「次成長」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。例文帳に追加

In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher. - 特許庁

非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。例文帳に追加

In the perpendicular magnetic recording medium including at least the underlayer and the magnetic recording layer sequentially laminated on a nonmagnetic substrate, the underlayer is composed of crystal grains and an amorphous grain boundary and the crystal grain has a shape holding a relation (an area of a bottom region at an initial stage of growth)>(an area of a top region). - 特許庁

Ｘ線構造回折における直交する二方向のピーク強度比Ｉ（００２）／Ｉ（１０２）が１５以上である、クリスタリットがより二次元方向に成長した層状構造を持つ、たとえば、ナトリウムコバルト酸などからなり、成形・焼結工程を２回以上繰り返して製造された六方晶系複合金属酸化物。例文帳に追加

This hexagonal system compound metal oxide is composed of sodium cobalt acid, for example, and is produced by repeating a molding/ sintering process more than twice, while having a peak intensity ratio I(002)/I(102) of 15 or in larger two orthogonal directions in X-ray structure diffraction and having a layered structure, with which crystallites are grown further in a two-dimensional direction. - 特許庁

非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。例文帳に追加

In the perpendicular magnetic recording medium including at least the underlayer and the magnetic recording layer sequentially laminated on a nonmagnetic substrate, the underlayer is composed of crystal grains and an amorphous grain boundary and the crystal grain has a shape holding a relation (an area of a bottom region at an initial stage of growth)>(an area of a top region). - 特許庁

スピン注入源デバイスの製造方法において、Ｓｉ基板１の清浄表面を加熱した状態で、ＣａＦ_2 膜２をエピタキシャル成長により形成する工程と、次に、前記ＣａＦ_2 膜２上に４００℃でＳｉ３とＦｅ４を同時に照射する分子線エピタキシー法によりＦｅ_3 Ｓｉ膜５を形成する工程とを施す。例文帳に追加

The manufacturing method of the spin injection source device performs a step for forming a CaF_2 film 2 by epitaxial growth while the clean surface of the Si substrate 1 is being heated, and a step for forming an Fe_3Si film 5 by a molecular beam epitaxy method for simultaneously applying Si 3 and Fe 4 onto the CaF_2 film 2 at 400°C. - 特許庁

斜交格子を用いて斜交スクリーンを作成するに際し、先ず、斜交格子系のパラメータおよびスクリーンパラメータを準備し（ステップＳ１１）、次いで斜交格子系をマトリックス内に作成し（ステップＳ１２）、しかる後マトリックス内に作成された斜交格子系の格子点から網点を成長させ、全階調を割り当てる（ステップＳ１３）。例文帳に追加

At the time of generating an oblique screen using an oblique lattice, parameters and screen parameters of an oblique lattice system are prepared (step S11), an oblique lattice system in then generated within a matrix (step S12), and dots are grown from the lattice points of the oblique lattice system generated in the matrix and assigned for the entire gray scale (step S13). - 特許庁

加熱された基板１上にドーパント原料、III族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給し、バッファ層２、チャネル層４、スペーサ層１０、電子供給層５及びコンタクト層６を順次結晶成長させる際に、スペーサ層１０に酸素をドーピングすることにより、スペーサ層１０の平坦度が向上する。例文帳に追加

The flatness of a spacer 10 is enhanced by doping the spacer layer 10 with oxygen, when growing sequentially the crystals of a buffer layer 2, a channel layer 4, the spacer layer 10, an electron supply layer 5, and a contact layer 6 by supplying dopant material, group III material, group V material, and gas for dilution onto a heated substrate 1. - 特許庁

安定してニッケル、コバルト及びチタンの水酸化物を共沈させることにより、チタン水酸化物が偏析せず、かつ粒成長が進んでいないニッケルコバルトチタン水酸化物を得て、該水酸化物を原料として、熱安定性に優れ、かつ高い放電容量を有する非水系電解質二次電池用正極活物質を得る。例文帳に追加

To obtain a hydroxide of nickel-cobalt-titanium in which titanium hydroxide does not segregate and in which grain growth have not progressed by stably co-precipitating the hydroxides of nickel, cobalt and titanium, and obtain a positive electrode active material for a non-aqueous electrolyte secondary battery which is superior in heat stability and which has high discharge capacity by using the hydroxide as a raw material. - 特許庁

