「次成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓバッファー層２を介してアンドープＧａＡｓ層３、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層４およびｎ型ＧａＡｓ層５を順次エピタキシャル成長させてチャネル層を形成する。例文帳に追加

An andoped GaAs layer 3, an n+-type GaAs layer 4, and an n-type GaAs layer 5 undergo epitaxial growth in this order via a GaAs buffer layer 2 on a semi-insulating GaAs substrate 1 to form a channel layer. - 特許庁

次に、２度の選択エピタキシャル成長法により、シリコンピラー上に順に非晶質シリコン層、及び非晶質シリコンゲルマニウム層を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon layer and an amorphous silicon germanium layer are then formed in order on the silicon pillar by repeating selective epitaxial growth method two times. - 特許庁

非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし，高機能な半導体集積システムを実現する。例文帳に追加

To achieve a highly functional semiconductor integrated system by attaining a stacked or three-dimensional structure of a high performance semiconductor element by growing a monocrystalline semiconductor layer at an arbitrary position on an amorphous insulating layer. - 特許庁

次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。例文帳に追加

Then, an insulation film 39 is grown on the mask 35a, a pattern-formed group III nitride lift-off layer 31a, and a pattern-formed group III nitride semiconductor region 33c. - 特許庁

塗工や印刷あるいは蒸着等の簡便なプロセスで、二次元的に結晶成長することにより連続膜が成膜できる、特性の優れた有機半導体材料を提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor material having superior characteristics, from which a continuous film can be formed by growing crystal two-dimensionally by a simple process like coating, printing or deposition. - 特許庁

次に、第１絶縁膜、金属膜及び第２絶縁膜の、中央領域の部分を除去することにより、導電性基板を露出する成長用開口部７０を形成する。例文帳に追加

Next, by removing a central region of the first insulation film, metal film, and second insulation film, an opening 70 for growth to expose the conductive substrate is formed. - 特許庁

次にプラズマエッチングにより、フォトレジストマスク２７の開口部より露出しているＩＩＩ族窒化物半導体層１４の１部を、成長抑制層の成分を検出するまで、エッチングする。例文帳に追加

A group-III nitride semiconductor layer 14 is set on the substrate for the heterojunction field-effect transistor, in such a way that a thickness T1 is equal to a recess etching depth; then a part of the group-III nitride semiconductor layer 14 exposed in an opening of a photoresist mask 27 is subjected to plasma-etching, until components of the growth inhibiting layer is detected. - 特許庁

次に、工程（２）の素子本体部形成工程にて、全ての孔部４またはその一部に、化合物半導体からなる素子層を有する素子本体部５を孔部４の上部から突出しない形でエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In an element main body formation process in a process (2), an element main body 5 having an element layer constituted of a compound semiconductor is epitaxially grown in all the holes 4 or a portion of them in a status that the element main body 5 does not project from the upper part of the holes 4. - 特許庁

横に寝かせる状態の育児具から、次に尻をついて起きてもいられる段階を迎えた乳児が、成長に伴ない必要とする育児用具に関する、乳児ボックス歩行器付きを提供する。例文帳に追加

To provide an infant box with a walker used as a nursery device for an infant in a stage just lying down and as a nursery device required for an infant growing into a stage of sitting up with the hips rested on a bed. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。例文帳に追加

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained. - 特許庁

座ぐり２の底面２２ａが、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされていることにより、気相成長の加熱の際における基板Ｗの撓み形状よりも窪まされている。例文帳に追加

The bottom 22a of the countersink 2 becomes deeper gradually from the edge to the center so that the warped semiconductor wafer W will not come into contact with the bottom 22a during heating for vapor phase epitaxy. - 特許庁

次に、精緻化された完全テーブルＤＡＧを利用して、決定木ベイズネットワーク内の決定木を成長させるのに利用される学習アルゴリズムの制約のセットを導出することができる。例文帳に追加

Next, a set of restrictions on the learning algorithm used to grow a decision tree in a decision-tree Bayesian network can be derived by use of the refined complete-table DAG. - 特許庁

