「窒素属」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

触媒活性な金属種を担持させることなく、水素型及び／又はアンモニウム型のβゼオライトからなる触媒を、一酸化窒素及び二酸化窒素を含有する処理ガスにアンモニアを還元成分として添加し、接触させることを特徴とする窒素酸化物を接触還元浄化する方法。例文帳に追加

The catalyst, which consists of a hydrogen-type and/or ammonium-type β-zeolite without having a catalytically-active metallic species supported, is made to contact a treatment gas containing NO and NO_2 while adding NH_3 as a reduction component. - 特許庁

アンモニア性窒素及び亜硝酸性窒素を含有する原水を、アンモニア性窒素を電子供与体とし、亜硝酸性窒素を電子受容体として脱窒反応を行うＡＮＡＭＭＯＸ微生物で生物脱窒するに当たり、厳密な薬注制御や条件制御を必要とすることなく、ＡＮＡＭＭＯＸ微生物の活性を維持した上で、ＡＮＡＭＭＯＸ脱窒槽内で生成した硝酸性窒素を従属栄養性脱窒微生物により脱窒することにより、残留窒素の少ない高水質処理水を得る。例文帳に追加

To obtain high-quality treated water containing a small amount of residual nitrogen from raw water containing ammonia nitrogen and nitrite nitrogen by denitrifying nitrate nitrogen generated in an ANAMMOX denitrification tank by heterotrophic denitrification microorganisms while maintaining activities of ANAMMOX (autotrophic denitrification) microorganisms without requiring strict chemical dosing control and condition control for biological denitrification carried out by the ANAMMOX microorganisms performing a denitrification reaction where ammonia nitrogen acts as an electron donor and nitrite nitrogen acts as an electron acceptor. - 特許庁

有害性の指摘されている金属が含有されておらず、窒素酸化物の浄化を効率よく行うことができる触媒と、窒素酸化物の生成を抑制し、スリップアンモニアの酸化分解を効率よく行うことができる触媒を用いた、窒素酸化物浄化用触媒システム及び窒素酸化物の浄化方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a catalyst system for cleaning nitrogen oxide using a catalyst containing no metal in which harmful property is pointed out and capable of efficiently performing cleaning of nitrogen oxide and a catalyst suppressing production of nitrogen oxide and capable of efficiently performing oxidation decomposition of slipped ammonia, and a cleaning method for nitrogen oxide. - 特許庁

触媒担持体１０に、ブラウンミラライト型複合酸化物粒子２１と、貴金属触媒粒子２２の複合物からなる窒素酸化物除去触媒２０を担持させると共に、該窒素酸化物除去触媒２０上に、窒素酸化物を通過させるが、該窒素酸化物除去触媒２０を被毒するガスを通過させない、分子レベルの大きさの細孔３１を持つ選択的ガス透過膜３０を設けて構成する。例文帳に追加

The exhaust gas purifying apparatus is constituted so as to carry the nitrogen oxides removing catalyst 20 composed of brown milarite type multiple oxide particles 21 and noble metal catalyst particles 22 on a catalyst support 10 and to provide a selective gas permeation membrane 30 having molecular level sized fine pores 31, through which nitrogen oxides are passed through but gas poisoning the nitrogen oxides removing catalyst 20 is not passed through, on the nitrogen oxides removing catalyst 20. - 特許庁

該フッ素非含有シロキサン樹脂が、２官能シラン化合物、３官能シラン化合物及び４官能シラン化合物の少なくともいずれかのシラン化合物を重合して得られる態様、該窒素含有成分が、窒素含有化合物、窒素含有オリゴマー及び窒素含有ポリマーから選択される少なくとも１種である態様、金属非含有界面活性剤を含有する態様などが好ましい。例文帳に追加

The fluorine-noncontaining siloxane resin is preferably a mode obtained by polymerizing at least any silane compound of a bifunctional silane compound, a trifunctional silane compound and a tetrafunctional silane compound, a mode in which the nitrogen-containing component is at least one kind selected from a nitrogen-containing compound, a nitrogen-containing oligomer and a nitrogen-containing polymer, a mode, etc., containing a metal-noncontaining surfactant. - 特許庁

