「整流接合」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

電機子の製造方法、巻線と端子部との接合方法、並びに整流子例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR ARMATURE, METHOD FOR JOINING WINDING AND TERMINAL TOGETHER, AND COMMUTATOR - 特許庁

構造及び製造工程の複雑化を抑止し、整流子片の損傷を防ぎつつ、反整流面接合構造の円盤型整流子における整流子片と金属片との良好な電気的接触を実現すること。例文帳に追加

To prevent complicated structure or manufacturing processes, prevent damage to commutator pieces, and implement favorable electrical contact between the commutator pieces and metal pieces in a disk commutator of noncommutator surface junctioned. - 特許庁

構造及び製造工程の複雑化を抑止しつつ、外側面接合構造の円盤型整流子におけるフユ−ジング時の整流子片又は整流子片と金属片との接合の損傷を防止すること。例文帳に追加

To prevent damage of bonding between commutator segments or a commutator segment and a metal segment when fused in a disk type commutator of an outside surface bonding structure while complexity of structure and manufacturing process is restrained. - 特許庁

整流子に電気的に接続された保護素子を有する整流子モータにおいて、前記保護素子と嵌合する接合部材を有し、前記接合部材と前記整流子とが溶接によって電気的に接続されていることを特徴とする。例文帳に追加

A commutator motor having a protective element electrically connected to a commutator is characterized in that it has a joining member mated with the protective element, and the joining member and the commutator are electrically connected by welding. - 特許庁

簡素で小型化が可能な構成により整流用接合ダイオードの逆回復を行うことにより整流用接合ダイオードを良好に低耐圧化することが可能なダイオード式整流回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a diode rectifier circuit that makes it possible to lower the withstand voltage of a rectifying junction diode by a structure that is simple and that can be miniaturized, by effectuating the reverse recovery of the rectifying junction diode. - 特許庁

ショットキー接合が逆バイアスされるとき、逆阻止領域３３ｂと整流領域１３の間に形成されるｐｎ接合も逆バイアスされ、ｐｎ接合から広がった空乏層で整流領域１３が満たされる。例文帳に追加

When the Schottky junction is inversely biased, a pn junction formed between the inverse rejection region 33b and rectifying region 13 is also inversely biased, and the rectifying region 13 is filled with a depletion layer spreading from the pn junction. - 特許庁

本発明の太陽電池は、光受容表面及びＰ−Ｎ整流接合を有する基板を含む。例文帳に追加

The solar cell includes a substrate having a light collecting surface and a P-N rectifying junction. - 特許庁

本発明は、有機のヘテロ接合を用いた有機ダイオードに高い整流性を付与することを目的とする。例文帳に追加

To impart high rectification properties to an organic diode employing an organic heterojunction. - 特許庁

スイッチング素子２３のソース電極４５と整流素子２４のアノード電極５３は、接合材２５を介して接合されている。例文帳に追加

A source electrode 45 of the switching element 23 and an anode electrode 53 of the rectifying element 24 are bonded together through a bonding material 25. - 特許庁

整流布２２によるガスの指向方向は、上布１２と下布１４との接合部２０に整流布２２から供給されるガスＧが直接当らないように、該接合部２０を避けて設定する。例文帳に追加

The direction in which the gas is directed by the flow rectitying fabric 22 is set to be away from the junction 20 between the upper fabric and the lower fabric 14 so that the gas G supplied from the flow rectifying fabric 22 is not applied directly to the junction 20. - 特許庁

整流子片と導線との接合強度が高く、かつその強度のバラツキも少なくでき、安定かつ信頼性のあるスポット接合強度に優れたモータ用整流子部材を提供すること。例文帳に追加

To provide a member of a commutator for a motor which is high in joining strength between a commutator piece and a conductor, can be suppressed in a variation of the strength, and is improved in the strength of stable and reliable spot joining. - 特許庁

これにより、金属片２の端子部２３に巻線をフユ−ジング接合して金属片２が熱膨張しても、金属片２の整流子片接続部２１と整流子片１との接合が剥離することがない。例文帳に追加

