「変形パターン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

レジストパターン形状の変形、および転写パターンの精度低下を防ぐ。例文帳に追加

To prevent deformation in a resist pattern shape and a decrease in accuracy in a transfer pattern. - 特許庁

これら変形パターンは基準パターンとともに、照合用のモデルとして登録される。例文帳に追加

The deformed pattern is registered with the reference pattern as collating model. - 特許庁

さらに、変形可能範囲に捕われることなく、基本のピッチパターンの概形を保ったまま周波数変形して変形ピッチパターンを設定する。例文帳に追加

Moreover, the deformed pitch pattern is set by conducting frequency deformation while holding the approximate shape of the basic pitch pattern without considering a deformation possible range. - 特許庁

液状パターン中の導電性微粒子Ｉａの流動性をなくし、パターンの潰れや変形は防止して、精度の高いパターンを形成する。例文帳に追加

Flowability of conductive particulates Ia in the liquid pattern is eliminated to prevent the pattern from being destroyed and deformed, thereby forming the pattern with high precision. - 特許庁

ArF用フォトレジストパターンの変形を抑え、狭いパターンの形成が可能な半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a fine pattern in a semiconductor device, which enables the formation of a narrow pattern by preventing the deformation of a photoresist pattern for ArF. - 特許庁

フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成する際のパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法。例文帳に追加

To provide a pattern forming method for preventing deformation of a photoresist pattern and increase in LWR when spacers are formed on side walls of the pattern. - 特許庁

レジストパターンを縮小化させる際のパターンの変形や倒壊を防止することが可能な微細パターンの作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a fine pattern which prevents the pattern from being deformed or collapsed when a resist pattern is shrunk. - 特許庁

６０μｍより広い回路パターン１６の場所に、ダミーパターン、導電ラインの変形パターン、導電ラインの拡大パターンを単独あるいは組み合わせた構造とした６０μｍより狭い回路パターン１５を設ける。例文帳に追加

A circuit pattern 15 having the structure, wherein a dammy pattern, the deformed pattern of a conductive line and the magnified pattern of the conductive line are formed individually or in assembled form, is provided on a circuit pattern 16 which is wider than 60 μm. - 特許庁

多少の変形が生じたドットパターンに対しても、ドットパターンに変形が生じていない場合と同様の認識処理を行えるようにする。例文帳に追加

To perform the same recognition processing as in a case having no deformation of dot pattern even to a slightly deformed dot pattern. - 特許庁

パターン変形量の１つとしてシフト量Ｓ_２が求まる。例文帳に追加

A shift amount S_2 is obtained as one of pattern deformation quantities. - 特許庁

パターン変形量の１つとしてシフト量Ｓ_３が求まる。例文帳に追加

Thus, a shift amount S_3 is obtained as one of pattern deformation quantities. - 特許庁

パターン変形量の１つとしてシフト量Ｓ_2が求まる。例文帳に追加

As one of pattern deforming quantities, a shift quantity S2 is obtained. - 特許庁

高性能回路用パターン化ストレインド（応力変形）・シリコン例文帳に追加

PATTERNED STRAINED (STRESS DEFORMATION) SILICON FOR HIGH-PERFORMANCE CIRCUIT - 特許庁

パターン変形量の１つとしてシフト量Ｓ_3が求まる。例文帳に追加

A shifting quantity S3 is obtained as one of the pattern deforming quantity. - 特許庁

付着した液滴８０４はそのパターンに沿って細長く変形する。例文帳に追加

The sticked ink droplet 804 is transformed to be long and slim along the pattern. - 特許庁

ここで、パターン形成用膜は、軟化して、重力により変形する。例文帳に追加

In this state, the pattern forming film is softened and deformed by the gravity. - 特許庁

製造時における変形の少ない微細なパターンのスタンパーを得る。例文帳に追加

To obtain a stamper having fine patterns with less deformation during manufacture at a low cost. - 特許庁

その結果、押圧力による乾燥パターンの変形や潰れが防止される。例文帳に追加

As a result, the dried pattern can be prevented from deformation or crush owing to the pressing force. - 特許庁