次いで、１３族元素窒化物発光ダイオード層１２表面から、青色蛍光体層部１３１、緑色蛍光体層部１３２及び赤色蛍光体層部１３３を各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、３層からなる酸化亜鉛結晶蛍光体層１３を形成し、下部電極１４１及び上部電極１４２を形成して得る。例文帳に追加

Thereafter, a lower electrode 141 and upper electrodes 142 are respectively formed on the rear surface of the substrate 11 and on the surface of the N-type AlGaN semiconductor layer 123. - 特許庁

アンテナ式プラズマＣＶＤ法（化学的気相成長法）により基板１０に複数の薄膜を同一チャンバ２内で形成する薄膜形成装置１であって、複数の薄膜のうち第１薄膜の次に形成する第２薄膜の特性に影響を与え、かつ、第１薄膜形成過程に起因した残留物質をチャンバ２内から除去する残留物質除去手段を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The thin film formation device 1 for forming a plurality of thin films in a substrate 10 in the same chamber 2 by an antenna type plasma CVD method (chemical vapor deposition) has a residue removal means for removing residue which affects property of a second thin film formed next to a first thin film of a plurality of thin films and is caused in a first thin film formation process. - 特許庁

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。例文帳に追加

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13. - 特許庁

コンタクトホール１０を含む半導体基板１上に、化学的気相成長法によりチタン及び塩素を含む有機金属原料ガスを使用して、窒化チタン膜１２を成膜した後、同窒化チタン膜１２を所望の形状にパターニングし、次に同窒化チタン膜１２上に導電性材料からなる配線を形成する。例文帳に追加

In this manufacturing method, after forming the titanium nitride film 12 on a semiconductor substrate, provided with a contact hole 10 by using the organic metal raw material gas containing titanium and chlorine by the chemical vapor deposition method, the titanium nitride film 12 is patterned into a desired shape, and then a wiring composed of a conductive material is formed on the titanium nitride film 12. - 特許庁

冷陰極型のマグネトロンは、基板２１１上に炭素繊維材料の１つであるグラファイトナノファイバを成長させた第１の電極２１と、基板２１１上に二次電子放出係数が１以上の酸化バリウム２２１を塗布した第２の電極２２とを陽極筒体内部の中心軸上に交互に配置した構造の陰極２０を備える。例文帳に追加

The cold cathode type magnetron is provided with a cathode 20 structured by alternately arranging a first electrode 21 with graphite nano-fiber as one of the carbon fiber materials grown on a substrate 211; and a second electrode 22 coated with a barium oxide 221 with a secondary electron emission coefficient of one or more on the substrate 211; on a center axis line inside an anode cylinder. - 特許庁

蒸発器１２の表面から霜１５の成長方向に沿って順次距離を隔てて設けた少なくとも二本の温度センサーＴ1 ，Ｔ2 と、上記温度センサーＴ1 ，Ｔ2 を設置した部分に庫内の空気を送り込む送風機１４と、上記温度センサーＴ1 ，Ｔ2 の検出値を比較する手段とを備えてなり例文帳に追加

The refrigerator comprises at least two temperature sensors T1 and T2 arranged at intervals one after another from the surface of an evaporator 12 along the growing direction of frost 15, a blower 14 for feeding air in the refrigerator to the portion where the temperature sensors T1 and T2 are installed and a means for comparing values detected by the temperature sensors T1 and T2. - 特許庁

次いで、ビームスポットを幅広領域３ａの縁から幅狭領域３ｂに向けて走査しながら、ＣＷレーザ光を半導体膜３に照射することにより、半導体膜３を溶融させた後冷却することによって、半導体膜３に幅狭領域３ｂの長手方向から傾斜した方向に延びる結晶粒を成長させる。例文帳に追加

Crystal grain which is prolonged in an inclined direction from longitudinally of the narrow region 3b is grown on the semiconductor film 3, by a method wherein the film 3 is irradiated with CW laser light while a beam spot is scanned from an edge of the wide region 3a toward the narrow region 3b and the film 3 is melted and cooled. - 特許庁