次に、Ｐ型基板の表面上にＮ型エピタキシャル成長層１５を形成し、Ｐ型第一埋込み拡散層とＰ型第二埋込み拡散層との上にＰ型拡散層１６を拡散形成する。例文帳に追加

Then, an N-type epitaxial growth layer 15 is formed on the surface of the P-type substrate, and a P-type diffusion layer 16 is diffused and formed on the P-type first embedded diffusion layer and the P-type second embedded diffusion layer. - 特許庁

その後、前記基板に遷移金属ダイカルコゲナイド、遷移金属トリカルコゲナイド又は低次元導体などの原料ガスを蒸着すると、下地リング(3) に沿って前記原料からなる環状結晶体が成長する。例文帳に追加

Thereafter, when gaseous starting material of transition metal dichalcogenide, transition metal trichalcogenide or low conductive body, etc., is vapor deposited, the annular crystal consisting of the raw material is grown along the bedding rings 3. - 特許庁

一次元成長結晶を用いて作成したＴＦＴよりも電気特性値が良好で、且つばらつきを最小の範囲に抑制することができる薄膜トランジスタを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor which has a higher electrical characteristic value than a TFT produced using a one-dimensional growing crystal and can suppress variations to the minimum range. - 特許庁

また、ｐ−Ｓｉ層２の他の一部の上に絶縁層９を積層し、その表面にｎ−ＧａＮ層１０とｐ−ＧａＮ層１１を順次、成長させてＧａＮのｐｎダイオードを作製し、そこをバルク領域とする。例文帳に追加

Further, an insulation layer 9 is laminated on the other part of the p-Si layer 2, an n-GaN layer 10 and a p-GaN layer 11 are sequentially grown on the surface of the insulation layer 9 to produce a GaN pn diode which is used for a bulk region. - 特許庁

熱力学的に非平衡な状態で結晶成長を行うことによって、通常焼結法で見られるイルメナイト２次相等の形成が抑制され、準安定状態をもつ単相のペロブスカイト構造が形成される。例文帳に追加

Thus, by performing the crystal growth in a thermodynamically non-equilibrium state, formation of an ilmenite secondary phase, which is liable to occur in a conventional sintering process, can be inhibited from being caused and a single phase perovskite structure being in a metastable state is formed. - 特許庁

植物の成長促進剤は基材としての化石粉体に対してパイナップル酵素並びにケイ砂を次の配合比をもって水で混合することとしている。例文帳に追加

This growth accelerator for plants is obtained by adding a pineapple ferment and silica sand to fossil powder as a base material and mixing with water, wherein the fossil powder, the pineapple ferment and the silica sand are contained in amounts of 90-98 pts.wt., 5-1 pts.wt. and 5-1 pts.wt., respectively. - 特許庁

次に、下部導体２６を電極として、開口部２８の下部導体２６側から金属めっきを成長させ、開口部２８に金属めっきを充填する。例文帳に追加

Subsequently, metallic plating is grown from a lower conductor 26 side of the opening 28, using the lower conductor 26 as an electrode, and the metallic plating is filled into the opening 28. - 特許庁

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。例文帳に追加

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)). - 特許庁

ＭＲ素子は、下地層２１，結晶成長抑制層２２，第１軟磁性層２３、第２軟磁性層２４，非磁性層２５，強磁性層２６，反強磁性層２７および保護層２８を順次積層してなる積層体２０を有している。例文帳に追加

An MR element comprises a laminate 20 where there are laminated, in sequence, an underlying layer 21, a crystal growth suppressing layer 22, a first soft-magnetic layer 23, a second soft-magnetic layer 24, an antimagnetic layer 25, a ferromagnetic layer 26, an antiferromagnetic layer 27, and a protective layer 28. - 特許庁

次に、ベベル部および裏面に成長したＷ膜を硫酸過水で除去した後、ＣＭＰによって余剰のＷ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜を除去し、Ｗプラグを形成する。例文帳に追加

Then, after removing the W film grown on the bevel portion and on the rear face using sulfuric acid and hydrogen peroxide, excessive W/TiN/Ti film is removed by CMP (chemical mechanical polishing) to form a W plug. - 特許庁

選択成長などによって素子構造を３次元化した場合においても、特性の優れた窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor device, as well as its manufacturing method, that has excellent characteristics even when its device architecture is turned into three dimensions due to, e.g. selective growth, etc. - 特許庁

