「ガス反応性」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

第２誘電体層１３は、Ａｒガス、Ｏ_2ガス及びＮ_2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。例文帳に追加

The second dielectric layer 13 is formed by reactive sputtering in a gaseous mixture atmosphere composed of Ar gas, O_2 gas and N_2 gas. - 特許庁

本発明のグラフト重合体の製造方法は、ポリアルキレングリコール系化合物と不飽和化合物とを反応器内で反応させてグラフト重合体を製造する方法であって、該反応器はガス導入口とガス排出口とを備え、該ガス導入口とガス排出口はそれぞれ該反応器内面側への突出部を有さず、該ガス導入口から不活性ガスを導入しながら反応を行う。例文帳に追加

In the method for producing the graft polymer by reacting the polyalkylene glycol-based compound with the unsaturated compound in the reactor, the reactor has a gas feed port and a gas discharge port and each of the gas feed port and the gas discharge port does not have a protruded part to the inside of the reactor and the reaction is carried out while introducing an inert gas from the gas feed port. - 特許庁

ガス化ガス後処理用触媒反応器(20)にはバイオマスや廃棄物のガス化炉により生成されるガス化ガス中の不飽和炭化水素の水添反応に対して活性な成分を有する水添触媒(22)を充填するようにした。例文帳に追加

The catalyst reactor (20) for post-treating the gasification gas is filled with a hydrogenation catalyst (22) having a component active for a hydrogenation reaction of the unsaturated hydrocarbon in the gasification gas produced from biomass or wastes by a gasifier. - 特許庁

反応ガスと不活性ガスとの混合ガスからなるプラズマ処理用ガスを用いたプラズマ処理方法において、反応ガスの利用効率を高め、処理速度を向上させること。例文帳に追加

To increase a treatment speed by increasing the use efficiency of a reaction gas in a plasma treatment method using a gas for plasma treatment of a mixture comprising the reaction gas and an inert gas. - 特許庁

反応ガスと不活性ガスとの混合ガスからなるプラズマ処理用ガスを用いたプラズマ処理方法において、投入電力及び反応ガスの利用効率を高め、処理速度を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To increase the speed of a plasma treatment method, using a gas for plasma treatment composed of a mixed gas of a reaction gas and an inert gas by improving the utilization efficiency of power thrown-in and of the reaction gas. - 特許庁

反応ガスと不活性ガスとの混合ガスからなるプラズマ処理用ガスを用いたプラズマ処理方法において、投入電力、及び、反応ガスの利用効率を高め、処理速度を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To increase a treatment speed by increasing charged power and the use efficiency of a reaction gas in a plasma treatment method using a gas for plasma treatment of a mixture comprising the reaction gas and an inert gas. - 特許庁

改質原料ガスに改質反応を生起して水素を含む改質ガスを生成する改質反応部１の下流側に、生成した改質ガス中の一酸化炭素を水性ガスシフト反応によって低減する水性ガスシフト部２を設ける。例文帳に追加

The water gas shift section 2 for decreasing carbon monoxide in a produced reformed gas by a waster gas shift rection is provided in the downstream side of a reforming reaction section 1 for producing the reformed gas containing hydrogen by causing the reforming reaction on a reforming gaseous starting material. - 特許庁

触媒反応装置５内にヒドラジン及び窒素酸化物から選択された１種以上の窒素供給ガスを導入し、この窒素供給ガスを触媒と接触させることにより生成される反応性ガスを触媒反応装置５から噴出させ、反応性ガスと化合物ガスとを反応させて、基板７上に窒化物膜を堆積させる、窒化物膜の堆積方法である。例文帳に追加

In the method for depositing a nitride film, one or more types of nitrogen supplying gases selected from hydrazine and nitrogen oxides are introduced into a catalytic reactor 5, a reactive gas generated by bringing the nitrogen supplying gases into contact with a catalyst is spouted from the catalytic reactor 5, and the nitride film is deposited on a substrate 7 by reacting the reactive gas and a compound gas. - 特許庁