付着した液滴８０４はそのパターンに沿って細長く変形する。例文帳に追加

The deposited droplet 804 is elongated along its pattern. - 特許庁

レジストパターンを縮小化させる際のパターンの変形や倒壊を防止することが可能な微細パターンを作製し、この微細パターンを用いて半導体装置を製造する例文帳に追加

To fabricate a fine pattern capable of preventing the deformation and collapse of the pattern when a resist pattern is reduced and to manufacture a semiconductor device using the fine pattern. - 特許庁

パターンの膨潤による変形及びパターン倒れを抑制するとともに、高アスペクト比のパターンを得ることのできる超臨界現像プロセス用レジスト組成物及び当該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a resist composition for supercritical development process which suppresses pattern deformation due to swelling and pattern collapse and can obtain a pattern having a high aspect ratio, and a pattern forming method using the composition. - 特許庁

パターン転写方法及び露光装置に関し、基板上に発生した歪に起因した微細加工パターン形状のずれに応じて露光パターンの形状を変形して、上下パターンを整合させる。例文帳に追加

To match upper and lower patterns by deforming the shape of an exposure pattern according to deviation of a micromachining pattern shape due to strain generated on a substrate. - 特許庁

略楕円形パターンの変形を抑え且つ微粒化塗料を確実に収束させることを可能にしつつ、円形パターンと略楕円形パターンの両パターンの塗装を行えるようにする。例文帳に追加

To make it possible to surely converge an atomized paint by suppressing the deformation of a nearly elliptical pattern and to thereby perform coating both in a circular pattern and in a nearly elliptical pattern. - 特許庁

この第１のパターン６は被加工層４に最終的に形成すべき開口パターンにダミーパターンを付加した周期密集パターンであり、露光時にこれに最適な変形照明等の超解像技術を用いる。例文帳に追加

This first pattern 6 is a periodic high density pattern which adds a dummy pattern to an aperture pattern which should finally be formed in the processed layer 4, and super-resolving technology, such as an optimal deformed illumination, etc. is used at the time of exposure. - 特許庁

そして、描画装置内のデータ加工機能を用いて上記パターンデータを変形し、その変形したパターンデータに基づいてレチクル上に原パターンを描画する。例文帳に追加

The pattern data is deformed by using the data processing function in the drawing device and the original patterns are drawn on the reticle in accordance with the deformed pattern data. - 特許庁

有機膜パターン加工処理では、有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理と、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理（ステップＳ３）と、をこの順に行う。例文帳に追加

In the organic film pattern working step, a removing step of removing a decomposed layer or deposited layer formed on the surface of the organic film pattern, and a melting and deforming step (step S3) of melting and deforming the organic film pattern are performed in this order. - 特許庁

熱により変形が生じにくいレジストパターンを形成するためのマスク及び熱により変形が生じにくいレジストパターン並びにレジストパターンの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a mask for forming resist pattern which is hardly deformed by heat, a resist pattern which is hardly deformed by heat, and a method of forming the resist pattern. - 特許庁

変形レジストパターン４８の近傍に予め凹部７を形成しておき、その凹部７の障壁部により変形レジストパターン４８の広がりを堰き止めることにより、その変形レジストパターン４８の変形を誘導、抑制、制御することで、目的とするレジストパターン及びそのパターンを利用した薄膜トランジスタを形成出来る。例文帳に追加

An object resist pattern and a thin-film transistor, utilizing the pattern can be made, by forming a recess 7 in the vicinity of a transformed resist pattern 48 in advance, and checking the spread of the transformed resist pattern with the barrier of the recess 7, and thereby guiding, suppressing, and controlling the transformation of the transformed resist pattern 48. - 特許庁

基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、有機膜パターン加工処理では、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理（ステップＳ３）と、溶解変形した変形有機膜パターンを第三の除去処理（ステップＪ３）とをこの順に行う。例文帳に追加

In the substrate processing method including an organic film patterning processing for processing the organic film pattern formed on a substrate, a dissolution deforming treating (step 3) of dissolving and deforming the organic film pattern and a third removal processing (step J3) of removing a portion of the dissolved and deformed organic film pattern are performed in this order in the organic film patterning processing. - 特許庁

