「次成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

蒸着フィルム１が、基材の一方の面に、物理気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第１のガスバリア性塗布膜と、物理気相成長法または化学気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第２のガスバリア性塗布膜と、が順次形成されてなる。例文帳に追加

In the vapor deposition film 1, an inorganic oxide vapor deposition film by a physical vapor phase growth method, a first gas-barrier coating film by a gas-barrier composition, an inorganic oxide vapor deposition film by the physical vapor phase growth method or a chemical vapor phase growth method, and a second gas-barrier coating film by the gas-barrier composition are formed in turn on one side of a base material. - 特許庁

液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。例文帳に追加

After a p-type GaAlAs active layer 2 and an n-type GaAlAs clad layer 3 are successively subjected to liquid phase epitaxial growth on a p-type GaAs substrate 1 installed in a liquid phase epitaxial growth apparatus, heat treatment for raising the temperature again in the liquid phase epitaxial growth apparatus is directly carried out to manufacture the epitaxial wafer. - 特許庁

基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。例文帳に追加

In this laminated substrate 100 formed by laminating and arranging successively a crystalline GaN layer 10 and a crystalline AlC layer 20 on a sapphire substrate, a silicon carbide substrate or an aluminum nitride substrate as a substrate 1, trimethyl aluminum as aluminum-containing gas and methane as catbon-containing gas are supplied as a growing condition of an aluminum carbide crystal, to thereby promote growth by a metal organic chemical vapor deposition method. - 特許庁

カーボンナノチューブ成長用基板の作製方法は、基板Ｓ上に形成された触媒層１１に、ＣＶＤ法を用いて炭素含有ガスを接触させて触媒層１１から炭素系物質１２を成長させ、次いでこの炭素系物質１２を除去してカーボンナノチューブ成長用基板１を作製する。例文帳に追加

The method for producing a substrate for growing carbon nanotube comprises bringing a carbon-containing gas into contact with a catalyst layer 11 formed on a substrate S to grow a carbonaceous substance 12 from the catalyst layer 11 using a CVD method, and removing the carbonaceous substance 12 to produce the objective substrate 1 for growing carbon nanotube. - 特許庁

次にサンプル基板１２上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより間接測定した基板温度とエピタキシャル成長直後に測定したサンプル用基板のヘイズとの相関線を設定し、量産用基板上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより基板温度Ｔｘを間接測定する。例文帳に追加

Then, a correlation line is set between substrate temperature indirectly measured by the upper pyrometer at the time of epitaxial growth onto a sample substrate 12 and haze of a sample substrate measured immediately after epitaxial growth, to indirectly measure a substrate temperature Tx by the upper pyrometer at the time of epitaxial growth onto a mass-production substrate. - 特許庁

半導体基板１に上にエピタキシャル層２を成長し、同一エピタキシャル成長装置内で２上の被覆率が１に満たない粒状、帯状あるいは膜状の金属マスク３を析出させ、金属マスク３に覆われていないエピタキシャル層２上に更に２次エピタキシャル層４を成長させることにより、化合物半導体構造を構成する。例文帳に追加

An epitaxial layer 2 is grown on a semiconductor substrate 1, two or more of granular, beltlike or filmy metallic masks 3 having a coating ratio less than 1 are precipitated in the same epitaxial growth device, and secondary layers 4 are further grown on the layer 2 not coated with the metallic masks 3, thus constituting the compound semiconductor structure. - 特許庁

世界同時不況を経て内外経済が大きく変化する中で、2009年の实質GDP成長率は▲5.0％と大きく落ち込んだが、政策効果や海外経済の回復等の影響により、2009年第Ⅱ四半期から外需と最終消費支出を中心にプラス成長。2009年第Ⅳ四半期の实質GDP速報（２次QE）では＊0.9％（年率換算3.8％）のプラス成長を実現している。例文帳に追加

Amid the ongoing significant changes in the domestic and overseas economies following the global recession, Japan‘s real GDP posted a steep negative growth of 5.0% in 2009. However, since the second quarter of 2009, real GDP has recorded positive growth, supported mainly by external demand and final consumption expenditures due to the effects of policy measures and the recovery of overseas economies. In the fourth quarter of 2009, real GDP posted a positive growth of 0.9% (annualized growth of 3.8%) according to the second preliminary data. - 経済産業省