基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、Ａｌを含む半導体層と窒素を含む活性層はそれぞれ有機金属Ａｌ原料と窒素化合物原料を用いて成長されており、Ａｌを含む半導体層２０２と窒素を含む活性層２０４との間にＧａＮＡｓ層２１３（またはＧａＩｎＮＡｓ層）が形成されることを特徴とする。例文帳に追加

In the semiconductor light-emitting element, provided with a semiconductor layer containing Al between a substrate and an active layer containing nitrogen, the semiconductor layer containing Al and the active layer containing nitrogen are grown by using an organometallic Al material and nitrogen compound material, respectively; and a GaNAs layer 213 (or GaInNAs layer) is formed between a semiconductor layer 202, containing Al and an active layer 204 containing nitrogen. - 特許庁

１種類以上の還元剤の存在下に硝酸性窒素を含む被処理水に対して、銅とマンガンとの酸化物に加え、助触媒として作用するニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、セリウム、タングステン、バナジウム、モリブデン、スズから選択される１種類以上の金属の酸化物を含む硝酸性窒素含有水処理用固体触媒を用いることにより、硝酸性窒素含有水の硝酸性窒素を除去する。例文帳に追加

Nitrate-nitrogen is removed from nitrate nitrogen-containing water by using, adding to oxides of copper and manganese, the solid catalyst for treating nitrate nitrogen-containing water containing one or more kinds of metallic oxides selected from among nickel, cobalt, iron, zinc, cerium, tungsten, vanadium, molybdenum, and tin, which act as a promoter, to water to be treated containing nitrate-nitrogen in the presence of one or more reducing agents. - 特許庁

金属クロム粉または窒化クロム粉を、常圧下、窒素雰囲気下で加熱処理する際に、加熱温度を１０５０℃未満、または１０５０℃以上〜１５００℃以下に制御し、また加熱処理後の冷却雰囲気を窒素雰囲気または非窒素雰囲気に調整することによって、窒素含有量の異なる窒化クロム粉を製造する。例文帳に追加

The chromium nitride powder having a difference in nitrogen contents is manufactured by controlling the heating temperature to <1050°C or ≥1050°C to ≤1500°C at the time of heating metal chromium powder or chromium nitride powder under a normal pressure and a nitrogen atmosphere and adjusting the cooling atmosphere after heating to a nitrogen atmosphere or a non-nitrogen atmosphere. - 特許庁

半導体基板１の上に形成された下側金属膜２と、下側金属膜２の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属２から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜５と、バリア層５の上に形成された上側金属膜６とを含む。例文帳に追加

A semiconductor device contains a lower metallic film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a barrier film 5 which is formed on the metallic film 2 and composed of a metal containing nitrogen in such a way that the nitrogen concentration becomes lower as going farther from the metallic film 2, and an upper metallic film 6 formed on the barrier layer 5. - 特許庁

窒素化合物の存在下にて金属ガリウム粉末またはガリウム化合物粉末を粉砕することによって、窒素元素とガリウム元素を含む粉末を製造する。例文帳に追加

A powder containing nitrogen and gallium elements is produced by pulverizing a metal gallium powder or a gallium compound powder in the presence of a nitrogen compound. - 特許庁

過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、炭化水素、含酸素化合物あるいは一酸化炭素の存在下、窒素酸化物を含むガスから窒素酸化物を除去するための触媒を、卑金属元素を用いて安価に提供することである。例文帳に追加

To inexpensively provide a catalyst for removal of NOx from gas containing NOx in the presence of hydrocarbons, oxygen-containing compounds or carbon monoxide in an oxidative atmosphere in which excess oxygen is present by using base metal elements. - 特許庁

この多環式置換基は、環骨格を構成する少なくとも１つの原子が窒素原子である複素環構造を少なくとも１つ含み、この窒素原子は、遷移金属に配位している。例文帳に追加

The polycyclic substituent groups contain each at least one heterocyclic structure in which at least one atom constituting a ring skeleton is a nitrogen atom and the nitrogen atom is coordinated with the transition metal. - 特許庁

圧縮空気から酸素ガスを除去することで作り出した窒素ガスを、アルカリ金属に接触させることで残った酸素ガスと反応させて除去し、更に濃度の高い窒素ガスを作り出した。例文帳に追加