As a result, junction between the connecting part 21 of the metal segment 2 and the commutator segment 1 is not peeled when a winding is fusion-bonded to a terminal part 23 of the metal segment 2 and the metal segment 2 is thermally expanded. - 特許庁

構造及び製造工程の複雑化を抑止しつつ、反整流面接合構造の円盤型整流子におけるボス部の損傷防止性を向上すること。例文帳に追加

To prevent complication of the structure of and the manufacturing process for a disk-shaped commutator and further to enhance capability of preventing damages to the bosses of the commutator of counter commutation planar joint structure. - 特許庁

半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide semiconductor devices, and particularly, semiconductor devices which incorporate a metal-semiconductor rectifying junction, such as Schottky diodes. - 特許庁

低融点の金属と前記金属とは異なる金属からなる電極とのメゾスコピック接合整流素子例文帳に追加

RECTIFYING ELEMENT FOR MESOSCOPIC JUNCTION OF ELECTRODE CONSISTING OF LOW-FUSING POINT METAL AND ELECTRODE CONSISTING OF METAL DIFFERENT FROM SUCH METAL - 特許庁

記憶媒体４０は、前記整流接合領域の近くにあるナノメートル規模の無変更領域１４０と被変更領域１３０とを含む。例文帳に追加

The storage medium 40 includes unaltered and altered regions 130, 140 of nanometer scales which are present in the vicinity of the rectifying junction region. - 特許庁

２つ以上の分子または分子組織体１１をある接合点において結合して整流素子を構成する。例文帳に追加

The rectifier element is constituted by joining ≥2 molecules or molecular organisms 11 at a certain junction. - 特許庁

遷移金属酸化物からなる優れた整流特性、光感度を有するヘテロ接合デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction device that is composed of a transition metal oxide and has an excellent rectifying characteristic and photosensitivity. - 特許庁

ｐｎ接合において整流性を保った状態で高出力化が図れるダイヤモンド半導体素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a diamond semiconductor element capable of increasing output with a rectification property kept in a pn-junction. - 特許庁

整流子のセグメントの接続部と導線とを低エネルギーで良好に接合することができる電機子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an armature, which method can excellently join a connecting portion of the segment of a commutator and a lead wire with small energy. - 特許庁

本デバイスは、通常の半導体ｐｎ接合と同等の整流特性を有しダイオード若しくはトランジスタとしての機能を発揮する。例文帳に追加

This device has a rectifying characteristic which is equivalent to that of an ordinary semiconductor p-n junction, and exhibits the function of a diode or a transistor. - 特許庁

構成部品に負荷を掛けることなくブラシと整流子とを接合させることができる電動モータおよび電動モータの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electric motor that brings a brush into contact with a commutator without applying a load to a component, and a manufacturing method for the same. - 特許庁

短絡部材とセグメントとの接合を容易かつ確実に行うことができる整流子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a commutator in which short-circuit member and a segment can be bonded easily and reliably. - 特許庁

整流子モータは、整流子ライザー１７にリングバリスタ１の金属端子４が整合した状態に接合され、前記金属端子４と前記整流子ライザー１７にアマチュアコイル１３の巻線端末部１８が巻回され、前記巻回された巻線端末部１８の導体と前記金属端子４と前記整流子ライザー１７が溶接されて一体に構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the commutator motor, the metal terminal 4 of a ring varistor 1 is bonded to a commutator riser 17 while being aligned, the end-of-winding 18 of an armature coil 13 is wound around the metal terminal 4 and the commutator riser 17, and then the conductor of the end-of-winding 18 thus wound, the metal terminal 4 and the commutator riser 17 are integrated by welding. - 特許庁

同じく、ツェナーダイオードＺＤ４、ＺＤ５、ＺＤ６の逆方向導通電圧の合計は整流用接合ダイオード７２のそれよりも低く、順方向しきい値電圧の合計は整流用接合ダイオード７２のそれより大きい設定される。例文帳に追加

