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該当件数 : 736



例文

凝集反応により生成するフロックが浮遊性のフロック集合塊(スカム)に成長する場合において、スカム含有スラリーを工程の浮上分離工程(固液分離工程)へ排出するのに好適な凝集反応装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a flocculation reaction device suitable for discharging scum-containing slurry to a next process of a flocculation separation process (solid/liquid separation process) when flock formed by a flocculation reaction grows to floating collective flock lump. - 特許庁

ビレットをいで、超合金のγ′ソルバス温度未満の温度で加工して加工品を形成するが、その際、歪速度が平均結晶粒径を制御するための下限歪速度を超え、しかも臨界結晶粒成長を避けるための上限歪速度未満に維持されるようにビレットを加工する。例文帳に追加

The billet is then worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article wherein the billet is worked so as to maintain strain rates above a lower strain rate limit to control average grain size and below an upper strain rate limit to avoid critical grain growth. - 特許庁

両者のLANを同一のOSで相互乗り入れ可能とするとともに、その操作性を簡便にするために、3元OSの構築を図り、また、通信手段として電力線や光など、急成長を遂げている技術に依存しない形での、全的なOSの設計を実現した。例文帳に追加

One OS is compatible with both LANs and has a three-dimensional structure in order to simplify the operability, and the OS is designed for general purposes independent of rapidly growing technologies of power lines and light as communication means. - 特許庁

中間材にインヒビターにより結晶粒成長を抑制し、Goss方位に集積させる二再結晶焼鈍を800〜1100℃で行った後、浸珪処理し、その後不要となったインヒビターを鋼より除去するための純化焼鈍を1200℃以上で行う。例文帳に追加

After secondary recrystallization annealing is applied to intermediate stock at 800-1,100°C for carrying out suppression of grain growth with an inhibitor and Goss integration, siliconizing treatment is performed and then purification annealing for removing the unnecessary inhibitor from the steel is done at ≥1,200°C. - 特許庁

例文

いで、減圧下において、分子ビーム6−2を単結晶基板1の表面1Aに対して40°以下の入射角度で開口部3に入射させ、開口部3の前記露出した単結晶基板表面上に単結晶薄膜4を選択的にエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Under reduced pressure, molecular beams are injected to the surface of the single crystal substrate at an incident angle of40° to effect the epitaxy growth of a single crystal thin layer 8 on the surface of the single crystal substrate exposed at the opening 3. - 特許庁


例文

まずこれら粉体を混合し、の工程で例えばテープキャスティングによりテンプレート樹脂が配向したシートを得、複数枚の切断シートを重ねて熱圧着バルクシートを得、これに焼成を行って配向成長反応を生ぜしめ、目的の化合物を得る。例文帳に追加

The objective compound is obtained by firstly mixing these powders, in the next process, obtaining a sheet in which the template resin is oriented by e.g. the tape casting, obtaining a thermocompression-bonded bulk sheet by laminating a plurality of cutting sheets and generating an orientation growth reaction by baking. - 特許庁

母材層152の材料に上記のものを用いることにより、エピタキシャル成長層16を形成する際に空孔151が変形したり崩れたりすることがないため、2元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させることがない。例文帳に追加

The use of the material mentioned above for the parent material layer 152 can avoid deformation and collapse of the holes 151 in forming the epitaxial layer 16, and thus avoid deterioration of performance of two-dimensional photonic crystal layer as a resonator. - 特許庁

このような条件で熱酸化膜を形成することによって、Si基板中の酸素凝結欠陥の成長を実際の加工に支障のない程度まで抑制し、KOHによる異方性エッチングにより精度よく3元形状を形成することができる。例文帳に追加

The heat oxidation film is formed in such a condition so as to suppress the growth of oxygen condensation in the Si substrate to a degree that no problem occurs in an actual processing, thereby precisely forming a three-dimensional shape by an anisotropic etching using KOH. - 特許庁

に、オーバーコート膜10の開口部11内の配線7の接続パッド部上面に、塩化金属還元気相成長(MCR−CVD:Metal Clloride Reduction Chemical Vapor Deposition)法と呼ばれる金属成膜法により、銅からなる柱状電極12を形成する。例文帳に追加

