「セルゲ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そうしたセル領域にセルゲートを形成し、選択トランジスタ領域にはトランジスタを形成する。例文帳に追加

A cell gate is formed in the cell region and a transistor is formed in the selective transistor region. - 特許庁

前記セル活性領域及び素子分離膜にセルゲートパターンが配置される。例文帳に追加

Cell gate patterns are formed on the cell active region and the element isolation film. - 特許庁

メモリセルゲート２の両側に、ソース領域３およびドレイン領域４を形成する。例文帳に追加

On either side of the memory cell gate 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed. - 特許庁

前記セルゲートパターン周辺のセル活性領域上にセル電気ノードが配置される。例文帳に追加

A cell electric node is arranged on the cell active region in the periphery of the cell gate pattern. - 特許庁

その補正結果を用いて、収集手段２０５はピクセルゲイン情報を生成する。例文帳に追加

A collection means 205 generates pixel gain information by using the corrected result. - 特許庁

それによって、選択トランジスタ領域とセルゲートとの間で干渉現象が発生するのを抑え、選択トランジスタ領域に最隣接のセルゲートとの間の幅を減らして保存特性を改善し、選択トランジスタ周辺のセルゲートの電流特性を維持するとともに、流れる電圧の過多過小を防いで好適なセル特性を得て、セルゲートのプログラム特性を均一に維持する。例文帳に追加

Thus the interference phenomenon generated between the selective transistor region and the cell gate is suppressed and space width between the selective transistor region and the nearest cell gate is reduced to improve storage properties, current properties of the cell gates around the selective transistor are maintained, appropriate cell properties are obtained, and program properties of the cell gate are kept uniform. - 特許庁

セルゲート絶縁膜をパターニングしてセルアレイ領域の第１領域上にセルゲート絶縁膜を残して、セルアレイ領域の第２領域及び周辺回路領域を露出させる。例文帳に追加

The cell gate insulation film is patterned to leave the cell gate insulation film on the first area of a cell array area, and the second area and the peripheral circuit area of the cell array area are exposed. - 特許庁

セルゲート絶縁膜１４をパターニングしてセルアレイ領域ａの第１領域上にセルゲート絶縁膜１４を残して、セルアレイ領域ａの第２領域及び周辺回路領域ｂを露出させる。例文帳に追加

The cell gate-insulating film 14 is patterned to leave the film 14 on a first region of a cell array region a and expose a second region of a cell array region a and a peripheral circuit region b. - 特許庁

ｎ型シリコン基板１の主面上に複数のセルゲート２が離間形成され、このセルゲート２間のシリコン基板１の主面ｎ型拡散層７が形成されている。例文帳に追加

A plurality of cell gates 2 are formed at intervals on a principal surface of an n-type silicon substrate 1, and n-type diffusion layers 7 are formed in the principal surface of the silicon substrate 1 between the cell gates 2. - 特許庁

テルミン：一九二〇年、ロシアの物理学者レフ・セルゲイヴィッチ・テルミンが作った世界初の電子楽器。例文帳に追加

Theremin: The world's first electronic musical instrument, made by Russian physicist Lev Sergeivitch Termen in 1920. - Tatoeba例文

テルミン：一九二〇年、ロシアの物理学者レフ・セルゲイヴィッチ・テルミンが作った世界初の電子楽器。例文帳に追加

Theremin: The world's first electronic musical instrument, made by Russian physicist Lev Sergeivitch Termen in 1920.  - Tanaka Corpus

1905年ポーツマス会議日本全権としてロシア側の全権セルゲイ・ヴィッテと交渉し、ポーツマス条約を調印。例文帳に追加

In 1905, he negotiated with Russian plenipotentiary Sergei Yul'jevich WITTE, as Japanese plenipotentiary, and signed Treaty of Portsmouth.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ゲートアレイ半導体装置の基本セル，ゲートアレイ半導体装置，および，ゲートアレイ半導体装置のレイアウト方法例文帳に追加

BASIC CELL OF GATE ARRAY SEMICONDUCTOR DEVICE, GATE ARRAY SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LAYOUT METHOD OF GATE ARRAY SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

