「圧電半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体素子の主電極面を電極板で圧接した状態で使用する圧接型半導体装置において、半導体素子の主電極面と電極板との間の電気抵抗および熱抵抗を共に低減できるようにする。例文帳に追加

To reduce electrical resistance and thermal resistance between the main electrode surface of a semiconductor device and an electrode plate in a press-bonding type semiconductor device used in a state, where the electrode plate is press-bonded to the main electrode surface of the semiconductor device. - 特許庁

電源電圧発生器(301A-301D)は、同時に検査される複数の半導体集積回路装置(1A-1D)に対応して設けられ、半導体集積回路装置毎に、半導体集積回路装置を夫々動作させるための電源電圧を発生する。例文帳に追加

Power source voltage generators (301A-301D) are disposed, corresponding to the plurality of semiconductor integrated circuit devices (1A-1D) to be tested simultaneously, and generate power source voltage for operating each semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

半導体装置の試験において、電圧印加用プローブと半導体装置の電源端子の間の接触抵抗が増大しても、半導体装置の電源端子に正確な電圧を印加可能とする。例文帳に追加

To apply an accurate voltage to a power terminal of a semiconductor device, even if a contact resistance between a probe for voltage application and the power terminal of the semiconductor device is heightened, in a test of the semiconductor device. - 特許庁

そして、このばね状の電極接続部４、４が半導体素子７を押圧した状態で、電極端子１、２を半導体モジュール内に備える。例文帳に追加

The electrode terminals 1 and 2 are placed inside the semiconductor module in a state that the spring-shaped electrode connectors 4 and 4 press the semiconductor element 7. - 特許庁

半導体素子収納用パッケージとそれを用いた圧電発振器、通信機器及び電子機器、並びに半導体素子収納用パッケージの製造方法例文帳に追加

PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT, PIEZOELECTRIC OSCILLATOR, COMMUNICATION APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS USING SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF PACKAGE FOR HOUSING SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

電源電圧が変動しても半導体デバイスのオン動作及びオフ動作を安定して駆動できる半導体デバイス駆動回路を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device drive circuit that can stably drive a semiconductor device in an on operation and an off operation even when a supply voltage fluctuates. - 特許庁

電源電圧の安定した供給が可能な半導体集積回路および半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit device which can stably supply power source voltage. - 特許庁

半導体集積回路装置における電源電圧ドロップ検証方法及び半導体集積回路装置例文帳に追加

POWER SOURCE VOLTAGE DROP VERIFYING METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE - 特許庁

半導体メモリー装置、特に低電源電圧で安定的に動作できる半導体メモリー装置及びこの装置のセンス増幅器を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device, especially a semiconductor memory device stably operable by a low power supply voltage, and a sense amplifier therefor. - 特許庁

半導体集積回路及びそれに用いる半導体集積回路内の電源電圧観測用端子の配置方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR ARRANGING TERMINAL FOR OBSERVING POWER SUPPLY VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT TO BE USED THEREFOR - 特許庁

半導体装置１０は、同一の電源電圧で動作する半導体回路ユニット３１、３２、３３を備える。例文帳に追加

The semiconductor device 10 includes semiconductor circuit units 31, 32, 33 which operate at the same power source voltage. - 特許庁

同一導電型のチャネル領域を有し、かつ閾値電圧の異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having channel regions of an identical conductive type, as well as, a plurality of semiconductor elements with different threshold voltages. - 特許庁

高精度の電圧を出力することができる半導体装置、および、この半導体装置を備える電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of outputting a highly accurate voltage, and a power supply device provided with the semiconductor device. - 特許庁

また、半導体光アンプは電源３によって駆動されており、半導体光アンプの端子間電圧をオシロスコープ４を用いて測定する。例文帳に追加

Also, the semiconductor optical amplifier is driven by a power supply 3, and a voltage across the terminals of the semiconductor optical amplifier is measured by an oscilloscope 4. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体による電界効果トランジスタのリーク電流を低減し、耐圧特性を改善出来る半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for improving breakdown voltage characteristics by reducing the leakage current of a field effect transistor due to a gallium nitride-based semiconductor. - 特許庁

ｐ型半導体の電気抵抗、或いは、発光／受光作用等を奏する半導体素子の駆動電圧を効率よく低下させること。例文帳に追加

To efficiently lower the electrical resistance of a p-type semiconductor or the driving voltage of a semiconductor element that exerts light emitting/ receiving actions, etc. - 特許庁

半導体装置内での電源電圧の降下（ＩＲドロップ）に起因する性能の低下を抑え易い半導体装置を得ること。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device in which the deterioration of performance resulting from a power supply voltage drop (IR drop) in the semiconductor device can be suppressed easily. - 特許庁

