「エミッタ温度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

温度差｜（Ｔ−Ｔ_0 ）｜^3 （但し、Ｔ_0 は基準温度、Ｔは周囲温度）の３乗特性を持つ精度の良いエミッタ電流Ｉ_2 を生成する。例文帳に追加

To generate an emitter current I2 in good precision which has cube characteristics of temperature difference |(T-T0)|3 (where T0 denotes a reference temperature and T denotes peripheral temperature). - 特許庁

電子ビーム装置における電界放出型電子銃のエミッタの温度設定方法例文帳に追加

TEMPERATURE SETTING METHOD OF FIELD EMISSION TYPE ELECTRON GUN EMITTER OF ELECTRON BEAM DEVICE - 特許庁

エミッタは、１６５０Ｋ〜１９００Ｋの動作温度で動作させることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to operate the emitter at an operation temperature between 1,650 K and 1,900 K. - 特許庁

温度が上昇すると、トランジスタＱｐ３１のベース−エミッタ間電圧が低下する。例文帳に追加

As the temperature rises, the base-emitter voltage of the TR Qp31 drops. - 特許庁

荷電粒子発生装置と荷電粒子発生装置用エミッタ温度決定方法例文帳に追加

CHARGED PARTICLE GENERATOR AND EMITTER TEMPERATURE DETERMINATION METHOD FOR CHARGED PARTICLE GENERATOR - 特許庁

第１の領域はコレクタ・エミッタ間の電圧が負の温度依存性を有する領域であり、第２の領域はコレクタ・エミッタ間の電圧が正の温度依存性を有する領域である。例文帳に追加

The first region is a region wherein a voltage between the collectors and emitters has a negative temperature-dependent property, and the second region is a region wherein the voltage between the collectors and emitters has a positive temperature-dependent property. - 特許庁

フィラメント中に電流を流した場合、電流集中構造はエミッタに沿って所望の温度分布（たとえば、実質的に一様な温度分布）をもたらすような電流の流れをエミッタ中に生じさせる。例文帳に追加

When a current is carried into the filament, the current concentration structure generates, in the emitter, a current flow which may bring about a desired temperature distribution(for instance, a substantially uniform temperature distribution) along the emitter. - 特許庁

第１のエミッタバラスト抵抗体４１と第２のエミッタバラスト抵抗体４２とは、温度変化に伴う抵抗値の変化傾向が相反する温度特性を有した材料で形成される。例文帳に追加

The first emitter ballast resistance 41 and the second emitter ballast resistance 42 are made of different materials having respective temperature characteristics such that a resistance change tendency accompanying a temperature change is reverse to each other between the first emitter ballast resistance 41 and the second emitter ballast resistance 42. - 特許庁

温度制御器２２が、ペルチェ素子２０を介して複数のエミッタ用探針１６の温度を個別に制御する。例文帳に追加

A temperature controller 22 controls the plurality of probes for emitter 16 via Peltier elements 20, individually. - 特許庁

出力用トランジスタＴｒ１のエミッタとＧＮＤ間に第１の温度補償用素子としての温度補償用抵抗Ｒ１を設ける。例文帳に追加

Also, a temperature compensating resistor R1 is connected between the emitter of the output transistor Tr1 and the GND as a first temperature compensating element. - 特許庁

温度差の３乗特性と、この３乗特性に温度差の４乗特性が付加された精度の良いエミッタ電流Ｉｑを生成する。例文帳に追加

To generate highly precise emitter currents Iq with the cubic characteristics of a temperature difference and the cubic characteristics of the temperature difference to which the fourth power characteristics of the temperature difference is added. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法によりエミッタ層４４を形成後にサブエミッタ層４５を形成してＩｎＧａＰ系ＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブエミッタ層４５を成長温度６００℃以下及び又はＶ／ＩＩＩ比２０以下の条件で成長させる。例文帳に追加

When a sub-emitter layer 45 is formed to manufacture a semiconductor wafer 1 for manufacturing the InGaP-based HBT after forming an emitter layer 44 by an MOCVD method, the sub-emitter layer 45 is grown at 600°C or lower and/or at a V/III ratio of 20 or less. - 特許庁

直流電源１４から電圧がエミッタ１３に印加されると、しきい値電界強度が１Ｖ／μｍ以下で、エミッタか１３から従来よりも多数の電子が放出され、しかもエミッタ１３の温度も殆ど上昇せず、長寿命化が図れる。例文帳に追加

When a DC voltage is applied to the emitter 13 from a DC power source 14, at a threshold field intensity of 1 V/μm or lower, more number of electrons than those in conventional types are emitted from the emitter 13, and moreover the temperature of the emitter 13 will hardly rise, and its lifetime can be prolonged. - 特許庁

