意味 | 例文 (653件) |
一次電子の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 653件
二次電子検出器の二次電子収集効率を電子線走査領域内で均一とする。例文帳に追加
To make uniform the collection efficiency of secondary electrons of a secondary electron detector within an electron beam scanning region. - 特許庁
電子源1からの一次電子線5は、試料10に照射される。例文帳に追加
The primary electron beam 5 from the electron source 1 is irradiated to a sample 10. - 特許庁
電子線装置は、電子銃から放出される電子線を一次光学系を介し試料に照射する。例文帳に追加
The electron beam device irradiates an electron beam emitted from an electron gun on a sample through a primary optical system. - 特許庁
電子部品、電子部品の取付構造、一次接続用端子、電子部品の取付方法例文帳に追加
ELECTRONIC COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING STRUCTURE, PRIMARY CONNECTING TERMINAL AND ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING METHOD - 特許庁
電子線装置は、一次電子線を試料に照射する一次電子光学系、検出系、及び一次電子線の照射によって試料面から放出される二次電子線を検出器へ指向させる検出系を備える。例文帳に追加
The electron beam system is equipped with a primary electron optical system for irradiating a sample with a primary electron beam, a detecting system and a detecting system for directing a secondary electron beam emitted from the surface of the sample by the irradiation of the primary electron beam to a detector. - 特許庁
一次電子ビームと二次電子ビームとの重複領域で二次電子ビームの空間電荷効果による収差増大を抑制する。例文帳に追加
To restrain an aberration increase caused by a spatial charge effect of a secondary electron beam in an overlapped area of a primary electron beam and the secondary electron beam. - 特許庁
高圧縮電子銃用の一次元グリッド・メッシュ例文帳に追加
ONE-DIMENSIONAL GRID MESH FOR HIGH-COMPRESSION ELECTRON GUN - 特許庁
時系列化された一次元のデータにおける電子透かし例文帳に追加
ELECTRONIC WATERMARK FOR TIME SERIES PROCESSED LINEAR DATA - 特許庁
電子線装置は、一次電子線を試料11に照射する一次電子光学系、試料から生じる二次電子を検出し電子画像を形成する二次電子検出系、及び電子画像のデータに基き試料の評価を行う評価手段を含む。例文帳に追加
The electron beam apparatus includes a primary electron optic system irradiating primary electron beams to a sample 11, a secondary electron detection system forming an electronic image by detecting secondary electrons generated from the sample, and an evaluation means evaluating the sample according to data of the electronic image. - 特許庁
電子線装置において、E×B分離器による一次電子線の偏向色収差を補正する。例文帳に追加
To correct a deflection chromatic aberration of a primary electron beam by an E×B separator in an electron beam device. - 特許庁
一次コラムは、試料表面に一次ビームを照射する電子銃を有する。例文帳に追加
The primary column has an electron gun irradiating a primary beam on the surface of the testpiece. - 特許庁
電子線装置は、電子銃のカソード1から放出された一次電子線を対物レンズ11で集束する。例文帳に追加
In this electron beam device, the primary electron beam emitted from a cathode 1 of an electron gun is converged by an object lens 11. - 特許庁
一次電子ビームの加速電圧が低くても、雑音の混入なく高感度で電子の検出ができる電子検出装置を実現する。例文帳に追加
To provide an electron detector capable of detecting an electron at high sensitivity with no mixing of noise even when accelerating voltage of primary electron beam is low. - 特許庁
この電子線装置1は一次電子線を集束して照射させるレンズを各電子銃毎に配列したレンズ群を備えている。例文帳に追加
This electron beam device 1 is equipped with a lens group composed by arranging, for every electron gun, a lens for converging and emitting a primary electron beam. - 特許庁
そして、一次電子走査線部106により制御された偏光器105により一次電子線102がシリコン基板108上を走査するのと同期して、一次電子線102の照射を受けてシリコン基板108から放出される二次電子112を二次電子検出器113で受け、二次電子強度として画像取得部114に与える。例文帳に追加
Then, in synchronization with the scanning of the primary electron beam 102 on the silicon substrate 108 by a polarizer 105 controlled by a primary electron raster section 106, a secondary electron 112 discharged from the silicon substrate 108 by irradiating the primary electron beam 102 is received by a secondary electron detector 113 for giving to an image acquisition section 114 as secondary electron intensity. - 特許庁