基板１００上に成長されて下部コンタクト層１１０、下部クラッド層１２０、活性層１４０、上部クラッド層１７０が順次に積層されたものであって、下部クラッド層１２０の屈折率が、下部コンタクト層１２０の屈折率と等しいか大きいことを特徴とする窒化物系半導体レーザダイオードである。例文帳に追加

The nitride based semiconductor laser diode is provided with a lower contact layer 110, a lower clad layer 120, an active layer 140, and an upper clad layer 170 grown on a substrate 100 to be stacked successively and is characterized in that the refractive index of the lower clad layer 120 is equal to or greater than the refractive index of the lower contact layer 110. - 特許庁

本作製方法は、ｎ−ＩｎＰ基板５２上に、ＭＯＣＶＤ法等によって、ｎ−ＩｎＰバッファー層５４、発光波長１５５０ｎｍのＧａｌｎＡｓＰ系ＭＱＷ５６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層５８、ｐ−ＧａｌｎＡｓ中間層６０、及びｐ−ＡｌｌｎＡｓ被酸化層６２を、順次、エピタキシャル成長させて、積層構造を形成する。例文帳に追加

An n-InP buffer layer 54, GalnAsP group MQW56 of light- emission wavelength, 1,550 nm, p-InP upper-part clad layer 58, p-GalnAs intermediate layer 60, and p-AllnAs oxidized layer 62 are epitaxial-grown sequentially on an n-InP substrate 52 by through MOCVD method, etc., forming a laminated structure. - 特許庁

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。例文帳に追加

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method. - 特許庁

次に、前記単結晶ＳｉＣ基板１５をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、前記炭化層１５ｂの部分にアモルファスＳｉＣからなる犠牲成長層（アモルファスＳｉＣ層１５ｃ）を形成するとともに、このアモルファスＳｉＣ層１５ｃを昇華させて熱エッチングする（第２工程）。例文帳に追加

Then, the resulting single crystal SiC substrate 15 is heat treated under saturated vapor pressure of silicon so as to form a sacrificial growth layer (amorphous SiC layer 15c) comprising amorphous SiC in the part of the carbonized layer 15b and at the same time, to perform thermal etching by sublimating the amorphous SiC layer 15c (second process). - 特許庁

囲い１によって、アオコなどの植物プランクトンの発生した周りの汚濁水またはアオコなどの植物プランクトンが発生しやすい汚濁水の流入を防ぎ、波浪を遮ることができるため、囲い１内で確実に沈水植物２を成長させて群落を形成し、その繁茂領域を囲い１の拡張によって漸次拡大させていくことができる。例文帳に追加

The fence 1 can prevent inflow of contaminated water around a place where phytoplankton such as water-bloom appear or contaminated water to easily generate phytoplankton such as water-bloom, and block waves, so it is possible to surely grow the submerged plants 2 in the fence 1 to form clusters, and gradually expand the flourishing area by expanding the fence 1. - 特許庁

外径１５〜１００ｎｍの炭素繊維から構成される３次元ネットワーク状の炭素繊維構造体であって、前記炭素繊維構造体は、前記炭素繊維が複数延出する態様で、当該炭素繊維を互いに結合する粒状部を有しており、かつ当該粒状部は前記炭素繊維の成長過程において形成されてなるものであることを特徴とする炭素繊維構造体。例文帳に追加

The carbon fiber structure in a three-dimensional network shape, constituted of a carbon fiber having 15-100 nm outer diameter has a granular part for mutually binding each carbon fibers in an extended state of a plurality of the carbon fibers, and formed at a growing process of the carbon fibers. - 特許庁

導電性支持体上に、感光層及び表面保護層を順次積層した電子写真感光体の製造方法において、前記表面保護層を感光層の温度を８０℃〜１５０℃で、且つ、真空度１０^−１Ｐａ〜１０^−６Ｐａでプラズマ気相成長法により形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the electrophotographic photoreceptor prepared by laminating the organic photosensitive layer and the surface protective layer on the conductive base in this order, the surface protective layer is deposited according to a plasma vapor deposition method at a temperature of the photosensitive layer of 80 to 150°C and a degree of vacuum of 10^-1 to 10^-6 Pa. - 特許庁