改良点は、ガスを反対のルイス塩基性度又は酸性度を有する反応性液中に可逆的に反応した状態で貯蔵することにある。例文帳に追加

The improved point is that the gas is stored in a reversibly reacted state in a reactive liquid having opposing Lewis basicity or acidity. - 特許庁

空気等の酸素含有含有ガスからの酸素との発熱反応を行わせる少くとも１つの酸素選択性イオン移送膜を有する反応器内において、吸熱反応の所要の熱量が発熱反応によって充足されるように、発熱反応と吸熱反応とを熱的に組み合わせる。例文帳に追加

In a reactor 10 having at least one oxygen selective ion transfer membrane 34a capable of exothermically reacting with oxygen obtained from an oxygen containing gas such as air, the exothermic reaction and the endothermic reaction are thermally combined so that the amount of heat needed for the endothermic reaction is supplied by the exothermic reaction. - 特許庁

スパッタガスと反応性ガスを真空室内に導入して反応性スパッタリングによる成膜を行うとき、ターゲットの表面に沿って流れる反応性ガスの濃度を均一にして、反応性ガスとターゲットの反応の均一化を高め、膜厚、膜質、膜特性を均一化できるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus for uniformizing a film thickness, film quality and film characteristics, by uniformizing the concentration of a reactive gas flowing along the surface of a target and thereby improving the uniformity of the reaction of the reactive gas with the target, when introducing a sputtering gas and the reactive gas into a vacuum chamber so as to form a film by reactive sputtering. - 特許庁

可燃性廃棄物の熱分解ガスを改質炉で酸素含有ガスおよび水蒸気と反応させて改質ガスに変換する可燃性廃棄物のガス化方法において、熱分解ガスと酸素含有ガスを９００℃以下で反応させた後の熱分解ガスを酸素含有ガスと１０００℃以上で反応させることを特徴とする可燃性廃棄物のガス化方法。例文帳に追加

The method for gasifying the flammable waste by reacting the pyrolyzed gas of the flammable waste with steam in the reformer to convert the pyrolyzed gas to the reformed gas comprises reacting the pyrolyzed gas with an oxygen-containing gas at ≤900°C and further reacting the reacted pyrolyzed gas with the oxygen-containing gas at ≥1000°C. - 特許庁

実施形態に係る半導体製造装置のクリーニング方法は、処理チャンバー内に支燃性ガス供給管を介して支燃性ガス並びに前記支燃性ガス及び可燃性ガスと反応しない無反応ガスを供給しつつ、可燃性ガス供給管を介して前記可燃性ガス及び前記無反応ガスを供給する工程を備える。例文帳に追加

The method of cleaning the semiconductor manufacturing device includes a process of supplying a combustible gas and a nonreactive gas which reacts with neither the oxidative gas nor the combustible gas into a treatment chamber through a combustible gas supply pipe while supplying the oxidative gas and the nonreactive gas through an oxidative gas supply pipe. - 特許庁

フッ素系反応ガスと希釈用不活性ガスの流量比を、（フッ素系反応ガス）：（希釈用不活性ガス）＝２：３〜２：１２とし、好ましくは２：５〜２：８にする。例文帳に追加

The flow rate of the fluorine-based reactive gas and the diluting inert gas is set at (fluorine-based reactive gas):(diluting inert gas)=2:3 to 2:12, and preferably 2:5 to 2:8. - 特許庁

基板処理用の反応性ガスの供給ラインの途中にガス溜を設けた基板処理装置のガス溜より下流側の反応性ガスを効率よく置換または処理できる基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus provided with a gas pool located on the way of a supply line for a reactive gas for substrate processing, the apparatus which efficiently replaces or processes the reactive gas at a downstream side from the gas pool. - 特許庁