一 次に掲げる作業を電子計算機に自動的に行わせること。例文帳に追加
(i) Causing a Computer to perform the following work automatically: - 日本法令外国語訳データベースシステム
一次電子光学系は、一次電子線の照射領域8を調整するための2組以上の四重極電極6、一次電子線を走査するための1組以上の偏向器7、走査信号を発生する発信器、及び一次電子線の電流密度を測定するためのファラデーカップを含む。例文帳に追加
The primary electron optic system includes not less than two pairs of quadrupole electrodes 6 for adjusting the irradiation area 8 of the primary electron beams, not less than one pair of polarizers 7 for scanning the primary electron beams, and a Faraday cup for measuring the current density of the primary electron beams. - 特許庁
集束された一次電子線によって試料12上を走査する。例文帳に追加
The surface of a sample 12 is scanned by the converged electron beam. - 特許庁
次いで、対物レンズ11を通過した直後の二次電子を、E×B分離器9,10により一次電子線の光路からそらし、二次電子検出器8へと向かわせる。例文帳に追加
The secondary electrons having just passed the object lens 11 are deflected from an optical path of the primary electron beam by E×B separators 9 and 10 and directed to a secondary electron detector 8. - 特許庁
試料の走査点から放出された二次電子を対物レンズを通過後E×B分離器で一次電子から分離し検出する。例文帳に追加
The secondary electrons emitted from the scanning point of the test piece is separated from the primary electrons by an ExB separator after passing the objective lens and detected. - 特許庁
一般的な二次元電子地図を三次元電子地図に変換する場合に適用可能な地図情報作成装置を提供する。例文帳に追加
To provide an apparatus for creating map information which can be applied to conversion of a common two-dimensional electronic map into a three-dimensional electronic map. - 特許庁
この2次電子の偏向により、一次電子ビームの走査位置に対応して検出器20a〜20nのいずれかの検出器を選択する。例文帳に追加
By the deflection of the secondary electrons, one of detectors 20a-20n is selected correspondingly to the scanning position of the primary electron beam 1. - 特許庁
前記電子引き出し電極及び二次電子放出層は、前記絶縁基板の一つの表面に順次的に配置される。例文帳に追加
The electron extraction electrode and the secondary electron emission layer are successively disposed on one surface of the insulation substrate. - 特許庁
電子機器40で一次変調および二次変調を行わないので消費電力が少ない。例文帳に追加
Power consumption is small because the electronic equipment 40 does not perform primary modulation and secondary modulation. - 特許庁
一次電子励起のイオンや反射電子励起のイオン、バイアス電極電界により生じた二次電子励起のイオンなどのイオンを効率よく検出し、吸収電流を得ることができる走査電子顕微鏡を提供することにある。例文帳に追加
To provide a scanning electron microscope which can effectively detect ions excited by primary electrons, reflecting electrons, secondary electrons generated due to bias electrode electric field or the like to obtain an absorption current. - 特許庁
電子線装置は、電子銃1,2,3からの一次電子線を収束させて試料15上で走査し、試料15から放出される二次電子線を検出して試料15の評価を行う。例文帳に追加
This electron beam system converges a primary electron beam from electron guns 1, 2 and 3 to scan it on a sample 15, and detects secondary electron beams emitted from the sample 15 to evaluate the sample 15. - 特許庁
電子銃により発生させた一次電子ビームを試料に照射し、試料から放出される二次電子を写像投影光学系により検出器に結像させる電子線装置。例文帳に追加
The electron beam device irradiates primary electron beams generated by an electron gun on a test piece and forms the secondary electrons emitted from the test piece on a detector by a map projection optical system. - 特許庁
ビームセパレータは、電子銃から発生し電子光学軸に沿ってビームセパレータに入射した一次電子ビームは常に電子光学軸に沿ってビームセパレータを出射し、試料から発生し一次電子ビームと逆向きに入射する2次電子は電子光学軸から離れる異なった第1及び第2の方向に選択的に偏向可能である。例文帳に追加
The primary electron beams generated from the electron gun incident into the beam separator along an electron-optical axis always irradiate from the beam separator along the electron-optical axis, and the secondary electron beams generated from the sample and incident contrary to the primary electron beams can be selectively deflected in a first and a second directions away from the electron-optical axis. - 特許庁
