「ガス反応性」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

電池反応の進行に伴ってアノード触媒層から発生する炭酸ガスや気化燃料による内圧上昇、あるいは温度上昇による構成部材強度の低下等で生じる構成部品の変形や密着不良による電池出力特性の低下が少ない燃料電池の収容構造を提供する。例文帳に追加

To provide a housing structure of a fuel cell which has a low reduction of battery output characteristic arising from deformation or adhesion failure of component parts caused by inner pressure elevation or temperature elevation derived from vaporization of a fuel or a carbon dioxide gas generated from anode catalyst layers, or reduction of strength of the component members or the like in accordance with the progress of battery reaction. - 特許庁

プラズマ生成用のＲＦ電源７及びプラズマイオンの入射エネルギ調整用のＲＦ電源２４に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、還元性ガスをラジカル化し、露光によりフォトマスクの遮光層に取り込まれた酸素原子を、酸化還元反応によって引き出すことにより、酸化層を除去する。例文帳に追加

A high-frequency power is applied to an RF power supply 7 for generating plasma and an RF power supply 24 for regulating incident energy of plasma ion to generate plasma, the reductive gas is radicalized, and oxygen atom captured by the exposure in a light-shield layer of the photomask is extracted by an oxidation-reduction reaction to remove an oxide layer. - 特許庁

電極とセパレータ間の接触抵抗を低減するため、接合材を電極に塗布して電極とセパレータを接合すると、接合剤が電極内に染み込み、電極内の反応ガス拡散を疎外し電池性能を低下させるので、電極内に不要に接合材を染み込ませることなく電極とセパレータを接合する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of jointing an electrode and a separator without impregnating a bonding material into the electrode unnecessarily, because the bonding material is impregnated into the electrode, gas diffusion in the electrode is obstructed, and battery performance is deteriorated if the electrode and the separator is jointed by applying bonding material for the reduction of a contact resistance between the electrode and the separator. - 特許庁

ＥＣＵ５０は、触媒３の温度を検出する温度センサ３０からの信号に基づいて、触媒３の温度が活性化温度に達していない場合、入口側切換バルブ６，出口側切換バルブ７，及びポンプ１０を駆動制御し、熱交換器５内の発熱材を水和反応によって発熱させて排気ガスを昇温させる。例文帳に追加

ECU 50 drives and controls an inlet side switch valve 6, an outlet side switch valve 7 and a pump 10 and increases the temperature of exhaust gas by making a heat generating material inside a heat exchanger 5 by exothermic hydration reaction if the temperature of the catalyst 3 does not reach an activation temperature based on a signal from a temperature sensor 30 which detects the temperature of the catalyst 3. - 特許庁

成膜時における爆発を防止し、かつＣＦ_4のようなフッ化炭素ガスを別途供給することなく誘電率の低減、被覆性の向上を図ることができ、さらに反応生成物が真空容器の内壁に付着するのを防止することが可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供しようとするものである。例文帳に追加

To provide a silicon oxide film forming method where explosion can be prevented when a silicon oxide film is formed, the silicon oxide film can be lessened in permittivity and improved in coverage without additionally supplying a carbon fluoride gas such as CF4, and furthermore reaction products can be prevented from being deposited on the inner wall of a vacuum vessel. - 特許庁

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスが各ターゲットのスパッタゾーンに入り込むことによって起きる異常放電を防止し、欠陥のない薄膜を得ることができる金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a device for forming a thin film of a metallic compd., in a sputtering technology for obtaining a metallic compd. thin film, capable of preventing abnormal discharge caused by the intrusion of reactive gas such as oxygen into the sputtering zone of each target and capable of obtaining a thin film free from defects and to provide a thin film forming method thereof. - 特許庁

エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。例文帳に追加

The post-etch treatment system comprises a vacuum chamber, a radical generation system connected to the vacuum chamber, a radical gas distribution system that is connected to the radical generation system and configured to distribute reactive radicals above a substrate, and a high-temperature pedestal configured to be connected to the vacuum chamber and to support the substrate. - 特許庁

