「次成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

次に、上記ａ−Ｓi膜１２上の周辺駆動回路となる領域全面に触媒金属を選択的に導入した後、ａ−Ｓi膜１２を加熱することにより結晶成長させてＣＧシリコン膜１４およびｐ−Ｓi膜１５を形成する。例文帳に追加

After catalyst metal is selectively introduced all over a region which becomes a peripheral driving circuit on the a-Si film 12, the a-Si film 12 is heated, crystal growth is carried out, and a CG silicon film 14 and a-p-Si film 15 are formed. - 特許庁

チップを積層する３次元構造用の貫通電極の製造において、均一の深さのトレンチを形成し、膜厚成長速度を最小化する貫通導電膜を形成することができる構造を有する貫通電極を提供する。例文帳に追加

To provide a through electrode with a structure allowing a trench with a uniform depth to be formed and a through conductive film to be formed that minimizes the film thickness growth rate in a manufacture of a through electrode used for a 3D structure for laminating chips. - 特許庁

最初に高い確率で、{110}<001>方位に対する配向性が極めて良い核を発生させ、この核を、２次再結晶粒として優先的に成長させることにより高磁束密度を有する一方向性電磁鋼板の安定製造方法を提案する。例文帳に追加

To provide a method for stably manufacturing a grain-oriented magnetic steel sheet having high magnetic flux density by firstly generating nucleuses having extremely good orientation to {110}<001> direction at high probability and preferentially growing the nucleuses as secondary recrystallized grains. - 特許庁

取り扱うべきデータ量や計算量を削減しながら、短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を正確に検出することが可能な二次元アレイＸ線検出器における欠損画素の検出方法および欠損画素の検出装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for detecting deficient pixels and a device for detecting deficient pixels in a two-dimensional array X-ray detector, capable of accurately detecting deficient pixels having the growth potential to grow in a short period of time while reducing the data amount and calculation amount to be processed. - 特許庁

正常に機能しない患者自身の器官や組織に代わって移植し、正常な機能を回復させる再生医療技術および多様な細胞の成長分化を観察するための三次元的足場としての研究材料技術の分野における生体組織の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of processing living tissue in a field of regenerative medical techniques for implanting the living tissue instead of a patient's own organ or tissue which does not normally function and in a field of research material techniques as three-dimensional footing for observing growth and differentiation of various cells. - 特許庁

表層にしか有機物層が残存しておらず、強風や豪雨により逐次有機物層が消失してしまい有機物層の深層への成長機会が損なわれた劣化土壌を改質し、有機物層の再生をおこなわしむる。例文帳に追加

The method enables modification of the deteriorated soil only on the surface layer of which an organic substance layer remains and the organic substance layer of which is sequentially faded away due to strong wind and/or heavy rain, and thus opportunities to grow into the deep layer of the organic substance layer are spoiled, so that the organic substance layer is regenerated. - 特許庁

確立された系が基本培養培地中で無制限に増幅できる付着性または非付着性細胞であるように、成長因子、血清および/またはフィーダー菌叢を漸次的または全体的に離脱させる、鳥類細胞系の生成方法。例文帳に追加

The method for producing avian cell lines comprises gradual or complete withdrawal of growth factors, serum and/or feeder bacterial flora so that the established lines are adherent or nonadherent cells capable of proliferating indefinitely in a basic culture medium. - 特許庁

次に、頻出木構築手段４により、成長頻度で示される回数以上出現する接頭項目値が検出され、検出された接頭項目値で示される項目値の並びをノード間の遷移で表す頻出木５が構築される。例文帳に追加

Then, prefix item values which appear over the number of times, which is shown with a growth frequency, are detected by a frequency tree construction means 4, and a frequency tree 5 is constructed, which expresses an arrangement of the item values indicated by the detected prefix item values with a transition between nodes. - 特許庁