上記電子発生電極101と電子増幅板10とは密着しており、放射線の入射により電子発生電極101から発生した一次電子は、当該一次電子を発生させた放射線の入射位置に対応する位置に配置された貫通孔18に進入し、増幅される。例文帳に追加
The electron generation electrode 101 and the electron amplification plate 10 are closely stuck together, a primary electron generated from the electron generation electrode 101 caused by incidence of radiation, is amplified by entering the through-hole 18 arranged in a position corresponding to an incident position of the radiation generating the primary electron. - 特許庁
左目用2次電子検出器13及び右目用2次電子検出器14で、試料6の表面のある小領域6aから放出された2次電子15を左右に一定の視差をもって検出する。例文帳に追加
The secondary electrons 15, emitted from the small area 6a of the surface of the sample 6, are detected by a secondary electron emitting detector for a left eye 13 and a secondary electron emitting detector for a right eye 14, with a fixed parallax between left and right. - 特許庁
ウェーハの表面の一定領域に1次電子のビームを繰り返してスキャンし、1次電子ビームと前記ウェーハの表面との反応で発生するウェーハの表面外部に放出される2次電子を収集する。例文帳に追加
A certain region of the surface of the wafer is repeatedly scanned with primary electron beam so that secondary electrons generated according to the reaction of the primary electron beam with the surface of the wafer, and discharged to the outside part of the surface of the wafer can be collected. - 特許庁
マーカ上の走査点から放出された電子線をE×B分離器で一次電子線から分離し、単一の検出器で検出する。例文帳に追加
The electron beams discharged from a scanning point on the marker is separated from primary electron beams by an EXB separator, and detected by a single detector. - 特許庁
電子顕微鏡装置の所望の結像解像度を維持しながら、一度に形成される一次電子ビームスポットの数や、密度を高める。例文帳に追加
To increase the number and density of primary electron beamlet spots formed at a time while maintaining a desired image forming resolution of an electron microscope device. - 特許庁
また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めるとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出することを特徴とする。例文帳に追加
An electric field and a magnetic field are sealed within the each electronic optical system by a shielding electrode capable of vacuum-evacuating an electron beam path, and a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, so as to detect the secondary electron and the the reflected electron within the same electronic optical system. - 特許庁
また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出することを特徴とする。例文帳に追加
An electric field and a magnetic field are sealed within the respective electronic optical systems by a shielding electrode for vacuum-evacuating an electron beam path, and a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, so as to detect the secondary electron and the reflected electron within the same electronic optical system. - 特許庁
また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出することを特徴とする。例文帳に追加
An electric field and a magnetic field are sealed within the each electronic optical system by a shielding electrode capable of vacuum-evacuating highly an electron beam path, and a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, so as to detect the secondary electron and the the reflected electron within the same electronic optical system. - 特許庁
また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出する。例文帳に追加
An electric field and a magnetic field are sealed within the each electronic optical system by a shielding electrode capable of vacuum-evacuating highly an electron beam passage, a negative voltage is set to a sample to accelerate a secondary electron and a reflected electron to a direction of an electron source side in an electron beam optical axis, and the secondary electron and the reflected electron are thereby detected within the same electronic optical system. - 特許庁
