「抵抗相」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

温度変化に対して相反した抵抗特性を有するＰ^＋拡散抵抗とポリシリコン抵抗が所定の比率で組合された単位抵抗が多数個集まって抵抗を構成する。例文帳に追加

The resistor consists of many unit resistors in which P+ diffusion resistors and poly silicon resistors having resistance characteristics reciprocal to each other with respect to a temperature change are combined at a prescribed ratio. - 特許庁

保持手段４８、例えば、可変抵抗の抵抗値として位相差情報を保持する。例文帳に追加

The retention means 48 retains phase difference information, for example, as resistance value of a variable resistance. - 特許庁

β相Ｔａ薄膜抵抗体及び該薄膜抵抗体を備えた薄膜磁気ヘッド例文帳に追加

β PHASE Ta THIN FILM RESISTOR AND THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THE THIN FILM RESISTOR - 特許庁

抵抗値算出部１２は当該電流値に基づいてＢ’相コイルのコイル抵抗値を算出する。例文帳に追加

The resistance value calculating section 12 calculates a coil resistance value of the B' phase coil based on the current value. - 特許庁

抵抗回路網２４−１、２４−２、…、２４−ｎは相互に材料が異なる抵抗素子で構成されている。例文帳に追加

The resistor networks 24-1, 24-2, ..., 24-n are comprised of resistive elements of materials different from one another. - 特許庁

これら抵抗素子２０は、相異なる抵抗値を有しており、回路素子群を構成している。例文帳に追加

The resistive elements 20 are set different from each other in resistance value and constitute a circuit element group. - 特許庁

抵抗ストリングを構成する抵抗素子の抵抗値の相対精度を向上させ、より高精度なＤ／Ａ変換を可能とする。例文帳に追加

To enable D/A conversion with higher accuracy by enhancing the relative precision of resistor elements constituting a resistor string. - 特許庁

複数の抵抗体の相対抵抗値比の精度を容易に向上させることができる抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing registors capable of easily improving precisions of relative resistance value ratios of a plurality of resistors. - 特許庁

抵抗Ｒ６には、抵抗Ｒ３は抵抗Ｒ６の入側に接続されており、Ｕ相巻線に印加されている電圧がかかっている。例文帳に追加

A resistor R3 is connected to the input side of the resistor R6, and the voltage applied to U-phase winding works on the resistor R6. - 特許庁

抵抗Ｒ１〜Ｒｎの抵抗値の違いにより、電源抵抗に起因するインピーダンスのずれを相殺することが可能となる。例文帳に追加

Due to difference in resistance of the resistors R1-Rn, deviation of impedance resulting from the power supply resistor can be offset. - 特許庁

位相補償回路の抵抗を、抵抗の両端の電圧に応じて抵抗値が変化するような構成とした。例文帳に追加

The resistor of the phase compensation circuit is so configured as to change the resistance thereof according to a voltage across both ends of the resistor. - 特許庁

各電流値と印加電圧とから抵抗値をそれぞれ求め、この抵抗値相互の差からコイル７の絶縁抵抗値を算出する。例文帳に追加

Resistance values are found respectively from the current values and applied voltages, and the insulating resistance value of the coil 7 is calculated from the difference between the resistance values. - 特許庁

抵抗ストリングが有する単位抵抗の相対精度に起因する変換誤差を低減させる抵抗ストリング型Ｄ／Ａコンバータを提供すること。例文帳に追加

To provide a resistor string D/A converter for reducing a conversion error caused by relative accuracy of unit resistance having a resistor string. - 特許庁

各電流値と印加電圧とから抵抗値をそれぞれ求め、この抵抗値相互の差からコイル７の絶縁抵抗値を算出する。例文帳に追加

Resistance values are respectively obtained from the current values and the applied voltages, and the insulating resistance value of the coil 7 is calculated from the difference in these resistance values. - 特許庁

官軍を相手に忠常は頑強に抵抗した。例文帳に追加

Tadatsune put up stubborn resistance to the government army.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

トンネル相変態磁気抵抗（ＴＰＭＲ）素子例文帳に追加

TUNNELING AND PHASE-TRANSFORMATION MAGNETORESISISTANCE (TPMR) ELEMENT - 特許庁

高抵抗接地系送電線の事故相判定装置例文帳に追加

ACCIDENT PHASE DETERMINING DEVICE OF HIGH RESISTANCE GROUNDING SYSTEM POWER LINE - 特許庁

電気抵抗が高い相変化記録膜例文帳に追加

PHASE CHANGE RECORDING FILM HAVING HIGH ELECTRIC RESISTANCE - 特許庁

高抵抗ＧａＮ薄膜及びその気相成長方法例文帳に追加

HIGH RESISTANCE GaN THIN FILM, AND VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR THE SAME - 特許庁

調整可能な相変化材料抵抗器例文帳に追加

ADJUSTABLE PHASE CHANGE MATERIAL RESISTOR - 特許庁

可変抵抗素子および相変化型不揮発性メモリ素子例文帳に追加

VARIABLE RESISTIVE DEVICE AND PHASE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE - 特許庁