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。例文帳に追加

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer. - 特許庁

基板２２上に、活性層２３、クラッド層２４を液相エピタキシャル法により順次形成するシングルへテロ構造のエピタキシャルウエハの製造方法において、エピタキシャル層の成長前に、化合物からなる原料溶液を１００〜４２０℃の範囲で段階的に純化する方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing the epitaxial wafer having a single hetero structure, an active layer 23 and a clad layer 24 are sequentially formed on a substrate 22 by a liquid phase epitaxial method, and before an epitaxial layer is grown, the raw material solution composed of a compound is stepwise purified in a range of 100 to 420°C. - 特許庁

ｎ^＋−ＩｎＰ基板２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層３、ｎ^−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層４、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ中間層５、ｎ^＋−ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ^−−ＩｎＰ窓層７をエピタキシャル成長法により、順次積層する。例文帳に追加

An n-InP buffer layer 3, an n^--InGaAs light absorbing layer 4, an n-InGaAsP intermediate layer 5, an n^+-InP avalanche multiplication layer 6, and an n^--InP window layer 7 are formed sequentially on an n^+-InP substrate 2 by epitaxial growth. - 特許庁

この方法の工程では、基板の裏面に予めプレカット作業を施し、次に基板上でエピタキシャル成長工程を行った後、発光ダイオードチップの正面からカッティング、分割および洗浄の作業を行うものである。例文帳に追加

In a process of the method, pre-cutting work is performed beforehand on the backside of a substrate, then an epitaxial growth process is performed on the substrate, thereafter cutting, dividing, and cleaning are performed from a front of the light-emitting diode chip. - 特許庁

単結晶基板９の上に成長制御膜１０、シード層３、下地層４、一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金から成る磁性層５およびＣ，ＳｉＯ等からなる非磁性保護層６とを順次積層した磁気記録媒体８である。例文帳に追加

The magnetic recording medium 8 is formed by successively laminating a growth control film 10, a seed layer 3, a base layer 4, a magnetic layer 5 consisting of a Co alloy layer having uniaxial crystal magnetic anisotropy and a non-magnetic protective layer 6 consisting of C, SiO and the like on the single crystal substrate 9. - 特許庁

次に、下部電極が形成された拡散防止層の上面にＡＤ法により圧電層を形成し（Ｓ１０６）、続いて、圧電層を８５０℃で加熱することにより、圧電層を構成する圧電材料の結晶を成長させるアニール処理を行う（Ｓ１０７）。例文帳に追加

Next, the piezoelectric layer is formed on the upper face of the anti-diffusion layer formed with the lower electrode by the AD method (S106), and successively the piezoelectric layer is heated at 850°C, thereby performing an annealing processing which grows a crystal of a piezoelectric material constituting the piezoelectric layer (S107). - 特許庁

製造方法１００では，エピタキシャル層の成長工程Ｓ１０１と半導体基板の溶解工程Ｓ１０２とエピタキシャル層の研削工程Ｓ１０３とひずみ除去工程Ｓ１０４と製品化工程Ｓ１０５とが順次実施される。例文帳に追加

A manufacturing method comprises a step S101 in which an epitaxial layer is grown, a step S102 where a semiconductor substrate is melted, a step S103 where an epitaxial layer is ground, a strain removing step S104, and a product commercialization step S105. - 特許庁

次に、第１積層体ＳＴ１上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層４９、第２活性層５０および第２導電型第４クラッド層５１を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。例文帳に追加

Then, a second laminate ST2 in which at least a first conductive type third cladding layer 49, a second active layer 50, and a second conductive type fourth cladding layer 51 are laminated is formed on the first laminate ST1 by the epitaxial growth method. - 特許庁

すなわち、Ａｌ組成が０．１のＡｌＧａＡｓ層３０−１，Ａｌ組成が０．２のＡｌＧａＡｓ層３０−２，Ａｌ組成が０．３のＡｌＧａＡｓ層３０−３，Ａｌ組成が０．３５のＡｌＧａＡｓ層３０−４を順次、エピタキシャル成長する。例文帳に追加