コバルト製のウエハーを基板として用い、窒素ガス、水素ガスおよびメタンガスの混合物のプラズマＣＶＤ法により、コバルト含有カーボンナノチューブを基板上に成長させ、次いでこのカーボンナノチューブの粉末と酸化ホウ素を窒素気流中で１７００Ｋから２５００Ｋの温度で置換反応させることにより、コバルトのナノワイヤーを包含した窒化ホウ素ナノチューブを製造する。例文帳に追加

The boron nitride nanotube including the cobalt nanowire is manufactured by using a cobalt-made wafer as a substrate and by growing a cobalt-containing carbon nanotube on the substrate by a plasma CVD method using a mixture of a nitrogen gas, a hydrogen gas, and a methane gas, followed by the substitution reaction between the carbon nanotube powder and boron oxide in a nitrogen gas flow at 1,700-2,500K. - 特許庁

微生物膜が急速に付着して、二次的な微生物、小生物群が大量、且つ急速に集合し、稚い水中生物および成長した水中生物を含んだ食物連鎖ができ、産卵床となり、これらによって連続した世代の交代を可能にする人工藻場および人工藻場システムを提供することにある。例文帳に追加

To provide the subject such artificial seaweed bed and its system that a microorganismal film is rapidly adheres thereto and thereby secondary microorganisms and small organism groups gather thereto abundantly and rapidly, resulting in a food chain containing young and grown aquatic organisms and serving as a spawning bed, thereby enabling continuous alternation of generations. - 特許庁

正極板１と負極板３をセパレータ５を介して積層または捲回して構成した極板群を非水系電解液とともに電池ケース８に封入した非水電解質二次電池において、上記負極板３の銅箔として加熱処理により結晶粒を成長させた銅箔を用いたことを特徴とする。例文帳に追加

In the nonaqueous electrolyte secondary battery manufactured by sealing an electrode plate group constituted by stacking or winding a positive plate 1 and a negative plate 3 through a separator 5 in a battery case 8 together with a nonaqueous electrolyte, copper foil in which crystal grains are made to grow by heating treatment is used in the negative plate. - 特許庁

コレクタ領域として働くｐ^＋型埋め込み層１２上の釜底型凹部にあらかじめ次に成形するｎ^−型シリコン層１４より不純物濃度の高いｎ^＋型拡散層を設け、ベース領域として働くｎ^−型シリコン層１４のエピタキシャル成長時に、このｎ^＋型拡散層によりｐ^＋型埋め込み層１２から不純物がｎ^^−型シリコン層１４へ拡散するのを抑制することを特徴としている。例文帳に追加

An n+ type diffusion layer is provided at a recess on a p+ type buried layer 12 functioning as a collector region, where the n+ type diffusion layer has higher concentration of impurities than an n- type silicon layer 14 formed next in advance. - 特許庁

窒化物単結晶成長用基板３１上に順次ｎ型窒化物半導体層３２、活性層３３、ｐ型窒化物半導体層３４を形成し、ｎ型窒化物層の表面の少なくとも一面のほぼ中央領域に中央が開放されたマスクＭを介して窒化物単結晶が損傷された高抵抗領域３４ａを形成する。例文帳に追加

An n-type nitride semiconductor layer 32, active layer 33, and p-type nitride semiconductor layer 34 are formed sequentially on a nitride single crystal growth substrate 31, and at a nearly central region across the n-type nitride layer's surface, a high-resistance region 34a where the nitride single crystal is damaged is formed via a mask M whose middle is made open. - 特許庁

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。例文帳に追加

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction. - 特許庁

すなわち、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｍｇ等のｐ型不純物がドープされたＧａＮを凹陥部１ａ上に順次エピタキシャル成長させ、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を形成し、高効率かつ高出力な発光領域２ａを得る。例文帳に追加

In short, GaN doped with n-type impurity such as Si, and GaN doped with p-type impurity such as InGaN and Mg, are sequentially epitaxial-grown on the recess 1a to form an n-type clad layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 for a high efficient and high output light emission region 2a. - 特許庁