リアルタイムで一次電子線の電流密度の観察を行うことが可能であり、高速で一次電子線の電流密度の測定が可能な電子線装置を提供する。例文帳に追加
To provide an electron beam apparatus capable of making an observation of primary electron beams in real time, and measuring the current density of the primary electron beams at a high speed. - 特許庁
さらに一次電子線と試料室から入射した気体との衝突で発生した正イオンによって、一次電子線の空間電荷効果による電子線の拡がりが低減されており、正確な照射が可能となる。例文帳に追加
Furthermore, widening of the electron beam due to a space-charge effect of the primary electron beam is reduced by anions generated by the collision of the primary electron beam with the gas introduced from the sample chamber, and so accurate irradiation is possible. - 特許庁
電子線源1と、電子線3が照射される一次ターゲット4を備え、一次ターゲットの電子線照射位置に対してX線を取り出す方向と反対側に、一次ターゲットを構成する物質と同じ物質からなる二次ターゲット7を備えるX線源。例文帳に追加
The X-ray source is provided with an electron beam source 1 and a first target 4 on which electron beam 3 is irradiated, and is further provided with a second target 7 consisting of the same material as the one constituting the first target, at an opposite side to the direction an X-ray is taken out against the electron beam irradiating position of the first target. - 特許庁
試料に向けて電子ビームを照射する補助電子照射器15が一次電子ビームEBが照射される電子光学系の光軸O1に対して角度θ傾けられて設けられている。例文帳に追加
An auxiliary electronic irradiation device 15, that radiates an electron beam directed toward the sample is provided at an inclination of θ degrees with respect to an optical axis O1 of an electron optics system, to which a primary electron beam EB is radiated. - 特許庁
電子銃1からの電子ビームは、一次照射ビーム4となり、ステージ5の上の試料6を落射照射する。例文帳に追加
The electron gun 1 of this mapping type electron microscope emits an electron beam as a primary irradiation beam 4 to irradiate a sample 6 placed on a stage 5. - 特許庁
電子重1から放出された複数の一次電子ビームが、ステージ21上に載置された試料11に照射される。例文帳に追加
A sample 11 set on a stage 21 is irradiated with a plurality of primary electron beams emitted from an electron gun 1. - 特許庁
次いで、 前記残りの単電子インバータから選ばれるいずれか一つの単電子インバータにおけるノードの電位を乱数として出力する。例文帳に追加
Then the node potential of one of the remaining single electric inverters is outputted as a random number. - 特許庁
対物レンズ8の電子ビーム通路に加速円筒9を配置し、一次電子ビームの後段加速電圧10を印加する。例文帳に追加
An accelerating tube 9 is arranged in an electron beam passage of an object lens 8 and rear stage accelerating voltage 10 of a primary electron beam is applied thereto. - 特許庁
電子線装置において、一次電子を複数の開口でマルチビームに分割し、マルチビームを対物レンズで縮小し、試料上を走査する。例文帳に追加
In the electron beam device, primary electrons are divided into multiple beams at a plurality of openings and the multiple beams are reduced by an objective lens, and scans on the test piece. - 特許庁
一次電子ビームの走査ずれに起因する擬似欠陥を低減する高感度高スループット電子ビーム式検査装置と検査方法を提供する。例文帳に追加
To provide a high-sensitivity, a high-throughput electron beam type inspection device and an inspection method for alleviating artificial defects caused by scanning shift of primary electron beams. - 特許庁
一次電子線2は、電子線放出部2とウェーネルト開口部12Bの重なり部分から放出され、マルチビームとなる。例文帳に追加
Primary electron beams 2 are emitted from partial areas of the emitter 11B which are facing the Wehnelt openings 12B, becoming the multiple beams. - 特許庁
電子線走査の振り戻し変更時、一次電子線のランディングエネルギーを変えることで、帯電の影響を除去または抑制する。例文帳に追加
The effect of the electrostatic charge is eliminated or suppressed by varying the landing energy of the primary electron beam at the time of exchange of swing back of electronic line scanning. - 特許庁
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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