That is, an AlGaAs layer 30-1 whose Al composition is 0.1, an AlGaAs layer 30-2 whose Al composition is 0.2, an AlGaAs layer 30-3 whose Al composition is 0.3, and an AlGaAs layer 30-4 whose Al composition is 0.35 are successively grown epitaxially. - 特許庁

次に、シリコン窒化膜からなる反射防止膜１７を気相成長法によりＰ型シリコン基板１全面に堆積し、メモリトランジスタのゲートの上面および両側面と第２活性領域５上の多結晶シリコン膜１０上を覆う。例文帳に追加

The method further comprises the steps of depositing an antireflection film 17 made of a silicon nitride film on an overall surface of the substrate 1 by a vapor phase growing method, and coating an upper surface of the gate of the transistor, on both side faces and a polycrystal silicon film 10 on a second active region 5. - 特許庁

電流ブロック層１６にストライプ状の電流狭窄領域を形成した後、電流ブロック層１６の上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層よりなる第３のクラッド層１７及びｐ型ＧａＮ層よりなるコンタクト層１８を順次成長させる。例文帳に追加

After forming a striped shape current constricting region to the current block layer 16, a 3rd clad layer 17 made of a p-type AlGaN layer and a contact layer 18 made of a p-type GaN layer are sequentially grown on the current black layer 16. - 特許庁

ストッパ膜１０により、アモルファスシリコン膜１２０形成後に、低圧の反応室内で長時間保持されても、アモルファスシリコン膜の表面マイグレーションを防止し、表面上の微小なシリコン核が２次成長することを抑制する。例文帳に追加

Although the film 120 is kept in a low pressure reactor chamber for a long time after its formation, the stopper film 10 prevents the migration on the surface of the amorphous silicon film to suppress a secondary growth of a minute silicon core on the surface. - 特許庁

ほぼフラットな表面を有し連続的につながった磁性膜内に、単結晶の領域と非単結晶の領域とを明確に区画して２次元的に配置できるようにし、且つその磁性膜のエピタキシャル成長に際してメルトに悪影響を及ぼさないようにする。例文帳に追加

To clearly partition and two-dimensionally arrange single crystal regions and non-single crystal regions in a continuously connected magnetic film having a nearly flat surface, and further to exert no adverse effect on melt in epitaxial growth of the magnetic film. - 特許庁

ＭＯＶＰＥ法を用いて上面に側面方向の幅が１０μｍ程度の凸部１１ａを有するサファイアよりなる基板１１Ａの上面に全面にわたって、Ａｌ_y Ｇａ_1-y Ｎよりなる第１の半導体層１２Ａと、Ｉｎ_x Ｇａ_1-x Ｎよりなる第２の半導体層１３とを順次成長させる。例文帳に追加

Extending over the entire surface of the upper surface of a substrate 11A made of sapphire, which has a projected part 11a having a width of about 10 μm in a side direction on the upper surface, a first semiconductor layer 12A composed of Al_yGa_1-yN and a second semiconductor layer 13 composed of In_xGa_1-xN are sequentially grown by a MOVPE method. - 特許庁

２層目以降のバッファ層は下層の見かけの格子定数に対して２次元成長し得る範囲の格子不整合性を有するＩｎ_ｘ Ｇａ_１−ｘ Ａｓ層を臨界膜厚の１５倍以上１００倍以下の範囲で形成する。例文帳に追加

Buffer layers on and after a second layer are obtained by forming an In_xGa_1-xAs layer having lattice mismatch within a range where it can grow two-dimensionally for an apparent lattice constant of a lower layer within a range of ≥15 times of the critical thickness and of ≤100 times of the same. - 特許庁

基板上にｎ型ＧａＮ層１５、活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、その上にｐ側電極１８を形成した後、これをマスクとしてこれらの半導体層をエッチングすることで大きさが２０μｍ以下の微小発光ダイオードを形成する。例文帳に追加