レーザーエミッターは、アクティブ温度制御装置上に配置され、かつ、レーザーエミッターによって発せられた光信号を、導波管なしに、窓から放出することができるように配列されている。例文帳に追加

The laser emitter (106) is disposed on the temperature controller (200) so that optical signals emitted from the emitter (106) may be emitted through the window without a waveguide. - 特許庁

エミッタ領域を形成方法として、砒素とリンの両方を導入することにより、アニール温度が低くても、エミッタ注入効率が小さくならないＮＰＮバイポーラ・トランジスタを形成できる。例文帳に追加

An NPN bipolar transistor does not reduce an emitter injection coefficient even if annealing temperature is lowered, and can be formed by introducing both arsenic and phosphorus as a method of forming an emitter region. - 特許庁

特定のエミッタ用探針の温度を他のエミッタ用探針よりも高くすると、半導体装置５０の局所に熱負荷と漏れ電流を増大させることができる。例文帳に追加

When the temperature of a specific probe for emitter is set higher than that of the other probes for emitter, the thermal load and the leakage current are increased locally in the semiconductor device 50. - 特許庁

エミッタの温度が室温程度に達した状態で、イオン源ガスによるエミッションパターンを観察する。例文帳に追加

With the temperature of the emitter reaching an ambient temperature, the emission pattern by the ion source gas is observed. - 特許庁

同時に、基準電圧源回路５aのトランジスタＱ５のベース、エミッタ間電圧Ｖ_BE5より、所定の温度特性を有する電圧信号Ｖ_Ｊを得る。例文帳に追加

Simultaneously, a voltage signal VJ having prescribed temperature characteristics is obtained from the VBE_5 between the base and emitter of the transistor Q5 of the reference voltage source circuit 5a. - 特許庁

燃焼室３内の燃焼ガスはこれら間隙５ａｂ−５ｈｉ内を順次流通し、エミッタ５の温度が上昇される。例文帳に追加

Since the combustion gas in the chamber 3 successively flows through the spaces 5ab-5hi, the temperatures of the emitters 5 are raised. - 特許庁

これにより、上記温度領域であっても出力トランジスタ２０のコレクタ・エミッタ間電圧が十分に低くなる。例文帳に追加

Consequently, a voltage between a collector and emitter of the output transistor 20 becomes sufficiently low even within the temperature range. - 特許庁

基板２及びエミッタチップ１は保持部４により保持され、ヒータ４ａにより触媒３の融点以上の温度に維持されている。例文帳に追加

The substrate 2 and the emitter chips 1 are held by a holding part 4 and maintained at a temperature higher than the melting point of the catalyst 3 by a heater 4a. - 特許庁

さらに温度変動に対し安定な発振周波数が得られるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an emitter coupled type astable multivibrator that has a stable oscillation frequency against a temperature variation. - 特許庁

低温度で安定に熱電子を放出するエミッタを含んだ構成にすることにより、効率的に電子を放出する電子銃を提供する。例文帳に追加

To provide an electron gun, which emits electrons effectively by making up a structure which includes an emitter emitting thermoelectrons, in a stable manner at low temperatures. - 特許庁

エミッタ-ベース間に発生する順方向電圧の温度特性を利用するバイポーラトランジスタにおいて、素子面積を縮小することを目的とする。例文帳に追加

To reduce an element area in a bipolar transistor using the temperature characteristics of the forward voltage generated between emitter-base. - 特許庁

このとき、エミッタ共通トランジスタ出力回路のバイアス電流はｌ_id ＝Ｋ×Ｉ_1×ｅｘｐ（Ａ／２）となり、温度に依存しなくなる。例文帳に追加

In this case, the bias current of an emitter common transistor output circuit becomes Iid=K×I1×exp(A/2) and no longer depends on temperature. - 特許庁

これによって、抵抗１４およびＮＰＮトランジスタ１６，１７のベース・エミッタ間電圧の温度特性をキャンセルする。例文帳に追加

Thus, it is possible to cancel the temperature characteristics of the resistance 14 and the inter-base/emitter voltages of the NPN transistors 16 and 17. - 特許庁

安定化電源回路内の温度上昇に伴って、トランジスタＱ３，Ｑ４のベース・エミッタ間の閾値電圧の大きさが小さくなる。例文帳に追加

The level of threshold voltage between the base and emitter of transistors(TRs) Q3, Q4 is dropped accompanying the rise in the temperature of the regulated power supply circuit. - 特許庁