真性半導体３が高抵抗なので、真性半導体３中では電圧降下が生じ強電界が発生する。例文帳に追加

Because the intrinsic semiconductor 3 is highly resistive, a voltage drop is produced in the intrinsic semiconductor 3 to set up a strong electric field. - 特許庁

半導体層内における電流集中及び順方向電圧の上昇を抑制することができる半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element capable of suppressing the concentration of current and increase in the forward voltage in a semiconductor layer. - 特許庁

各半導体レーザチップユニット２における複数個の半導体レーザチップ１は、半導体レーザチップ１の直列結合動作電圧どうしの差が、個々の半導体レーザチップそれぞれの単独での動作電圧の平均動作電圧に対する差よりも小さくなるように、選択して組み合わされている。例文帳に追加

The semiconductor laser chips 1 included in each semiconductor laser chip unit 2 are selectively combined so as to make an operating voltage difference between the semiconductor laser chips 1 that are connected in series smaller than an average operating voltage difference between the semiconductor laser chips 1 that operate separately. - 特許庁

半導体集積回路１０の試験装置１は、半導体集積回路１０の半導体素子に電圧を印加することによって半導体集積回路１０を試験するものであり、電圧印加部２、ブレークダウン検出部３及び試験電圧決定部４を備えている。例文帳に追加

The test device 1 of the semiconductor integrated circuit 10 testing the semiconductor integrated circuit 10 by applying a voltage to a semiconductor element of the semiconductor integrated circuit 10 includes a voltage application part 2, a breakdown detection part 3, and a test voltage determination part 4. - 特許庁

半導体レーザに、駆動電流を供給する駆動電流供給回路３０は、半導体材料のバンドギャップ値に応じて、電源電圧をフローティングさせて、半導体レーザの両端間に対して、半導体材料のバンドギャップ値を上回る電圧を印加するように構成する。例文帳に追加

A drive current supply circuit 30 which supplies a drive current to a semiconductor laser floats a power source voltage according to the band gap value of a semiconductor material so that a voltage exceeding the band gap value of the semiconductor material is applied between both ends of the semiconductor laser. - 特許庁

半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。例文帳に追加

To equalize the voltage sharing of each semiconductor switch without adjusting the operation timing thereof according to the waveform of a surge voltage caused by the semiconductor switch, load current, temperature, main circuitry, or the like. - 特許庁

ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含む半導体ＬＥＤに、順方向の電圧と逆方向の電圧とが交互する脈動電流を印加する。例文帳に追加

The ripple current alternating forward voltage with backward voltage is applied to a semiconductor LED including an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer. - 特許庁

並列接続された電圧駆動型半導体素子をオン・オフする際の各半導体素子のスイッチングタイミングを一致させることにより、特定の電圧駆動型半導体素子が過電流による素子破壊を起こすことを防止する。例文帳に追加

To prevent a specific voltage-driven semiconductor device from breaking down under an excessive current, by matching the switching timings of semiconductor elements, when the voltage-driven semiconductor elements connected in parallel are turned on/off. - 特許庁

半導体遮断器１２が電流を素早く遮断することができるように、半導体遮断器１２のゲート電圧を、半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１に向けて急激に減少させていく。例文帳に追加

The gate voltage of the semiconductor interrupter 12 is decreased abruptly toward a threshold voltage V_1 at which the semiconductor interrupter 12 starts interruption so that the current of the semiconductor interrupter 12 can be interrupted quickly. - 特許庁

３相交流電圧と直流電圧との間の変換をおこなう半導体装置に対し、半導体装置内の半導体素子自体が発熱するように通電すること。例文帳に追加

To supply a current to a semi-conductor unit that converts a three- phase AC voltage into a DC voltage so that a semi-conductor element in the semi-conductor unit produces heat by itself. - 特許庁

電圧駆動方式を採る半導体レーザ駆動装置において、半導体レーザＬＤの光量が規定光量となるように当該半導体レーザＬＤの駆動電流を駆動電流制御回路１１によって制御し、規定光量のときの半導体レーザＬＤの端子電圧を検出する。例文帳に追加

In a semiconductor laser driving device adopting a voltage driving system, the driving currents of a semiconductor laser LD are controlled by a driven current control circuit 11 so that the light quantity of a semiconductor laser LD can be made specific, and the terminal voltage of a semiconductor laser LD is detected when the light quantity is specific. - 特許庁

半導体メモリ装置の昇圧電圧発生回路及び昇圧電圧の発生方法例文帳に追加

CIRCUIT AND METHOD OF GENERATING BOOSTING VOLTAGE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE - 特許庁