反応性スパッタリング装置であって、ウエハー２２が配置されるウエハーホルダ１１と、ウエハーホルダ１１の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット１２と、ウエハーホルダ１１の下方に該ウエハーホルダ１１を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部１７と排気ポート１６とを設ける。例文帳に追加

The reactive sputtering device is provided with a wafer holder 11 on which a wafer 22 is arranged, a target 12 obliquely arranged above the wafer holder 11 deviating from its rotary shaft, and a gas introducing part 17 and exhausting port 16 respectively provided interposing the wafer holder 11 between them below the wafer holder 11. - 特許庁

少なくとも（１）ウエハ上にポリイミドを含有する樹脂膜を形成する工程、（２）前記樹脂膜に反応性ガスを用いたプラズマ処理をする工程、（３）前記樹脂膜に熱処理をする工程および（４）前記樹脂膜の少なくとも一部を封止樹脂で封止する工程をこの順に有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor apparatus includes steps of: (1) forming a polyimide-containing resin film on a wafer; (2) subjecting the resin film to plasma treatment using a reactive gas; (3) subjecting the resin film to heat treatment; and (4) sealing at least a part of the resin film with a sealing resin, the steps being performed in this order. - 特許庁

製錬に要する還元反応時間を大幅に短縮することができ、炉内ガス成分を調整する外部操作も不要で、しかも、炉の耐久性が低下することもなく、製鉄に必要な還元材の使用量および二酸化炭素の排出量を大幅に低減することができる高速製錬可能な低温製鉄法を提供すること。例文帳に追加

To provide a low-temperature iron-making method allowing high speed smelting, in which reducing reaction time required for the smelting is drastically shortened and the outer operation for adjusting gas composition in a furnace is unnecessary, and the use amount of reduction-material needed to the iron-making and discharge of carbon dioxide are drastically reduced without lowering the durability of the furnace. - 特許庁

コーティング材を塗布して皮膜を形成することにより、コーティング材がアルカリ成分と反応してガラス化層を形成するため、コーティング材を塗布しない場合よりも耐火物にアルカリ成分を含むガスが侵入することを確実に防止して耐火物の耐久性を向上させ、長寿命化を図ることができる。例文帳に追加

By forming a film by applying the coating material, the coating material reacts with the alkaline component and forms a vitrified layer, thus the intrusion of a gas including the alkaline component to the refractory can be surely prevented in comparison with a case free from the application of the coating material, the durability can be improved, and the service life can be elongated. - 特許庁

β骨格構造を有する結晶性アルミノシリケートのアルミニウムの一部または全部が鉄によって置換され、骨格のＳｉＯ_２／Ｆｅ_２Ｏ_３モル比が３０〜３００である鉄シリケートからなる窒素酸化物浄化触媒に、還元剤としてアンモニア、尿素、有機アミン類の少なくとも一つを反応させることによって、排ガス中の窒素酸化物を選択的に還元する。例文帳に追加

A nitrogen oxide purification catalyst which is made of an iron silicate obtained by substituting a part or the whole of aluminum in a crystalline aluminosilicate having a β skeleton structure with iron and having a molar ratio of SiO_2/Fe_2O_3 in the skeleton of 30-300 is reacted with at least one of ammonia, urea, and organic amines as a reducing agent, thereby selectively reducing nitrogen oxides in exhaust gas. - 特許庁

加水分解性を有する金属化合物からなるガス成分を、水分を含有させた基材の表面近傍において、基材から発生する水蒸気と反応させることにより、基材が表面温度を前記金属化合物の熱分解温度以下の状態で前記基材表面上に金属酸化物層を形成する。例文帳に追加

