「バイアス照射」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

記録パルス信号は、記録マークを形成するためにレーザ光を照射するマーク期間と、記録マークを形成しない期間であるスペース期間とにより構成され、マーク期間は、トップパルス期間と、それに続く中間バイアス期間とを有する。例文帳に追加

A recording pulse signal is constituted of a mark period in which the laser beam is projected to form the recording mark and a space period being a period in which the recording marl is not formed, the mark period has a top pulse period and an intermediate bias period succeeding it. - 特許庁

また、受信状態のときは、第１トランジスタＱ１をオンするとともに、第２トランジスタＱ２をオフして発光ダイオードＤ１に逆バイアス方向の電圧を印加して、この発光ダイオードＤ１に照射された光を受信信号として出力する。例文帳に追加

Also, when the apparatus is in a reception state, the first transistor Q1 is turned on and the second transistor Q2 is turned off to apply a voltage of a reverse bias direction to the diode D1, and light irradiated on the diode D1 is outputted as a reception signal. - 特許庁

記録パルス信号は、記録マークを形成するためにレーザ光を照射するマーク期間と、記録マークを形成しない期間であるスペース期間とにより構成され、マーク期間は、トップパルス期間と、それに続く中間バイアス期間とを有する。例文帳に追加

A recording pulse signal is constituted of a mark period in which a laser beam is emitted for the purpose of forming the recording mark and a space period being a period in which the recording mark is not formed, the mark period has a top pulse period and an intermediate bias period succeeding it. - 特許庁

ＣｄＴｅ基板２ｓにバイアスが与えられた状態で、窓材３に放射線が照射されると、放射線は窓材３を介して半導体基板２ｓに入射し、放射線検出電流として端子７ｃと端子７ｂとの間を流れる。例文帳に追加

When a window material 3 is irradiated with radiation in a state in which a CdTe substrate 2s is biased, radiation is made to emit on the semiconductor substrate 2s through the window material 3, and a radiation detection current flows between terminals 7c and 7b. - 特許庁

次いで、加工室１１内に不活性ガスを導入して非反応性雰囲気にし、好ましくは化合物半導体Ｓに負電位をバイアスした状態で、シンクロトロン光装置１５よりシンクロトロン光を照射し、化合物半導体Ｓの所定の箇所をエッチングする。例文帳に追加

Subsequently, inert gas is introduced into the working chamber 11 to obtain a non-reactive atmosphere, and synchrotron light is irradiated from a synchrotron light device 15 against the compound semiconductor S to etch a predetermined place on the compound semiconductor S under a condition that a negative potential is preferably biased on the compound semiconductor S. - 特許庁

プラズマＣＶＤによる炭素膜形成と、窒素イオンビーム照射とを同時に行うにあたり、プラズマ原料ガス中に水素ガスを混合し、基板２に負バイアスを印加することにより、基板２上に形成される炭素膜中のＳＰ_2 結合をした軟弱なグラファイト成分がエッチングされる。例文帳に追加

At the time of simultaneously executing the formation of a carbon film by plasma CVD and nitrogen ion beam irradiation, gaseous hydrogen is mixed into a plasma gaseous starting material, and a negative bias is applied on a substrate 2, by which SP2-coupled soft graphite components in the carbon film to be formed on the substrate 2 are subjected to etching. - 特許庁

導電性支持体上に、少なくとも正孔輸送物質を含有する正孔輸送層、電荷発生層を順次積層した構成を有する像担持体を用いて、光照射と同時にプラスバイアス印加により潜像形成を行なうことを特徴とする画像形成方法。例文帳に追加

The image forming method uses the image carrier, configured by sequentially stacking at least a hole transport layer containing a hole transport material and a charge generating layer on a conductive support, and includes latent image formation by a positive bias application to the image carrier under photoirradiation. - 特許庁

記録パルス信号は、記録マークを形成するためにレーザ光を照射するマーク期間と、記録マークを形成しない期間であるスペース期間とにより構成され、マーク期間は、トップパルス期間と、それに続く中間バイアス期間とを有する。例文帳に追加

A recording pulse signal consists of a mark period for irradiating with the laser light to form the recording mark and a space period when the recording mark is not formed, and the mark period has a top pulse period and an intermediate bias period following the top pulse period. - 特許庁

ＩＣ発信機の発信周波数がバイアス値に依存し直線的に変わる性質に着目し，照射電磁界の電磁界強度をＩＣレベルのマイクロセンサで検出し、微小センサが要求される医療機器や，環境電磁工学の分野へ応用する問題を解決した。例文帳に追加

Electromagnetic strength of the irradiated electromagnetic field is detected by a micro-sensor of an IC level by paying attention to a property that oscillating frequency of an IC oscillator linearly changes depending to bias value to solve a problem for application to fields of medical care instruments and environmental electromagnetic engineering wherein minute sensors are required. - 特許庁