従来の無機ＥＬ蛍光体粒子における課題（粒子成長途中での修飾が困難、粒子内部における付活剤や共付活剤の濃度分布制御や粒子サイズ分布の制御などが不可能など）を解決するものであって、液相中でミクロンサイズの無機蛍光体一次粒子の製造を実現する製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for producing primary particles of an inorganic phosphor with μm sizes in a liquid phase to solve the problems (such as the difficulty of modification on the way of particle growth, and the impossibility of controls of concentration distribution of an activator and a co-activator in the interiors of particles and particle size distribution) in conventional particles of an inorganic EL phosphor. - 特許庁

フロック形成槽内の混和液を緩やかに撹拌するだけ、凝集フロックが破壊されず、槽底部への沈降堆積を防止させ、且つ沈降速度の大きな安定した凝集フロックを確実に形成・成長させることができ、次段の沈降分離槽での固液分離を効率よく行うことができると共に、省エネおよびランニングコストの低減が図れる凝集沈殿処理装置を得ることにある。例文帳に追加

To obtain a flocculating sedimentation treatment equipment by which flocculated flocs are not destroyed by slowly stirring a liquid mixture in a flocculation tank, sedimenting to a tank bottom can be prevented and stable flocculated flocs having high sedimentation speed can be surely formed and grown, and solid-liquid separation can be efficiently executed in a sedimentation/ separation tank of a following step with energy saving and running-cost reduction. - 特許庁

本発明は、壊れやすいチタン酸バリウムの一次粒子が壊れ、粒成長の原因となる微粉が生成することを防いで、所望の特性、特に直流電圧印加による静電容量低下率であるＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを製造する方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a laminated ceramic capacitor which exhibits excellent characteristics in required characteristics, especially a DC bias characteristic which is the reduction rate of electrostatic capacity due to impression of DC voltage, by preventing the generation of fine powder which is generated by breakage of primary grains of barium titanate to be easily broken and causes grain growth. - 特許庁

この二次電池用負極は、ターゲット材及び基材を反応室内に配置し、反応室にヘリウムを導入しながら、ターゲット材にビーム光を照射することにより励起し、脱離したターゲット材に含まれる物質をヘリウムで凝縮・成長させて、柱状構造が配列した構造を有する金属化合物ナノ構造体として前記基材上に堆積する。例文帳に追加

A target material and a base material are disposed in a reaction chamber, beam light is irradiated on the target material to excite it while introducing helium into the reaction chamber, a substance contained in the desorbed target material is condensed by helium to grow it, and thereby the electrode for the secondary battery is deposited on the base material as the metal compound nanostructure having the structure in which the columnar structures are arranged. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。例文帳に追加

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask. - 特許庁

異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。例文帳に追加

There is provided a grain-arranged diamond film which is a highly oriented diamond film prepared by initiating growth on a crystalline substrate of a dissimilar material according to the crystal orientation information relayed therefrom and is characterized in that, in its surface, the polygonal diamond crystal grains are arranged in a two-dimensionally repeated pattern in which the distance between their centers of gravity is 20 μm or more. - 特許庁

一つの単独粒子の中心付近の単数または複数のコアから高分子フィブリルが３次元的等方あるいは放射状に成長して形成した結晶性高分子特有の球晶構造を有し、数平均粒子径１〜３０μｍである微粒子を含有する光拡散層を有することを特徴とする光学スクリーン。例文帳に追加

The optical screen has a light diffusion layer, containing particulates having a spherulite structure characteristic of a crystalline high polymer, formed in such a manner that high polymer fibrils are isotropically grown in a three-dimensionally way or radially grown from one or more cores near the center of one individual particle, and having a number average particle diameter range of 1 to 30 μm. - 特許庁

これにより、第２導電部１９４Ｂと出力接点１９６Ｂとの摺接が繰り返され出力接点１９６Ｂが次第に摩耗しても、その摩耗片（接点ダレ）が成長することが無く、パルス信号にチャタリングが生じたりデューティ比が変動することがなく、正確なパルス信号を検出できる例文帳に追加