Next, a polar electrode 12 formed of copper is formed by a metal film forming method so-called the Metal Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition (MCR-CVD) method on the upper surface of connecting pad of wiring 7 within the aperture 11 of the overcoating film 10. - 特許庁

例文

半絶縁性GaAs基板1上に、ノンドープGaAsバッファ層2,ノンドープInGaAsチャネル層3,n型AlGaAs電子供給層4,n型GaAsコンタクト層5がエピタキシャル成長により順に積層されて、半導体基板(1,2,3,4,5)が形成されている。例文帳に追加

A semiconductor substrate (1, 2, 3, 4, 5) is formed laminating a non-doped GaAs buffer layer 2, a non-doped InGaAs channel layer 3, an n-type AlGaAs electron supply layer 4, and an n-type GaAs contact layer 5 on a semi- insulating GaAs substrate 1 in order by epitaxial growth. - 特許庁

例文

基板上にクラッド層、活性層を順次成長させる工程と、上記活性層上にリッジ部を構成する導電領域とこの導電領域の両側の高抵抗領域からなるリッジ型層を形成する工程と、からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザの製造方法にある。例文帳に追加

A ridge-type semiconductor laser device manufacturing method comprises the steps of sequentially growing a cladding layer and an active layer on a substrate; and forming a ridge-shaped layer on the active layer, which consists of a conductive region forming a ridge portion and high-resistance regions, disposed on both sides of the conductive region. - 特許庁

このセラミックス被覆石英ガラス体は、化学気相成長反応により該多孔質石英ガラス体、あるいは多孔質石英ガラス層の表面にセラミックス層を形成させ、いで炉出しして酸洗浄することによって製造される。例文帳に追加

The ceramic-coated quartz glass body is produced by forming a ceramic layer on the surface of the porous quartz glass body or the porous quartz glass layer by a chemical vapor-phase growth reaction, then taking out the porous quartz glass from a furnace and cleaning the ceramic layer with an acid. - 特許庁

階層が深いオブジェクトの階層構造を3元上に概観することで、オブジェクトの一覧性を高めることを可能とし、オブジェクト群の関連および成長過程を分析または一覧することを可能とするオブジェクト階層構造俯瞰装置、方法およびプログラムを提供する。例文帳に追加

To enhance viewability for an object by surveying three-dimensionally hierarchical structure of the object having deep hierarchy, and to analyze or survey a relation in an object group and a growth process thereof. - 特許庁

まず、サファイアよりなる基板11上に、GaNよりなるn型コンタクト層13、AlGaNよりなるn型クラッド層14、InGaNよりなる活性層15、AlGaNよりなる第1のMgドープ層16A及びGaNよりなる第2のMgドープ層17Aを順次成長させる。例文帳に追加

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire. - 特許庁

単結晶MgO(001)基板11を準備し、50nm厚のエピタキシャルFe(001)下部電極(第1電極)17をMgO(001)シード層15上に室温で成長し、いで、超高真空において、350℃でアニールを行う。例文帳に追加

A single crystal MgO(001) substrate 11 is prepared, an epitaxial Fe(001) lower electrode (first electrode) 17 by a thickness of 50 nm is grown on a MgO(001) seed layer 15 at a room temperature, and then, annealing is performed in ultra-high vacuum at 350°C. - 特許庁

有機EL素子S1は基板1の上に順、下部電極2、有機発光材料からなる有機膜3、上部電極4が形成されてなり、この有機EL素子S1は原子層成長法により成膜されたアルミナからなる封止膜5により被覆され封止されている。例文帳に追加

The organic EL element S1 is formed by laminating a lower electrode 2, an organic film 3 comprising an organic luminescent material, and an upper electrode in order on a substrate 1, and the organic EL element S1 is sealed by covering with the sealing film 5 comprising alumina formed by an atomic layer growth method. - 特許庁