従って、正の温度係数で線形的に温度依存するセンス抵抗１０３の抵抗値Ｒ３に合わせて制御抵抗１０１の抵抗値Ｒ１と制御抵抗１０２の抵抗値Ｒ２とを調整することにより、Ｒ３の温度変化を相殺することができる。例文帳に追加

In the overcurrent detecting circuit, the temperature variation of the resistance R3 of a sensing resistor 103 linearly depending on the temperature with the positive temperature coefficient can be canceled by adjusting the resistance R1 of the resistor 101 and the resistance R2 of the resistor 102 so as to matching with the resistance R3 of the sensing resistor 103. - 特許庁

そして中央演算処理装置２には、ヒータ抵抗８７の抵抗値と、ヒータ抵抗８７の温度との相関関係を示すデータが記憶されており、この相関関係に基づいてヒータ抵抗８７の温度を算出する。例文帳に追加

Data indicating the correlation between the resistance value of the heating resistor 87 and the temperature of the heating resistor 87 is stored in the central processing unit 2 to compute the temperature of the heating resistor 87 on the basis of the correlation. - 特許庁

反転増幅器１０の入力抵抗１２及び帰還抵抗１３を、ポリシリコンを用いた抵抗素子１００から構成し、入力抵抗１２と帰還抵抗１３に同電圧が印加されるようにするとともに、抵抗素子１００のシールド部１０８に印加される電圧が入力抵抗１２と帰還抵抗１３とで同相となるように配置する。例文帳に追加

The input resistance 12 and the feedback resistance 13 of an inverted amplifier 10 are composed of resistance elements 100 using polysilicon, the same voltage is made to be applied to the resistances 12 and 13, and arrangement is also performed so that voltage applied to the shield part 108 of the element 100 can be the in-phase between the resistances 12 and 13. - 特許庁

基板１は、回転中心を対称中心として第１抵抗体と対称に第２抵抗体が形成され、基板又はブラシ保持部品には、第１抵抗体及び第２抵抗体のそれぞれから出力される出力信号の変動を相殺する変動相殺用の抵抗が設けられている。例文帳に追加

In the substrate 1, a second resistor is formed symmetrically to the first resistor with the rotation center as a symmetrical center, and a resistor for canceling variations in the output signal outputted from the first and second resistors is provided on the substrate or the brush retaining component. - 特許庁

コンタクトプラグＣＰ２によって、金属抵抗膜層Ｒｍ１１と金属抵抗膜層Ｒｍ１２とが電気的に接続されるので、窒化チタン抵抗の温度係数と窒化タンタル抵抗との温度係数が相殺される。例文帳に追加

Since the metal resistance film layer Rm11 and the metal resistance film layer Rm12 are electrically connected by a contact plug CP2, the temperature coefficient of the titanium nitride resistor and the temperature coefficient of the tantalum nitride resistor are cancelled. - 特許庁

抵抗１６の抵抗値の変化に併せてキャパシタ１７を切り替えることができるので、抵抗１６の抵抗値を変化させても最適な位相補償結果を得ることができる。例文帳に追加

Since the capacitor 17 is switchable according to a change in the resistance value in the resistor 16, the optimum phase compensation result is obtained even if the resistance value in the resistor 16 is changed. - 特許庁

相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film resistor excellent in the specific resistance, resistance temperature characteristics, high-temperature stability, and salt water resistance even by thermal processing at relatively low temperature, a resistor material for manufacturing the same, and a manufacturing method. - 特許庁

つまり、領域１３Ａの抵抗値変化成分ｄＲ１と領域１３Ｂの抵抗値変化成分ｄＲ２とを相殺して、抵抗素子層１３の抵抗値が変化してしまうのを抑えることができる。例文帳に追加

That is, the change in the resistance value of the resistor element layer 13 can be suppressed by cancelling a resistance variation component dR1 of the region 13A and a resistance variation component dR2 of the region 13B. - 特許庁

また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。例文帳に追加

The surface leakage current which flows in the burying interface can be reduced by having an i-type layer between a p-type region and the high-resistance semiconductor layer. - 特許庁

等抵抗部と他の配線部分との間での抵抗差が上記の非対称性に起因する配線間の抵抗差を相殺するので、第１ファンアウト部と第２ファンアウト部とでは各配線の抵抗が実質的に同一である。例文帳に追加

The resistance difference between the equal-resistance part and other line parts cancel the resistance difference between lines due to the asymmetry, so the lines are substantially equal in resistance between the first fan-out part and second fan-out part. - 特許庁

具体的には、位相シフト回路３１の可変抵抗Ｒ２の抵抗値を、例えば、現在の抵抗値を中心とする所定範囲内で徐々に変化させるとともに、そのときのＲＦ受信回路部２０から出力されるＩＦ信号のノイズフロアが最小となる可変抵抗Ｒ２の抵抗値が判断され、可変抵抗Ｒ２がその判断された抵抗値に変更・設定される。例文帳に追加

In concrete terms, the resistance value of the variable resistance R2 of the phase shifting circuit 31 is gradually changed for example within a prescribed range having a present resistance as its center, and the resistance value of the variable resistance R2 by which the noise floor of an IF signal output from an RF receiving circuit part 20 at that time becomes minimum is determined, and the variable resistance R2 is changed and set to the determined resistance value. - 特許庁