コロナ帯電器を使用した転写において、転写バイアス印加と同時に転写領域にレーザを照射することで、レーザ誘導放電による直線的でレーザ光路と一致した気体放電が得られることにより、放電領域を非常に狭める。例文帳に追加

On transferring by using a corona charger, a transfer region is irradiated with laser light at a time of applying a transfer bias so that a linear gas discharge by laser-induced discharge and coincident with the laser optical path is obtained, which extremely narrows the discharge region. - 特許庁

一方、分光感度測定装置５では、白色バイアス光の強度を複数ｉ段階に変化させ、都度、分光光源から輝線照射を行うＤＳＲ法によって、太陽電池２の分光感度Ｐｉ（λ）＝Ｐ（λ，Ｉｂ）＝Ｐ（λ，∫Ｌ（λ）ｄλ）を求める。例文帳に追加

On the other hand, a spectral sensitivity measuring device 5 changes the intensity of the white bias light in multiple i stages, and finds the spectral sensitivity of a solar cell 2 Pi(λ)=P(λ,Ib)=P(λ,∫L(λ)dλ) for every stage by a DSR method which applies a bright beam from a spectral light source. - 特許庁

太陽光発電素子の検査装置１０は、太陽光発電素子１２の保持台１４、太陽光発電素子１２に順バイアスを印加する電源１６、太陽光発電素子１２のＥＬを撮影するカメラ１８、所定の波長の光を透過させるためのフィルター２０、および太陽光発電素子１２に近赤外線の帯域を含む光を照射する光源２６を備える。例文帳に追加

The inspection device 10 for the photovoltaic power generation element includes a holding table 14 for the photovoltaic power generation element 12, a power source 16 which applies a forward bias to the photovoltaic power generation element 12, a camera 18 for photographing EL of the photovoltaic power generation element 12, a filter 20 for transmitting light of prescribed wavelength, and a light source 26 for irradiating the photovoltaic power generation element 12 with light including a band of near infrared rays. - 特許庁

光照射とバイアス印加による帯電手段を伴う電子写真プロセスに用いる電子写真感光体であって、導電性支持体上に、少なくとも露光により静電潜像形成を行なう電荷を発生する電荷発生層、露光により帯電電荷を発生し電荷を輸送する電荷発生輸送層が順次積層した構造を有することを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor which is used for an electrophotographic process using a means for electrostatic charging by light irradiation and bias application has such a structure that a charge generating layer which generates electric charge for electrostatic latent image formation by at least exposure and a charge generating and transporting layer which generates electrostatic charging charges by exposure and transports the charges are laminated in order on a conductive base. - 特許庁

パネル回路基板の導線のショート欠陥を検査するにあたり、導線へ電気バイアスを印加しながら、レーザ光照射による抵抗変化がもたらした電流変化を検出する方法において、必要な欠陥検出信号の強度が得られ、かつ、検査時間を極力短縮することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology capable of determining intensity of defect detection signal necessary for detection and capable of shortening the inspection time as much as possible, upon inspecting a short circuit defect of conductor on the panel circuit board in the method of detecting the current variation accompanied by the resistance variation caused by the laser irradiation while applying electric bias on the conductor. - 特許庁

集束されたイオンビーム２を半導体装置９上に照射し、電子シャワー銃２０から供給される電子シャワー１９によりチャージアップを防止しつつ、所定の領域を加工するイオンビーム加工装置において、調整電源２１により試料ステージ１０にバイアス印加を行い、電子シャワー１９による影響を受けずに電流計２２で試料電流を検出する。例文帳に追加

The ion beam machining system, where the focused ion beam 2 is radiated onto the semiconductor device 9 to be machined in its predetermined region, while preventing charge-up with the electron shower 19 supplied from an electron shower gun 20 comprises a controllable power supply 21 for applying a bias to the sample stage 10 and an ammeter 22 for detecting the sample current, without being affected by the electron shower 19. - 特許庁

基板の表面に形成されたアンテナパターンの上に、非線形素子を配置してバイアス電圧を印加した状態で、アンテナパターンにパルス光を照射することで、非線形素子の非線形効果による波長変換を行なって第２高調波を発生し、その第２高調波で光スイッチを動作させることによってテラヘルツ波を発生させる。例文帳に追加

Second higher harmonics are generated by performing wavelength conversion by a nonlinear effect of a nonlinear element by irradiating an antenna pattern with pulse light at a state wherein bias voltage is applied on the antenna pattern by arranging the nonlinear element on the antenna pattern formed on the surface of a substrate and the terahert waves are generated by operating an optical switch by the second higher harmonics. - 特許庁