回転円筒体に装入された遷移金属化合物とリチウム化合物との混合物を円筒体内面への混合物の付着成長を抑制しながら乾燥、焼成を行い、短時間で均一かつ安定した品質のリチウム二電池電極材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a electrode material for lithium secondary battery having a uniform and stable quality obtained in a short time by drying and calcining a mixture of a transition metal compound fed into a rotary cylindrical body and a lithium compound, while preventing the mixture from depositing and growing on inner surface of the rotary cylindrical body. - 特許庁

沈殿速度定数kが求まると、に、予測計算処理部13が、求められた沈殿速度定数kにより、坑井内流動シミュレータ14とスケール成長シミュレータ15を用いて、将来の予測スケール厚さと予測生産流量を計算する。例文帳に追加

Next, after the constant sedimentation rate (k) is determined, an estimation calculation processing part 13 calculates future estimated thickness of the scale and production flow rate based on the determined constant of sedimentation rate (k) by using the well flow simulator 14 and the scale growth simulator 15. - 特許庁

本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に3元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。例文帳に追加

The method for manufacturing the nanocarbon material composite substrate includes the steps of: supporting catalyst on the substrate; heat treating the catalyst; forming a three-dimensional structural pattern on the substrate; and growing a nanocarbon material on the surface of the substrate on which the catalyst is supported, by means of the solid-liquid interface decomposition method. - 特許庁

幾つかの実施形態においては、III族前駆体に対するV族前駆体の低いモル比で開始し、に、第1層の成長においてこの比を増加させ、又は窒素を雰囲気ガスとして用いることによりV族前駆体と基板との間の反応が減らされる。例文帳に追加

In some embodiments, the reaction between V-group precursor and the substrate is reduced by starting with relatively lower molar ratio of V-group precursor to III-group precursor, and then reducing the ratio during the growth of the first layer or using a nitrogen gas as an ambient gas. - 特許庁

具体的には、n型導電性SiC基板402の表面上にn^+型AlGaNバッファ層404と、n^+型AlGaN層406と、n型AlGaN層408と、p型InGaN層410とを順次成長してpn接合ダイオードを作製する。例文帳に追加

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode. - 特許庁

実質GDPの推移を見ると、2000年第1四半期は、外需や設備投資が成長を牽引したが、米国経済の減速を契機にした輸出の低下から、外需の寄与度は第に低下し、同年第3四半期は外需が減少に転じた(第1-1-31図)。例文帳に追加

Looking at the trends in real GDP, external demand, and plant and equipment investment propelled growth in the first quarter of 2000. However, the degree of contribution of external demand gradually diminished as exports fell, triggered by the slowdown in the US economy, and external demand turned negative in the third quarter of 2000 (Fig.1.1.31). - 経済産業省

このような中で、中国政府は、第12 五か年計画において、生産性で遅れている農業を近代化し、農村の生活改善を図るとともに、今後の成長と雇用吸収力が期待できるサービス業のより一層の振興を掲げている。例文帳に追加

Under such circumstances, the Chinese government advocates in the 12th Five Year Plan both the modernization of agriculture, which lags behind in productivity, to improve rural residents' livelihoods and the further development of the service industry which promises the future growth and increased capacity for employment. - 経済産業省

長期の停滞に陥る前の日本の成長は、正にこの二つのフロンティアで勝ち続けたからこそ実現できたのである。「メイド・イン・ジャパン」は、これを象徴する言葉であり、新しい技術を取り入れた日本製品を々と生み出し、世界の隅々までこれを売り込んでいったのである。例文帳に追加

Before falling into a protracted slump, the Japanese economy was able to grow precisely because it succeeded in these two endeavors. This is epitomized by the phrase, “Made in Japan.” Products made in Japan using new technologies were successively produced and were sold in all corners of the world.  - 経済産業省

また、団塊世代は、高度成長期に三大都市圏に外部から流入した割合が高く、今後、三大都市圏、特に首都圏の60歳以上人口、いで高齢化人口の割合を他地域以上に急速に上昇させる要因となることが指摘されている15。例文帳に追加