世界経済危機への対処における我々の成果に基づき，我々は，成長及び質の高い雇用の完全な回復を確保し，金融システムを改革及び強化し，強固で持続可能かつ均衡ある世界の成長を実現するために我々がとるべき次の措置に合意した。例文帳に追加

Building on our achievements in addressing the global economic crisis, we have agreed on the next steps we should take to ensure a full return to growth with quality jobs, to reform and strengthen financial systems, and to create strong, sustainable and balanced global growth.  - 財務省

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するに際し、ＧａＡｓからなるベース層４を成長した後、ＡｓＨ_3ガスをフローし、次にＨ_2ガスをフローし、その後にＩｎＧａＰからなるエミッタ層５をエピタキシャル成長することを特徴とする。例文帳に追加

When the hetero-junction bipolar transistor is manufactured, the base layer 4 composed of GaAs is grown, an AsH_3 gas is made to flow, an H_2 gas is made to flow, and an emitter layer 5 composed of InGaP is epitaxial-grown. - 特許庁

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。例文帳に追加

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer. - 特許庁

次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。例文帳に追加

Next, a carbon nanotube 104 in which a carrier has been doped by a fine particle 103 is grown up by a thermal chemical vapor deposition method using a raw material gas consisting of at least one of benzylamine and boric acid triisopropyl in a step S103. - 特許庁

次いで、部品本体２に対して電解めっきを実施したとき、複数の内部電極３の各露出端が集まっている領域およびその近傍には、めっき成長が生じるが、その他の領域には、めっき成長が起こらないようにすることができる。例文帳に追加

Subsequently, when the component body 2 is subjected to electrolytic plating, plating growth occurs in or in the vicinity of a region where the exposed ends of a plurality of internal electrodes 3 are collected, but plating growth can be prevented from occurring in other regions. - 特許庁

炭化珪素基板１１の主面の一部にプラズマエッチングによってトレンチ溝１２を形成した後、炭化珪素基板１１上に不純物をドープしたエピタキシャル成長層１３，１４，１５を順次エピタキシャル成長する。例文帳に追加

After a trench groove 12 is formed at one portion of the main surface of a silicon carbide substrate 11 by plasma etching, epitaxial growth layers 13, 14, 15 where dopants are doped are successively subjected to epitaxial growth on the silicon carbide substrate 11. - 特許庁

選択横方向成長を用いた場合であっても、結合領域での欠陥を含む選択横方向成長領域上に共振器を構成でき、大型化を抑制することが可能となる２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a two-dimensional crystal surface-emitting laser capable of constructing a resonator on a selectively and laterally grown region including defects in a coupling region and suppressing large-sizing regardless of utilization of selective and lateral growing. - 特許庁

次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。例文帳に追加

Then, a second β-FeSi_2 layer 3 whose particle size is 10 to 100 μm is formed on the first β-FeSi_2 layer 2 while accelerating the lateral growth of the crystal grains of the initial layer by a chemical vapor deposition method or a vapor phase epitaxy method. - 特許庁

ｎ型の電荷輸送層、界面層、ｐ型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、ｎ型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、ｐ型の電荷輸送層は電着でＣｕ_2Ｏを成長させることによって形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the photoelectric conversion device formed by sequentially laminating an n-type charge transfer layer, an interface layer, and a p-type charge transfer layer, the n-type charge transfer layer is formed by growing a needle crystal of zinc oxide, and the p-type charge transfer layer is formed by growing Cu_2O by electrolytic deposition. - 特許庁

ベースフィルムＦ上に非磁性下地膜と、磁性膜とを順次積層する際、非磁性下地膜の成長粒子の方向と磁性膜の成長粒子の方向とがベースフィルムＦ面に対する平面内で異なり、かつ磁性膜の厚さは、２００〜１０００Åである。例文帳に追加

When a non-magnetic under film and a magnetic film are successively layered on the base film F, the particle growth direction of the non-magnetic under film and the particle growth direction of the magnetic film are different from each other in the plane to the surface of the under film F and the magnetic film has 200 to 1,000 Å thickness. - 特許庁