次いで、キャスト成長用坩堝1１を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。例文帳に追加

An Si melt 14 is formed by that the Si raw material is melted so that at least a part of the crystal piece remains to be unmelted in the heated crucible 11. - 特許庁

システムの信頼性をゲインとリスクとを確率次元で捉えて、リスクマネジメント制御部５０がリスク判定を行なったり循環成長プロセスを決定する。例文帳に追加

For system reliability based on the probability dimension of gains and risks, the risk management control part 50 monitors risks and determines a cyclic growth process. - 特許庁

不動態皮膜に起因する負極上でのデンドライトの生成およびその成長を抑制し、負極の充放電効率を向上させ、充放電サイクル寿命が長く、信頼性の高い非水電解質二次電池を得る。例文帳に追加

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery with high charging discharging efficiency of a negative electrode, long charging discharging cycle life, and high reliability by suppressing formation and growth of dendrites on the negative electrode caused by a passive film. - 特許庁

次に、工程（３）として、このバッファ層１３０を種結晶として、その上部にＭＯ−ＣＶＤ法により高品質のＺｎＯ薄膜１４０を成長させる。例文帳に追加

Then, in a process (3), the buffer layer 130 is used as seed crystals, and a ZnO thin film 140 of high quality is grown thereon through an MO-CVD method. - 特許庁

次いで銅膜（１１８）の第１部分の表面を洗浄し、すべての部位の有機物吸着を均一化して、高密度領域に銅が優先的に成長することを防止する。例文帳に追加

The surface of the first portion of the copper film(118) is then cleaned, and organic absorption at all position is uniformed to prevent the copper from growing on a high-density region prior to the other region. - 特許庁

次に、不活性な雰囲気で金属層を冷却して金属層に固溶していた炭素を金属層の表面に析出させることで、金属層１０３の表面にグラフェンからなる炭素薄膜１０４を成長させる。例文帳に追加

Next, the metal layer is cooled in an inert atmosphere to deposit the carbon that is solid-melted in the metal layer on the surface of the metal layer, so that the thin carbon film 104 made of the graphene is grown on the surface of the metal layer 103. - 特許庁

次に、有機金属気相成長法により、このＳｉＣ層１上に、温度500℃でＧａＮバッファ層（図示せず）を２０ｎｍ程度の膜厚で形成する。例文帳に追加

Then a GaN buffer layer (not shown in the figure) is formed on the SiC layer 1 to have a thickness of about 20 nm at a temperature of 500°C by the metal organic CVD method. - 特許庁

次いで、下地層１２上にマスク１４をパターン状に形成し、マスク１４を介してファセット１５を有し、III族窒化物からなる初期エピタキシャル成長層１６を形成する。例文帳に追加

Then a mask 14 is formed on the foundation layer 12 in a pattern-like form and an initial epitaxially-grown layer 16 having facets 15 and composed of a III nitride is formed through the mask 14. - 特許庁

次いで、基板温度ＴをＴ１からＴ２に上昇させると共にＴ２に維持した状態で、ＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ（ｘ＝０→０．１７）組成変化層をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The temperature T of the substrate is raised from T1 to T2 and in the state that T2 is maintained, a composition change layer GaAs_1-xP_x (x=0→0.17) is epitaxially grown. - 特許庁

単結晶基板の表面にこの基板と同一または異なる化合物単結晶層の２層以上を順次エピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法。例文帳に追加

Onto the surface of a single crystal substrate, two or more layers of a compound single crystal layer that is the same as, or different from, this substrate are grown in sequence through the epitaxial method. - 特許庁

次に、ＴｉＳｉＮ膜１１０の表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１１を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１１の表面にＣｕ膜１１２を堆積する。例文帳に追加

After a Cu film 111 is deposited on the surface of a TiSiN film 110 by a physical vapor-phase growth method, a Cu film 112 is deposited on the surface of the Cu film 111 by an electrolytic plating method. - 特許庁

急速撹拌池ユニット１２には、原水渠１７と、フロックの成長を促進するフロック形成池ユニット１３と、フロックを沈殿処理する沈殿池ユニット１４とが順次接続されている。例文帳に追加