An n-type GaN layer 15, an active layer 16, and a p-type GaN layer 17 are grown on a substrate in order, and after a p-side electrode 18 is formed thereon, these semiconductor layers are etched while the electrode 18 is used as a mask so as to form micro light emitting diodes of 20 μm or less in size. - 特許庁

次いで、大気圧より減圧しながら窒化シリコン膜１６ｂ（基板１）を加熱した状態で、水素ガスと酸素ガスとを窒化シリコン膜１６ｂ上で反応させることによって、酸化シリコン膜１６ｂを成長させてトップ酸化シリコン膜１６ｃを形成する。例文帳に追加

Then, hydrogen gas and oxygen gas are made to react on the nitride silicon film 16b in such a status that the nitride silicon film 16b (substrate 1) is heated while being pressure-reduced by atmosphere, so that the oxide silicon film 16b can be grown, and that the top oxide silicon film 16c can be formed. - 特許庁

これにより軒先に吊るしたり、あるいはトレリス等に懸け吊るして用いる場合に安定性がよく、しかも花卉類が成長するにつれて、露出していた袋体自体が次第に隠れるようになる結果、人工的感覚があまりなく自然性を維持することができ、また取り扱い性も格段に向上する。例文帳に追加

The bag, as the result, is good in stability in hanging on front of a house or hanging on a trellis or the like, and the exposed bag body gradually starts to hide itself as the growth of the flowers and ornamental plants, and then naturalness is retained without much artificial feeling, and the operability raises remarkably. - 特許庁

主面がオフ角θを有するｎ^+−ＳｉＣ基板１上に、ｎ^-−ＳｉＣエピタキシャル成長層２、ｐ^+型層３が順次形成され、素子周辺にガードリング６が形成されると共に、ｐ^+型層３上にはオーミック電極４ａが設けられている。例文帳に追加

An n^--SiC epitaxial growth layer 2 and a p^+ type layer 3 are successively formed on an n^+-SiC substrate 1 whose main surface has the off angle θ, a guard ring 6 is formed around an element, and an ohmic electrode 4a is provided on the p^+ type layer 3. - 特許庁

さらに、細胞が三次元的に成長する際に、微細構造スキャホールドを足場にして仮足を延ばしていくと言われているので、通常のフラットな培養地では不可能な細胞分化の挙動をより自然に解析することが可能である。例文帳に追加

It is said that a cell extends a pseudopod by using a microstructure scaffold as an anchorage in the case of three-dimensional growth of the cell and, accordingly, more natural analysis of cell differentiation behavior impossible to perform on a normal flat culture medium can be carried out by using the present substrate. - 特許庁

細胞培養において、細胞の種類や成長度、目的等の種々の状況に柔軟に対応することができ、かつ、簡易な構成からなり、均一な形状の三次元細胞塊を容易に大量に培養することができる細胞培養担体を提供する。例文帳に追加

To provide a cell culture carrier which can flexibly deal with various conditions such as the kinds and degree of growth of cells, and objectives, in cell culture, includes a simple constitution, and can culture a uniform-shaped three-dimensional cell mass easily in a large amount. - 特許庁

次に、ＧａＮ層３が１０〜３０μｍ程度結晶成長した段階でエッチング系統１０２からの供給ガスを窒化防止ガスである窒素（Ｎ_2 ）からエッチングガスである水素（Ｈ_2 ）をキャリアガスとする塩化水素（ＨＣｌ）に切り換えた。例文帳に追加

After that, at a stage where a GaN layer 3 is crystallized and grown up to about 10-30 μm, a feed gas from the etching system 102 is switched to hydrogen chloride (HCI) where hydrogen (H_2) that is an etching gas is a carrier gas, from nitrogen (N_2) that is a nitriding prevention gas. - 特許庁

