「次成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

化合物半導体表面上に、アンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した上記化合物半導体表面上に、アンチモン系量子ドットを成長させて形成する。例文帳に追加

An antisurfactant is stuck on the compound semiconductor surface and antimony-based quantum dots are grown and formed on the compound semiconductor surface on which the antisurfactant stick. - 特許庁

次いで、第１のIII−Ｖ化合物半導体層１９上に有機金属気相成長炉２５を用いて、III族構成元素としてガリウムおよびＶ族構成元素としてヒ素を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体層２１を形成する。例文帳に追加

A second III-V compound semiconductor layer 21 containing gallium as a group III constitutive element and arsenic as group V constitutive element is formed on the first III-V compound semiconductor layer 19 using the organometallic vapor growth furnace 25. - 特許庁

非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし、高機能な半導体集積システムを実現する。例文帳に追加

To make a high performance semiconductor element in a multilayered or three-dimensional structure by growing a monocrystalline semiconductor layer at a desired position on an amorphous insulation layer, and obtain a highly functional semiconductor integrated system. - 特許庁

窒素含有雰囲気中でシリコンを加熱して窒化物の薄い層を形成し、次に、薄い窒化された層を介して酸化物を成長させることは、酸化物厚さの違いを１％未満に低減する。例文帳に追加

When the silicon is heated in a nitrogen-containing atmosphere to form a thin layer of nitrogen, and then the oxide is grown via a thin nitrided layer, variations of the thickness of the oxide are reduced to less than 1 %. - 特許庁

この状態で、微粒子分散液１１０から分散媒が蒸発していき、基板２００表面の微粒子分散液１１０の濡れ膜が後退していくことにより、薄膜状の三次元微粒子構造体１００が成長する。例文帳に追加

In this state, the dispersion medium vaporizes from the particulate dispersion liquid 110 and a wetting layer of the particulate dispersion liquid 110 on the surface of the substrate 200 retreats, and consequently a three-dimensional particulate structure 100 in a thin film state grows. - 特許庁

この燃料電池セパレータ１は、セパレータ基材の表面に金属層４を形成し、次にこの金属層４の上に物理気相成長法により金属窒化物層５を形成することによって得る。例文帳に追加

This fuel cell separator 1 is obtained by forming the metal layer 4 on a surface of the separator base material, and next by forming the metal nitride layer 5 on this metal layer 4 by physical vapor growth method. - 特許庁

次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６を気相成長法によって形成する。例文帳に追加

Next, a seed crystal film 6 comprising a nonpolar group-III nitride and having a crystal orientation of axis a, axis c, and axis m is formed by a vapor phase growth method. - 特許庁

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。例文帳に追加

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction. - 特許庁

次に、開口部３を介して露出されたシリコンウエハ１を種結晶としてエピタキシャル堆積法により、単結晶シリコン膜４を成長させる。例文帳に追加

Then, the silicon wafer 1 being exposed via the opening part 3 is used as a seed crystal, and a single crystal silicon film 4 is grown by the epitaxial deposit method. - 特許庁

基板１１の上には、コレクタコンタクト層１２、コレクタ層１３、ベース層１４、エミッタ層１５及びエミッタコンタクト層１６がエピタキシャル成長により順次積層されている。例文帳に追加

A collector contact layer 12, a collector layer 13, a base layer 14, an emitter layer 15, and an emitter contact layer 16 are sequentially laminated on a substrate 11 by epitaxial growth. - 特許庁

次いで、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズならびに密度とシリコン単結晶の成長速度との関係（図２）を、電子計算機を用いたシミュレーションにより求める。例文帳に追加

Next, the relation (fig. 2) between the size and the density of the grow-in defect caused by the void and the growing rate of the silicon single crystal is obtained by the simulation using the computer. - 特許庁