Similarly, the sum of backward direction conducting voltages of the Zener diodes ZD4, ZD5 and ZD6 is set to a value smaller than the backward direction conducting voltage of the rectifying junction diode 72, and the sum of forward direction threshold voltages is set to a value larger than the forward direction threshold voltage of the rectifying junction diode 72. - 特許庁

ツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３の逆方向導通電圧の合計は整流用接合ダイオード７１のそれよりも低く、順方向しきい値電圧の合計は整流用接合ダイオード７１のそれより大きい設定される。例文帳に追加

The sum of backward direction conducting voltages of the Zener diodes ZD1, ZD2 and ZD3 is set to a value smaller than the backward direction conducting voltage of the rectifying junction diode 71, and the sum of forward direction threshold voltages is set to a value larger than the forward direction threshold voltage of the rectifying junction diode 71. - 特許庁

有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。例文帳に追加

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the GaN semiconductor 1 is in a state such as schottky junction, and a rectification action is generated between them. - 特許庁

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ｐｎ接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。例文帳に追加

A bonding interface between the organic electrode 2 and the ZnO semiconductor 1 is in a pn-junction-like state, and rectification is generated between the organic electrode 2 and the ZnO semiconductor 1. - 特許庁

整流素子７３は、半導体チップ８２と、半導体チップ８２の一方の面が接合される支持体としてのマウント電極８０と、半導体チップ８２の他方の面に接合されるリード電極８４とを備える。例文帳に追加

The rectification element 73 is provided with a semiconductor chip 82, a mount electrode 80 as a support medium to which one face of the semiconductor chip 82 is bonded and a lead electrode 84 bonded to the other face of the semiconductor chip 82. - 特許庁

整流素子５５は、半導体チップ１５４と、この半導体チップ１５４の一方の面が接合される支持体としてのディスク部１５０と、半導体チップ１５４の他方の面に接合されるリード部１５８とを備える。例文帳に追加

The rectifying element 55 comprises a semiconductor chip 154, a disk 150 that is a supporting body joined to one face of the semiconductor chip 154, and a lead 158 joined to the other face of the semiconductor chip 154. - 特許庁

第一導電型の整流領域１３を逆阻止溝２６で取り囲み、逆阻止溝２６の内部に第二導電型の逆阻止領域３３ｂを配置し、ソース拡散領域１９とオーミック接合を形成し、整流領域１３とショットキー接合を形成する共通電極膜４２を形成する。例文帳に追加

The rectifying region 13 of a first conductivity type is surrounded with an inverse rejection groove 26, the inverse rejection region 33b of a second conductivity type is arranged within the inverse rejection groove 26, an ohmic junction is formed with a source diffusing region 19, and a common electrode film 42 to form a Schottky junction with the rectifying region 13 is then formed. - 特許庁

基板１４の主面側の炭化珪素半導体層２２に形成されるプレーナ型の炭化珪素半導体素子であって、ショットキー接合を形成する整流性電極２８と、オーミック接合を形成する非整流性電極３０とを共に前記基板１４の主面側に有する横型ショットキーダイオードを用いることにより上記課題を解決できる。例文帳に追加

A planar silicon carbide semiconductor element is formed in a silicon carbide semiconductor layer 22 of a main surface side of a substrate 14, and it solves the problem by utilizing a horizontal Schottky diode including on the main surface side of the substrate 14 both a rectifying electrode 28 forming a Schottky conjunction and a non-rectifying electrode 30 forming an ohmic contact. - 特許庁

有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ショットキー障壁が形成されており、これらの間で整流作用が発生する。例文帳に追加

The interface of bonding between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 has a Schottky barrier formed thereon, and a rectification action is generated between them. - 特許庁

整流用接合ダイオード７１、７２と並列に接続され、互いに直列接続されるツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３、並びに、ツェナーダイオードＺＤ４、ＺＤ５、ＺＤ６をもつ。例文帳に追加

This rectifier circuit has Zener diodes ZD1, ZD2 and ZD3, and Zener diodes ZD4, ZD5 and ZD6 that are connected in parallel to the rectifying junction diodes 71, 72, respectively, and connected in series to each other. - 特許庁