続いて、シリコン層１０Ｂと反対の導電型のｎ型のゲルマニウム系結晶層２０Ａ、および、ゲルマニウム系結晶層２０Ａと反対の導電型のｐ型のゲルマニウム系結晶層２０Ｂを順次気相成長してゲルマニウム系結晶２０を設ける。例文帳に追加

Then, an n-type germanium-based crystal layer 20A of conductivity type opposite to that of the silicon layer 10B, and a p-type germanium-based crystal layer 20B of conductivity type opposite to that of the germanium-based crystal layer 20A are successively subjected to vapor phase epitaxy to provide a germanium-based crystal 20. - 特許庁

サファイア基板１０１上にＧａＮ低温バッファー層１０２，ＧａＮ層１０３，ＳｉＯ_2からなる選択成長マスク１０４が順次形成された第一の基板上に、ＧａＮ厚膜１０６が積層された構造となっている。例文帳に追加

In the semiconductor light-emitting device, a structure in which GaN thick films 106 are laminated on the first substrate in which a GaN low- temperature buffer layer 102, a GaN layer 103 and a selective growth mask 104 composed of SiO2 are formed sequentially on a sapphire substrate 101 is formed. - 特許庁

本発明の窒化物半導体素子は、側面部１６ｓ及び上層部１６ｔを有して３次元状に成長した結晶層の前記上層部はアンドープ窒化ガリウム層１７などの高抵抗領域を介して電極層２１が形成される。例文帳に追加

The nitride semiconductor device has a side face part 16s and a top layer part 16t, and an electrode layer 21 is built, through a high-resistance region such as an undoped gallium nitride layer 17, etc., onto the top layer part that is a crystal layer having grown to be a three-dimensional form. - 特許庁

リチウムイオンを挿入放出可能な正極・負極を有する非水電解液二次電池において、負極表面におけるデンドライトの成長を抑制するとともに電解液等による負極材料の劣化を防止し、サイクル特性を向上させて電池寿命の向上を図る。例文帳に追加

To improve the cycle characteristics and the battery life by suppressing growth of a dendrite on the surface of the negative electrode and preventing deterioration in the negative electrode material due to the electrolyte or the like in a non-aqueous electrolyte secondary battery having a positive electrode and a negative electrode that are capable of inserting and discharging lithium ion. - 特許庁

粒子の表面に粒界相の組成を含む溶液あるいは沈殿を含む液を付着成長させて活性化微粒子を調整し、この活性化微粒子を溶液中で３次元配列させて成型体とし、この成型体を焼結させる。例文帳に追加

The solution or the liquid containing the precipitate of the composition of the intergranular phase is deposited to grow on the surfaces of particles to prepare activated particles, the activated particles three-dimensionally arranged in the solution to obtain a compact, and the compact is sintered. - 特許庁

次いで、層間絶縁膜からダミーゲート電極４および厚膜のサイドウォールを露出させてこれらを除去し、エクステンション領域７の端縁および半導体基板１の一部を露出させ、露出面にゲート絶縁膜を成長させゲート電極を埋込形成する。例文帳に追加

After that, the dummy gate electrode 4 and the thick-film sidewalls are exposed from the interlayer insulating film to be removed, the edges of the extension region 7 and part of the semiconductor substrate 1 are exposed, and a gate insulating film is grown on the exposed surface, thus forming a gate electrode in an embedded way. - 特許庁

植物栽培システム２は、上下複数段に配設保持される栽培ベッド４０と、栽培植物Ｐの成長に応じて上下に移動させられる人工光源８０と、空気通路８７に、温度、湿度、ＣＯ_２濃度等が調整された空気を順次送り込む空調装置８４と、を備えている。例文帳に追加

This plant cultivation system 2 includes a cultivation bed 40 arranged and held in a plurality of vertical steps, an artificial light source 80 to be vertically moved according to growth of a cultivation plant P, and an air conditioning device 84 sequentially sending air adjusted in temperature, humidity and CO_2 concentration to an air passage 87. - 特許庁