次に基板にＲＦバイアスを印加してアルゴンイオンを成長表面に照射してスパッタ成膜し、Ｃｕ膜８，９の合計膜厚よりも厚い膜厚７００ｎｍのＣｕ層１０を得る。例文帳に追加

Subsequently, an RF bias is applied onto a substrate and the growing surface is irradiated with argon ions, thus forming a Cu layer 10 of 700 nm thick thicker than the total thickness of the Cu films 8 and 9 by sputtering. - 特許庁

次に成長用基板を剥離することによって表出した半導体膜の表面に、素子分割ラインに沿って金属支持体に達するストリート溝を形成する。例文帳に追加

Then, a street groove extending along an element separation line to reach the metal base is formed on the surface of the semiconductor film exhibited by peeling the growth substrate. - 特許庁

試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを供給することができる。例文帳に追加

By sequentially feeding the dopant from the plurality of sample dishes 20a to the supply means by use of the drive means 25a, the sublimable dopant in high concentration can be supplied a plurality of times at desired timing during growing a crystal in a single batch. - 特許庁

次に、このシード層を覆うようにアモルファスシリコン膜を堆積させ、このアモルファスシリコン膜をシード層を起点として固相エピタキシャル成長させて、単結晶シリコン膜を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon film is deposited so as to cover the seed layer, and subjected to solid-phase epitaxial growth starting at the seed layer as a starting point to form a single-crystal silicon film. - 特許庁

非水電解質二次電池の負極に用いる負極活物質として、メソカーボンマイクロビーズ（ＭＣＭＢ）と、天然黒鉛と、気相成長炭素繊維（ＶＧＣＦ）とを含む炭素材料を用いる。例文帳に追加

As a negative electrode active material using for a negative electrode of a nonaqueous electrolyte secondary battery, a carbon material including mesocarbon microbeads (MCMB), a natural graphite, and a vapor-grown carbon fiber (VGCF), is used. - 特許庁

単結晶金属核を有する金属複合超微粒子を基本粒子とし、この金属複合超微粒子を３次元的に積み重ねて結晶成長させた超微粒子結晶膜及び超微粒子結晶を提供する。例文帳に追加

Composite metal ultrafine particles each having a single crystal metal nucleus are used as basic particles and stacked three-dimensionally to obtain an ultrafine particle crystal film and ultrafine particle crystal. - 特許庁

半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown. - 特許庁

次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。例文帳に追加

Next, a raw material solution 8 comprising Ga as a raw material metal and Na as a flux and nitrogen as a raw material gas are brought into contact with each other on the nitrided sapphire substrate 7 to grow a GaN crystal thereon. - 特許庁

これにより、ルーバ３４に衝突した冷却風は、温度境界層が大きく成長することなく、ルーバ３４の後流側に回り込んで次のルーバ３４に衝突する。例文帳に追加

The cooling air colliding with the louver 34 thereby goes around to the slip stream side of the louver 34 to collide with the following louver 34 without a temperature boundary layer growing large. - 特許庁

次に、残存した外周酸化膜１１０をサセプタ３２の座ぐり部３３の側面に当接させた状態で、シリコン単結晶基板１０の主表面１２上にシリコンエピタキシャル層１３を気相成長させる。例文帳に追加

Then, with the remaining peripheral oxide film 110 abutting against a side face of a spot facing portion 33 of a susceptor 32, the silicon epitaxial layer 13 is grown on the principal plane 12 of the silicon single crystal substrate 10 by vapor growth epitaxy. - 特許庁

エピタキシャル基板１は、基材１１の上に、バッファ層１２を介して、目的とするIII族窒化物層１３、中間層１４およびIII族窒化物層１５を順次エピタキシャル成長させることにより作製される。例文帳に追加

The epitaxial substrate 1 is produced by successively epitaxially growing a target group III-nitride layer 13, an interlayer 14 and a group III-nitride layer 15 on a substrate 11 through a buffer layer 12. - 特許庁

結晶質酸化物１１をテラス１０ｂの表面に沿ってさらにエピタキシャル成長させることによって、シリコン基板１０上において２次元的に連続する結晶質酸化物膜１２を形成する。例文帳に追加