温度補償用トランジスタ５とバイアス供給用トランジスタ２と抵抗１３とは一つのマルチエミッタ型トランジスタで構成される。例文帳に追加

The transistor 5 for compensating the temperature, the transistor 2 for supplying the bias, and the resistor 13 are constituted of one multi-emitter type transistor. - 特許庁

これにより、第１のエミッタバラスト抵抗体４１が有する温度上昇に従って抵抗値が減少（又は増加）する欠点を、第２のエミッタバラスト抵抗体４２が有する温度上昇に従って抵抗値が増加（又は減少）する欠点で緩和させることが可能となる。例文帳に追加

As a result, the drawback of the first emitter ballast resistance 41 that a resistance decreases (or increases) as a temperature increases can be eased by the drawback of the second emitter ballast resistance 42 that a resistance increases (or decreases) as a temperature increases. - 特許庁

トランジスタ２４のベース−エミッタ間の電位差が温度依存性を持つことに着目し、固体撮像素子２１に搭載されたトランジスタ２４のベース、エミッタ間の電位差をそれぞれ短絡された外部端子を介して検出し、この検出した電位差に応じて温度情報を生成する。例文帳に追加

In view of the fact that a potential difference between a base and an emitter of a transistor 24 has the temperature dependency, the potential difference between the base and the emitter of the transistor 24 mounted on the solid-state-image pickup element 21 is detected via external terminals which are respectively short-circuited, and temperature information is generated according to the detected potential difference. - 特許庁

本発明に係るガス電解電離イオン源は、エミッタ電極の先端部の温度とガス供給部のガス放出口部分の温度を個別に制御する温度制御部を備えている。例文帳に追加

The gas field ionization ion source includes a temperature control portion separately controlling a temperature of a leading end of an emitter electrode and a temperature of a gas discharge port of a gas supply part. - 特許庁

上記測定対象物のガス化のための加熱は、固体試料又は液体試料の気化温度よりも低くかつ測定対象物の気化温度以上の温度で行われ、かつ、エミッタに酸化性ガスを付与する。例文帳に追加

Heating in order to gasify the object to be measured is carried out at a temperature lower than the vaporization temperature of the solid sample or the liquid sample, and higher than the gasification temperature of the object to be measured, and the oxidative gas is added to the emitter. - 特許庁

本電子エミッタ製造方法は、真空成膜室３２内で上記電子エミッタ用基材１０の基材温度を７００℃以上に昇温し炭素含有ガスを直流プラズマで分解し該基材表面に電界電子放出性能を有する炭素膜４２を成膜して電子エミッタ４４を製造する。例文帳に追加

Of the electron emitter manufacturing method, temperature of the base material for the electron emitters 10 is raised to 700°C or more inside a vacuum film forming chamber 32, carbon-containing gas is decomposed by direct current plasma, and then, a carbon film 42 having electric field electron emission performance is formed on the surface of the base material to manufacture an electron emitter 44. - 特許庁

発光素子１１７に流す電流のスイッチング制御を行うエミッタフォロアの出力であるバイポーラトランジスタ１０６，１０７のエミッタと、電源１０２との間に、負の温度特性を有する素子を少なくとも１つ１２１，１２２と、負荷抵抗１０８，１０９とを直列に接続した。例文帳に追加

At least one element 121 or 122 having a negative temperature characteristic and load resistors 108 and 109 are connected in series between the emitter of bipolar transistors 106 and 107, which is the output of an emitter follower controlling the switching of current flowing in a light emitting element 117 and a power source 102. - 特許庁

ＦＥＴのゲートバイアス電圧発生回路にトランジスタのエミッタホロワ接続による回路構成を採用してエミッタ抵抗を分割し、分割比を調整して温度係数を可変とし、トランジスタをプッシュプル構成として高速にスイッチングできるよう構成した。例文帳に追加

A circuit configuration based on the emitter follower connection of a transistor is adopted to the gate bias voltage generating circuit of the FET, emitter resistance is divided, a dividing ratio is controlled, the temperature coefficient is made variable and the transistor can be switched at high speed in push-pull configuration. - 特許庁

この構成によれば、バイポーラトランジスタのベースエミッタ間の温度特性と第１抵抗及び第２抵抗の温度特性とを組み合わせ、任意の温度特性を出力電圧に与えることができ、温度特性を実質的になくすことができる。例文帳に追加

In this constitution, arbitrary temperature characteristics can be given to the output voltage by combining base-emitter temperature characteristics of the bipolar transistor TR and temperature characteristics of the 1st resistance R1 and 2nd resistance R2, so that temperature characteristics can substantially be eliminated. - 特許庁