一方、転写材Ｐが厚紙，普通紙の２面目，ＯＨＴなどの場合には、転写バイアスが高くて転写ネガゴーストが発生しやすいので、制御手段２１により除電装置２０をＯＮにし、感光ドラム３の駆動に同期させて除電装置２０から感光ドラム３表面に除電光を照射する。例文帳に追加

Meanwhile, when the material P is cardboard or the second surface of the plain paper or OHT, the transfer bias is high and the transfer negative ghost is easily caused, so that the device 20 is turned on by the controller 21 so as to irradiate the surface of the drum 3 with discharging light from the device 20 in synchronization with the driving of the drum 3. - 特許庁

少なくとも内壁が導電性である管形状物内にマイクロ波あるいは高周波プラズマを生成し、管形状物に繰り返し負電位のパルスバイアスを印加することによって管内壁にイオンを照射あるいは注入することによって表面処理を施し、様々な特性を改善することにある。例文帳に追加

To execute surface treatment by generating microwaves or high-frequency plasma in a tube-shaped material in which at least the inner wall has electric conductivity, repeatedly applying a pulse bias of the negative potential to the tube-shaped material and thereby irradiating or impregnating the inner wall of the tube with ions and to improve various characteristics thereof. - 特許庁

本発明は、プラズマ中のイオン等の荷電粒子の加速による基板表面に照射するバイアスアシストを効果的に行い、長時間に渡りフィルムの安定走行と製品の性能を維持することが可能な巻取真空成膜装置およびこれを用いた成膜フィルムの製造方法を提供することを目的としたものである。例文帳に追加

To provide a winding type vacuum film deposition apparatus capable of maintaining the consistent traveling of a deposition film and the performance of a product for a long time by effectively performing the bias assist of irradiation on a substrate surface by accelerating charged particles such as ions in plasma, and a manufacturing method of the deposition film using the apparatus. - 特許庁

陰極ターゲット２に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ１０を生成し、蒸着用プラズマ１０中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板４に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源３で生成されたイオンビーム９を陰極ターゲット２に照射して蒸着用プラズマ１０を生成する。例文帳に追加

In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3. - 特許庁

放射線光導電層１の両側に電極４，５が設けられ、この電極４，５間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより放射線光導電層１の内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器１０であって、放射線光導電層１が無機半導体粒子とフラーレンまたはその誘導体とからなるものとする。例文帳に追加

A radiation detector 10 in which electrodes 4, 5 are provided on both sides of a radiation photo-conductive layer 1, detects charges generated inside the radiation photo-conductive layer 1 as an electric signal by being irradiated with radiation while a predetermined bias voltage is applied between the electrodes, wherein the radiation photo-conductive layer 1 is composed of inorganic semiconductor particles and fullerenes or its derivatives. - 特許庁

計画パターンを、矩形により近似して矩形近似パターンを生成する矩形近似工程Ｓ３０と、矩形近似パターンに基いて第１補正パターンを生成する工程Ｓ４０，Ｓ５０と、第１補正パターンを、プロセスバイアスΔだけ拡大させて、照射パターンを生成する工程Ｓ６０と、を具備する。例文帳に追加

The method comprises: a rectangle approximation step S30 of approximating a planned pattern by rectangles to generate a rectangle approximation pattern; steps S40, S50 of generating a first correction pattern based on the rectangle approximation pattern; and a step S60 of generating an irradiation pattern by enlarging the first correction pattern by a process bias Δ. - 特許庁

記録用光導電層の両側に電極が設けられ、該電極間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより前記記録用光導電層内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器において、記録用光導電層に１．９５±０．０２の配位数を有するアモルファスセレンを用いる。例文帳に追加

The radiation detector is provided with electrodes on both sides of a photoconductive layer for recording, and detects electric charge generated within the photoconductive layer for recording as an electric signal by being irradiated with radiation while applying a predetermined bias voltage between the electrodes, and uses amorphous selenium having a coordination number of 1.95±0.02 for the photoconductive layer for recording. - 特許庁

放射線の照射により電荷を生成する半導体結晶100の第１の面に陰極403を設け、第１の面と平行な第２の面に複数の電荷収集電極404の配列を作り込んだ構造を有し、これら電極間にバイアス電圧を印加して、各検出器単位1000内で放射線によって生じた電荷を電荷収集電極毎に収集して位置情報を含む出力信号を得る半導体放射線検出器であって、個々の電荷収集電極に対応して、結晶の第２の面の近傍であって電荷収集電極104と平行な領域に、少なくとも帯状電極を含むグリッド電極400を設けている。例文帳に追加

A grid electrode 400 including at least a beltlike electrode is provided in an area parallel to the electric charge gathering electrodes 404 nearby the 2nd surface of the crystal corresponding to the individual electric charge gathering electrodes. - 特許庁