In addition, a high proportion of the baby boom generation entered the three major urban areas of Japan from outside areas during the high-growth period, and some commentators have remarked upon how the proportion of the population aged 60 or older, and then aged 65 or older, in these three areas, and the Tokyo metropolitan area in particular, will therefore rise more rapidly than in other regions.15) - 経済産業省

製造拠点の進出が相ぎ、現地市場の成長が著しい中国、特に上海を中心とした華東地区などでは、〔4〕のように現地市場での新規顧客開拓を目的に進出するケースも増えつつある。例文帳に追加

The establishment of a presence overseas thus also potentially offers major business opportunities. In China, especially in the East China region around Shanghai, where a succession of enterprises have established production operations and the local market is exhibiting conspicuous growth, it is becomingly increasingly common to establish a presence with the aim of developing new customers in the host market, as in pattern.  - 経済産業省

いで、産業集積の進むタイ、人口が多く中国同様高い経済成長を実現しているインド、東アジアの中でも所得水準が比較的高く我が国と地理的に近い韓国などで事業を拡大しようとする企業が多くなっている。例文帳に追加

Next is Thailand with its high rate of industrial development, and then India with its large population and high economic growth on par with Chinas. Fourth place is occupied by South Korea, which is attractive for its income levels-comparatively high for East Asia-and for its proximity to Japan. - 経済産業省

1. では急速に成長する新興国市場、アジア諸国の特性を見てきたが、に、我が国の企業がこうした新興国市場を事業対象としてどのように捉えているかをみるとともに、新興国における事業活動の現状を分析し、今後の課題を検討する。例文帳に追加

In 1. above, the distinctive aspects of the rapidly growing emerging markets and Asian countries are described. This section looks at the way in which Japanese-owned companies regard these emerging economies as their business targets, analyzes the current situations of their business activities carried out in emerging economies, and thereby discusses future tasks. - 経済産業省

また、2001年にスタートした第105ヵ年計画は都市化建設を重視し、新たな成長産業として住宅・自動車・ハイテク等を指定し政策的にも支援したことにより、地方政府による開発区建設や不動産・自動車・建材・鉄鋼関連の投資拡大を促進させた。例文帳に追加

In addition, the 10th five-year plan placed emphasis on urbanization, and by providing policy assistance for industries newly identified as growth industries, including real estate, automobiles, and high-tech, the expansion of investment has been pushed forward by regional governments through construction in development zones, real estate, automobiles, building materials and steel-related products. - 経済産業省

このような輸出の急減による影響を回避するには、特定の国・地域や特定の品目の市場に依存するのではなく、成長性の高い様々な市場に進出することが重要な課題となること、また改めて内需を拡大していくことの重要性を順示していく。例文帳に追加

Explanations are given below in a step-by-step manner, suggesting that seeking diversified markets with high growth potentiality, instead of being merely dependent upon markets of certain countries and regions or markets of certain goods, is a key issue for abating the negative effects caused by a rapid decline in exports, and that stimulating domestic demand further is important. - 経済産業省

中でも中国、インドはその膨大な人口、及び急激な経済成長を背景に、エネルギー需要も大幅な伸びが予測され、2030 年にはアジアの一エネルギー消費に占める中国・インドを合わせた割合は約65%となることが予測されている。例文帳に追加

In particular, the demand for energy in China and India, with huge populations and rapid economic growth as a background, is expected to increase drastically. In 2030, the percentage of China and India in primary energy consumption is estimated to be approximately 65%. - 経済産業省

この法律は、父母その他の保護者が子育てについての第一義的責任を有するという基本的認識の下に、児童を養育している者に児童手当を支給することにより、家庭等における生活の安定に寄与するとともに、代の社会を担う児童の健やかな成長に資することを目的とする。例文帳に追加

This law aims to contribute to the stability of family life and healthy growth of children who are bearers of the society of the next generation, by paying child allowances to people who take care of the children, with the basic recognition that parents and other guardians have the primary responsibility of child-rearing. - 厚生労働省

