「消去チャネル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

多チャネルエコー消去装置、方法、記録媒体及び音声通信システム例文帳に追加

MULTI-CHANNEL ECHO CANCELLER, METHOD, RECORDING MEDIUM AND VOICE COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁

コンタクトレス・チャネル書き込み／消去を実行するフラッシュメモリセル及びその製造方法例文帳に追加

FLASH MEMORY CELL FOR EXECUTING CONTACTLESS CHANNEL WRITE/ERASURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

リード・ソロモン符号は消去チャネル上での使用のために最適化される。例文帳に追加

The Reed-Solomon code is optimized for the purpose of use on an erasure channel. - 特許庁

多チャネルエコー消去方法、その装置、そのプログラム及びその記録媒体例文帳に追加

MULTI-CHANNEL ECHO CANCELLATION METHOD, ITS APPARATUS, ITS PROGRAM, AND ITS STORAGE MEDIUM - 特許庁

多チャネル反響消去方法、その装置、そのプログラム及びその記録媒体例文帳に追加

MULTI-CHANNEL ECHO CANCELLATION METHOD, ITS APPARATUS, ITS PROGRAM, AND ITS STORAGE MEDIUM - 特許庁

消去検出の場合、送信機は無線チャネルを介してコードワードを送信する。例文帳に追加

For erasure detection, a transmitter transmits codewords via a wireless channel. - 特許庁

多チャネル音響エコー消去方法、その装置、そのプログラム及びその記録媒体例文帳に追加

METHOD AND SYSTEM FOR CANCELING MULTICHANNEL ACOUSTIC ECHO, ITS PROGRAM AND ITS RECORDING MEDIUM - 特許庁

チャネル経由で書込みと消去する嵌入式フラッシュメモリセル構造とその製造方法例文帳に追加

FIT IN TYPE FLASH MEMORY CELL STRUCTURE FOR WRITING AND DELETING VIA CHANNEL, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

多チャネル反響消去方法、その装置、そのプログラムおよびその記録媒体例文帳に追加

MULTIPLE CHANNEL ECHO CANCELING METHOD, APPARATUS AND PROGRAM AND RECORDING MEDIUM THEREOF - 特許庁

多チャネル音響エコー消去方法、その装置、そのプログラム及びその記録媒体例文帳に追加

MULTICHANNEL ACOUSTIC ECHO CANCELING METHOD, APPARATUS THEREOF, PROGRAM THEREOF, AND RECORDING MEDIUM THEREOF - 特許庁

選択された所定のメモリチャネルの登録データを消去する場合は、登録データを消去せずに、そのメモリチャネルのフラグビットのデータを“０”に書換える。例文帳に追加

At the time of erasing the registered data of the selected prescribed memory channel, the data of the flag bits of the memory channel are rewritten with '0' without erasing the registered data. - 特許庁

チャネル間で音声レベル差が顕著であり、話者が交代することを繰返しても高速に収束し、反響を消去することとができる多チャネル反響消去方法、装置及びプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a multi-channel echo canceling method, a multi-channel echo canceler, and multi-channel echo canceling program that enable high-speed convergence so as to cancel echo even when a voice level difference is remarkable between channels and talkers are changed repeated. - 特許庁

エコー経路の変動、ダブルトーク及び受話信号のチャネル間の相互相関に影響されずに、迅速にエコーを消去することができる多チャネルエコー消去技術を提供する。例文帳に追加

To provide a multi-channel echo erasure technology which can erase an echo swiftly without being affected by variance in an echo path and cross-correlation between a double-talk and a receiving signal channel. - 特許庁

方法は、ＵＥをＣＥＬＬ＿ＤＣＨ（セル専用チャネル）状態に入らせる接続設定メッセージを受信したときに、第一共通チャネルと第二共通チャネルを通してメッセージを受信するのを停止し、第一共通チャネルと第二共通チャネルに対応する関連情報を消去する段階を含む。例文帳に追加