横型反応器内にて、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）粉末とマグネシウム（Ｍｇ）粉末を含む混合粉末原料を、所定の反応温度まで加熱することによりホウ素元素を含む反応ガスを発生させ、そこへアンモニアガスを不活性ガスと共に導入して前記反応ガスと前記アンモニアガスを所定の時間反応させることを特徴とする、窒化ホウ素ナノチューブの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a boron nitride nanotube is characterized in that a mixed powder material containing a boron oxide (B_2O_3) powder and a magnesium (Mg) powder is heated to a predetermined reaction temperature in a horizontal reactor to generate a reaction gas containing a boron element, and that an ammonia gas introduced there with an inert gas is reacted with the reaction gas for a predetermined time. - 特許庁

このように、反応不活性領域４８から反応不活性領域４８に向かって成膜性ガスが移動することにより、反応不活性領域４８において成膜性ガス密度の均一化が促進され、反応活性領域４４において、膜厚、膜質が均質な薄膜は成長する。例文帳に追加

The film depositable gas moves from the reaction inactive region 48 toward the reaction active region 44 in this way, the uniformization in the density of the film depositable gas is promoted in the reaction inactive region 48, and a thin film whose film thickness and film quality are homogeneous grows in the reaction active region 44. - 特許庁

次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを第２の反応ガス供給領域に位置させ、プラズマインジェクター２５０から第２の反応ガスであるＯ_２ガスを活性化してウェハＷに供給することにより、前記凝縮物と反応させて反応生成物を生成する。例文帳に追加

Further, the rotary table 2 is rotated to position the wafer W in a second reactive gas supply region, and an O_2 gas as a second reactive gas is activated and supplied to the wafer W from a plasma injector 250 to react with the condensate, thereby producing a reaction product. - 特許庁

ホットワイヤＣＶＤ装置は、基板Ｗに処理を施す反応室５と、反応室５内に反応ガスを供給するガス導入口１と、基板温度よりも高温で反応ガスを分解して活性種を生成する発熱体３０と、発熱体３０を間接加熱するためのランプ２０とを有する。例文帳に追加

A hot wire CVD apparatus has a reaction chamber 5 for treating a substrate W, a gas introduction port 1 for supplying a reaction gas into the reaction chamber 5, the electrical heating element 30 for decomposing the reaction gas at temperature being higher than that in the substrate and for generating active species, and a lamp 20 for indirectly heating the electrical heating element 30. - 特許庁

被検ガスと呈色反応する反応試薬として硝酸銅と保湿剤とを担体に担持させた呈色反応基材４と、被検ガスに対して透過性を有する膜３とを備え、呈色反応基材４の少なくとも被検ガスの流入面側に膜３を積層して構成されている。例文帳に追加

This material is constituted by being equipped with a color reaction base material 4 formed by carrying copper nitrate and a humectant on a carrier as the reaction reagent color-reacting with a test gas, and a film 3 having permeability to the test gas, and by laminating the film 3 at least on the inflow face side of the test gas of the color reaction base material 4. - 特許庁

被検ガスと呈色反応する反応試薬を担体に担持させた呈色反応基材４と、被検ガスに対して透過性を有する膜３とを備え、呈色反応基材４の少なくとも被検ガスの流入面側に膜３を積層して構成されている。例文帳に追加

This detection material is equipped with color reaction base material 4 in which the reaction reagent color-reacting with the tested gas is carried on a carrier and a film 3 having permeability with respect to the tested gas, and is structured so that the film 3 is layered at least on the inflow surface side of the base material 4. - 特許庁

各ターゲットへの反応性ガスの供給量を異ならせることで、一方のターゲットからは反応性ガスとの反応生成物がスパッタされ、他のターゲットからはターゲット材質がスパッタリングされる。例文帳に追加

By making different the amounts of reactive gas respectively supplied to targets, a reactive product with reactive gas is sputtered from one target, and a target material is sputtered from the other target. - 特許庁

ＨＩにＣｌ_２及びまたはＨＢｒを添加した反応性ガスを用い、該反応性ガスをプラズマで分解し、ヨウ素をマスクで覆われていないＣｕ層と反応させてＣｕｌｘを生成させる。例文帳に追加

By using a reactive gas in which Cl_2 and/or HBr is added to HI, the reactive gas is dissolved with plasma, and the iodine is made to react with the Cu layer not covered with the mask, to produce Culx. - 特許庁