広い運転条件下においても、適切なアクセルゲインや補正量を設定することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of setting a proper accelerator gain and correction quantity even under wide driving conditions. - 特許庁

光ディスク装置ごとに迷光キャンセルゲインを適切に調整して、サーボ信号をより正確にすること。例文帳に追加

To make a servo signal more accurate by appropriately adjusting a stray cancel gain for each optical disk device. - 特許庁

リソグラフィ処理等のプロセス数を増加させることなく隣接メモリセルゲート電極間にシールド配線を形成できるようにする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory cell, forming a shield wiring between adjacent memory cell gate electrodes without increasing the number of processes such as lithographic processing. - 特許庁

カプセル３は、装着されたトレーディングカード２と接触通信する手段と、プレイシート４と非接触通信する手段と、カードデータをリード／ライトする手段に加え、カプセル３単体で動作するカプセルゲームを実行するカプセルゲーム実行手段等を備える。例文帳に追加

The capsule 3 includes: a means for performing contact communication with the mounted trading card 2; a means for performing non-contact communication with a play sheet 4; and a means for reading/writing the card data; and also a capsule game performing means for performing a capsule game to be operated by a single capsule 3, etc. - 特許庁

セルゲイ・ヴィッテ首相は、戦争によって負けることはないにせよロシアが疲弊することを恐れ、戦争回避論を展開したが、これは皇帝達によって退けられた。例文帳に追加

Prime Minister Sergei Witte expressed opposition to the war in the fear that though Russia would not lose, it would could exhaust the country; However, his assertions were rejected by the Emperor and others.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

当初、日本が朝鮮の独立を尊重するならば日本が中国を占領してもよいと考えたが、セルゲイ・ヴィッテの登場により極東に艦隊を派遣するなど干渉に乗り出した。例文帳に追加

Originally, Russia took the view that if Japan respected the independence of Korea, Russia would not contend the occupation of China by Japan, but Sergei Yul'jevich Witte changed the policy and Russia began interfering with Japan's affairs by deploying fleets in the Far East.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

演説後，プーチン大統領とクリミアのセルゲイ・アクショノフ首相，同地域の他の代表者がクリミアを公式にロシアの一部とする条約に調印した。例文帳に追加

After the speech, President Putin, Crimean Prime Minister Sergey Aksyonov and other representatives of the region signed a treaty making Crimea an official part of Russia. - 浜島書店 Catch a Wave

該化合物は、既存の抗癌作用を持つ化合物（例えば、パクリタキセル、ドセタキセル、ゲフィチニブ、タキソール）とは異なる新規作用機序により抗癌作用を示す。例文帳に追加

The compound exerts the anticancer activity by a novel action mechanism which is different from that of current compounds (for example, paclitaxel, docetaxel, gefitinib, and taxol). - 特許庁

半導体基板全面に順次にスタックされたトンネル酸化膜、シリコン窒化膜及び上部酸化膜からなったセルゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A cell gate insulation film comprising a tunnel oxidation film, a silicon nitride film and an upper oxidation film stacked successively on the whole face of a semiconductor substrate is formed. - 特許庁

メモリセルゲート電極ＧＥは、浮遊ゲート電極３２と、その上面および相互間にゲート間絶縁膜３３を介して積層された、制御ゲート電極２１とから形成されている。例文帳に追加

The memory cell gate electrode GE is formed of a floating gate electrode 32 and control gate electrodes 21 laminated on the upper surface of the electrode 32, and between them via an inter-gate insulation film 33. - 特許庁

セルゲート１３０は、半導体基板１００上に順次に積層された電荷貯蔵絶縁膜１３２、ゲート電極１３４、及び導電膜１３６を含む。例文帳に追加

The cell gate 130 includes a charge storage insulating layer 132 on the semiconductor substrate 100, a gate electrode 134 on the charge storage insulating layer 132, and a conductive layer 136 on the gate electrode 134. - 特許庁

半導体基板１１の素子領域１３上に、ゲート絶縁膜３１を介して、メモリセルＭＣのメモリセルゲート電極ＧＥが形成されている。例文帳に追加

A memory cell gate electrode GE of the memory cell MC is formed on an element region 13 of a semiconductor substrate 11 via a gate insulation film 31. - 特許庁

