammonium bicarbonate solution, firing and after firing, hydrothermally treating has 100-270 m2/g BET specific surface area and 20-90 Å crystallite diameter determined by peak (020) of X-ray diffraction pattern. - 特許庁

ピストンの鍛造方法は、前記鋳造体に対して、２００〜２４０℃の温度で、２０〜４５％の加工率の予備加工を施して鍛造用アルミニウム合金素材を形成し、該鍛造用アルミニウム合金の再結晶温度を超える温度で鍛造加工を施す。例文帳に追加

In the method for forging a piston, the cast body is subjected to previous working at 200 to 240°C at a working ratio of 20 to 45% so as to form an aluminum alloy stock for forging, and the stock is subjected to forging at a temperature above the recrystallization temperature of the aluminum alloy for forging. - 特許庁

平均結晶粒径が１５〜３０μｍであり、酸素濃度が０．１質量％〜０．６質量％、金属不純物量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であって、かかる窒化アルミニウム焼結体は、室温における体積抵抗率が１．０×１０^８Ωｃｍ以下である。例文帳に追加

The aluminum nitride sintered compact has a mean crystal grain diameter of 15-30 μm, an oxygen concentration of 0.1-0.6 mass%, a metallic impurity amount of 100 ppm or less and volume resistivity at a room temperature of 1.0×10^8 Ωcm or less. - 特許庁

本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。例文帳に追加

The method for growing a gallium nitride crystal is a method for growing a gallium nitride crystal on the main surface of an aluminum nitride crystal by a hydride vapor phase growth process, wherein the main surface is the (0001) Al surface of aluminum nitride crystal and the growth temperature of gallium nitride crystal is higher than 1,100°C and lower than 1,400°C. - 特許庁

一方の電極となるアルミニウム層１上に、第１導電型の結晶シリコン粒子３を多数配設し、この結晶シリコン粒子３間に絶縁物質２を介在させ、この結晶シリコン粒子３上に第２導電型の半導体部４を形成した光電変換装置であって、上記結晶シリコン粒子３の表面及びアルミニウム層１の表面にシアン化層６を形成した。例文帳に追加

In the photoelectric converter manufactured by comprising the steps of: arranging a number of first conductive type crystal silicon particles 3 on an aluminum layer 1 to serve as one electrode; arranging an insulation material 2 between the crystal silicon particles 3; and forming a second conductive type semiconductor part 4 on the crystal silicon particles 3; a layer cyanide 6 is formed on the surface of the particle 3 and the layer 1. - 特許庁

この製造方法により、前記未再結晶組織を動的に再結晶させて３μｍ以下の平均結晶粒径を有するアルミニウム合金板を得ることができる。例文帳に追加

By this producing method, the above unrecrystallized structure is dynamically recrystallized, by which the aluminum alloy sheet having the average crystal grain size of ≤3 μm can be obtained. - 特許庁

このマグネシウム合金は、凝固時にマグネシウムの結晶粒よりも高い温度域においてＡｌ_４Ｃ_３が多数形成され、これが結晶核として機能することで、アルミニウム結晶粒の均一かつ微細化が図られる。例文帳に追加

In the magnesium alloy, many of Al_4C_3 are formed in a temperature region higher than those of crystal grains of magnesium in solidification, Al_4C_3 functions as a crystal core, and thus, aluminum crystal grains are equalized and miniaturized. - 特許庁

単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of preventing occurrence of defects in an aluminum nitride single crystal, and of efficiently producing the crystal with good quality and large diameter. - 特許庁

結晶性熱可塑性重合体に、結晶核剤担持水酸化アルミニウムが、結晶性熱可塑性重合体１００質量部あたり１質量部〜２０質量部配合されてなる。例文帳に追加

The crystalline thermoplastic polymer composition is prepared by blending 100 pts.mass crystalline thermoplastic polymer with 1-20 pts.mass aluminum hydroxide carrying a crystalline nucleating agent. - 特許庁

単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる、昇華法を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing an aluminum nitride single crystal using a sublimation method, capable of preventing occurrence of defects in the single crystal and of efficiently producing the crystal with good quality and large diameter. - 特許庁

金属酸化物層が、酸化アルミニウムを主成分とする板状結晶から形成されている板状結晶層であり、かつ前記板状結晶層の表面が凹凸形状からなる。例文帳に追加

The metallic oxide layer 27 is a plate-like crystal layer formed by plate-like crystal containing aluminum oxide as a main component and the surface of the plate-like crystal layer has a rugged shape. - 特許庁