ＨＩにＣｌ_２及びまたはＨＢｒを添加した反応性ガスを用いて、該反応性ガスを高密度プラズマで分解し、ヨウ素をマスクで覆われていないＣｕ層を反応させＣｕｌｘを生成させる。例文帳に追加

By using a reactive gas in which Cl_2 and/or HBr is added to HI, the reactive gas is dissolved with high density plasma, and the iodine is made to react with the Cu layer not covered with the mask, to produce Culx. - 特許庁

第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。例文帳に追加

When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b. - 特許庁

難溶性ガスである酸素ガスないし酸素とオゾンを含む反応性ガスを水に超微細気泡態化して溶解・貯留させる。例文帳に追加

To dissolve or store gaseous oxygen being a hardly soluble gas or a reactive gas containing oxygen and ozone in water by atomizing to superfine bubbles. - 特許庁

加熱ガス供給ユニット２２１からは、反応性ガスを供給するレシピを実行するときのみ高温の不活性ガスを供給するようにする。例文帳に追加

The heated gas supply unit 221 is to supply a high-temperature inactive gas only when a recipe for supplying a reaction gas is executed. - 特許庁

アーク放電は、不活性ガスあるいは、水素ガスを含んだ不活性ガスが５０〜１５００Ｔｏｒｒの圧力で満たされた反応容器１内で行う。例文帳に追加

The arc discharge is carried out in a reactor 1 filled with an inert gas optionally contg. gaseous hydrogen under 50-1,500 Torr pressure. - 特許庁

不活性ガス導入口５ａから導入された不活性ガスは、載置台５内に充満して、反応ガスの載置台５内への流入が防止される。例文帳に追加

The inert gas, guided in through the inert gas guide opening 5a remains in the placement stage 5, preventing flowing of the reactive gas into the placement stage 5. - 特許庁

反応装置のハードウェアに対して比較的腐食性が少なく、且つ無毒性のガスを用いて反応装置を効果的に洗浄すること。例文帳に追加

To effectively clean up a reactor using relatively low corrosive and nonpoisonous gas to the hardware of a reactor. - 特許庁

本発明は、反応性キャリアガス混合物を利用して、ＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスを提供する。例文帳に追加

A DC magnetron reactive sputtering process is provided by utilizing a reactive carrier gas mixture. - 特許庁

反応成分を含む反応ガスを活性化させて被処理フィルムを表面処理する際、反応成分を十分に反応させ、かつ電極に汚れが付着するのを防止する。例文帳に追加

To sufficiently react reaction components while preventing contamination from adhering to electrodes during surface treatment of a film to be treated by activation of a reaction gas containing the reaction components. - 特許庁

反応器アセンブリ７０は、多孔性金属支持体を含む反応室２、二つの膜アセンブリ、燃料供給ライン２０７、反応燃料供給ライン２０５、排ガス供給ライン２０９、及び反応生成物ライン２１０を具える。例文帳に追加

A reactor assembly 70 includes: the reaction chamber 2 containing a porous metal substrate; two membrane assemblies; a fuel supply line 207; a reaction fuel supply line 205; a tail gas supply line 209; and a reaction product line 210. - 特許庁

反応室１０１と主排気弁１２２との間には、反応室１１９が設けられ、反応室内において、反応室１０１からの排気ガスにプラズマ処理が行われると共に、酸化性のラジカルが発生するように構成されている。例文帳に追加

A reaction chamber 119 is provided between the reaction chamber 101 and the main exhaust valve 122, exhaust gas from the reaction chamber 101 is ionized in the reaction chamber, and this arrangement is formed to cause oxidative radical. - 特許庁

成膜性ガス供給管２４の成膜性ガス供給口２４Ａを反応不活性領域４８に位置するように配置し、反応不活性領域４８に成膜性ガスを供給する。例文帳に追加

A film depositable gas feed port 24A in a film depositable gas feed tube 24 is arranged so as to be located in a reaction inactive region 48, and a film depositable gas is fed to the reaction inactive region 48. - 特許庁