この分子性スピン素子を２つの電極と接合させ、ソースとドレインの間に所定電圧を印加することにより、ソース・ドレイン間にスピン整流された電流を流すことができる。例文帳に追加

A spin-rectified current can be made to flow between a source and a drain by connecting the molecular spin element to two electrodes and applying a prescribed voltage between the source and drain. - 特許庁

水素極、酸素極の活物質と電解液の化学反応による電気二重層形成の原理に基づき、ＰＮ接合ダイオードの整流作用を応用した燃料密閉再生型水素・酸素燃料電池例文帳に追加

FUEL-ENCLOSED REGENERATING HYDROGEN/OXYGEN FUEL CELL APPLYING RECTIFYING ACTION OF P-N JUNCTION DIODE, BASED ON PRINCIPLE OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER FORMATION BY CHEMICAL REACTION OF ACTIVE MATERIALS OF HYDROGEN ELECTRODE AND OXYGEN ELECTRODE WITH ELECTROLYTIC SOLUTION - 特許庁

整流器と固定子巻線の接続を容易に行うことができるとともに、固定子巻線における接合強度の低下を防止することができる車両用交流発電機を提供すること。例文帳に追加

To provide an AC generator for vehicle which can facilitate connection of the commutator and the stator winding while preventing deterioration in bonding strength of the stator winding. - 特許庁

固定子巻線と整流器との間を確実に接合することが可能であり、コストを削減することができる車両用交流発電機とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an alternator for a vehicle, where stator winding and a rectifier can be joined surely with each other and the cost can be reduced, and its manufacturing method. - 特許庁

第１の金属酸化物１１１を有する第１の層と第２の金属酸化物１１４を有する第２の層はｐ−ｎ接合を形成し、これによりメモリ素子に整流性が付与される。例文帳に追加

The first layer including the first metal oxide layer 111 and the second layer including the second metal oxide layer 114 form a p-n junction, thereby the memory element is imparted with rectifying capability. - 特許庁

動作がオフになる過渡状態において、半導体層内に残留する少数キャリアを即座に消滅させることにより、高耐圧でありながらスイッチングスピードの速いｐｎ接合による整流用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for rectification of p-n junction which is of high withstand voltage and switching speed by immediately causing annihilation of minority carriers remaining in a semiconductor layer during a transient state, when operation is turned off. - 特許庁

１つの整流又はショットキーバリアコンタクトを含む電界効果トランジスタのような金属半導体化合物／半導体の接合領域を含む半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which contains a joining area of a metal semiconductor compound/semiconductor, such as a field effect transistor containing one contact of a rectification or Schottky barrier, and to provide its semiconductor device manufacturing method. - 特許庁

半導体装置１は、基板５と、ＪＦＥＴと、裏面電極２８と、整流素子構造(裏面コンタクト電極２７とｎ型層１２との接合部に形成されるＳＢＤ）とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device 1 is provided with a substrate 5, a JFET, a back electrode 28 and a rectifier element structure (SBD formed in a bonding part of a back contact electrode 27 and an n-type layer 12). - 特許庁

これにより、順方向電流であるゲート整流電流が発生すると、ゲート電圧抑制用抵抗２１によって電位降下が生じ、ショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧が引き下げられる。例文帳に追加

Thus, when a gate rectifying current that is a forward current is generated, a potential drop is generated by the resistor 21 for gate voltage suppression, and a gate voltage of the Schottky junction FET 13 is reduced. - 特許庁

整流器５は、冷却フィン５１１等に接合された各極のダイオード素子と固定子の出力線２１１とを接続する金属ターミナルが埋設された端子台５２を有している。例文帳に追加

A rectifier 5 is provided with a terminal base 52, in which a metal terminal is embedded which connects a diode element of each pole bonded to a cooling fin 511 or the like with an output line 211 of a stator. - 特許庁

前記Ｐ−Ｎ整流接合は、前記基板に提供される第１導電型（例えば、Ｐ型）のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第２導電型の半導体層を含む。例文帳に追加

The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface. - 特許庁