Near the surface of the moisture-containing substrate, a gas component comprising a hydrolyzable metal compound is reacted with steam emitted from the substrate to form a metal oxide layer on the surface of the substrate in a state that the surface temperature of the substrate is not higher than the temperature of the above metal compound. - 特許庁

本発明の目的は、カソード電極と電解質膜との境界付近に留まる生成水および電解質膜浸透水を効果的に取り除き、カソード電極と電解質膜との境界付近に反応ガスを充分に供給し、長期間安定して高い性能を発揮する燃料電池用膜／電極接合体および直接メタノール型燃料電池を提供することにある。例文帳に追加

To provide a membrane/electrode assembly for a fuel cell and a direct methanol fuel cell, effectively removing generated water and electrolyte membrane percolating water staying around a border of a cathode electrode and the electrolyte membrane, supplying reaction gas efficiently around the border of a cathode electrode and the electrolyte membrane, and stably exhibiting high performance for a long period of time. - 特許庁

この顔料は金属酸化物または混合金属酸化物が例えば薄片状の雲母上に被覆され、得られる前駆体を好ましくは流動床反応器に移し、フッ素化および/または硫化性ガス流下に焼成して、酸化物をフッ化物、オキシフッ化物、フルオロ硫化物および/またはオキシフルオロ硫化物に転化することにより得られる。例文帳に追加

The pigment is obtained by covering a metal oxide or a mixed metal oxides on e.g. a mica of a thin leaf state, transferring the obtained precursor into preferably a fluidized bed reactor and calcinating under the flow of fluorinating or sulfurizing gas for converting the oxide into the fluoride, oxifluoride, fluorosulfide and/or oxyfluorosulfide. - 特許庁

Ｆｅ-Ｓｉ系合金粉末、酸化ランタン、およびアルカリ土類金属を含む混合物を不活性ガス雰囲気中または真空中で９５０〜１２００℃の温度域で２時間以上保持し、その後２００℃〜３５０℃で水素中あるいは、部分水素雰囲気中で水素化反応させることを特徴とする。例文帳に追加

A production method for magnetic alloy powder is characterized in that a mixture including Fe-Si-based alloy powder, lanthanum oxide, and alkaline earth metal is held at the temperature region of 950 to 1,200°C in an inert gaseous atmosphere or in a vacuum for 2 hours or more, then the obtained reaction product is subjected to hydrogenation reaction in hydrogen or in a partial hydrogen atmosphere at 200 or 350°C. - 特許庁

本発明は、流動化性触媒の流動床の存在下に分子状酸素含有ガスを用いる 酸化反応、たとえば（ａ）オレフィンのアセトキシル化、（ｂ）エチレンから酢酸への酸化および／またはエタンからエチレンおよび／または酢酸への酸化、（ｃ）プロピレンおよび／またはプロパンからアクリロニトリルへのアンモキシデーション、および（ｄ）Ｃ_４化合物から無水マレイン酸への酸化につき特に適している。例文帳に追加

This invention is especially suitable for an oxidation reactions using gas containing molecular oxygen under existence of the fluid bed of a fluidizing catalyst, for example, (a): acetoxylation of olefins, (b): oxidation of ethylene to acetic acid and/or oxidation of ethane to ethylene and/or acetic acid, (c): ammoxidation from propylene and/or propane to acrylonitrile, and (d): oxidation from C4 compound to maleic anhydride. - 特許庁

クリンカ発生が流動層内の滞留部に生じていることに着目し、投入管の出口部に生じやすい滞留を防止して、耐久性にすぐれ、冷却ガスの増加による反応効率の低下もない、実用上きわめて有効な流動層投入管出口部の滞留防止方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for preventing retention of a fluidized bed input pipe outlet part preventing retention liable to occur at the input pipe outlet part, having excellent durability, not causing lowering of reaction efficiency due to increase of cooling gas, and being extremely practically effective by taking the fact of occurrence of clinker at a retention part inside the fluidized bed into consideration. - 特許庁

