「界面酸化膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

炭化珪素酸化時の炭素の発生を抑制し、良好な炭化珪素/シリコン酸化膜界面を得る。例文帳に追加

To obtain an excellent silicon carbide/silicon oxide film interface by suppressing generation of carbon in silicon carbide oxidization. - 特許庁

金属酸化膜２の形成時に、シリコン基板１の表面を酸化させることにより、界面層３となるシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film as an interface layer 3 is formed by oxidizing the surface of the silicon substrate 1, when the metallic oxide film 2 is formed. - 特許庁

低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。例文帳に追加

To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels. - 特許庁

界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density. - 特許庁

そのため形成される酸化膜とＳｉＣ界面をより理想的な状態にすることができ、酸化膜／ＳｉＣ界面の界面準位が小さく、良好な絶縁膜を得ることができる。例文帳に追加

Thus, an interface between the formed oxide film, the SiC can be made in a more ideal state, and proper insulating film having a small interface level of the oxide film/SiC interface can be obtained. - 特許庁

第１のゲート絶縁膜８は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。例文帳に追加

The first gate insulated film 8 is a silicon oxide film as a underlying interface layer. - 特許庁

ＴｉＮ膜と半導体基板１００界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。例文帳に追加

A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film. - 特許庁

Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。例文帳に追加

To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film. - 特許庁

これにより、チャネル領域は、第２の酸化物半導体膜と接する第１の酸化物半導体膜の界面近傍（つまり、バンドギャップが小さい酸化物半導体膜の界面近傍）に形成される。例文帳に追加

Thus, a channel region is formed in the vicinity of the boundary of the first oxide semiconductor film that is in contact with the second oxide semiconductor film (that is, in the vicinity of the boundary of the oxide semiconductor film with a smaller band gap). - 特許庁

半導体基板２１上に形成されたゲート酸化膜２３と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜２５と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜２７とを備える。例文帳に追加

The semiconductor element is provided with a gate oxide film 23 formed on a semiconductor substrate 21, a conductive film 25 formed at the upper part of the gate oxide film and a metal oxide film 27 formed at the boundary of the gate oxide film and the conductive film for the gate. - 特許庁

酸化膜３越しにエネルギービームを照射することで、半導体薄膜５酸化膜３との間に平坦な界面を形成することができる。例文帳に追加

The energy beam is applied across the oxide film 3, thus forming the flat interface between the semiconductor thin film 3 and oxide film 3. - 特許庁

半導体膜の表面の酸化工程により形成される酸化膜と半導体膜の界面の形状を精度良く求める。例文帳に追加

To accurately determines profiles of interface between an oxide film formed by an oxidation process of a surface of a semiconductor film and the semiconductor film. - 特許庁

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。例文帳に追加

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31. - 特許庁

これにより、酸化膜１２および酸化膜１２と基板１１との界面における欠陥密度が低減し、欠陥密度が低い絶縁膜が得られる。例文帳に追加

Consequently, the defect densities in the oxide film 12 and at the boundary between the film 12 and the substrate 11 decrease, and an insulating film having low defect density is obtained. - 特許庁

薄膜酸化物を製造する方法であって、熱酸化のバルク特性および界面特性に近いバルク特性および界面特性を有する薄膜酸化物を生成する方法が提供される。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an oxide thin film, having bulk characteristics and interface characteristics nearly equal to the bulk characteristics and the interface characteristics of thermal oxidation. - 特許庁

また、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜の界面は、お互いの未結合手が結合し合っている。例文帳に追加

At the boundary between the first oxide semiconductor film and the second oxide semiconductor film, the dangling bonds of the both are coupled with each other. - 特許庁

これにより、二酸化シリコン膜１５の成長は、シリコン基板１と二酸化シリコン膜１５との界面（シリコン基板１の表面）で起こる。例文帳に追加

In this process, growth of the silicon dioxide film 15 occurs at the interface between the silicon substrate 1 and the silicon dioxide film 15 (that is, the surface of the silicon substrate 1). - 特許庁

また、不感領域を酸化膜ＯＸの直下に設けることで、酸化膜ＯＸとの界面の劣化による出力変動を抑制することができる。例文帳に追加

Further, output variations caused by deterioration of an interface with an oxide film OX can be suppressed by providing an insensible region just under the oxide film OX. - 特許庁

下部電極１の最表面をＴｉＡｌＮ膜３とし、ＴｉＡｌＮ膜３と酸化物誘電体膜５との界面にチタン酸化物及びアルミ酸化物を含む酸化物系膜４を設ける。例文帳に追加

The front most surface of a lower electrode 1 is made of a TiAlN film 3, and an oxide-based film 4, containing titanium oxide and aluminum oxide, is provided on an interface in between the TiAlN film 3 and the oxide dielectric film 5. - 特許庁

下地の熱酸化膜１３により界面準位等の構造的欠陥が抑制されるとともに、当該熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜１４によってゲート酸化膜の厚み調整が可能となる。例文帳に追加

The thermal oxide film 13 of a substrate prevents a structural defect in an interface level, or the like, and a CVD oxide film 14 formed on the thermal oxide film can adjust the thickness of the gate oxide film. - 特許庁

半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。例文帳に追加

To prevent increase in interface levels due to nitrogen atoms and hydrogen atoms on an interface between a semiconductor substrate and a silicon oxide film. - 特許庁

ＳｉＣ半導体を用いたＭＯＳ構造を有する半導体装置において、酸化膜との界面における界面準位密度を低くする。例文帳に追加

To lower interface level density in an interface with an oxide film in a semiconductor device having an MOS structure using an SiC semiconductor. - 特許庁

