「次成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

インビトロ及びインビボ用途の細胞成長用の三次元マトリクス及び薬剤放出性の生分解性インプラントの提供。例文帳に追加

To provide a three-dimensional matrices for growing cells prepared for in vitro and in vivo use, and a drug releasing biodegradable implant. - 特許庁

そして、エピタキシャル成長装置を用いて結晶回復熱処理を行い（ステップＳ１４ａ），次いで、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ１５ａ）。例文帳に追加

Then the crystal recovery heat treatment using the epitaxial growth device is carried out (step S14a) and then an epitaxial film is formed (step S15a). - 特許庁

次いで、本方法は、第１の層と基板の露出部の上に第２のＩＩＩ族窒化物の第２の層をエピタキシャル成長することを含む。例文帳に追加

The method includes then, epitaxially growing a second layer of a second group III-nitride over the first layer and the exposed portion of substrate. - 特許庁

次に、半導体成長部上及び導電性基板の第２主表面上にオーミック電極９２を形成する。例文帳に追加

Then, an ohmic electrode 92 is formed on the semiconductor growing portions and on a second principal face of the conductive substrate. - 特許庁

これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。例文帳に追加

Accordingly, a plurality of the two-dimensional nuclei 301 are laterally grown to form a continuous GaN thin film 302 having a thickness of one molecular layer (refer to Fig.3(b)). - 特許庁

半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上にｎ−ＧａＡｓ層１０２、次いでｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９を成長させる。例文帳に追加

An n-GaAs layer 102 and an n^+-GaAs layer 109 are successively grown on a semi-insulating GaAs substrate 101. - 特許庁

次いで、目標領域の外側の基層が除去されるか、もしくは、導電性金属結晶が目標領域内で成長される。例文帳に追加

Next, the base layer outside the target area is removed, or conductive metal crystal is grown in the target area. - 特許庁

次いで、ＭＯＣＶＤ成長装置のチャンバから基板を取り出し、ＧａＮ第２バッファ層１５上にマスク１６を形成する。例文帳に追加

Then, the substrate is removed from the chamber of an MOCVD growing device, and a mask 16 is formed on the GaN second buffer 15. - 特許庁

次いで、第３工程では、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、ＳｉＧｅ層からなる第１の層２１をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In a third step, a first layer 21 made of SiGe layer is subjected to epitaxially growing on a surface of the dug silicon substrate 11. - 特許庁

次に、基板側に全面にわたって第１電極１１１を形成し、成長層側の素子中央域に第２電極１１２を形成する。例文帳に追加

After that, a first electrode 111 is formed over the entire surface of the substrate side, and a second electrode 112 is formed at the center region of the device on the side of a growth layer. - 特許庁

次いで、このAlN下地層上に、１１００℃以下の温度でGaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。例文帳に追加

Then, the GaN single crystal layer is epitaxially grown on the AiN foundation layer at a temperature of ≤1100°C. - 特許庁

これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。例文帳に追加

Accordingly, a plurality of two-dimensional nuclei 301 are laterally grown to form a continuous GaN thin film 302 having a thickness of one molecular layer (refer to Fig.3(b)). - 特許庁

次に、粒子が所望の粒径まで成長したら、粒子を樹脂のガラス転移温度より低い温度に放冷する。例文帳に追加

When the particles grow to a desirable grain size, the particles are allowed to cool so that the temperature of the particles is lowered to the temperature below the glass transition temperature of the resin. - 特許庁

次いで、成長室４００の上部にて、基板９００を任意時間ＴＭＡに晒してＡｌを堆積させる。例文帳に追加

Then Al is caused to deposit on the substrate 900 by moving the substrate 900 to a position above a third deposition chamber 400 and exposing the substrate 900 to TMA for an arbitrary period of time. - 特許庁

これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる。例文帳に追加

Thereby a plurality of two-dimensional nuclei 301 grow in the lateral direction to form a continuous GaN thin film 302 with a thickness of one molecular layer. - 特許庁