空気を供給する空気供給路１と、空気供給路１内に可燃性ガスの燃料を供給する燃料供給管２と、空気供給管１を通じて供給される空気と燃料を混合する混合室３及びこの燃料と空気の混合気を酸化反応させて触媒燃焼させる燃焼触媒４を有する触媒燃焼器５とを具備する。例文帳に追加

There are provided an air supply passage 1 for supplying air, a fuel supply tube 2 for supplying a fuel of combustible gas into the air supply passage L, and a catalytic combustor 5 including a mixing chamber 3 for mixing air and a fuel supplied through the air supply tube 1 and a combustion catalyst 4 for rendering a mixture of the fuel and air to oxidization reaction for catalytic combustion. - 特許庁

クリーンルーム内での半導体ウエハの製造工程に対して、イオナイザーの使用を伴う清浄ガスの吹き付けによる有害パーティクルの付着防止工程を加えても、腐食性のある反応生成不純物が生成され難い半導体装置の製造方法および吹き付けエアーの有害パーティクル除去装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a harmful particle removal device of a spraying air, by which any corrosive reaction formation impurity is hard to be formed, even if any adhesion prevention process of a harmful particle caused by the spraying of a cleaning gas accompanied by using an ionizer is added to a manufacturing process of a semiconductor wafer in a clean room. - 特許庁

燃料電池は、膜・電極接合体と、膜・電極接合体の少なくとも一方の面に設けられた多孔質性の多孔体と、多孔体の前記膜・電極接合体とは反対側に設けられ膜・電極接合体に供給される燃料電池の反応ガスの流路となる貫通孔が設けられたセパレータとを有している。例文帳に追加

The fuel cell includes a membrane-electrode assembly, a porous madreporic body fitted at least one side surface of the membrane-electrode assembly, and a separator fitted on an opposite side from the membrane-electrode assembly of the madreporic body, with a through-hole being as a flow channel of reaction gas of the fuel cell supplied to the membrane-electrode assembly. - 特許庁

また、メソポーラスカーボン粒子以外の炭素材料を混合することにより、メソポーラスカーボン粒子を単独で使用した場合に反応ガスの拡散性が充分でない問題を解決でき、更には電子伝達のネットワークを効率よく形成することを可能とし、燃料電池の内部直流抵抗を小さくすることができる。例文帳に追加

The mixing of the carbon material except for the mesoporous carbon particles can solve a problem of insufficient diffusion of reaction gas, when the mesoporous carbon particle is singularly used so as to efficiently form a network of electron transfer and reduce the inner DC resistance of the fuel cell. - 特許庁

有機溶媒可溶性の添加剤を含有し、該添加剤の少なくとも１種が厚さ方向に濃度勾配を有するセルロースエステルフィルムの該添加剤濃度の高い側の面に、大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、プラズマ状態とした反応ガスに、該セルロースエステルフィルム面をさらすことによって反射防止層を形成させて反射防止フィルムを製造する。例文帳に追加

The antireflection film is manufactured by forming an antireflection layer by exposing, to a reactive gas converted into a plasma state using an atmospheric pressure plasma discharge treatment apparatus, the surface having the higher additive concentration of a cellulose ester film containing organic solvent-soluble additives at least one of which has a concentration gradient in the thickness direction. - 特許庁

反応容器内を非酸化性ガス雰囲気下とした後、前記水溶液に硫化アルカリを添加し、酸化還元電位（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極規準）を−３００〜１００ｍＶに保持しながら硫化物を沈殿生成させることを特徴とするニッケル及び／又はコバルト硫化物の回収方法などによって提供する。例文帳に追加

In the method for recovering the nickel and/or cobalt sulfide, the inside of a reactor vessel is turned to be under nonoxidizing gas atmosphere and then the alkali sulfide is added to the aqueous solution and the sulfide is formed by precipitation, while maintaining an oxidation-reduction potential (Ag/AgCl electrode standard) at -300 to 100 mV. - 特許庁

