「次成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

モザンビークはアフリカの次の大幅成長経済国か。例文帳に追加

Will Mozambique be Africa's next big growth economy? - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文

彼女は成長するにつれて次第に美しくなった。例文帳に追加

As she grew up, she became more and more beautiful.  - Tanaka Corpus

このように、次第に近代的な成長を遂げていく。例文帳に追加

In this way, the world was gradually being modernized.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

次第に傭兵的な集団として成長していった。例文帳に追加

Saikashu gradually grew into a group of mercenary soldiers.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

一次産品価格の変動が，成長をリスクに晒してきた。例文帳に追加

Commodity price swings have put growth at risk.  - 財務省

次に成長用基板を半導体膜から剥離する。例文帳に追加

The growth substrate is peeled from the semiconductor film. - 特許庁

加熱工程および成長工程が順次に実施される。例文帳に追加

A heating process and a growth process are executed sequentially. - 特許庁

次に、GaN層19を10μm程度選択成長させる。例文帳に追加

Then, the GaN layer 19 is selectively grown for about 10 μm. - 特許庁

２Ｎマスクデザインおよび逐次横成長結晶化方法例文帳に追加

2N MASK DESIGN AND SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION METHOD - 特許庁

－ 我が国ものづくり産業の次なる成長への布石－例文帳に追加

－Strategic Move for the Growth of Japan's Monodzukuri Industries－ - 経済産業省

次に、TMG又はTEGの供給量を、第２の成長工程よりも小さくする（第３の成長工程）。例文帳に追加

Then, the supply amount of the TMG or TEG is reduced to be smaller than that in the second growth process (a third growth process). - 特許庁

次に、第２の材料が、成長温度で、成長表面上に堆積させられる。例文帳に追加

Then, the second material is deposited on the growing surface at a growing temperature. - 特許庁

得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。例文帳に追加

The obtained film is suitable for regrowing elements sequentially by various growth techniques. - 特許庁

次いで、成長中断を行うことなく井戸層及び障壁層の成長を繰り返して行う。例文帳に追加

Subsequently, the well layer and the barrier layer are repeatedly grown without interruption of the growth. - 特許庁

次に、エピタキシャル成長法により原料基板１００上にエピタキシャル成長層３を成長させる。例文帳に追加

Next, an epitaxial growth layer 3 is grown on the raw-material substrate 100 by an epitaxial growth method. - 特許庁

このとき、Ｉｎ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ａｓ層の膜厚は成長する層が２次元成長をし得る範囲で、３次元成長によって成長後の膜の表面粗さが急激に悪化しない程度とする。例文帳に追加

At this time, the thickness of the In_x1Ga_1-x1A_s layer is set not to rapidly deteriorate the surface roughness of the film after grown by three-dimensional growth within a range where the growing layer can be grown two-dimensionally. - 特許庁

次に、縦及び横方向エピタキシャル成長によりGaN層３を形成する。例文帳に追加

Then, a GaN layer 3 is formed by longitudinal and transverse epitaxial growth. - 特許庁

次に、エピタキシャル成長層上に、第１スペーサ層６２を形成する。例文帳に追加

Then, a first spacer layer 62 is formed on the epitaxially grown layer. - 特許庁

次に、電極層４を熱処理して、ヒロック８を成長させる（図（ｆ））。例文帳に追加

Then, the electrode layer 4 is subjected to heat treatment to grow hillocks 8 (Fig.(f)). - 特許庁

次に、この窒化物層上にシリコン構造を成長させる。例文帳に追加

Next, a silicon structure 16 is grown on the nitride layer. - 特許庁

次に、ステップＳ１０２で、基板の上にゲルマニウム層を成長（形成）する。例文帳に追加

In step S102, a germanium layer is grown (formed) on the substrate. - 特許庁

次に、ＳｉＯ_2 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。例文帳に追加

Next, a carbon nanowall is made to grow up on the SiO_2 substrate 100. - 特許庁

第１及び第２のスパッタリングは、二次元核成長及び二次元核成長後の三次元核成長によって、それぞれ第１及び第２の膜２８を形成する。例文帳に追加

The first and second films 26 and 28 are formed, respectively, by first sputtering and second sputtering through two-dimensional nucleus growth and three-dimensional nucleus growth following thereto. - 特許庁

次いで、再度、基板をＭＯＣＶＤ成長装置に入れて、１０００℃程度の成長温度で、マスク１６を介してＧａＮ第２バッファ層１５上に膜厚３μｍのＧａＮコンタクト層２０を横方向成長法により成長させる。例文帳に追加

Then, the substrate is put into the MOCVD growing device, and a GaN contact layer 20 whose film thickness of 3 μm is grown by a lateral growth method via the mask 16 on the GaN second buffer layer 15. - 特許庁

気相成長法による炭素繊維、リチウム二次電池用電極材およびリチウム二次電池例文帳に追加

CARBON FIBER PRODUCED BY VAPOR GROWTH METHOD, ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY AND LITHIUM SECONDARY BATTERY - 特許庁

第１のスパッタリングを止めて第１の膜２６の三次元核成長を中断した後に、第２の膜２８の成長が二次元核成長から始まるように第２のスパッタリングを開始する。例文帳に追加

After interrupting three-dimensional nucleus growth of the first film 26 by stopping the first sputtering, second sputtering is started to start growth of the second film 28 from two-dimensional nucleus growth. - 特許庁

基板上に第１の窒化物半導体をその上に成長する第２の窒化物半導体の成長温度より低温で成長し、その後基板温度を第２の窒化物半導体の成長温度にまで昇温し、昇温後に熱処理を行い、次いで第２の窒化物半導体を成長する。例文帳に追加