By further epitaxially growing the crystalline oxide 11 along the surface of the terrace 10b, a crystalline oxide film 12 which continues two-dimensionally on the silicon substrate 10 is formed. - 特許庁

次に、化学的気相成長法により、化合物半導体からなる半導体層１０４を、ナノワイヤ１０３を覆って形成することで柱状のナノピラー１０５を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a semiconductor layer 104 consisting of a compound semiconductor is formed to cover the nanowire 103 by chemical vapor phase growth thus forming a columnar nanopillar 105. - 特許庁

炭素前駆体を熱処理して、ｃ軸方向の結晶子サイズＬｃが成長した予備黒鉛に、剪断力を作用させた後、黒鉛化してリチウム二次電池用負極材を製造する。例文帳に追加

A reserve graphite with its crystallite size Lc grown in a c-axis direction after a carbon precursor is put under heat treatment is graphitized after a shearing force is acted to manufacture a negative electrode material for the lithium secondary battery. - 特許庁

次に、基板上に、Ｓｉ基板１００のコレクタ開口部１１０に露出している表面からポリシリコン層１０９に亘って、Ｓｉ_1-x Ｇｅ_x 層１１１をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then, an Si1-xGex layer 111 is epitaixally grown on the substrate extending from the surface, which is exposed through a collector aperture 110 formed in the Si substrate 100, of the substrate 100 to the layer 109. - 特許庁

格子不整合緩和層３２上に、エピタキシャル成長により、ｎ形ＡｌＧａＡｓ層１４，ｐ形ＡｌＧａＡｓ層１６，ｎ形ＡｌＧａＡｓ層１８，ｐ形ＡｌＧａＡｓ層２０が順次積層されている。例文帳に追加

An n-type AlGaAs layer 14, a p-type AlGaAs layer 16, an n-type AlGaAs layer 18, and a p-type AlGaAs layer 20 are formed sequentially on the lattice mismatch relaxation layer 32 by epitaxial growth. - 特許庁

エピタキシャル基板１は、下地層１２、バッファ層１３および目的とするIII族窒化物層１４を基材１１上にＭＯＣＶＤ法を用いて順次にエピタキシャル成長させることにより得られる。例文帳に追加

The epitaxial substrate 1 is made by depositing an underlying layer 12, a buffer layer 13, and a designed group-III nitride layer 14 on a base material 11 in order by epitaxial growth using the MOCVD method. - 特許庁

過冷却状態の合金５が凝固潜熱によって結晶化する前に、合金５に一次応力を加えることにより、異方化したＲ_2Ｆｅ_14Ｂ型結晶相をα−Ｆｅよりも優先的に成長させる。例文帳に追加

Before the supercooled alloy 5 is crystallized by latent heat of solidification, a primary stress is applied to the alloy 6 to make an anisotropic R_2Fe_14B crystal phase grow with higher priority than an amorphous Fe phase. - 特許庁

その上に活性層１５および第２導電型の第４のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１６を順次成長させ、発光ダイオード構造を形成する。例文帳に追加

An active layer 15 and a second conductive type forth GaN group III-V compound semiconductor layer 16 are grown in this order on the layer 14 to form a light emitting diode structure. - 特許庁

第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。例文帳に追加

Commercial qualities of the granular silicon can be produced by depositing silicon on silicon seeds in a first chemical vapor deposition (CVD) reactor, thereby growing the seeds into larger secondary seeds. - 特許庁

次に、ベース層となる選択エピタキシャル層９ａ，９ｂを成長した後、エミッタ形成工程における熱処理により９ｂと７ａを電気的に接続する。例文帳に追加

After selective epitaxial layers 9a, 9b turning to a base layer are grown, the layers 9b and 7a are electrically connected by heat treatment in an emitter forming process. - 特許庁

次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。例文帳に追加

Subsequently, a single crystal silicon layer 8 grows upward from the top surface of the γ-Al_2O_3 layers 4, and thus, an SOI substrate having less crystal defect can be obtained. - 特許庁

ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、エピタキシャル成長によりｎ−ＧａＡｓＰ組成勾配層２とｎ−ＧａＡｓＰ組成均一層３を順次形成する。例文帳に追加

An n-type GaAsP composition gradient layer 2 and an n-type GaAsP composition uniform layer 3 are formed in order on an n-type GaAs substrate 1 by an epitaxial growth. - 特許庁

発光ダイオード１において，ｐ型ＧａＡｓの半導体基板２の上に，透過層３，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４，ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５が順次エピタキシャル成長によって形成されている。例文帳に追加

In a light emitting diode 1, a light transmitting layer 3, a p-type AlGaAs active layer 4, and an n-type AlGaAs cladding layer 5 are epitaxially grown and sequentially formed on a p-type GaAs semiconductor substrate 2. - 特許庁

複数の組成を含む誘電体膜のスパッタリングにおいて、複数の基板を順次交換しながら、連続して同一組成の誘電体膜を安定して成長させることを目的としたスパッタリング装置。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus which continuously and stably grows dielectric films of the same composition while successively exchanging a plurality of substrates in sputtering the dielectric films containing a plurality of compositions. - 特許庁

ＳｒＴｉＯ_3単結晶基板１上に、ＳｒＲｕＯ_3下部電極２、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_3強誘電体膜３及び、ＳｒＲｕＯ_3上部電極４を順次エピタキシャル成長して、強誘電体キャパシタが構成される。例文帳に追加

An SrRuO_3 lower electrode 2, a (Ba,Sr)TiO_3 ferroelectric film 3 and an SrRuO_3 upper electrode 4 are epitaxially grown, in the order on an SrTiO_3 single-crystal substrate 1, and a ferroelectric capacitor is constituted. - 特許庁

次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。例文帳に追加

Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region. - 特許庁

酸化ニッケルからなる薄膜２及び第２のサファイヤ基板３を順次成膜する方法を取ることにより、気相成長などのようにプロセス温度がより低い方法を用いることが出来る。例文帳に追加

A method whose process temperature is lower like vapor-phase deposition can be employed by using the method of forming the thin film 2 of nickel oxide and the 2nd sapphire substrate 3 in order. - 特許庁

次いで、全面にＣＶＤ酸化膜を成長させ、このＣＶＤ酸化膜に異方性エッチングを施すことにより、ワード線６の側方にサイドウォール８を形成する。例文帳に追加

A CVD oxide film is grown on the whole surface, and is subjected to anisotropic etching to form sidewalls 8 on sides of the word lines 6. - 特許庁

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。例文帳に追加

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it. - 特許庁

過充電安全性に優れ、液漏れがなく、常温作動可能であり、かつ、充放電中のリチウム金属の樹枝状成長が抑制された非水二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a non-aqueous secondary battery excellent in the over- charging safety, free of the risk of liquid leak, capable of operating at room temp., and suppressing dendritic growth of lithium metal during charging and discharging. - 特許庁

この第２のシリコン窒化膜６のみにテーパをつけるので、次工程の第２のポリシリコン１０ａを成長したときに、第２のポリシリコン１０ａ中の鬆の発生を抑制できる。例文帳に追加

Since only the film 6 is tapered, generation of whiskers in the second polysilicon 10a is suppressed when the second polysilicon 10a in the next process grows. - 特許庁

この３次元核１４０をさらに成長させて、サファイア基板１０の基板面に対して傾斜したファセット面１４１Ａを有する構造体１４１を形成する。例文帳に追加

The three-dimensional core 140 is further grown to form a structure 141 having a facet face 141A inclined with respect to the substrate surface of the sapphire substrate 10. - 特許庁

次に、トレンチ１３の内面上にｐ型シリコンをエピタキシャル成長させることにより、トレンチ１３内にｐ型シリコンピラー１４を埋設する。例文帳に追加

Next, p-type silicon is epitaxially grown on an inner face of the trench 13, whereby a p-type silicon peeler 14 is embedded in the trench 13. - 特許庁