空気供給装置１と燃料供給装置２からそれぞれ供給される空気と可燃性ガスの燃料とを混合する混合室３と、混合室３で混合されたこの混合気を酸化反応させて触媒燃焼させる燃焼触媒４と、燃焼触媒４に供給される混合気に点火する点火手段５とを備える。例文帳に追加

There are provided a mixing chamber 3 for mixing a fuel of combustible gas and air supplied respectively from an air supply apparatus 1 and a fuel combustion apparatus 2, a combustion catalyst 4 for rendering the mixed gas mixed in the combustion chamber 3 to an oxidization reaction; and ignition means 5 for igniting the mixed gas supplied to the combustion catalyst 4. - 特許庁

下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たモリブデンアミド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、さらに酸化性ガスを導入することで分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成する、酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a molybdenum oxide-containing thin film comprises: introducing vapor containing a molybdenum amide compound obtained by vaporizing a starting material for forming a thin film containing a compound expressed by general formula (I), onto a substrate; and further introducing oxidative gas to induce decomposition and/or a chemical reaction to form a thin film on the substrate. - 特許庁

転炉型反応容器内の溶銑に金属酸化物および炭材を投入し、酸化性ガスを上吹ランスと底吹羽口から供給して強攪拌を行ないながら吹錬することによって昇温，溶融して金属酸化物の溶融還元を行なうに際して、クロム酸化物含有廃物質を溶銑に投入する。例文帳に追加

When a smelting reduction of metallic oxide is executed by charging the metallic oxide and carbonaceous material into molten iron in a converter type reaction vessel, supplying the oxidizing gas from a top-blown lance and a bottom-blown tuyere and blowing while executing powerful stirring for raising temperature and melting, the chromium oxide-containing waste material is charged into the molten iron. - 特許庁

Ｂａ−Ａｌ合金粉末とＮｉ粉末とから成る圧粉混合体から構成されたゲッタ材料であり、このゲッタ材料を真空中または不活性ガス中で加熱した場合に、上記圧粉混合体が発熱反応を開始する温度が７５０℃以上９００℃以下の範囲であることを特徴とするゲッタ材料を用いる。例文帳に追加

This is the getter material which is constituted of a compact blend composed of Ba-Al alloy powder and Ni powder, and when this getter material is heated in vacuum or in inert gas, the temperature in which the compact blend starts exothermic reaction is in the range of 750°C or more and 900°C or less. - 特許庁

本発明のホウ水素化金属の製造方法は、圧力が１ＭＰａ以上であり且つ水素原子を含有する還元性ガス雰囲気中、金属ホウ酸塩と、アルカリ土類金属と、融点が１０００℃以上であり且つ前記アルカリ土類金属と合金化し得る第二金属とを５００℃以上の温度で反応せしめてホウ水素化金属を生成させることを特徴とするものである。例文帳に追加

In this method for manufacturing the metal borohydride, the metal borate, an alkaline earth metal and a 2nd metal having ≥1000°C melting point and capable of being alloyed with the alkakine earth metal are reacted with each other at ≥500°C in a reducing gas atmosphere at ≥1 MPa pressure and containing hydrogen atom to produce the metal borohydride. - 特許庁

リン系化合物半導体の原料としてスズと三リン化四スズとの混合物を用い、当該混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属の表面に接触させることを特徴とするリン系化合物半導体の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing the phosphorus-based compound semiconductor, a mixture of tin and tetratin triphosphide is used as a raw material of the phosphorus-based compound semiconductor, the mixture is heated in an inert gas atmosphere, and the generated vapor of phosphorus is brought into contact with a surface of a metal which forms a semiconductor by the reaction with phosphorus. - 特許庁

基材フィルム上に１層以上の金属酸化物薄膜が積層されてなる反射防止フィルムにおいて、金属酸化物薄膜層のうち少なくとも１層に、加水分解性を有する金属化合物からなるガス成分を、基材フィルムから発生する水蒸気と反応させることにより形成された金属酸化物薄膜層を用いる。例文帳に追加