抵抗値が温度変化に応じ正の相関をもって変化する発熱抵抗体に対する保温通電（Ｓ７３）をＰＩ制御によって行う上で、制御目標となる発熱抵抗体の目標抵抗値を算出するのに必要な補正前抵抗値を、エンジンが停止しているときに（Ｓ４１：ＮＯ）取得する。例文帳に追加

A pre-correction resistance value necessary for calculating a target resistance value of a heating resistor applied as a control target when performing the PI control of heat-retention energization (S73) to the heating resistor in which a resistance value is changed according to a temperature change with a positive correlation is acquired when an engine is stopped (S41:NO). - 特許庁

抵抗Ｒ２の両端に生成されるレベルシフト量ΔＥは、電流源回路１１の出力電流値を決定する抵抗Ｒ１の抵抗値とレベルシフトを行う抵抗Ｒ２の抵抗値との相対比（Ｒ２／Ｒ１）に応じた値となる。例文帳に追加

The amount of the level shifts ΔE that is generated across a resistor R2 becomes a value corresponding to the relative ratio of the resistance value of a resistor R1 that determines an output current value of a current source circuit 11 to that of the resistor R2 that performs the level shift (R2/R1). - 特許庁

磁気抵抗素子１３ａ〜１５ａを構成する複数の抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の所定の配置と、各抵抗体Ｒ１〜Ｒ４の相互間の所定の電気的な接続によって、磁路変更片６ａ〜６ｃの回転移動の検出時に波形の出力を得る抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ２からなる回路を構成する。例文帳に追加

A predetermined arrangement of a plurality of resistors R1-R4 constituting the magnetic resistance elements 13a-15a and electrical connections between the resistors R1-R4 constitute a circuit consisting of the resistors R1, R2 which provide waveform outputs on detection of the rotation and movement of the magnetic path changing pieces 6a-6c. - 特許庁

抵抗ゾーンは、第１及び第２のパターン間に延びる複数の分離した抵抗性通路を含んでおり、抵抗性通路は、抵抗ゾーンの残りの部分よりも相対的に低い電気抵抗値を有する１または複数の材料を含んでいる。例文帳に追加

The resistive zone includes a plurality of discrete resistive pathways that extend between the first and second patterns, and the resistive pathways include one or more materials that have a relatively lower electrical resistivity value than the remainder of the resistive zone. - 特許庁

本発明では、液相管４の流路の流路抵抗が、蒸発器１の液相流路８の流路抵抗より大きく設定されている。例文帳に追加

In this invention, channel resistance of a channel of a liquid-phase pipe 4 is determined to be larger than that of a liquid-phase channel 8 of an evaporator 1. - 特許庁

抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a phase change memory that is mentioned as a kind of a resistive memory and uses a phase change material for a resistive memory element. - 特許庁

高抵抗相変化物質パターン１０９ａ’は第１相変化物質パターン１０７ａ’に比べて高い抵抗を有する。例文帳に追加

The high resistance phase change substance pattern 109a' has higher resistance than the first phase change substance pattern 107a'. - 特許庁

記憶素子３１ａ〜３１ｃは、電気抵抗が相対的に高い第１の状態と、電気抵抗が相対的に低い第２の状態とを有する。例文帳に追加

The memory elements 31a-31c are provided with a first state wherein an electric resistance is relatively high and a second state wherein the electric resistance is relatively low. - 特許庁

磁気抵抗体薄膜が基板上に形成された磁気抵抗パターンを有し、この磁気抵抗パターンは、９０°位相の異なる２個の信号を出力するＡ相磁気抵抗パターンとＢ相磁気抵抗パターンとから構成される磁気センサにおいて、その磁気抵抗パターンは、２個の基板が組み合わされて形成されることを特徴とする。例文帳に追加

In this magnetic sensor having a magnetoresistant pattern with the magnetoresistor thin films formed on a substrate, wherein the magnetoresistant pattern is constituted of an A-phase magnetoresistant pattern and a B-phase magnetoresistant pattern for outputting two signals different in phases by 90°, the magnetoresistant pattern is formed by combining the two substrates. - 特許庁

相手側の頑強な抵抗にあって交渉が腰砕けになった.例文帳に追加

Confronted with their intransigent attitude, we caved in.  - 研究社 新和英中辞典

調節可能な抵抗比を有する相変化メモリとその製造方法例文帳に追加

PHASE CHANGE MEMORY HAVING ADJUSTABLE RESISTANCE RATIO AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

スペーサ層が非磁性導体相を含む磁気抵抗効果素子例文帳に追加

MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT WITH SPACER LAYER INCLUDING NON-MAGNETIC CONDUCTOR PHASE - 特許庁

零相電流の抵抗分電流検出装置および漏電監視装置例文帳に追加

APPARATUS FOR DETECTING RESISTANCE COMPONENT CURRENT OF ZERO-PHASE CURRENT AND LEAKAGE MONITORING APPARATS - 特許庁