隣接するメモリセルゲート電極間に空隙を形成することで結合容量を抑制し、複数のコンタクト同士の短絡を防止しメモリの信頼性を向上する。例文帳に追加

To improve reliability by inhibiting coupling capacitance and preventing a short circuit between a plurality of contacts by forming a gap between neighboring memory cell gate electrodes. - 特許庁

不揮発性メモリ装置は、セル領域及び周辺回路領域を具備する半導体基板１００と、セル領域のセルゲート１３０と、周辺回路領域の周辺回路のゲート１２０Ｌ，１２０Ｈと、を含む。例文帳に追加

The nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate 100 including a cell region and a peripheral circuit region, a cell gate 130 on the cell region, and peripheral circuit gates 120L, 120H on the peripheral circuit region. - 特許庁

半導体基板１全面に順次にスタックされたトンネル酸化膜９、シリコン窒化膜１１及び上部酸化膜１３からなったセルゲート絶縁膜１４を形成する。例文帳に追加

A cell gate-insulating film 14 composed of a tunnel oxide film 9, a silicon nitride film 11, and an upper oxide film 13 stacked in order is formed on a whole surface of a semiconductor substrate 1. - 特許庁

セルコンタクトパッド方式において、メモリセルアレイの外周部にセルゲート電極と交差し、連続するダミーのセルコンタクトパッドを形成する。例文帳に追加

In a cell contact pad system, a continuous dummy cell contact pad which intersects a cell gate electrode is formed in the outer circumference of a memory cell array. - 特許庁

記憶用ＥＥＰＲＯＭセルゲート電圧生成回路は、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭのデータを新しく書込み時にｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルを書き込み可能な状態にする。例文帳に追加

The EEPROM cell gate voltage generating circuit for memory brings the n EEPROM cells into rewritable state at the time of writing a new data of the flash type EEPROM. - 特許庁

しかもメダル通路がキャンセルゲート６１付近で１回、ホッパー５６の直前で１回の少なくとも２回曲がっており、その上、その曲がりの方向が互いに異なっている。例文帳に追加

A token path is bent at least twice, that are once near a cancellation gate 61 and once immediately before a hopper 56, and the bending directions are different from each other. - 特許庁

セル領域に電荷貯蔵層が備えられたセルゲートパターンが配置され、周辺領域に高電圧型ゲートパターン、低電圧型ゲートパターン及び抵抗パターンが配置される。例文帳に追加

A cell gate pattern in which a charge storing layer is installed is arranged in the cell region, and a high voltage type gate pattern a low voltage type gate pattern and a resistance pattern are arranged in the peripheral region. - 特許庁

各セルゲート２間には、ゲート絶縁膜３及び埋め込み絶縁膜８からなるセル間絶縁膜９が設けられ、このセル間絶縁膜９中に炭素元素を含む炭素蓄積領域１０が設けられている。例文帳に追加

Inter-cell insulating films 9 comprising a gate insulating film 3 and a buried insulating film 8 are provided at each part between the cell gates 2, and carbon accumulation regions 10 containing carbon elements are provided in the inter-cell insulating films 9. - 特許庁

また、リソースマネージメント制御部１３は、そのユーザ数がその閾値未満のセルを有するＮｏｄｅＢについては、ベアラの種別を、ＰＴＭ所要電力および隣接セルゲインに基づいて決定する。例文帳に追加

In addition, the resource management controller 13 determines the type of a bearer for a Node B that has cells, the number of users of which is less than the threshold, based on PTM required power and an adjacent cell gain. - 特許庁

１．我々，ＡＰＥＣ閣僚は，セルゲイ・ラヴロフ外務大臣及びアンドレイ・ベロウソフ経済発展大臣の共同議長の下，２０１２年９月５－６日，ロシアのウラジオストクで会合した。例文帳に追加

1. We, the APEC Ministers, met in Vladivostok, Russia on September 5-6, 2012 under the Chairmanship of Sergey Lavrov, Minister of Foreign Affairs, and Andrey Belousov, Minister of Economic Development. - 経済産業省