In this method, nitrogen gas produced by removing oxygen gas from a compressed air is brought into contact with an alkali metal by which a residual oxygen gas is reacted and removed and nitrogen gas of a higher concentration is obtained. - 特許庁

炭化ケイ素粉末、非金属系焼結助剤、及び窒素化合物の混合物を、窒素雰囲気下で焼結する工程を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法である。例文帳に追加

This method for producing the silicon carbide sintered body is characterized by a step for sintering a mixture of a silicon carbide powder, a nonmetallic sintering adjuvant and a nitrogen compound in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

この窒素はアルミニウム合金膜２０の成膜前に行う高融点金属窒化物膜（ＴｉＮ）からなる第２のバリア層１９中から発生する未反応窒素である。例文帳に追加

This nitrogen is a not-yet-reacting nitrogen generated from a second barrier layer 19 comprising a high-melting-point metal nitride film (TiN) formed before the aluminum alloy film 20 is formed. - 特許庁

本発明は、酸素が存在するところで、アンモニアが酸化され、窒素の酸化状態がより高い種、好ましくは窒素元素Ｎ_２になるように、Ｐｔ、Ｐｄ又はＲｕなどの貴金属系触媒を利用する。例文帳に追加

Under a condition in which oxygen is present, noble metal-based catalyst such as Pt, Pd and Ru is used so that ammonium is oxidized, and a species becomes a kind of higher oxidized state of nitrogen, preferably, nitrogen element N_2. - 特許庁

この場合、有機金属気相成長炉内の塩化水素ガスが有機窒素原料と化学反応し、有機窒素原料中のＮ—Ｈ結合が切断される。例文帳に追加

In this case, the hydrochloric gas in the metal organic chemical vapor deposition furnace initiates a chemical reaction with the organic nitrogen material, and thereby the N-H bond in the organic nitrogen material is cut. - 特許庁

基板上にIII族金属窒化物薄膜を成長させるＭＯＣＶＤ法において、従来のアンモニアを窒素供給源として使用する場合の課題を解決し得る、活性化窒素原子を使用する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for using activated nitrogen atom, capable of solving problems in the case using conventional ammonia as nitrogen feed source in MOCVD method (organometallic compound chemical vapor deposition method) for growing a III group metal nitride thin film on a substrate. - 特許庁

半導体装置において、弗素添加酸化珪素膜４Ａ上に窒素添加酸化珪素膜４Ｂが配設され、この窒素添加酸化珪素膜４Ｂ上に第２層目の金属配線６が配設されている。例文帳に追加

In the semiconductor device, a nitrogen added silicon dioxide thin film 4B is stacked on a fluorine added silicon dioxide thin film 4A, and on the top of this nitrogen added dioxide thin film 4B, the metallic wires 6 of a second layer are arranged. - 特許庁

窒素を含有する金属の粉末であり、含有する窒素量Ｗ［ｐｐｍ］と、ＢＥＴ法により測定された比表面積Ｓ［ｍ^２／ｇ］との比Ｗ／Ｓが、５００〜３０００である。例文帳に追加

In the nitrogen-containing metal powder, the ratio W/S of the amount of contained nitrogen W[ppm] to the specific surface area S[m^2/g] measured by the BET method is 500-3,000. - 特許庁

窒素を含有する金属の粉末であり、含有する窒素量Ｗ［ｐｐｍ］と、ＢＥＴ法により測定された比表面積Ｓ［ｍ^2/ｇ］との比Ｗ／Ｓが、５００〜３０００である。例文帳に追加

The powder is that of the nitrogen-containing metal, and the ratio between the amount of contained nitrogen W [ppm] and the specific surface area S [m^2/g] measured by the BET method, W/S ranges from 500 to 3000. - 特許庁

基板上に担持された遷移金属ナノクラスターに予め水分子を吸着させ、これを窒素ガスと水蒸気に接触させることにより、アンモニア等の窒素水素化物を室温で合成することができる。例文帳に追加

A nitrogen hydride such as ammonia can be synthesized at room temperature by causing the transition metal nanocluster supported on a substrate to adsorb water molecules beforehand and subsequently causing the same to contact a nitrogen gas and steam. - 特許庁