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low. - 特許庁

ポリシリコン／シリコン界面の界面酸化膜の破壊が促進され、エミッタ寄生抵抗が低減される。例文帳に追加

The breakdown of an interface oxide film of a polysilicon/silicon interface is accelerated, and emitter parasitic resistance is reduced. - 特許庁

補間算出部は、シリコン酸化膜界面の方向を示す点である界面（ρ、φ）を点Ｐとして三角形網目３０にプロットする。例文帳に追加

The interpolation calculation unit plots points showing the direction of the silicon oxide film interface or the interface (ρ, ϕ) as a point P to plot into the triangular meshes 30. - 特許庁

界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a gate oxide film/a semiconductor interface having an interface level density, and a method for forming the same. - 特許庁

ＳｉＣとゲート酸化膜との界面における残留炭素を除去し、界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させる。例文帳に追加

To enhance channel mobility by removing residual carbon on the interface of SiC and a gate oxide film thereby reducing an interface level densi ty. - 特許庁

ＣＭＰ（化学機会研磨）による、酸化膜界面の界面準位発生による画質低下を低減する。例文帳に追加

To reduce degradation of image quality caused by interface state occurrence of oxide film interface, by means of CMP (Chemical Mechanical Polishing). - 特許庁

第１の高誘電体膜１０３は、界面酸化層１０２の上に設けられ、窒素を含有している。例文帳に追加

The first high-dielectric film 103 is prepared on the interface oxidation layer 102, containing nitrogen. - 特許庁

サファイア基板上高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその作製方法例文帳に追加

HIGH CRITICAL FACE CURRENT SUPERCONDUCTING OXIDE THIN FILM ON SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

鉄２表面の酸化被膜が還元され、その界面活性作用で銅の濡れが進行する。例文帳に追加

The oxidized film on the surface of the iron 2 is reduced, and, by its surface active action, the wetting of the copper progresses. - 特許庁

これによって、多結晶シリコンと二酸化シリコン膜の界面位置を特定できる。例文帳に追加

The interface position between the polycrystal silicon film and the silicon dioxide film can be specified thereby. - 特許庁

このため、熱酸化膜と半導体基板の界面において、応力の発生が抑制される。例文帳に追加

Thus, occurrence of stress is suppressed in the interface of the thermal oxide film and the semiconductor substrate. - 特許庁

耐酸化膜１２の界面１２ａは、ナトリウムと、チタンと、酸素とを含有する。例文帳に追加

The interface 12a of the oxidation-resistant film 12 contains sodium, titanium and oxygen. - 特許庁

第２ゲート絶縁膜17とゲート電極21との界面での酸化反応を抑制できる。例文帳に追加

An anodic reaction can be suppressed on the interface between the second gate insulating film 17 and the gate electrode 21. - 特許庁

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。例文帳に追加

Nitrogen is added to the vicinity of an interface of an oxide semiconductor layer for improving the interface state between the oxide semiconductor layer and an insulation film (gate insulation layer) in contact with the oxide semiconductor layer. - 特許庁

酸化物誘電体膜の成膜方法に関し、金属膜上に、密着性に優れ、界面欠陥の少ない酸化物誘電体膜を形成しうる酸化物誘電体膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an oxide dielectric film having superior adhesion and few interface defects on a metal film. - 特許庁

基板１上に形成された金属酸化物薄膜２と金属薄膜３との積層膜において、金属薄膜３の金属酸化物薄膜２との界面に、金属薄膜を構成する金属の酸化物層４を形成する。例文帳に追加

In the laminated film of the metal oxide thin film 2 and the metal thin film 3 formed on the base 1, a layer 4 of an oxide of the metal constituting the metal thin film is formed on the interface of the metal thin film 3 with the metal oxide thin film 2. - 特許庁

シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。例文帳に追加

Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film. - 特許庁

三次元の酸化シミュレーションにおいて、任意方向のシリコン酸化膜界面の面方位因子を算出する。例文帳に追加

To operate the field direction factor of silicon oxide film in an arbitrary direction in a three-dimensional oxidation simulation. - 特許庁

耐酸化膜１２は、サーメット基材１１との界面１２ａと、最表面１２ｂとで異なった組成を有する複合酸化物によって構成される。例文帳に追加

The oxidation-resistant film 12 comprises a composite oxide having different compositions in an interface 12a with the cermet substrate 11 and in an outermost surface 12b from each other. - 特許庁

耐酸化膜１２は、サーメット基材１１との界面１２ａと、最表面１２ｂとで異なる組成を有する複合酸化物によって構成される。例文帳に追加

The oxidation-resistant film 12 is composed of a compound oxide having a different composition between the intersurface 12a with the cermet base material 11 and the uppermost surface 12b. - 特許庁

導電性酸化物膜は、第２の元素Ｂを含む酸化物膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも低くしている。例文帳に追加

In the conductive oxide film, intrafilm oxygen concentration near an interface with the oxide film including the second element B is lower than that in the other part of the conductive oxide film. - 特許庁

ＬＯＣＯＳ酸化膜形成時に必要以上に酸化温度を高くしなくても、酸化時にＬＯＣＯＳ酸化膜とシリコン基板との界面に生じる応力による影響を抑制できるようにする。例文帳に追加

To inhibit the effect caused by the stress produced in the interface between an LOCOS oxide film and a silicon substrate during oxidization, without making oxidization temperature higher than needed during LOCOS oxide film formation. - 特許庁

酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。例文帳に追加

When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side. - 特許庁