In the antireflection film, formed by laminating one or more layers of metal oxide thin films on a base material film, at least one metal oxide thin-film layer formed by bringing a gaseous component, composed of a metal compound having hydrolyzability into reaction with the moisture vapor generated from the base material film is used. - 特許庁

真空室内に、回転式の蒸発源、蒸発源の蒸発材料を加熱する加熱手段、蒸発源に対向した基板、及び反応性ガス導入口を設け、該蒸発源の上方に、該基板の方向以外へ向かう蒸発物の飛散を防止する金属製の防着板を設けた装置構成とする。例文帳に追加

The inside of the vacuum chamber is provided with a rotary type evaporation source, a heating means heating the evaporation material of the evaporation source, a substrate confronting the evaporating source and a reactive gas introducing port, and the upper part of the evaporation source is provided with the metallic deposition preventive board preventing the scattering of the evaporation material going toward the directions other than the direction of the substrate. - 特許庁

燃料電池システムであって、燃料電池セルを備える燃料電池と、燃料電池の発電開始時であって、燃料電池が凍結している可能性がある場合において、燃料電池セルの発電領域のうち、部分的に反応ガスを流通させ、当部分で発電を行わせる部分発電を行う発電制御部と、を備える。例文帳に追加

The fuel cell system includes the fuel cells equipped with cells of fuel cells, and a power generation control part partially circulating reaction gas in power generation areas of the cells of fuel cells, and carrying out partial power generation of carrying out power generation in the portions at the starting of power generation of the fuel cells, and when there is a possibility of the fuel cells being frozen. - 特許庁

本方法は、下部電極にＨＳＧ化処理を施した後、下部電極のＨＳＧ表面にシリコンの水素終端処理を施す水素終端処理ステップと、水素終端処理ステップを経た下部電極に、シリコンに対する非反応性のドーパントガス雰囲気の熱処理炉内で６００℃以上８００℃以下の温度範囲の温度で熱処理を施す熱処理ステップとを備えている。例文帳に追加

A method for forming capacitance element includes a hydrogen terminating step of performing hydrogen terminating treatment for silicon on the surfaces of the HSG of a lower electrode after performing HSG producing treatment on the lower electrode, and a heat-treating step of performing heat treatment on the lower electrodes subjected to the hydrogen terminating step at a temperature between 600°C and 800°C in a heat treating furnace maintained in a silicon-nonreactive dopant gas atmosphere. - 特許庁

Cu、Ni、CoおよびSnから選ばれる１種以上の元素と、アルカリ土類金属酸化物とを含み、前記元素の含有量が酸化物換算で４０〜８０重量％の範囲にあり、アルカリ土類金属酸化物の含有量が１〜１０重量％であり、残部が前記以外の無機酸化物であることを特徴とする水性ガスシフト反応触媒。例文帳に追加

The water gas shift reaction catalyst is an inorganic oxide which contains one or more kinds of elements selected from Cu, Ni, Co, and Sn, and an alkaline earth metal oxide, has a content of the above elements in a range from 40 to 80% in terms of oxide, has the content of the alkaline earth metal oxide of 1 to 10 wt%, and the balance inorganic oxides other than the above. - 特許庁

鋼板の片面または両面に、(A)Mg、Co、Zr、Mn、Ni、Cuの炭酸塩と、(B)水分散性シリカと、(C)1分子中にカルボキシル基及び水酸基の少なくとも1種を含み、1分子中の炭素数が3〜10の有機酸との反応生成物からなる皮膜を介してゴム層が形成してなることを特徴とするガスケット用素材。例文帳に追加