A raw water channel 17, a floc forming tank unit 13 for accelerating the growth of the floc and a sedimentation tank unit 14 for sedimenting the floc are connected successively to the rapid stirring tank unit 12. - 特許庁

引き上げ棒４を下げて先端の種結晶５を、炭素が溶解した溶液６の表面に接触し、次いでこの棒４を徐々に引き上げながら種結晶５表面に炭化硅素単結晶を析出させ、成長させる。例文帳に追加

A pulling rod 4 is lowered so that a seed crystal 5 at the tip thereof comes into contact with the surface of the molten silicon 6 where carbon has dissolved, and this rod 4 is gradually pulled while silicon carbide single crystal is deposited on the surface of the seed crystal 5 and grows. - 特許庁

本発明のダイヤモンド被覆構造体は、多孔性基材が、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を核として成長したダイヤモンド皮膜によって被覆されている。例文帳に追加

In the diamond coating structure, a porous substrate is coated by the diamond coating which grows by using nanodiamond particles whose primary grain diameters are 1-20 nm as the nucleus. - 特許庁

ホストおよび該ホストに接合されたシード層を含む基板が準備され、次いで、ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光層を含む半導体構造が、前記シード層上に成長される。例文帳に追加

A substrate including a host and a seed layer bonded to the host is prepared, subsequently, a semiconductor structure including a light-emitting layer arranged between an n-type region and a p-type region is grown on the seed layer. - 特許庁

イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。例文帳に追加

An n-type InP clad layer 2, a GaInAsP active layer 3, a p-type InP clad layer 4, and a p-type GaInAsP cap layer 11 are grown on an n-type InP substrate 1 doped with sulfur in turn. - 特許庁

次に、基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層３７、第２活性層３８および第２導電型第４クラッド層３９を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。例文帳に追加

Then, a second laminate ST2 in which at least a first conductive type third cladding layer 37, a second active layer 38, and a second conductive type fourth cladding layer 39 are laminated is formed on the substrate 30 by the epitaxial growth method. - 特許庁

シリカ粉粒子は付着しにくい構造であるが、長時間運転の場合は次第に付着成長するので、定期的にこの粒子付着内筒を加振して付着粒子を除去するようにしたものである。例文帳に追加

Even though it is a structure preventing easy adhesion of silica powder particles, accretionary growth gradually occurs in long operation, and adhered particles are removed by periodically exciting the inner cylinder with particles adhered to it. - 特許庁

クラッド層を融着又は再成長させるプロセスが不要で、安価に製造できる２次元フォトニック結晶面発光レーザ及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a two-dimensional photonic crystal face emitting laser and its manufacturing method wherein there is eliminated the need for a process for melting and regrowing a clad layer, and hence it can be manufactured inexpensively. - 特許庁

次にＳｉ基板５０とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とをウェットエッチングにより後退させてできた構造体６０を別のＳｉ基板６２に乗せ、熱酸化処理を施すことによりＳｉＯ_２膜６４を成長させる。例文帳に追加

Thereafter, a structure 60 obtained by retreating the Si substrate 50 and the Poly-Si 54 by wet etching is mounted on another Si substrate 62 and an SiO_2 film 64 is grown by thermal oxidation. - 特許庁

本発明のダイヤモンド被覆構造体は、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を主体とする分散溶液を多孔性基材に付着させた後、ナノダイヤモンド粒子を核として成長させて製造できる。例文帳に追加

The diamond coating structure is manufactured by growing the nanodiamond particles as the nucleus after sticking dispersion solution based on the nonodiamond particles whose primary particle diameters are 1-20 nm to the porous substrate. - 特許庁

磁性結晶粒１１は、基板に対して垂直方向に成長した略正六角形の柱状組織が２次元的に規則的に配列したハニカム構造を有し、磁性薄膜の磁化容易軸は基板に対して垂直な方向である。例文帳に追加

The magnetic grain 11 has a honeycomb structure wherein a generally hexagonal pillar-shaped organization growing in a direction perpendicular to a substrate is two-dimensionally regularly arranged and a direction of the easily-magnetized axis of the magnetic thin film is perpendicular to the substrate. - 特許庁