A first nitride semiconductor is grown on a substrate at a temperature lower than the growth temperature of a second nitride semiconductor that is grown on the first nitride semiconductor, then the substrate is raised in temperature to the growth temperature of the second nitride semiconductor and then subjected to a thermal treatment, and then a second nitride semiconductor is grown. - 特許庁

次に、シード粒子水性分散液とアルコキシドと混合することでシード粒子を成長させた成長粒子を得る。例文帳に追加

Then, the seed particle aqueous dispersion liquid and the alkoxide are mixed together to obtain grown particles which are grown seed particles. - 特許庁

］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。例文帳に追加

Subsequently, the base substrate is removed, and a second nitride semiconductor crystal 204 is grown on the first nitride semiconductor crystal. - 特許庁

次に、シリコン酸化膜に対して選択性を有する条件下でシリコンの成長を行うことにより、シリコン成長層１５を形成する。例文帳に追加

Next, a silicon growth layer (15) is formed by performing silicon growth under conditions such that it has selectivity with respect to the silicon oxide film. - 特許庁

基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。例文帳に追加

Next, the substrate (12) is heated up to a temperature suitable for growing III-V semiconductor and crystalline III-V semiconductor buffer layer (14) is grown. - 特許庁

次に、バリア層を成長させる前に、ＴＭＧ、ＴＭＡを共にオフとする成長中断工程を行う。例文帳に追加

Subsequently, before growing a barrier layer, a growth interruption process is performed in order to turn both TMG and TMA off. - 特許庁

次に成長基板を半導体膜から剥離し、成長基板を剥離することによって表出した半導体膜の表面を平坦化する。例文帳に追加

Then the growth substrate is peeled from the semiconductor film and the surface of the semiconductor film which appears after the growth substrate is peeled is flattened. - 特許庁

二次元結晶部は、１つの結晶核からの成長により形成され、結晶の主成長方向を有する。例文帳に追加

The two-dimensional crystal portion is formed by growth from one crystal nucleus and has the main growth direction of the crystal. - 特許庁

次に、半導体基板９上に目合わせパターン成長阻止マスク及び１対の同方向に延びる成長阻止マスクを選択的に形成する。例文帳に追加

Than, an alignment pattern growth stopping mask and one pair of growth stopping masks extending in the same direction are selectively formed on the substrate 9. - 特許庁

針状結晶部は、一対の二次元結晶部の間において主成長方向と直交する方向に沿った成長により形成されている。例文帳に追加

The acicula portion is formed by growth between a pair of two-dimensional crystal portions in a direction orthogonal to the main growth direction. - 特許庁

次に、プラズマ損傷層１３を選択成長マスクとしてｎ^- −ＧａＮ層１７を選択成長させる（図１ｄ）。例文帳に追加

Then, the n^--GaN layer 17 is selectively grown by using the plasma-damaged layer 13 as a selective growth mask (fig. 1d). - 特許庁

次に、ＧａＮ結晶１０２上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１０５を成長させた。例文帳に追加

Then a GaN crystal 105 is grown on the GaN crystal 102 at a growth rate of 7 μm/h or less. - 特許庁

次に、該複合透光性基板５０の発光層成長準備層８の第二主表面ＭＰ２に発光層部２４をエピタキシャル成長する。例文帳に追加

Next, on the second main surface MP2 of the light-emitting layer growth preparing layer 8 of the substrate 50, the layer part 24 is epitaxially grown. - 特許庁

次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。例文帳に追加

Finally, both TMG and TMA are turned on, and a second growth process of growing the barrier layer (AlGaN layer) is performed. - 特許庁

インド政府は、2007年から2012年の第11次5ヵ年計画で、サービス産業の高い成長率維持と製造業の成長率向上を目指すとした。例文帳に追加

The Indian government aimed at a high growth rate in the maintenance of the service industry and a growth rate improvement in manufacturing in the 11th Five Year Plan from 2007 to 2012. - 経済産業省

触媒物質層が形成された基板に１次カーボンナノチューブを成長させ、１次成長後にカーボンナノチューブの表面に存在する触媒物質を利用して１次カーボンナノチューブの表面に２次カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法である。例文帳に追加

A carbon nanotube is produced by the method that a primary carbon nanotube is grown on a substrate where a catalytic substance layer is formed and that, after the primary growing, a secondary carbon nanotube is grown on the surface of the primary carbon nanotube utilizing the catalytic substance existing on the surface of the grown primary carbon nanotube. - 特許庁

我々は、ＥＳ細胞の分化と血管成長とを促進する新しいアプローチが、成長因子を含む注射可能な三次元足場を創出し、それが成長因子を持続的に放出し、血管新生を引き起こすのであろうと考えた。例文帳に追加

We hypothesized that a novel approach to promote ES cells differentiation and vascularization would be to create injectable three dimensional (3-D) scaffolds containing growth factor that enhance the sustained release of the growth factor and induce angiogenesis. - 特許庁

溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for growing an SiC single crystal of high flatness, while restraining three-dimensional growth and convex growth in a solvent method. - 特許庁

次に、各ペットごとの成長ポイントの合計値Ａ，Ｂ，Ｃに、今回の成長ポイントＰＡ，ＰＢ，ＰＣを各々加算して、成長ポイントの合計値Ａ，Ｂ，Ｃの値を更新する（ステップＳ８）。例文帳に追加

Then the total values A to C of growing points of each pet are mutually added to update the total values A to C of growing points (step S8). - 特許庁