Even when sliding contact is repeated between the second conductive part 194B and the output contact 196B to abrade gradually the output contact 196B, abrasion chips (contact drips) thereof are prevented from growing, and chattering is prevented from being generated in the pulse signal or a duty ratio is prevented from fluctuating, so as to accurately detect the pulse signal. - 特許庁

窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。例文帳に追加

This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate. - 特許庁

金属製の集電体と、前記集電体上に成長したシリコン線状体と、を有し、前記シリコン線状体の少なくとも一端が、前記集電体に金属結合で結合している、または前記集電体上の金属に金属結合で結合していることを特徴とするリチウムイオン二次電池用の負極である。例文帳に追加

The negative electrode for the lithium ion secondary battery is provided with a metallic collector, and a silicon linear body grown on the collector, with at least one end of the silicon linear body coupled in metal bonding with the collector, or in metal bonding with metal on the collector. - 特許庁

活性層上にダミー層を形成し（ステップＳ３）、ダミー層を、活性層を露出させることなく部分的にエッチングして回折格子構造にし（ステップＳ５）、次いで、ダミー層を成長装置で気相エッチングにより除去するとともに（ステップＳ７）、その回折格子構造の形状を活性層に転写して活性層に回折格子を形成し（ステップＳ８）、活性層を大気に曝すことなく回折格子上に分離層を形成する（ステップＳ９）。例文帳に追加

A dummy layer is formed on the active layer (step S3), and the dummy layer is partially etched without exposing the active layer to make grating structure (step S5). - 特許庁

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。例文帳に追加

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques. - 特許庁

本発明は、特定のマイカ基板を用いて、酸化亜鉛前駆体の単分子吸着による二次元成長を行わせ、酸化亜鉛前駆体層を水蒸気と反応させることによって、平滑な酸化亜鉛単結晶薄膜層をマイカ基板上に再現性よく製造することができる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method, wherein a zinc oxide single-crystal thin-film layer having a smooth-surface is manufactured on a mica substrate with good reproducibility by promoting two-dimensional growth of zinc oxide precursors based on monomolecular adsorption by the use of a specific mica substrate and by reacting the zinc oxide precursor layer with water vapor. - 特許庁

次に、絶縁膜１４上の非晶質シリコン膜２０にレーザ光を照射することによって溶融させ、溶融したシリコンを、微細孔１６の開口部に表われた多結晶シリコン２１の結晶粒を種結晶として液相成長させることにより、微細孔１６を基点とする擬似単結晶シリコン膜２３を形成する。例文帳に追加

Subsequently, the amorphous silicon film 20 on an insulating film 14 is irradiated with a laser beam and melted, and liquid phase growth of molten silicon is performed using grains of the polycrystal silicon 21 appearing at the opening of the pore 16 as seed crystal thus forming a pseudo-single crystal silicon film 23 having the pore 16 as an origin. - 特許庁

半導体基板上に下部電極層、高誘電率酸化膜、ＴＥＯＳ原料を用いたＮＳＧ膜を順次形成する工程を含む半導体素子の製造方法において、高誘電率酸化膜表面に均一に吸着しやすい層を形成することができ、そのためＴＥＯＳ原料を用いたＮＳＧ膜を均一に成長させることが可能となる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To realize a method of manufacturing a semiconductor device, where a layer which is liable to adhere uniformly to the surface of a high permittivity oxide film, and an NSG film of a TEOS material can be uniformly grown in a manufacturing method, where a lower electrode layer, a high permittivity oxide film, and an NSG film of TEOS material material are successively formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

次に、予備レーザパルスＬＰ１の照射により溶融池Ｍがレーザ光Ｌの集光スポット径Ｄと同程度の径を持つまでに径方向に成長した時点で、予備レーザパルスＬＰ１に連続する形で、予備レーザパルスＬＰ１よりも十分に高いピーク出力及びエネルギー密度を持つ主レーザパルスＬＰ２を照射する。例文帳に追加

Then, a main laser pulse LP2 having sufficiently higher peak output and energy density than the auxiliary laser pulse LP1 is irradiated following the auxiliary laser pulse LP1, when the molten pool M grows in the direction of diameter to have a diameter equal to the diameter D of the condensing spot of a laser beam L owing to the irradiation of the auxiliary laser pulse LP1. - 特許庁