景気回復を促進し、長期的な成長を維持するため、我々は保護主義を回避るとのコミットメントを再確認し、ドーハ・ラウンドの野心的な妥結に向作業を続けることにコミットする。我々は一産品のデリバティブ市場に関するIOSCOの作業を検討すること含め、世界的な一産品市場の機能と透明性を改善する方策を検討する。例文帳に追加

To facilitate the recovery and sustain growth over the longer term, we reaffirm our commitment to refrain from protectionism and we commit to continue working towards an ambitious conclusion of the Doha Round.  - 財務省

光電変換素子を含む画素が1元または2元に配列されて構成された光センサー部101上に平坦化膜105を有し、平坦化膜は少なくとも各光電変換素子に対応した複数の凸部を有する光センサー部と、平坦化膜の複数の凸部上に成長され、区切られた各シンチレーターが、画素にそれぞれ対応しているシンチレーター部102と、を備える。例文帳に追加

The flat film is provided with at least an optical sensor part having plural projection parts corresponding to each photoelectric converter and a scintillator part 102 where each scintillator grown on the plural projection parts of the flat film and divided corresponds to each element. - 特許庁

コンタクト孔(107)を開口し、シリコン薄膜(108)およびバリアメタル(109)を順堆積させた後、あるいはバリアメタル(208)およびシリコン薄膜(209)を順堆積させた後、熱処理を行ってシリサイドを形成することにより、薄膜シリコンからシリコンを供給してシリサイド層の下方への成長を抑制し、接合リークを防止する。例文帳に追加

A contact hole 107 is made, and a silicon film 108 and a barrier metal 109 are deposited in order, or, a barrier metal 208 and a silicon film 209 are deposited in order, thereafter, the silicide is formed by heat treatment, thereby, silicon is supplied from the silicon film to inhibit the silicide layer from growing downward, the junction leakage is then prevented. - 特許庁

表面形状処理部18は三元仮想空間で素材の表面形状を製造プロセス条件に従って逐的に成長変化させ、各格子点毎に素材の表面からの距離を表すレベル値を算出し、レベル値を対応する格子点の記憶領域に格納して表面形状を表現する。例文帳に追加

A surface shape processor 18 grows and changes a surface shape of a material one after another in the three-dimensional virtual space in accordance with production process conditions, computes a level value representing a distance from a surface of the material for each lattice point, stores the level value in the memory area of the corresponding lattice point, and expresses the surface shape. - 特許庁

ヒータによりインクを加熱し、気泡を大気に連通するまで成長させ、ヒータの上方にインク液滴を吐出するトップシュータ型のサーマルインクジェット方式によって画像記録を行うに際し、インク液滴を吐出した後、元の液面までインクが補充される前に副的なのインク液滴を吐出することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

At the time of recording an image by top shooter type thermal ink jet system where ink is heated by means of a heater, a bubble is grown until it communicates with the atmosphere and an ink liquid drop is ejected above the heater, minor ejection of next ink liquid drop is performed after an ink liquid drop is ejected before ink is supplemented up to the original liquid level. - 特許庁

SOI基板上に設定した濃度のGeを含むSiGeエピタキシャル層とシリコン薄膜とを順エピタキシャル成長を形成し、に酸化雰囲気下で所定の温度と時間で熱処理を複数回行なった基板において、酸化膜を除去した後にシリコン薄膜を形成したことを特徴とする半導体基板の製造方法である。例文帳に追加

In the process for producing a semiconductor substrate by epitaxially growing an SiGe epitaxial layer containing Ge at a set concentration and a silicon thin film sequentially on an SOI substrate and then performing heat treatment a plurality of times at a specified temperature in an oxidizing atmosphere, a silicon thin film is formed after the oxide film is removed. - 特許庁

基体1上に一元的に成長した多数の柱状相2と、それを取り囲むマトリックス相3とからなる複合膜4中の、柱状相2を除去することにより形成され、膜の一方の表面から他方の表面まで連続する壁で取り囲まれた一元的に貫通する多数の気孔を有し、水に対する接触角が30°以下である、防曇膜5。例文帳に追加