The method includes stopping receiving a message through a first common channel and a second common channel and clearing related information, corresponding to the first and second common channels, when the UE receives a connection setup message configuring the UE to enter a CELL_DCH (cell-dedicated channel) state. - 特許庁

フラッシュＥＰＲＯＭセルのチャネルは、埋込層が（５００）フラッシュＥＰＲＯＭセルのチャネル間に低抵抗経路を設けるのでゲートとセルの基板との間に電圧電位差を与えることによって消去が行なわれることを可能にするまでフラッシュＥＰＲＯＭのチャネルは低減される。例文帳に追加

A low resistance path is provided between the channels of the flash EPROM cell by the buried layer 500, thereby reducing the channel of the flash EPROM until erasure can be performed by giving the voltage (potential difference) between a gate line 28 and the substrate of the cell. - 特許庁

チャネルホットエレクトロンを利用した書込みと、チャネル全面でのＦＮトンネル現象による消去とを行なうことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that allows writing by using channel hot electrons and an erasure by FN tunnel phenomenon over the entire channel surface. - 特許庁

複数の無線機に対して無線でチャネルの設定を行う周波数遠隔制御装置において、使用しない無線機のチャネルの情報を消去する。例文帳に追加

In the frequency remote control device which conducts channel setting for multiple radio devices using radio, the channel information for a unused radio device is erased. - 特許庁

このシステムおよび方法はＱＰＳＫ変調したデータ信号、すなわち変調データ信号が消去され再生搬送波をチャネル振幅およびチャネル位相推算に用いるＱＰＳＫ変調したデータ信号を用いる。例文帳に追加

The system and method uses a QPSK-modulated data signal, whereby the modulated data signals are removed and the recovered carrier is used for channel-amplitude and channel-phase estimation. - 特許庁

特に、巡回同一チャネル干渉をもつ低速周波数ホッピングチャネルについて、ＰＢＥＲしきい値の範囲から最適なＰＢＥＲしきい値を選択することによりフレーム消去性能を向上させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for improving frame erase performance by selecting the optimum pseudo-bit error rate(PBER) threshold from among the range of PBER threshold values, especially in a low-speed frequency hopping channel having the same cyclic channel interference. - 特許庁

通話の途中でチャネル間の遅延時間差に変動があったときにも、早期にチャネル間の遅延時間差消去が完了することを可能とするＡＴＭ交換機のＩＮＳ回線部における再同期方式を提供する。例文帳に追加

To provide a resynchronizing system for INS(R) line part of ATM exchange, with which the erasure of a delay time difference between channels can be completed speedily, even when the delay time difference between the channels fluctuates in the middle of speaking. - 特許庁

このセルは、チャネル領域の一部の上方にある選択ゲートと、チャネル領域の別の部分の上にある浮遊ゲートと、浮遊ゲートの上方にある制御ゲートと、浮遊ゲートに隣接する消去ゲートとを有する。例文帳に追加

The cell has a selection gate on the upper portion of the channel region, a floating gate on another portion of the channel, a control gate on the floating gate, and an erase gate adjoining the floating gate. - 特許庁

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。例文帳に追加

To rewrite data by FN tunnel current from entire surface of channel in a data writing and erasing element in a nonvolatile memory cell. - 特許庁

さらに、チャネル形成領域の下側に、浮遊ゲートと対向する位置に消去用の金属配線を設けた構造とする。例文帳に追加

In addition, a metal wiring for erasing is provided in a lower side of the channel formation region so as to face the floating gate. - 特許庁

上記構造により、消去動作において、浮遊ゲートに蓄積された電荷はチャネル形成領域を介して金属配線に引き抜かれる。例文帳に追加

With the above structure, when erasing operation is performed, charges accumulated in the floating gate are extracted to the metal wiring through the channel formation region. - 特許庁

また、データ書き込み・消去用の容量部ＣＷＥにおけるデータの書き換えはチャネル全面のＦＮトンネル電流により行う。例文帳に追加

In addition, data in the capacitor part CWE for writing and erasing data are rewritten by FN tunnel current on the entire surface of channels. - 特許庁