次に、図１（ｂ）で示すように、絶縁膜となる透明なＳｉＯ_２薄膜３を蒸着し、ナノコラム５を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でＮｉ薄膜２が露出するまで貫通孔４を穿設しておく。例文帳に追加

Subsequently, as shown in the figure 1(b), a transparent SiO_2 thin film 3 as an insulating film is evaporated, and a through hole 4 is drilled on evaporation positions where the nano-columns 5 are grown at a diameter and a distance for growing the nano-columns until the Ni thin film 2 is exposed. - 特許庁

次に、１１５０℃で熱処理することにより、注入された酸素イオン及びイオン注入により生じた欠陥を核として成長させ、エピタキシャル層２の下部領域に、ゲッタリングサイトとなる成長した析出核４を含んだ厚さ１〜２μｍの微小欠陥層５を形成する。例文帳に追加

When the silicon wafer 1 is heat treated at 1150°C, implanted oxygen ions and defects generated by ion implantations are allowed to grow as nuclei and a fine defect layer 5 of 1-2 μm thickness which includes growing deposited nuclei 4 is formed on the lower area of the epitaxial layer 2 as a gettering site. - 特許庁

次に物理的気層成長法によりＴｉ膜１０８を、続いて化学的気層成長法によりＴｉＣＮ膜１０９を堆積し、ＴｉＣＮ膜１０９の表面をＮ_2 プラズマに暴露することによりＴｉＮ膜１１０を形成する。例文帳に追加

Next, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor phase growth method, a TiCN film 109 is deposited by a chemical vapor phase growth process, and the surface of the film 109 is exposed to N2 plasma to form a TiN film 110. - 特許庁

ＬＳＩを製造するウエハ上に選択成長領域が密集したパターンを形成し（２０２）、そのパターン全体の光学定数データを解析することで選択成長層の膜厚や組成を求め（２０３）、その結果を次バッチ以降にフィードバックする（２０６）ことで、プロセス管理を行う。例文帳に追加

The method comprises (202) forming a pattern of clustered selective growth regions on a wafer for manufacturing an LSI, (203) analyzing optical constant data of the entire pattern, to obtain the thickness and the composition of a selectively grown layer and (206) feeding back the result to the next batch and thereafter, thereby controlling the process. - 特許庁

平面を有する基材上に化学気相成長法、具体的には有機金属気相成長法により正極層を形成し、正極層上に電解質層を形成し、電解質層上に負極層を形成するリチウムイオン二次電池を作製する。例文帳に追加

A lithium ion secondary battery is manufactured by forming a positive electrode layer on a base material with a flat surface by a chemical vapor deposition method, specifically an metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method, forming an electrolyte layer on the positive electrode layer, and forming a negative electrode layer on the electrolyte layer. - 特許庁

スート体の堆積成長面に捕捉されなかったガラス微粒子が合成炉の炉壁に堆積することを十分に防止でき、前記堆積成長面に２次粒子が取り込まれることを十分に防止することが可能な合成石英ガラス母材の製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a base material for synthetic quartz glass, in which glass fine particles not caught on the accumulating/growing surface of a soot body (an accumulated intermediate) can be sufficiently prevented from being accumulated on the wall of a synthesis furnace and secondary particles can be sufficiently prevented from being taken in the accumulating/growing surface of the soot body. - 特許庁

次に、図１（ｂ）で示すように、絶縁膜となる透明なＳｉＯ_２薄膜３を蒸着し、ナノコラム５を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でＡｌＮ膜２が露出するまで貫通孔４を穿設しておく。例文帳に追加

Next, as shown in Fig.1(b), a transparent SiO_2 thin film 3, used as an insulating film, is vapor-deposited at the position where a nanocolumn 5 should be grown up; a through hole 4 is drilled until AlN film 2 is exposed at a diameter and intervals at which it is grown up. - 特許庁

スペーサ層（１５）はバリア層（１２）上で成長させられ、それによってスペーサ層（１５）は、量子ドット層によって生じる歪場を実質的に遮断するようになっており、したがって、次のバリア層（１２）に対する円滑な成長最前部が作り出される。例文帳に追加

A spacer layer 15 is grown on the barrier layer 12, such that the spacer layer 15 substantially blocks the strain field generated by the quantum-dot layer(s), and consequently, a smooth growth front is produced with respect to the next barrier layer 12. - 特許庁