次に、氷粒Ｃと濃縮水を保冷タンク３０で集積し氷に成長させながら超音波発信子９０で超音波を照射する。例文帳に追加

The ice particles and the concentrated water are collected in a low-temperature insulated tank 30, where they are allowed to grow into ice while they are irradiated with ultrasonic waves from an ultrasonic wave oscillator 90. - 特許庁

次いで、前記基板の前記主面に対して成膜処理を施し、Ｆｅ−Ｓｉ系薄膜をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then, the Fe-Si-based thin film is epitaxially grown by subjecting the principal plane of the substrate to film-deposition treatment. - 特許庁

安定化次亜臭素酸ナトリウム及びイソチアゾロン類を含む微生物の成長阻害剤および阻害方法例文帳に追加

COMPOSITION AND METHOD FOR INHIBITING MICROBIOLOGICAL GROWTH CONTAINING STABILIZED SODIUM HYPOBROMITE AND ISOTHIAZOLONES - 特許庁

このｎ型ＧａＮ層１５上に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。例文帳に追加

An active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are grown successively on the layer 15, and a light-emitting element structure is formed. - 特許庁

次に、レジスト膜を除去し、拡散層１５の表面に形成されているシリコン酸化膜３１を成長させるために熱酸化を行う。例文帳に追加

The method also comprises steps of removing the resist film, and thermally oxidizing so as to extend the film 31 formed on the surface of the layer 15. - 特許庁

次に、第１スペーサ層及び第２スペーサ層にエピタキシャル成長層の上面を露出する第２開孔部を形成する。例文帳に追加

A second opened part exposing the upper surface of the epitaxially grown layer is formed in the first and second spacer layers. - 特許庁

次に、エッチングにより除去した凹状部分にｉ−ＩｎＰの再成長を行い、凹状部分を埋込み平坦化する。例文帳に追加

Thereafter, the etched-off recessed sections are flattened by regrowing i-InP in the sections. - 特許庁

次いで、キャスト成長用坩堝１1を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するように原料を溶解して、融液１４を形成する。例文帳に追加

The raw material is molten by heating the crucible 11 in a manner that at least part of the crystal piece remains unmolten to form a melt 14. - 特許庁

発光部は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次成長された下部クラッド層１２、活性層１３及び上部クラッド層１５を有している。例文帳に追加

A light-emitting portion has a lower clad layer 12 grown in order on a n-type GaAs substrate, an active layer 13, and an upper clad layer 15. - 特許庁

次に、ｎ型コンタクト層１３の上面のマスクパターン２５を除く領域にｐ型ＧａＮからなる電流狭窄層１４を成長させる。例文帳に追加

Subsequently, a current constriction layer 14 of p-type GaN is grown in a region other than the mask pattern 25 on the upper surface of the n-type contact layer 13. - 特許庁

次いで、上部ヒーター１３と下部ヒーター１４に通電し、所定の結晶成長温度まで昇温する。例文帳に追加

Then, an electric current is passed through each of the the upper heater 13 and the lower heater 14 so that the temperature is raised up to a predetermined crystal growth temperature. - 特許庁

次いで、リセス領域７の表面に、ＳｉＧｅ層からなる混晶層８をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

On the surface of the recess region 7, a mixed crystal layer 8 composed of a SiGe layer is epitaxially grown. - 特許庁

これに対して、Ａs_4を用いた場合にはＡsの付着確率が略０.５となるため過剰のIII族元素が発生して三次元成長を招く。例文帳に追加

When As_4 is used as the As molecular beam source in this case, excessive group III elements are generated and cause three-dimensional growth, because the sticking probability of As becomes about 0.5. - 特許庁

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。例文帳に追加

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown. - 特許庁

次に、母材基板１１の上に接着された状態のｎ型コンタクト層１２の上に発光層１４を含むエピタキシャル層を成長する。例文帳に追加

In addition, an epitaxial layer containing a light-emitting layer 14 is grown on the contact layer 12, while the layer 12 is stuck to the substrate 11. - 特許庁

なお、インド、中南米、中東欧等EU新規加盟国を含むその他地域も東アジアに次ぐ高い成長を遂げる結果が出ている。例文帳に追加

India, Central and South America and new EU member states including Central and European countries have also shown high growth levels after East Asia. - 経済産業省