ポリ乳酸、金属含有触媒、リン酸系失活剤、並びにカルボジイミド基を１個有しその第一窒素と第二窒素とが結合基により結合されている環状構造化合物からなる組成物。例文帳に追加

The composition comprises: polylactic acid; a metal-containing catalyst; a deactivator based on phosphoric acid; and a ring-structured compound having a carbodiimide group wherein the first and second nitrogens thereof are bound to each other via a linking group. - 特許庁

ポリ乳酸、金属含有触媒、メタリン酸系失活剤、並びにカルボジイミド基を１個有しその第一窒素と第二窒素とが結合基により結合されている環状構造化合物からなる組成物。例文帳に追加

The composition comprises: polylactic acid; a metal-containing catalyst; a deactivator based on metaphosphoric acid; and a ring-structured compound having a carbodiimide group wherein the first and second nitrogens thereof are bound to each other via a linking group. - 特許庁

金属水素化物を窒素ガス又はアンモニアガス下、加熱することを特徴とする当該金属窒化物の製造方法。例文帳に追加

In this method of manufacturing the metal nitride, a metal hydride is heated in nitrogen gas or ammonia gas. - 特許庁

前記有害物質が二酸化窒素である場合、前記光触媒に担持させる金属または金属酸化物は銅または酸化銅である。例文帳に追加

When the toxic substance is nitrogen dioxide, the metal or metal oxide that is supported on the photocatalyst is copper or copper oxide. - 特許庁

その後、シリコン含有薄膜上に窒素、及び金属を含む第２のガスを暴露し、ケイ化窒化金属膜７を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the thin film containing silicon is exposed in second gas containing nitrogen and metal to form a silicificated nitrided metal film 7. - 特許庁

その結果、硬化層はチタンと貴金属からなる金属間化合物の合金層およびチタンへの窒素、酸素の拡散層とから形成される。例文帳に追加

As a result thereof, a hardening layer is formed of an alloy layer of intermetallic compound consisting of the titanium and the noble metal, and a diffusion layer of nitrogen and oxygen to titanium. - 特許庁

希土類−遷移金属系合金粉末、希土類−遷移金属−窒素系合金粉末及びその製造方法例文帳に追加

RARE EARTH-TRANSITION METAL BASED ALLOY POWDER, RARE EARTH-TRANSITION METAL-NITROGEN BASED ALLOY POWDER, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

隔離室内の窒素ガスに含まれる酸素と金属製の酸素除去部材とが反応して生成される金属酸化物の還元時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten the reduction time of a metal oxide produced by reaction between oxygen contained in a nitrogen gas in an isolation chamber and a metallic oxygen-removing member. - 特許庁

前記金属酸窒化膜中の前記金属原子と前記窒素との結合は、１０^19／ｃｍ^3以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The bond between the metallic atom and the nitrogen in the metallic acid nitride film is 10^19/cm^3 or less. - 特許庁

結晶作製装置１００は、金属Ｎａと金属Ｇａとを含む混合融液に窒素ガスを供給して第１のＧａＮ結晶を作製する。例文帳に追加

The crystal forming unit 100 forms a first GaN crystal by supplying nitrogen gas into melt mixture containing metal Na and metal Ga. - 特許庁

バーテシリウム属に属する微生物を用いて、含窒素複素環化合物のメチル基をカルボン酸基へ変換する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for converting the methyl group of a nitrogen- containing heterocyclic compound into a carboxyl group with a microorganism belonging to Verticillium sp. - 特許庁

活性金属の偏析層は、活性金属と窒化物系セラミック部材中の窒素との反応物により主として構成されている。例文帳に追加

The segregated layer of the active metal is mainly constituted of a reaction product of the active metal and nitrogen contained in the nitride ceramic member. - 特許庁

ＧａＮなどの第１３族金属窒化物を添加すれば、液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比も調整することができる。例文帳に追加

By adding the group 13 metal nitride such as GaN, the molar ratio between the nitrogen element and the group 13 metal element in the liquid can be adjusted as well. - 特許庁

希土類−遷移金属系合金粉末の製造方法、希土類−遷移金属−窒素系合金粉末及びその製造方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING RARE EARTH-TRANSITION METAL-BASED ALLOY POWDER, RARE EARTH-TRANSITION METAL-NITROGEN-BASED ALLOY POWDER, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