ターゲット・パターンの近傍領域の中から、パターンの形成時に、パターンの近接効果や疎密が原因で変形が生じても、重心位置が変化しないパターンをアライメント・パターンとして選択し、その重心位置をアライメント基準座標に設定する（S12）。例文帳に追加

A pattern, in which the gravity position does not change even if deformations are generated due to the approximity effect of pattern and coarse density, is selected at pattern formation as an alignment pattern from the areas near to the target pattern, and its center of gravity position is set to the reference coordinates of alignment (S12). - 特許庁

レチクル描画時のパターンデータを変形する際に、パターンデータの容量を増やさずに効率よく処理する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method which efficiently executes processing without increasing the capacity of pattern data when deforming the pattern data at the time of reticle drawing. - 特許庁

実際の複数の手書き文字から多種多様なパターンを作成することにより、より自然で多様な手書き変形パターンを効率よく大量に発生する。例文帳に追加

To effectively and massively generate natural and various handwritten characters by forming various patterns from plural real handwritten characters. - 特許庁

目標パターンに最適化された変形照明を提供する位相格子パターン設計方法及びこれを利用したフォトマスク製造方法例文帳に追加

PHASE GRATING PATTERN DESIGNING METHOD FOR PROVIDING MODIFIED LIGHTING OPTIMIZED INTO TARGET PATTERN AND PHOTOMASK MANUFACTURING METHOD USING THE SAME - 特許庁

半導体集積回路装置のパターンの変形や合わせずれ等のようなパターン異常を抑制または防止する。例文帳に追加

To suppress or prevent a pattern abnormality such as pattern deformation or misalignment of a semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

これにより、写真蝕刻工程時反射性パターンから反射された反射光によるフォトレジストパターンの変形が最小化される。例文帳に追加

Therefore, the deformation of a photoresist pattern by reflected light rays from the reflecting pattern can be minimized in a photoetching process. - 特許庁

光近接効果により生じたパターンの変形を適切に修正し、補正するフォトマスクのパターン形状補正方法を得ること。例文帳に追加

To provide a method for modifying the pattern shape of a photomask by properly correcting a deformation caused in the pattern by a photo-proximity effect. - 特許庁

半導体素子のコンタクト孔形成方法として、パターンの変形を最小限にし、狭いパターン形成を可能にする。例文帳に追加

To form a narrow pattern by minimizing deformation of the pattern by a forming method for a contact hole of a semiconductor element. - 特許庁

本発明は、レジストパターンの変形を抑制することができるレジストパターンの形成方法および微細構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist pattern forming method and a fine structure manufacturing method, in which resist pattern deformation can be suppressed. - 特許庁

感光膜に形成されるパターンの変形や形状不良を抑制できるArFレーザ光を用いるパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a pattern using an ArF laser beam, which prevents deformation or the defective shaping of the pattern formed on a photosensitive film. - 特許庁

電極パターンに使用しても、微細ボイドにより熱ストレスを分散し、パターンが熱変形しない。例文帳に追加

The thermal stress is dispersed by the fine voids even in use for an electrode pattern, thus preventing the pattern from being thermally deformed. - 特許庁

リフローにより形成する変形レジスト・パターンを精度よく形成し得るレジスト・パターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a resist pattern which can accurately form a deformed resist pattern by reflow. - 特許庁

パーツ動作パターン生成部２９により、パラメータに応じた動作パターンが生成され、選択されたパーツに変形が加えられる。例文帳に追加

The operation pattern according to the parameter is generated by a parts operation pattern generation unit 29, and the selected parts is deformed. - 特許庁

熱硬化してパターン形成する際にパターンの変形が少ない絶縁膜を与えるポジ型感光性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive composition which gives an insulating film having little deformation of a pattern when the composition is thermally cured to form the pattern. - 特許庁

１つの候補パターン画像の一端部分を他端側に移動させる処理を行う毎に得られる画像を、変形パターン画像として取得する。例文帳に追加

An image obtained every time of performing the processing of moving one end part of one candidate pattern image to the other end side is acquired as a deformed pattern image. - 特許庁

検査の際には、検査対象の文字を、対応する基準パターンおよび変形パターンと順に照合し、良否を判別する。例文帳に追加

In inspection, a character to be inspected is successively collated with the corresponding reference pattern and deformed pattern to discriminate the quality. - 特許庁