気相成長ガスの熱分解により、シリコンが雰囲気中より液滴中に取り込まれ、液状体は固体状態に比べシリコン原子を取り込みやすいので、Ｓｉ−Ａｕ合金２８の液滴中には次第にシリコンが過剰となり、シリコン単結晶が管状に成長する。例文帳に追加

Thus, a tubular silicon single crystal 30 having a hollow part 32 is obtained. - 特許庁

その作製工程は、リッジ１形成後の結晶成長によりリッジ１の上面以外に電流ブロック層１７、１８が積層され、次の結晶成長によりサポート層２が積層され、凹部２ａがエッチングにより形成される。例文帳に追加

In the production process, current block layers 17 and 18 are formed by epitaxial growth, following to formation of the ridge 1 excepting the upper surface of the ridge 1, the support layer 2 is formed by next epitaxial growth, and then the recess 2a is formed by etching. - 特許庁

次に、基板１１の露出部１１ａの上及びマスク１２の上に窒化アルミニウムからなる圧電体膜１３を結晶成長させ、圧電体膜１３のうち露出部１１ａの上に成長させた単結晶膜部１３ａを共振部とする共振器を形成する。例文帳に追加

Then a piezoelectric film 13 composed of aluminum nitride is crystallized on the exposed part 11a of the substrate 11 and on the mask 12 and a monocrystal film part 13a grown on the exposed part 11a out of the piezoelectric film 13 is used as a resonance part to form the resonator. - 特許庁

原料ガスを供給して基板上に薄膜を製造する方法であって、該基板表面における該原料ガスの供給速度に二次元的な分布を持たせて薄膜を成長させることを特徴とする薄膜製造方法及び薄膜成長装置。例文帳に追加

In the thin film manufacturing method and the thin film growth device, a thin film is manufactured on a substrate by feeding raw gas, and the thin film grows by realizing the two-dimensional distribution of the feeding rate of the raw gas on the surface of the substrate. - 特許庁

前記記載の基板のＭＯＣＶＤ法による製造方法において、ＩｎＧａＰ層の成長を停止して次にＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓ層を成長するにあたり、Ｐ含有ガスとＧａ含有ガスを両方流す工程を行う製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method, based on the MOCVD method of the substrate, comprises a step of supplying the gasses containing P and Ga for the next growth of GaAs layer or InGaAs layer, after suspending growth of the InGaP layer. - 特許庁

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。例文帳に追加

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal. - 特許庁

シリコン基板１１上にＴｉＮ薄膜１２を形成した後、ＴｉＮ薄膜１２上にＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４を両者が混在化するように堆積し、成長条件を変えてＣｏ微粒子１３及びＮｉ微粒子１４からＣＮＴ１５，１６を順次成長させる。例文帳に追加

A method of manufacturing substrate structure includes the steps of forming a TiN thin film 12 on a silicon substrate 11, accumulating a Co particulate 13 and Ni particulate 14 both of which are mixed on the TiN thin film 12, and sequentially growing CNT 15 and 16 from the Co particulate 13 and Ni particulate 14 by changing the growth condition. - 特許庁

リチウム二次電池などの非水電解質二次電池１の負極３として、ポリアクリル酸リチウムと気相成長炭素繊維又はカーボンブラックとを含んだ負極を用いる。例文帳に追加

This negative electrode containing lithium polyacrylate, vapor-phase growth carbon fiber or carbon black as the negative electrode 3 of this nonaqueous electrolyte secondary battery 1 such as a lithium secondary battery. - 特許庁

負極活物質がどのような材料であっても、リチウム二次電池の負極における局所的な金属Ｌｉのデンドライト成長を低減することができる、リチウム二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium secondary battery capable of alleviating local dendrite growth of metal Li in its anode, whatever material is used for an anode active material. - 特許庁

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。例文帳に追加

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10. - 特許庁

リッジ部より下層のクラッド層２６には、島状に結晶成長したｐ型ＡｌＧａＩｎＮ結晶３２が１次元的にランダムな配列で配置され、１次元の屈折率分布をクラッド層に形成している。例文帳に追加