ゲート後酸化膜を薄くしてＭＯＮＯＳ メモリセルトランジスタ特有の短チャネル特性の悪化または消去速度を改善する。例文帳に追加

To improve deterioration of short channel characteristics peculiar to an MONOS memory cell transistor or an erasing speed by thinning an oxide film after gating. - 特許庁

チャネルアダプタ（CHA）が交換される場合、そこに保持されているセキュリティ情報を消去してセキュリティ性を向上させる。例文帳に追加

To improve security by erasing security information stored in a channel adaptor (CHA) in the case of substituting the CHA. - 特許庁

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。例文帳に追加

To provide a technique for rewriting data by an FN tunnel current of the entire surface of a channel, in an element for writing and erasing data of a nonvolatile memory cell. - 特許庁

測定構成に関連した幾何学的構成は消去され、仮想チャネルの数は物理センサの数より明らかに少なくなる。例文帳に追加

The geometry related to the measurement arrangement is dissipated, and the number of virtual channels is clearly lower than the number of physical sensors. - 特許庁

フラッシュメモリセルの正常なチャネル書き込み／消去フラッシュメモリ構造と、その製造方法、及び操作方法を提供する。例文帳に追加

To provide a channel write/erase flash memory structure of a flash memory cell, to provide its manufacturing method, and an operating method. - 特許庁

また、このリモコンの正面には、この記憶部から履歴データを選局された順序にしたがって所定数読み出してチャネルを表示する表示部１２ａ〜ｅと、ダイレクトチャネル選局ボタン１６ａ〜ｅと、チャネル表示切替スイッチ１８と、スクロールチャネル選局スイッチ２０と、消去ボタン１４ａ〜ｅとを備えている。例文帳に追加

Further, the remote controller 10 on its front panel includes: display sections 12a to 12e for reading a prescribed number of the history data from the storage section in the sequence of selections and displaying the channels; direct channel selection buttons 16a to 16e; a channel display changeover switch 18; a scroll channel selection switch 20; and erasure buttons 14a to 14e. - 特許庁

データ書き込み・消去用の電荷注入放出部ＣＷＥでは、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータの書き込みおよび消去を行う。例文帳に追加

Writing and erasure of data are carried out by the data writing/erasing electric charge injection/discharge unit CWE by the use of an FN tunnel current of a whole channel surface. - 特許庁

受信信号の音声の音質を劣化させることなくエコーパスを推定し、エコーを消去できる多チャネルエコー消去装置、方法、記録媒体及び音声通信システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-channel echo canceller, that estimates echo path without deteriorating the voice quality of received signal to cancel echo, and to provide its method, a recording medium and a voice communication system. - 特許庁

データ書き込み・消去用の容量部ＣＷＥでは、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータの書き換え（書き込みおよび消去）を行う。例文帳に追加

In the data writing/erasing capacitor CWE, rewriting (writing and erasing) for data is executed by the FN tunnel current of the entire surface of the channel. - 特許庁

半導体のチャネル形成領域とゲート電極との間に介在するゲート絶縁膜内に平面的に離散化された電荷蓄積手段を含むメモリトランジスタに対し、その消去Ｖthの収束性向上ができる消去時のオペレーションとして、書き込み−消去、消去後に少なくとも１回の書き込み−消去、または複数回の書き込み−消去を行う。例文帳に追加

This erasing method performs writing and erasure and then writing and erasure at least once or several times, after the erasure as operation for erasure which can improves the convergence of an erasure Vth of a memory transistor, including charge storage means which are made discrete in plane in a gate insulating film interposed of a channel formation region and a gate electrode of a semiconductor. - 特許庁

第１の転送ゲート１３は書き込みイネーブル信号ＷＲＴによってオンオフが制御されたＰチャネル型ＭＯＳトランジスタで構成され、第２の転送ゲート１４は消去イネーブル信号ＥＲＡによってオンオフが制御されたＰチャネル型ＭＯＳトランジスタで構成されている。例文帳に追加