This anti-fogging film is formed by removing one-dimensionally grown columnar phases 2 from a composite film 4 consisting of a great number of the columnar phases 2 and a matrix phase 3 surrounding the columnar phases on a substrate 1 and has a great number of one-dimensionally penetrated pores enclosed by walls continuous from one surface of the film to the other surface and ≤30° contact angle to water. - 特許庁

特定の対称性の高い結晶方位から1元方向又は2元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション(CVD)成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei. - 特許庁

具体的には、投資環境に不安があることに加えて、のような条件を充たす国が考えられる。まず、日本から一定の投資が存在するまたは今後の成長・潜在的投資が見込まれる国、に、中東、旧ソ連などの資源国、最後に、南米、アフリカ地域等の地域市場に進出する拠点となる国等が候補となる。例文帳に追加

Possible candidates as contracting partners of bilateral investment treaties are the countries that satisfy the following conditions, apart from their investment environment being considered insecure: first, countries possessing or likely to receive a certain level of Japanese investment stock; second, resource-rich countries such as those in the Middle East and former Soviet Union; and finally, those who could serve as Japanese companiesregional headquarters for their operations in South America, Africa, etc. - 経済産業省

具体的には、投資環境に不安があることに加えて、のような条件を満たす国が考えられる。まず、日本から一定の投資が存在する又は今後の成長・潜在的投資が見込まれる国、に、中東、旧ソ連などの資源国、最後に、南米、アフリカ地域等の地域市場に進出する拠点となる国等が候補となる。例文帳に追加

More specifically, the countries that satisfy the following conditions, in addition to the concerns about the investment environment, may be potential parties to investment agreements: first, the countries in which a certain level of Japanese investment already exists, or the countries for which future growth or potential investment can be predicted; next, the countries with plentiful of resources such as Middle Eastern nations and the former Soviet Union; lastly, the countries that will become a key base for expansion into regional markets such as South America and African regions. - 経済産業省

当初は3 か国ではじまったイベントだが、2005 年には愛知万博の公式行事となったほか参加を要請する国がからへと増え続け、現在は15 か国が参加する世界最大のコスプレイベントに成長している(参加国:ドイツ、デンマーク、スペイン、フィンランド、フランス、イタリア、中国、韓国、シンガポール、タイ、オーストラリア、アメリカ、メキシコ、ブラジル、日本)。例文帳に追加

It started in three countries in the first place. However, Cospure became an official event in Aichi-Expo in 2005, then more and more countries made a move for a participation in Cospure events. At present, it has grown to the world biggest Cospure event with the participation of 15 countries (Country of participation: Germany, Denmark, Spain, Finland, France, Italy, China, Korea, Singapore, Thailand, Australia, America, Mexico, Brazil and Japan). - 経済産業省

頂芽成長点を含む上側茎を切除することを繰り返すことによって、母茎の節に多数の高枝茎が集中群生する高枝茎塊を形成し、その高枝茎を芽基および根基組織部分を着けて各個に分離し、無肥料の培土に葉数の同じ高枝茎を挿し植えした集合育苗器具同士を育苗ハウス内に間隔をあけて設置し、発根後に施肥して主根と分岐根を十分に伸長させ、本圃への移植前に順化させるとともに剪葉処理して苗丈を揃え、専用移植機で所要の株間で自動的に移植する。例文帳に追加

Then the main root and the branched roots are sufficiently extended by fertilizing after the rooting, and the acclimation before transplanting to a main field is executed and seedling heights are adjusted by leaf prunning, and then automatic transplantations of cane with a desired inter-stock spacing by an exclusive transplanter is performed. - 特許庁

それからまた、新成長戦略でございますが、このアクションプランを昨年12月に取りまとめましたが、金融も経済・産業の金融仲介機能としても大変大事でございますけれども、金融機関そのものが成長するということも大事だということも、新たな概念でございまして、金融は成長戦略の中に入っております。そういった意味で、法律の改正事項については一括化法案として期通常国会で提出、成立を図るほか、総合的な取引所については、昨年12月の中間整理というので、意見集約できていない論点がございますから、関係各省ともよく協議しつつ、政治として各関係省庁ともよく協議しつつ、政治主導で最終的にきちっと検討を進めて、結論を出したいと思っております。そして、国会の方に提出をさせていただきたいというふうに思っております。例文帳に追加