ルイス酸性ガスの貯蔵およびデリバリーのためのルイス塩基性反応性化合物を含む液体媒体例文帳に追加

LIQUID MEDIA CONTAINING LEWIS BASIC REACTIVE COMPOUNDS FOR STORAGE AND DELIVERY OF LEWIS ACIDIC GASES - 特許庁

活性が高く、かつ耐水性に優れた水性ガスシフト反応触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a water gas shift reaction catalyst having high activity and excellent water resistance. - 特許庁

経済性に優れ、シンターリング性が少ない水性ガスシフト反応用触媒を提供する。例文帳に追加

To produce a catalyst for an aqueous gas shift reaction which is excellent in cost effectiveness and is little in sintering property. - 特許庁

活性、耐久性ともに優れる水性ガスシフト反応触媒の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a water gas shift reaction catalyst excellent in both of activity and durability. - 特許庁

ガス導入口６からヨウ化水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを反応容器１内に導入し、下部電極２上に載置された試料８のＩＴＯ層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングする。例文帳に追加

A gas mixture of hydrogen iodide gas and helium gas is introduced into inside of a reaction vessel 1 through a gas inlet opening 6, and the ITO layer of a specimen 8 placed on a lower electrode 2 is dry etching by reactive ion etching. - 特許庁

また有機ガスに水と活性ガスを接触させる接触層５２を備えた反応槽５０と、該反応槽５０から取り出した処理ガスを微生物分解させるベース床６ａとからなる有機ガスの利用装置としている。例文帳に追加

The utilization device for the organic gas is constituted with a reaction vessel 50 provided with the contacting layer 52 for bringing the organic gas into contact with the water and the active gas and the base bed 6a for subjecting the treated gas discharged from the reaction vessel 50 to the microorganismic decomposition. - 特許庁

反応容器内に例えばジクロルシランガス及びアンモニアガスを供給してこれらガスの反応により基板表面に窒化シリコン膜を成膜する場合、アンモニアガスの供給路中に活性化装置を設ける。例文帳に追加

An activation apparatus is provided within an ammonium gas supply path in the case where a silicon nitride film is formed on the surface of substrate through reaction, for example, of dichlorsilane gas and ammonium gas by supplying these gases to the reaction vessel. - 特許庁

前記工程において、前記支燃性ガス供給管を介して供給する前記支燃性ガス及び前記無反応ガスの第１合計量、並びに前記可燃性ガス供給管を介して供給する前記可燃性ガス及び前記無反応ガスの第２合計量のうち、少なくとも一方を経時的に変化させる。例文帳に追加

In the process, at least one of a first total amount of the oxidative gas and the nonreactive gas supplied through the oxidative gas supply pipe and a second total amount of the combustible gas and the nonreactive gas supplied through the combustible gas supply pipe is varied with time. - 特許庁

反応極に反応ガスを供給する内部ガス流路において液水が凍結した場合には、起動時に反応ガスの供給が妨げられ、起動性が低下する不都合が生じるため、内部ガス流路の閉塞にともなう起動性の低下を抑制することができる燃料電池システムを提供する。例文帳に追加

To provide a fuel cell system which can suppress degradation of a starting property due to closing of an inner gas flow passage because when water is frozen in the inner gas flow passage for supplying the reaction gas to a reaction electrode, supply of reaction gas is prevented in starting and inconvenience of degradation of the starting property occurs. - 特許庁

ＨＦガスにはＣａ塩を用い、第二酸性ガス除去装置４で低濃度ＨＦとＣａ塩を反応させ、反応でできた低純度のＣａＦ_2 を含むＣａ塩を第一酸性ガス除去装置２に供給し、高濃度のＨＦガスと反応させることで高純度のＣａＦ_2 を得ることができる。例文帳に追加

The Ca salt is used for HF gas, low concentration HF gas is reacted with the Ca salt in the second acidic gas removing apparatus 3, the Ca salt containing low purity CaF_2 produced in the reaction is fed to the first acidic gas removing apparatus 2, and is reacted with the highly concentrated HF to obtain high purity CaF_2. - 特許庁