A p-type AlGaInN crystal 32 grown into an island shape is disposed one-dimensionally in a random manner on the cladding layer 26 lower than the ridge, and a one-dimensional refractive index distribution is formed on the cladding layer. - 特許庁

針状結晶の成長により電池がショートするのを防止することができるとともに、イオン伝導性に優れるリチウムイオン二次電池用セパレータおよびこれを備えたリチウムイオン二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a separator for a lithium ion secondary battery, which prevents short-circuit of a battery caused by the growth of a needle crystal and has superior ion conductivity, and a lithium ion secondary battery equipped with the separator. - 特許庁

これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。例文帳に追加

Thereby, two-dimensional nuclei 301 of GaN are generated on the terrace 202 (refer to Fig.3 (a)), and the second growth process is performed just for a period of time in which the number of pieces of the generated two-dimensional nuclei 301 is one or more and 100 or less. - 特許庁

焼成により目的の正極材料を原料から確実に合成し、しかも該正極材料の１次粒子の結晶成長を抑制して細粒化することが可能な２次電池用正極材料の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a positive electrode material for a secondary battery surely synthesizing an aimed positive electrode material from a raw material by baking, and capable of forming fine particles by suppressing the crystal growth of primary particles of the positive electrode material. - 特許庁

これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。例文帳に追加

Thereby, two-dimensional nuclei 301 of GaN are generated on the terrace 202 (refer to Fig.3 (a)), and the second growth step is performed just for a period of time in which the number of pieces of the generated two-dimensional nuclei 301 is one to 100. - 特許庁

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。例文帳に追加

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a quantum well layer (MQW: multiple quantum well) 14 composed of GaN and GaNP, and a GaN layer 16, are made to grow on a board 10 in increasing order. - 特許庁

汚水タンクである洗濯槽２、第１の凝集剤添加部２６、第２の凝集剤添加部２７、凝集体成長モジュール１５、凝集体分離部１６の順で直列環状に接続し、何れかの間に汚水循環ポンプ７を備えて汚水を循環させるとともに、第１の凝集剤添加部２６で汚染粒子に１次凝集剤を添加して１次凝集体を形成させ、第２の凝集剤添加部２７で前記１次凝集体に２次凝集剤とエアとを添加し、凝集体成長モジュール１５で気泡を保持した２次凝集体を形成させ、凝集体分離部１６で前記２次凝集体を捕集する構成とした。例文帳に追加

A primary flocculant is add to pollution particles in the first flocculant adding part 26 to form primary floc and secondary flocculant and air are added to the primary floc in the second flocculant adding part 27 and secondary floc holding air bubbles is formed in the floc growing module 15 and collected in the floc separation part 16. - 特許庁

粒子成長法により緻密且つ高純度で更に屈曲構造や分岐構造を持つシリカ二次粒子を含有するコロイダルシリカを製造するに当たり、目的とする二次粒子径を調整するための二次粒子径調整方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for adjusting secondary particle size in producing colloidal silica containing silica secondary particles which are dense and highly pure and which further have bent structures and/or branched structures depending on a particle growth method. - 特許庁

スラブ又は下金型の上に載った１次スケールと、１次スケール除去後に成長した２次スケールを確実にスラブ表面から取り除くことができ、これによりスケールによる材料の表面品質低下を防止することができる、板厚プレス装置のデスケーリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a descaling device of a thickness press which is capable of surely removing from a slab surface a primary scale on a slab or a lower die and a secondary scale grown after removing the primary scale, and preventing degradation of the surface quality of a material by the scale. - 特許庁

反応槽中でニッケル−コバルト水酸化物一次反応粒子を得る反応工程、成長槽中で該一次反応粒子を更に反応させることにより、ニッケル−コバルト複合水酸化物粒子を得る成長工程を含む製造方法により、略球状で平均粒径１５〜５０μｍであるニッケル−コバルト複合水酸化物を得る。例文帳に追加

The substantially spherical nickel-cobalt compound hydroxide having an average particle size of 15-50 μm is obtained by the manufacturing method including a reaction process of obtaining nickel-cobalt hydroxide primary reaction particles in a reaction tank, and a growth process of obtaining nickel-cobalt composite hydroxide particles by further reacting the primary reaction particles in a growth tank. - 特許庁