このような大衆文化が開花に時期にはクラシック音楽ではアルトゥーロ・トスカニーニ、セルゲイ・ラフマニノフ、アルフレッド・コルトー、エンリコ・カルーソー、ティノ・ロッシなどの優れた音楽家、ピアニスト、歌手が活躍し、日本でも人気を博していった。例文帳に追加

While the mass culture was blooming as stated above, a number of musicians - conductors, composers, pianists and singers such as Arturo Toscanini, Sergei Rachmaninov, Alfred Cortot, Enrico Caruso and Tino Rossi - took a lively part in the classical music field and increasingly gained popularity in Japan as well.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

このピクセルゲイン情報は、初期欠陥画素が補正された状態での情報であり、この情報から、ユーザが平面センサを利用している最中等に増加する増加欠陥画素を収集することができ、増加欠陥画素の補正が可能となる。例文帳に追加

The pixel gain information is information in the corrected state of initial defective pixels and increased defective pixels increased during the period of using a plane sensor by a user can be collected and corrected. - 特許庁

ＣＭＰ法によって層間絶縁膜を平坦化するときに、ダミーゲート電極の上端部の絶縁膜が消失するのを防ぐと共に、セルゲート電極の上端部の絶縁膜が取り除かれ過ぎるのを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents an insulating film at an upper end of a dummy gate electrode from being lost and also prevents an insulating film at an upper end of a cell gate electrode from being removed too much when an interlayer insulating film is flattened by a CMP method. - 特許庁

ビット線交差領域（ＴＷＳＡ）にメモリセルゲート電極配線を配置して、メモリセルのアクセストランジスタのゲートを相互接続し、ビット線の交差構造を、その上層のメタル配線（ＭＴＦＢ，ＭＴＳＢ）を用いて形成する。例文帳に追加

A memory cell gate electrode interconnection is disposed in a bit line intersection region (TWSA), and gates for an access transistor of a memory cell are interconnected to each other, to form an intersection structure of a bit line, by using metal interconnections (MTFB, MTSB) of the upper layer. - 特許庁

記憶用ＥＥＰＲＯＭセルゲート電圧生成回路４４と、ｎ個の書き込み読み出し回路１５〜１７と、ｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセル４１〜４３とを有し、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭの書き換え回数を計数し、その計数値を記憶する。例文帳に追加

The circuit for counting the number of times of rewrite operation comprising an EEPROM cell gate voltage generating circuit 44 for memory, n write/read circuits 15-17, and n EEPROM cells 41-43 for memory counts rewrite operation of a flash type EEPROM and stores the count. - 特許庁

朝鮮における壬午事変・甲申政変や清の戊戌の変法の失敗、長続きしなかったイランのイラン立憲革命やロシア帝国のセルゲイ・ヴィッテ改革、ピョートル・ストルイピン改革などが典型である（朝鮮の改革運動については金玉均など、清の改革については光緒帝、黄遵憲なども参照）。例文帳に追加

The examples of unsuccessful reforms are as follows: the Imo Incident and the Gapsin Corp in Korea; the Hundred Days' Reform in Qing; the Persian Constitutional Revolution in Iran; and the Reform of Sergei Witte and the Reform of Pyotr Stlypin in Russian empire (Regarding the movement of the reforms in Korea, refer to the article of "Kim Ok-gyun," and regarding the reforms in Qing, refer to the articles of "Guangxu Emperor" and "Huang Zunxian").  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

1905年(明治38年)9月5日15時47分に、アメリカ合衆国大統領セオドア・ルーズベルトの斡旋によって、アメリカ合衆国ニューハンプシャー州ポーツマス(ニューハンプシャー州)近郊のメイン州にあるポーツマス海軍造船所において、日本全権小村寿太郎とロシア全権セルゲイ・ヴィッテの間で調印された。例文帳に追加

At 15:47 on September 5, 1905, at the Portsmouth navy dock yard in the state of Maine near Portsmouth, New Hampshire, U.S., the treaty was signed between Jutaro KOMURA, the Japanese plenipotentiary, and Sergei Witte, his Russian counterpart, mediated by the President of the United States of America, Theodore Roosevelt.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス