「エレクトロニクスデバイス」に関連した英語例文の一覧と使い方

ウェハレベルでのプロセスは、第１のウェハ(120)内にサブマウントを作製し、第２のウェハ(130)内に反射領域(150)を有するくぼみを作製し、オプトエレクトロニクスデバイス(110)を第１のウェハ(120)上の個々のサブマウントに電気的に接続し、及び第２のウェハ(130)を第１のウェハ(120)に接合して、オプトエレクトロニクスデバイス(110)が第２のウェハ(130)内のくぼみに対応するキャビティ(140)内に密閉される。例文帳に追加

A wafer level process fabricates sub-mounts in a first wafer 120, fabricates depressions with reflective areas 150 in a second wafer 130, electrically connects optoelectronic devices 110 to respective sub-mounts on the first wafer 120, and bonds the second wafer 130 to the first wafer 120 with the optoelectronic devices 110 hermetically sealed in cavities 140 corresponding to the depressions in the second wafer 130. - 特許庁

低粘度のインクを用いた印刷において、高精細なパターン印刷の再現性に優れ、かつ、有機エレクトロニクス層の膜厚均一性が高く、特に有機エレクトロニクス層をその端部まで均一な厚さで成膜できる有機エレクトロニクスデバイスの製造方法、及び有機エレクトロニクスデバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for an organic electronics device which excels in reproducibility of high-definition pattern printing where low-viscosity ink is used for printing and also can form especially an organic electronics layer in even thickness up to the very end thereof thanks to high film thickness uniformity of an organic electronics layer, and an organic electronics device manufactured thereby. - 特許庁

デンドロン及び／又はコア中に飽和単位を有するデンドロン及びデンドリマーを生成させるための合成手順の限界を克服し、オプトエレクトロニクスデバイス、特にＯＬＥＤにおけるその使用を可能とする。例文帳に追加

To overcome the limit of synthesis procedure for producing a dendron and a dendrimer with saturated units in the dendron and/or core, to allow use of an optoelectronic device, particularly on OLED. - 特許庁

シリコン上へ強磁性相を積層化したスピンエレクトロニクスデバイスを作製するにあたり、強磁性元素の鉄(Fe)から構成されるFe_3Si化合物をシリコン系半導体基板上へ結晶成長させる。例文帳に追加

To grow an Fe_3Si compound comprising iron Fe of a ferromagnetic element on a silicon-based semiconductor substrate as a crystal in manufacturing a spin electronic device composed by laminating a ferromagnetic phase on silicon. - 特許庁

本発明の研磨パッドは、研磨品に有用であって、特に、マイクロエレクトロニクスデバイス（例えば、半導体ウェーハ）の化学機械的研磨またはまたは平坦化に有用である。例文帳に追加

The polishing pad according to the present invention is useful for products to be polished, especially for the chemico-mechanical polishing or the planarity of microelectronic devices (for example, semiconductor wafers). - 特許庁

非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造からなるオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイスの作製方法例文帳に追加

OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURE GROWN ON NONPOLAR GROUP-III NITRIDE TEMPLATE OR SUBSTRATE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

きわめて低コストで製造可能なオプトエレクトロニクス半導体チップ、この種の半導体チップを備えたオプトエレクトロニクスデバイス、ならびにこの種のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optoelectronics semiconductor chip that can be manufactured at a very low cost, an optoelectronics device provided with a semiconductor chip of this type, and a manufacturing method of an optoelectronics semiconductor chip of this type. - 特許庁

パッケージングされたオプトエレクトロニクスデバイスの大きさ及び／又はコストを低減させることができるパッケージング技術及び構造を提供すること。例文帳に追加

To provide packaging technique and structure that can reduce the size and/or cost of packaged optoelectronic devices. - 特許庁

本方法は、誘電体、強誘電体、金属／電極バリア、超電導体、触媒、および保護膜の微小エレクトロニクスデバイス製造に商業的成功の可能性を有する。例文帳に追加

The method has a possibility of commercial success in producing a micro electronic device including a dielectric, a ferro-electric, a metal/electrode barrier, a superconductor, a catalyst and a protective coating. - 特許庁

1000W/cm^2を超えるような高熱流束にも対応可能で、エレクトロニクスデバイスの更なる高集積化・小型化等にも寄与し得る沸騰冷却装置を提供する。例文帳に追加

To provide a boil cooling device responding to high-heat flux exceeding 1000 W/cm^2 and contributing to further high integration and miniaturization of an electronics device. - 特許庁

）式（１）で表わされる化合物は有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、有機太陽電池素子などの有機エレクトロニクスデバイスに好適に用いることができる。例文帳に追加

The compound shown by formula (1) can be suitably used for an organic electronic device of an organic EL element, an organic transistor element, an organic solar battery element or the like. - 特許庁

本発明は、局所駆動ユニットＣＵ２を有する加熱素子ＨＥのアレイ及び任意には試料室ＳＣに隣り合うセンサ素子ＳＥのアレイを有するマイクロエレクトロニクスデバイスの異なる設計に関する。例文帳に追加

The invention relates to different designs of the microelectronic device comprising an array of heating elements HE with local driving units CU2 and optionally an array of sensor elements SE adjacent to a sample chamber SC. - 特許庁

高いガスバリア性、屈曲性を有し、しかも破壊強度にも優れ、基板加工に耐えうる耐熱性を有する、フレキシブルエレクトロニクスデバイス基板に適したフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a film which has high gas barrier property and flexibility, an excellent rupture strength, and thermal resistance enough to endure substrate processing, and is suitable for a substrate of a flexible electronic device. - 特許庁

本発明の組成物から得られる膜は、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ等のエレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機エレクトロニクスデバイスにおける正孔注入層として、有機光電デバイス等の有機オプトエレクトロニクスデバイスにおける正孔引抜き層として、金属ナノワイヤーまたはカーボンナノチューブと組み合わせて薄膜電界効果トランジスタにおけるドレイン、ソースまたはゲート電極等の用途に有用である。例文帳に追加

A film obtained from the composition is useful as a hole injection layer in organic electronic devices, including electroluminescent devices such as, for example, organic light-emitting diode (OLED) displays, as a hole extraction layer in organic optoelectronics devices such organic photovoltaic devices, and in combination with metal nanowires or carbon nanotubes in applications such as drain, source, or gate electrodes in thin film field effect transistors. - 特許庁

薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition which can be used as gate dielectrics processable at low temperature or in solution or printable for thin film transistors and also can be used in the planarization of stainless steel foils for thin film transistors and other electronic devices. - 特許庁

非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a free-standing (Al, Ga, In)N article which is of superior morphological character, and suitable for use as a substrate, e.g. for fabrication of microelectronic and/or optoelectronic devices and device precursor structures. - 特許庁

少なくとも１つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスのための改良された基体であって、従来技術の問題点を回避するか、または少なくとも低減させる基体、有機デバイスおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a flexible substrate which is improved for an electronic device or an opto-electronics device including at least one electrically active organic layer and which solves conventional technical problems or at least reduces such problems, and provide an organic device and its manufacturing method. - 特許庁

To provide a base substrate improved for an electronic device or an optoelectronic device including at least one electrically active organic layer, by way of one avoiding or at least alleviating problems of conventional technologies, as well as an electronic device and its manufacturing method. - 特許庁

少なくとも１つの電気的に活性な有機層を含む電子デバイスまたはオプトエレクトロニクスデバイスにおける外側保護要素として使用するための、透明または実質的に透明な成形性かつ／または可撓性の基体であって、２００μｍ以下の厚さのガラスの層とプラスチックの層とからなる複合構造体によって構成される。例文帳に追加

The transparent or substantially transparent moldable and/or flexible base substrate for use as an outside protective element for an electronic device or an optoelectronic device including at least one electrically active organic layer is made up of a complex structural body consisting of a plastic layer and a glass layer with a thickness of 200 μm or less. - 特許庁

例文

The substrate is transparent or substantially transparent and plastic and/or flexible and is used for an external protection element in an electronic device or an opto-electronics device including at least one electrically active organic layer, and is composed of a composite structure having a glass layer and a plastic layer of a thickness ≤200 μm. - 特許庁

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