As for the New Growth Strategy, we adopted the Action Plan for the New Growth Strategy in December last year. The financial sector plays an important role as a financial intermediary for the economy and industry. However, as there is a new idea that it is important for financial institutions themselves to grow, the financial sector is covered by the New Growth Strategy. In light of that, we will incorporate legal amendments into a comprehensive bill and submit the bill with a view to enacting it during the next ordinary session of the Diet. On a comprehensive exchange, there are some points of debate over which a consensus was not reached in an interim report issued in December last year. Therefore, we would like to reach a conclusion after conducting final deliberations under political leadership while holding intensive consultations with relevant ministries. Then, we will submit the bill to the Diet.  - 金融庁

また、日本の経済成長が進み、水泳パンツが廉価で入手できるようになったことや、国民所得が上昇したことで、個性を求めて、ファッション性のある水着が求めらるようになり、臀部が露出する褌は恥ずかしいと、下着と同様、1960年代頃(昭和30年半ば頃)から、褌は若者から第に廃れて行った。例文帳に追加

Furthermore, because cheap swimming trunks became available with the progress of Japan's economic growth, and because Japanese people, with increased national income, started to want fashionable swimwear as an appeal of their individuality, and in 1960s young people gradually ceased to wear fundoshi, ashamed of exposing their buttocks.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

まず第一の点でございますけれども、先週発表された「金融市場戦略チーム」の第二報告書でも指摘されておりますように、対日投資というのは、我が国において少子高齢化が進展する中で、経済全体の活性化であるとか、雇用機会の拡大といったことを通じて我が国経済の持続的な成長にも貢献しうるものであると思っております。例文帳に追加

Regarding your first question, as pointed out by the second report issued last week by the Financial Markets Strategy Team, foreign investment in Japan may contribute to Japan's sustainable economic growth as the society ages by injecting vitality into the economy and expanding employment opportunities.  - 金融庁

このような状況下では、ユーロ圏においてより強固な経済・通貨統合の構築を継続し、米国と日本においては財政状況に関する不確実性を解消し、そして大きな一産品生産者の特別な環境を考慮しつつ黒字国において国内の成長源を強化するための、継続的な努力が必要である。例文帳に追加

Under these circumstances, a sustained effort is required to continue building a stronger economic and monetary union in the euro area and to resolve uncertainties related to the fiscal situation in the United States and Japan, as well as to boost domestic sources of growth in surplus economies, taking into account special circumstances of large commodity producers. - 財務省

我々は、この分析、対外的な持続可能性に向けた進ちょくに関する IMF の評価、及び我々の相互評価プロセスのその他の側面に基づいて、我々の回会合に向けて予防や是正に向けた措置を確認する。この措置は、強固で持続可能かつ均衡ある成長を確保する 2011 年版の行動計画となり、カンヌ・サミットにおいて首脳によって議論される。例文帳に追加

Based on this analysis, the IMF assessment on progress toward external sustainability, as well as the other aspects of our mutual assessment process, we will ascertain for our next meeting the corrective and preventive measures that will form the 2011 action plan to ensure Strong, Sustainable and Balanced Growth, to be discussed by Leaders at the Cannes Summit.  - 財務省

例文

フランスは,の方策を通じ,2013年に財政赤字を3%まで削減することにコミットする。中央政府及び健康保険支出におけるより厳しい歳出制限,より対象を絞った社会移転,成長に配慮した租税支出の削減,及び安定性を維持するために行われる既存の財政ルールの憲法での規定。例文帳に追加

France commits to reducing its fiscal deficit to 3% in 2013 through: tighter limits on central government and health insurance expenditure; better targeted social transfers; a growth-friendly reduction of tax expenditures; and the inscription of existing fiscal rules into the Constitution to anchor stability.  - 財務省

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