中間層２０は、窒素原子を含有する弁作用金属の酸化物を含み、誘電体層１０は、弁作用金属の酸化物を含む。例文帳に追加

The intermediate layer 20 contains the oxide of the valve action metal containing a nitrogen atom, and the dielectric layer 10 contains the oxide of the valve action metal. - 特許庁

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。例文帳に追加

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed. - 特許庁

従属栄養性脱硝反応は、従属栄養性脱硝菌の作用によって硝酸態窒素および化学的酸素要求量を消耗する。例文帳に追加

In the heterotrophic denitrification, the nitrate nitrogen and the chemical oxygen demand is consumed by heterotrophic denitrification bacteria. - 特許庁

金属薄膜を窒素に曝すと、金属薄膜の薄い表面領域に窒化物が生成され、耐食性が向上すると考えられる。例文帳に追加

It is considered that the exposure of the metal thin film to nitrogen gases causes a nitride to be formed on a thin surface area of the metal thin film, so that corrosion resistance is enhanced. - 特許庁

金属原子と、該金属原子に対し、窒素原子２つ及び炭素原子１つを介して三座で結合し、該窒素原子２つの間に前記炭素原子が位置する三座配位子とを有し、該三座配位子が２つのアゾメチン結合（−Ｃ＝Ｎ−）を有し、かつ該アゾメチン結合における窒素原子が、それぞれ前記金属原子に配位してなることを特徴とする有機金属錯体を含有する有機ＥＬ素子である。例文帳に追加

In the organic EL element including an organic metal complex, the metal atom, two nitrogen atoms and one carbon atom connect with the metal atom in the tridentate so that the carbon atom comes between the two nitrogen atoms where the tridentate ligand has two azomethine bonds (-C=N-) and the individual nitrogen atoms in the azomethine bond coordinate to the individual metals. - 特許庁

精製装置５の精製室中に、金属Ａｌ又は金属Ａｌを含む合金が配置されており、精製装置５では、精製室に供給された窒素原料（窒素化合物からなる窒素原料）を、金属Ａｌ又は金属Ａｌを含む合金に接触させて精製し（不純物を除去し）、反応室１に供給する。例文帳に追加

Metal Al or an alloy containing metal Al is arranged in a purifying chamber in a purifying device 5, and the nitrogen raw material (the nitrogen raw material composed of nitrogen compounds) fed to the purifying chamber is purified (impurities are removed) through contacting itself with metal Al or the alloy containing metal Al, and then is fed to a reaction room 1. - 特許庁

先ず熱硬化性樹脂の前駆体に、貴金属以外の含遷移金属化合物と含窒素化合物とを混合し加熱反応させて重合することにより貴金属以外の遷移金属化合物及び窒素化合物を含有する熱硬化性樹脂を得る。例文帳に追加

At first, by mixing a transition-metal containing compound except the noble metals and a nitrogen containing compound with a precursor of a thermosetting resin, and by heating them for reaction to polymerize, a thermosetting resin containing the transition-metal compound except the noble metals and the nitrogen containing compound is obtained. - 特許庁

窒素−金属共有結合及び窒素−金属配位結合を有する金属錯体であって、配位子部分に二座配位を抑制する置換基を少なくとも一つ有し、該金属錯体のりん光の０−０バンドが５６０ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。例文帳に追加

The material for an organic electroluminescent element is a metal complex having a nitrogen-metal covalent bond and a nitrogen-metal coordination bond and has at least one substituent inhibiting the bidentate coordination at the coordination ligand portion, and has a 0-0 band of a phosphorescence of the metal complex at 560 nm or less. - 特許庁

一定以上の窒素源ガスの供給量と流速を確保することで極めて高い転化率で原料金属を窒化物に転化でき、未反応の原料金属の残存が少ない、金属と窒素が理論定比の金属窒化物が高い収率で得られる。例文帳に追加

By securing a certain or larger supply amount and a certain or higher flow rate of nitrogen source gas, the raw metal can be converted into a nitride with an extremely high conversion, and the metal nitride having a small amount of an unreacted raw metal remaining and containing a metal and nitrogen in a stoichiometric constant can be obtained with a high yield. - 特許庁