光電変換部ＰＤと複数の画素トランジスタからなる画素３８が２次元配列された画素領域と、画素領域内に形成され、トレンチ４２内にエピタキシャル成長による半導体層４３が埋め込まれて構成された画素間を分離する素子分離領域４１を有する。例文帳に追加

The solid state image sensor has a pixel region where pixels 38, each consisting of a photoelectric conversion part PD and a plurality of pixel transistors, are arranged two-dimensionally, and an element isolation region 41 which isolates between pixels formed in the pixel region and constituted of a semiconductor layer 43 embedded in a trench 42 by epitaxial growth. - 特許庁

成膜工程で凹部１２に突き出すように形成されるオーバーハング部１９はエッチング工程で除去されるので、次の成膜工程の時に凹部１２の開口は塞がれておらず、凹部１２内部の金属膜１５を成長させることができる。例文帳に追加

Since an overhang portion 19, which is formed so as to extrude the recess 12 in the film forming process, is removed in the etching process, the opening of the recess 12 is not closed in the next film forming process, then, it is possible to make the metal film 15 inside the recess 12 grow. - 特許庁

次に、前記融液中において生成したIII族元素窒化物および前記融液中の前記III族元素窒化物の原料の少なくとも一方を気化し、前記雰囲気中に配置した基板表面上において、前記気化物を結晶化して、III族元素窒化物結晶を生成若しくは成長させる。例文帳に追加

Then, at least one of the nitride of the group III element formed in the melt and a raw material of the nitride of the group III element in the melt is vaporized, and the formed vapor is crystallized on the surface of a substrate, arranged in the atmosphere, to form or grow the nitride crystal of the group III element. - 特許庁

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。例文帳に追加

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51. - 特許庁

プラスチック容器はその内面に、プラズマ化学気相成長法によって形成した、複数層の酸化珪素を主体とするガスバリア性薄膜からなり、第１層から最上層にかけて各層の酸化度が順次増加した、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜を備える。例文帳に追加

The plastic container has a compound thin film of gas barrier properties consisting of a plurality of layers of thin films 2 of gas barrier properties deposited on an inner surface of the container by a plasma chemical vapor deposition method and mainly comprising silicon oxide in which the degree of oxidation of each layer is successively increased from the first layer to the uppermost layer. - 特許庁

この結晶欠陥領域の影響を防止するために気相成長法（ＶＰＥ）によって、１次種結晶２１の表面に所定厚さのＺｎＯ膜２を成膜し、結晶欠陥領域がＺｎＯ膜２の表面まで到達しないようにする。例文帳に追加

A ZnO film 2 of a prescribed thickness is deposited on the surface of the primary seed crystal 21 by a vapor phase growth process (VPE) for the purpose of preventing the influence of the crystal defect regions, by which the arrival of the crystal defect regions at the surface of the ZnO film 2 is prevented. - 特許庁

本方法では、従来と同様にして、ＭＯＣＶＤ法により１０００℃で、ｃ面のサファイア基板上１２上に、ＧａＮバッファ層１４、ｎ型ＧａＮコンタクト層１６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、及びｎ型ＧａＮ光導波層２０を順次成長させる。例文帳に追加

A GaN buffer layer 14, an n-type GaN contact layer 16, an n-type AlGaN clad layer 18, and an n-type GaN optical waveguide layer 20, are successively grown on a (c) surface sapphire substrate 12 at 1,000°C by an MOCVD method, in the same way as conventional manner. - 特許庁

オフセットインキ、グラビアインキ等の印刷インキに使用すると、優れた透明性、鮮明性、着色力、流動性を与える、顔料１次粒子の結晶成長抑制作用の優れたジスアゾ顔料組成物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a disazo pigment composition being excellent in crystal growth inhibiting action of a primary pigment particle and affording excellent transparency, clearness, tinting power and fluidity when used in a printing ink such as an offset ink or a gravure ink. - 特許庁