The first transfer gate 13 comprises a P channel type MOS transistor which is on/off-controlled by a write enable signal WRT, and the second transfer gate 14 comprises the P channel type MOS transistor which is on/off-controlled by an erase enable signal ERA. - 特許庁

チャネル形成領域を具備する半導体膜と、半導体膜のチャネル形成領域上に絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲートとを形成し、浮遊ゲートを半導体膜と仕事関数が異なる材料で設け、チャネル形成領域に不純物元素を導入することによって、書き込み電圧と消去電圧を概略同一とする。例文帳に追加

A semiconductor film having a channel forming region and a floating gate provided on the channel forming region of the semiconductor film through an insulating film are formed, the floating gate is provided by a material whose work function is different from the semiconductor film, and by introducing impurity elements to the channel forming region, a writing voltage and an erasing voltage is made roughly the same. - 特許庁

フラッシュメモリでチャネル消去を行う場合に、消去パルスの印加が終了した後のシャットダウンシーケンスにおいて、上記ラッチアップを防止できる不揮発性半導体メモリのウェル電圧設定回路およびそれを備えた半導体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a well-voltage setting circuit of a nonvolatile semiconductor memory, where latchup can be prevented in a shutdown sequence after applying an erasing pulse has finished in the case that channel deletion is performed by using a flash memory, and to provide a semiconductor storage device having the circuit. - 特許庁

本発明には、データスライス装置、データビットからチャネルビットへの変調パルス幅判断装置、復調装置、消去アドレス検知装置及びＥＣＣデコード装置を包含し。例文帳に追加

The system comprises a data slice apparatus, a modulation pulse width judging apparatus for channel bits from data bits, a demodulation apparatus, an erasure address detecting apparatus, and an ECC decode apparatus. - 特許庁

ショートチャネル効果による特性不良を引き起こすことなく、ＦＮ電流による書き込み消去動作に必要な高いゲートカップリング比をもつ不揮発性半導体記憶装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which has a high gate coupling ratio needed for writing/erasing using an FN current without causing characteristic defects due to short-channel effect. - 特許庁

複数ＣＰＵ間での排他制御を考慮する必要がなく、簡単な制御で、他の動作の割り込み無く複数チャネルの不揮発性メモリの消去動作を実施すること。例文帳に追加

To erase multichannel nonvolatile memories without interrupts of other operations with simple control, dispensing with consideration for exclusive control among a plurality of CPUs. - 特許庁

複数ＣＰＵ間での排他制御を考慮する必要がなく、簡単な制御で、他の動作の割り込み無く複数チャネルの不揮発性メモリの消去動作を実施する。例文帳に追加

To erase data from nonvolatile memories of a plurality of channels without interruption of other operations or consideration of exclusive control between a plurality of CPUs, by simple control. - 特許庁

データ消去動作時には、ＦＥＴ２０のチャネルに電流を流してホットホールを発生させ、これをＣＧに負電圧を印加してＦＧに注入させる。例文帳に追加

In a data deleting operation, a current is applied to a channel of the FET 20 to generate hot holes, and the hot holes are implanted into the FG by applying a negative voltage to the control CG. - 特許庁

本発明は、不揮発性メモリにおいて、フローティングゲートとソースとの間にオーバーラップ部分を設けずに、チャネル領域とフローティングゲートとの間でトンネル電流を流して消去を行うことを特徴とする。例文帳に追加

To obtain a nonvolatile memory in which erasure is accomplished by passing a tunnel current between the channel region and a floating gate without providing any overlapped part between the floating gate and the source. - 特許庁

チャネルとソースドレインとの間への不安定スペースの発生を防ぎ、書込と消去動作が安定した不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device wherein a space can be prevented from being unstably generated between a source and a drain of a channel and writing and deleting operations are stabilized, and its manufacturing method. - 特許庁