長年にわたる、不均衡な世界的成長と金融セクター及び規制・監督における主要な失敗が、今次危機の根本的な原因である。例文帳に追加

Years of unbalanced global growth and major failures in the financial sector and in regulation and supervision were fundamental causes of the crisis.  - 経済産業省

第２章我が国ものづくり産業が直面する課題と展望－我が国ものづくり産業の次なる成長への布石－例文帳に追加

Chapter 2 Challenges and Prospects facing Japan's Monodzukuri Industries- Strategic move for the growth of Japan's monodzukuri industries -  - 経済産業省

また、キーパーソンの候補者については「学びの機会が多く与えられ、成長できることが明確だから」が28.5％と次いで高くなっている。例文帳に追加

For key person candidates, this response was followed by "many learning opportunities are provided and it is clear I will be able to grow in this enterprise" at 28.5%. - 経済産業省

このため、今回の成長戦略では、ボトムアップ型のPDCA に加えて、これまでとは次元の異なる「成果目標レビュー」を行う。例文帳に追加

Therefore, in addition to the bottom-up PDCA cycle, this Growth Strategy will perform a “target review” of a different dimension than previous growth strategies.  - 経済産業省

異次元のスピードによる政策実行/国家戦略特区を突破口とする改革加速/進化する成長戦略例文帳に追加

Implement policies at unprecedented speed/Accelerate reforms utilizing the National Strategic Special Zones/Evolving growth strategy  - 経済産業省

同社の永井貞雄社長は、サービスの利用者の目線に立って新事業のアイディアを次々と生み出し、同社は成長を続けている。例文帳に追加

The president of the company, Mr. Sadao Nagai, comes up with ideas by thinking from the perspective of the users of his company’s services, and this is helping the company to grow. - 経済産業省

1999年から2007年の成長率の平均はユーロ圏の主な重債務国の中でポルトガルに次いで低い－0.8%である。例文帳に追加

The average of the growth rate between 1999 and 2007 is -0.8%, the second lowest after Portugal among the major heavily indebted countries in the euro zone. - 経済産業省

このような世界経済の安定的成長をもたらした背景には、次に示すような諸要因の複合的な効果があるとする見方が一般的である。例文帳に追加

It is commonly accepted that those factors shown below have had multiple effects on such steady growth in the world economy. - 経済産業省

このようなイスラム金融の急成長の背景には、次のような経済・社会情勢の変化が指摘されている。例文帳に追加

The following types of changes to economic and social conditions are pointed out as being behind rapid growth of Islamic finance. - 経済産業省

中国経済に占めるサービス業・第３次産業のウェイトは、日本の高度成長期と比較しても小さい（第1-3-74図）。例文帳に追加

The weight of the Chinese economy accounted for by service industries and tertiary industries is small compared with that of Japan during its high-growth period (Figure 1-3-74). - 経済産業省

「制度」と「集積」の両者は、以下に述べるように、経済成長との関連でともに極めて重要な概念であり、 また、次のような共通点を持っている。例文帳に追加

Institutions and agglomerations are both extremely important concepts in relation to economic growth, as explained below. - 経済産業省

次に、ＡｌＮ層１０３上に低温成長バッファ層１０４および第一のｎ型ＧａＮ層１０５を順次エピタキシャル成長させた後、第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に開口部を有するマスク層１０６を形成する。例文帳に追加

A low temperature growth buffer layer 104 and a first n-type GaN layer 105 are then sequentially grown epitaxially on the AIN layer 103, and a mask layer 106 having an opening is formed on the first n-type GaN layer 105. - 特許庁

次に、前記線状の成長結晶１６の長辺と直交する方向から低入射角度で分子線を照射して横方向に結晶成長を継続させると、臨界サイズを超えた２次元的な広がりを有する結晶薄膜１８が形成される。例文帳に追加

Next, if the molecular beam is applied at a low incident angle from a direction crossing orthogonally the long side of the linear growth crystal 16 for further crystal growth in the lateral direction, a crystal thin film 18 having a two-dimensional extension exceeding the critical size is formed. - 特許庁

次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。例文帳に追加

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112. - 特許庁