電流検出抵抗２が正の温度係数を有するので、温度上昇につれて電流検出抵抗２の抵抗値が増加し、ゲート制御用トランジスタ３のベース・エミッタ間に印加される電圧も上昇する。例文帳に追加

Since the current sensing resistor 2 has a positive temperature coefficient, the resistance of the current sensor resistor 2 increases as the temperature rises and the voltage applied between the base and an emitter of the gate control TR 3 also increases. - 特許庁

また、ｎｐｎトランジスタＱ１１のベース−エミッタ間電圧は負の温度係数を有しているため、これに応じて第２の電流発生部３０で発生される電流Ｉ２は負の温度係数を有する。例文帳に追加

Further, the base-emitter voltage of the npn transistor Q11 has a negative temperature coefficient, so a current I2 generated by a second current generation part 30 corresponding to it has a negative temperature coefficient. - 特許庁

このため、バッファのトランジスタ（ＴＲ１）のベース電圧が温度特性を持ち、バッファのトランジスタ（ＴＲ１）のコレクタ・エミッタ間電圧の温度特性を補償することができ、広い温度範囲でデューティ比及び信号振幅を所定範囲に維持することが可能となる。例文帳に追加

Thus, the base voltage of the buffer TR has temperature characteristics to compensate the temperature characteristics of the collector-emitter voltage of the buffer TR1 so that the duty factor and the signal amplitude can be maintained within a prescribed range over a wide temperature range. - 特許庁

一方、このトランジスタ１０７のエミッタと接地間には比較的温度変動の大きい第２の温度特性を備えた抵抗１０９を接続し、このトランジスタのコレクタと電源端子間には、負荷抵抗として、第１の温度特性を備えた抵抗１０８を接続する。例文帳に追加

Conversely, a resistor 109 having a second temperature characteristics having relatively large temperature variation is connected between the emitter of the transistor 107 and the ground, and a resistor 108 having a first temperature characteristic is connected between the collector of the transistor and a power supply terminal as a load resistor. - 特許庁

能動素子を構成するバイポーラトランジスタと同じタイプのバイポーラトランジスタにより温度補償素子を構成し、この温度補償素子が能動素子の温度に対応した温度を受けるようにし、温度補償素子のベース、エミッタ間電圧に基づいて能動素子のベースバイアスを制御する。例文帳に追加

A temperature compensating element is constituted of a bi-polar transistor of the same type as that of a bi-polar transitor constituting an active element so that this temperature compensating element can accept a temperature corresponding to the temperature of the active element, and the base bias of the active element is controlled based on the inter-base and emitter voltage of the temperature compensating element. - 特許庁

温度センサは、抵抗と、温度によるベースエミッタ電圧の予想可能な変化を示す温度検知トランジスタＱ１、ならびに温度検知トランジスタおよび抵抗によって電流Ｉ（Ｔ）をミラー化するように接続されたトランジスタＰ１、Ｎ１、Ｐ２、Ｎ２を有する温度検知回路３０６とを特徴とする。例文帳に追加

The temperature sensor is characterized by having a resistance, and a temperature detection circuit 306 having a temperature detection transistor Q1 for showing a predictable change of a base emitter voltage caused by the temperature and transistors P1, N1, P2, N2 connected so that a current I(T) is mirrored by the temperature detection transistor and the resistance. - 特許庁

ある実施形態では、コンパクトレーザーパッケージ（１００）は、ハウジングと、ハウジングを貫く窓と、ハウジング内に配置されたレーザーエミッター（１０６）と、ハウジング内に配置されたアクティブ温度制御装置（２００）と、を有する。例文帳に追加

In one embodiment, the compact laser package (100) includes a housing, a window made through the housing, a laser emitter (106) disposed in the housing, and an active temperature control device (200) disposed in the housing. - 特許庁

ベース中にエミッタを囲むようにコレクタを設け、それをベース電流としてとりだすことにより電流増幅率βを小さくした構造をもつバイポーラトランジスタを複数個ダーリントン接続した半導体温度センサー。例文帳に追加

This semiconductor temperature sensor forms a collector surrounding an emitter in the base, and carries out Darlington connection of two or more bipolar transistors with structure making the current amplification factor β small by taking it out as base current. - 特許庁

トランジスタのベース・エミッタ間の電圧に温度特性の差などによる変動が生じた場合でも適正なクランプ動作が可能なクランプ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a clamp circuit performing proper clamp operation even when the base-emitter voltage of a transistor is varied due to difference in temperature characteristics. - 特許庁