半導体メモリの電源電圧を制御し、半導体メモリにおける消費電力を抑制することで機器全体の消費電力を低減することができる半導体メモリの電源制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a power supply control method for a semiconductor memory, capable of suppressing the power consumption of the whole apparatus by controlling the power voltage of the semiconductor memory and suppressing power consumption in the semiconductor memory. - 特許庁

ボロン原子のシリコン半導体基板への拡散を阻止して、ＰＭＯＳ半導体素子の閾値電圧の変動を抑制する。例文帳に追加

To restrain fluctuation of a threshold voltage of a PMOS semiconductor element by obstructing diffusion of boron atoms to a silicon semiconductor substrate. - 特許庁

このモデル化したメガセル６０を半導体集積回路内のメガセルとして付与した後に、この半導体集積回路の電圧降下解析を行う。例文帳に追加

The modelized megacell 60 is applied as the megacell in the semiconductor integrated circuit, and then the voltage drop of the semiconductor integrated circuit is analyzed. - 特許庁

正の抵抗温度特性を有するＢａＴｉＯ_3 系の半導体磁器において高い耐電圧を有する半導体磁器を提供する。例文帳に追加

To provide semiconductor ceramic having a high breakdown voltage in BaTiO3-based semiconductor ceramic having positive temperature characteristic resistance. - 特許庁

半導体集積回路装置の大きさを大きく変えることなく、半導体集積回路装置をより低い電圧のサージパルスから安定して保護する。例文帳に追加

To stably protect a semiconductor integrated circuit device against surge pulses lower in voltage without significantly changing the size of the semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

搭載される半導体素子の駆動電圧のより一層の安定化を図ることが可能な半導体装置用基板の構成を提供することである。例文帳に追加

To provide the composition of a substrate for semiconductor devices capable of much more stabilization of the driver voltage of the mounted semiconductor devices. - 特許庁

半導体チップ上に複数形成された電極パッド３に圧着ボール２を接合してなる半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device bonds a contact bonding ball 2 to a plurality of the electrode pads 3 formed on a semiconductor chip. - 特許庁

半導体装置の内部回路が高い周波数で動作しても電圧変動を抑えて半導体装置を高速化する。例文帳に追加

To accelerate speed of a semiconductor device by suppressing variations in voltage even when internal circuits of the semiconductor device operate at high frequencies. - 特許庁

メモリセルデコーダ、これを備える半導体メモリ装置および不揮発性半導体メモリ装置の高電圧供給方法例文帳に追加

MEMORY CELL DECODER, SEMICONDUCTOR MEMORY PROVIDED WITH THIS DECODER AND HIGH VOLTAGE SUPPLY METHOD FOR NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY - 特許庁

電圧変動量見積方法、装置、半導体装置動作検証装置、半導体装置設計方法、プリント板設計方法、及びプログラム例文帳に追加

VOLTAGE FLUCTUATION ESTIMATING METHOD AND APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE OPERATION VERIFICATION APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGNING METHOD, PRINTED CIRCUIT BOARD DESIGNING METHOD, AND PROGRAM THEREFOR - 特許庁

基準電圧発生装置及びそれを備えた半導体集積回路、半導体集積回路の検査装置及び検査方法例文帳に追加

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF, INSPECTION DEVICE AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

また、半導体基板１２２と半導体ゲージ部１２６の間の絶縁層１２４に大きな電圧が加わることを回避できる。例文帳に追加

Also, impressing of high voltage to the insulation layer 124 between the semiconductor substrate 122 and the semiconductor gauge 126 can be avoided. - 特許庁

電圧駆動型サイリスタまたは半導体デバイスを含む半導体装置において、優れたトレードオフ特性と高い短絡耐量を有すること。例文帳に追加

To achieve superior trade-off characteristics and high short-circuit dielectric strength in a semiconductor apparatus including a voltage drive type thyristor or semiconductor device. - 特許庁

したがって、前記半導体素子カードは半導体素子の多様な動作電圧に適するように容易に変化させることができる。例文帳に追加

Thus, the semiconductor device card is easily adaptable to accommodate various working voltages of the semiconductor device. - 特許庁

半導体デバイスの検査の際に、この半導体デバイスへ所望の電圧を正確に印加できるようにする。例文帳に追加

To apply a desired voltage accurately to a semiconductor device, when inspecting the semiconductor device. - 特許庁

半導体装置１００は、ＦＥＴ１０２と、ＦＥＴ１０２よりも高い閾値電圧を持つＦＥＴ１０４を同一半導体基板上に備える。例文帳に追加

The semiconductor device 100 has the FET 102 and the FET 104, having the higher threshold voltage than the FET 102, on the same semiconductor substrate. - 特許庁