The gasket material is obtained by forming a rubber layer on one side or the both sides of a steal plate through a film comprising a reaction product of (A) a carbonate of Mg, Co, Zr, Mn, Ni or Cu, (B) water-dispersible silica and (C) an organic acid containing at least one of carboxy or hydroxy in a molecule and having 3-10 carbon number in a molecule. - 特許庁

空燃比がリッチである場合（Ｓ１０）には、水性ガス反応で発生する水素によって検出精度が低下するので、排気温度に関連する機関運転条件から基本水素補正量Ｓａを求める（Ｓ１１）とともに、触媒劣化度Ｒから劣化補正値Ｈｒを求め（Ｓ１２）、水素補正量Ｓｂを演算する（Ｓ１３）。例文帳に追加

In the case of the air-fuel ratio being rich (S10), detection accuracy is lowered by hydrogen produced by water gas reaction, so that the basic hydrogen correction quantity Sa is obtained from an engine operating condition related to exhaust gas temperature (S11), and the degradation correction value Hr is obtained from the degraded degree R of a catalyst (S12) to compute the hydrogen correction quantity Sb (S13). - 特許庁

レゾルシノールとアルキレンオキシドとを反応させて得られる１，３−ビス（２−ヒドロキシアルコキシ）ベンゼンについて、低コスト、高収率で製造し、ガスバリアー性ポリエステル樹脂の第２成分ポリエステル樹脂原料として用い、重合調整剤であるトリメチロールプロパンの添加が不必要であり、且つ重縮合時間が短縮できる利点を有し、ガスバリアー性ポリエステル樹脂用として有用性なヒドロキシアルキルエーテル組成物を提供することである。例文帳に追加

To obtain a hydroxyalkyl ether having a merit capable of shortening a duration for polycondensation without any addition of trimethylol propane which is a polymerization regulator, and useful as a secondary component of the gas barrier polyester resin with a 1,3-bis(2-hydroxyalkoxy)benzene which is obtained by reacting resorcinol with an alkylene oxide in high yield at low cost. - 特許庁

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。例文帳に追加

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid. - 特許庁

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface. - 特許庁

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。例文帳に追加

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas. - 特許庁

化学気相成長法により段差部を有する半導体デバイス基板上に金属薄膜を形成する方法において、原料ガスと反応性ガスを交互に前記半導体デバイス基板上に導入して、化学気相成長を行い、この化学気相成長を繰り返し行うことにより所要の膜厚の金属薄膜を前記半導体デバイス基板上に形成することを特徴とする化学気相成長による金属薄膜形成方法。例文帳に追加

The method for forming the tin film by chemical vapor deposition introduces alternately a raw gas and a gas activated by an activating means, onto the substrate, and conducting the chemical vapor deposition on it, in a process for forming the thin film on the substrate by chemical vapor deposition, and forming the thin film having the required film thickness on the above substrate through repeating the chemical vapor deposition. - 特許庁

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine. - 特許庁

チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the group III nitride semiconductor layer, a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, and a gas for forming a plasma is introduced into the chamber, for forming the group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant on the substrate, by a reactive sputtering process, wherein a silicon hydride is added into the gas for forming the plasma. - 特許庁

銀とパラジウムを含む前記触媒層２により、抵抗の低減、触媒活性の向上による過電圧の低減を図る事ができ、前記導電性基体３は多孔性かつ導電性の向上によりガス供給性に優れる構成となっていて、過電圧の低減、抵抗成分の低減かつ耐久性の向上が達成でき、電解反応の中でも電解条件が過酷な食塩電解用陰極として用いることができる。例文帳に追加

Thus, formed structure makes the catalyst layer 2 including silver and palladium decrease overvoltage by lowering electric resistance and improving catalytic activity, and makes the electroconductive substrate 3 provide superior gas supply properties because of its porosity and improved electroconductivity. Accordingly, the cathode can decrease the overvoltage, reduce the resistance component, improve durability, and can be used for the brine electrolysis of which the electrolysis condition is harsh among electrolysis reactions. - 特許庁