「窒素属」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

分子内に２以上の窒素原子を含有する窒素化合物が、トリエチレンテトラミン、ペンタエチレンヘキサミン、及び、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルエチレンジアミンの少なくともいずれかである態様、芳香環が、ナフタレン環及びベンゼン環の少なくともいずれかである態様、炭酸塩が、金属イオンを含まない態様等が好ましい。例文帳に追加

Preferably the nitrogen compound containing two or more nitrogen atoms in one molecule is at least one selected from triethylenetetramine, pentaethylenehexamine and di-tert-butylethylenediamine, the aromatic ring is at least one of naphthalene and benzene rings and the carbonate contains no metal ion. - 特許庁

特定の特性を有するイエロー染料を含むインクジェット記録用インクであって、１価の金属イオン、水素イオン、アンモニウムイオン、有機４級窒素イオンおよび塩基性有機物中の窒素原子がプロトン付加され生じるイオン以外のカチオンの該インク中での総量が０．５質量％以下であることを特徴とするインクジェット記録用インク。例文帳に追加

The inkjet recording ink contains a yellow dye with a specified property and contains at most 0.5mass% cations except a monovalent metal ion, a hydrogen ion, an ammonium ion, an organic quaternary nitrogen ion, and an ion formed by the proton addition to the nitrogen atom of a basic organic substance. - 特許庁

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。例文帳に追加

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere. - 特許庁

特定の特性を有するブラック染料を含むインクジェット記録用インクであって、１価の金属イオン、水素イオン、アンモニウムイオン、有機４級窒素イオンおよび塩基性有機物中の窒素原子がプロトン付加され生じるイオン以外のカチオンの該インク中での総量が０．５質量％以下であることを特徴とするインクジェット記録用インク。例文帳に追加

This ink used for the ink jet recording and containing a black dye having specific characteristics is characterized by containing cations except monovalent ions, hydrogen ion, ammonium ion, organic quaternary nitrogen ions and ions each produced by adding a proton to a nitrogen atom in a basic organic compound, in a total amount of ≤0.5 wt. %. - 特許庁

本発明の有害物質低減材は、水質や土壌中の有害物質、例えば、クロム、セレン、ヒ素等の重金属、硝酸態窒素や亜硝酸態窒素、フッ素、ホウ素、ダイオキシン類、ジクロロメタンやトリクロロエチレンやテトラクロロエチレン等の揮発性有機化合物等多くの有害物質を低減することができ、しかもその能力が非常に大きい等の効果を奏する。例文帳に追加

The harmful substance-reducing material can reduce many harmful substances, for example, heavy metals such as chromium, selenium and arsenic, nitrate nitrogen, nitrite nitrogen, fluorine, boron, dioxins and volatile organic compounds such as dichloromethane, trichloroethylene and tetrachloroethylene, in water and soils, and exhibits effects such as a large reducing capacity. - 特許庁

反応カラム11内において、排ガスを、金属担持させたゼオライト触媒10に接触させて前記ガス中に含まれた煤塵と窒素酸化物とを前記10に吸着させ、さらに、この排ガス温度の下で燃焼させることにより、前記排ガス中に含まれる煤塵と窒素酸化物とを同時かつ効率的に除去することが可能になる。例文帳に追加

Exhaust gas is brought into contact with a metal carrying zeolite catalyst 10 in a reaction column 11 and particles of soot and nitrogen oxide contained in the exhaust gas are adsorbed by the catalyst 10 and further burnt at the temperature of the exhaust gas to be efficiently removed at the same time. - 特許庁

特定のアゾ染料を含むインクジェット記録用インクであって、１価の金属イオン、水素イオン、アンモニウムイオン、有機４級窒素イオンおよび塩基性有機物中の窒素原子がプロトン付加され生じるイオン以外のカチオンの該インク中での総量が０．５質量％以下であることを特徴とするインクジェット記録用イオン。例文帳に追加

In the ink for inkjet recording containing a specific azo dye, the total content of ions except a monovalent metal ion, hydrogen ion, ammonium ion, an organic quaternary nitrogen ion and an ion caused by proton addition to nitrogen atom in a basic organic material for the inkjet recording is regulated so as to be ≤0.5 wt.% based on the ink. - 特許庁

ハロゲン原子とリン原子を有しない合成樹脂エマルジョンに、結晶水を有する無機金属水酸化物と、硫黄・窒素化合物と、アスペクト比１０以上の不燃性粉末との３種類の物質が配合されており、前記硫黄・窒素化合物の分解温度が１７０℃である防炎性樹脂エマルジョンを、ポリエステル繊維をベースとする被加工布帛の裏面に塗布・乾燥させて仕上げる。例文帳に追加

A flame resistant resin emulsion obtained by blending an inorganic metal hydroxide with water of crystallization, a sulfur and nitrogen compound with a decomposition temperature of 170°C or more and a nonflammable power with an aspect ratio of 10 or more with a synthetic resin emulsion which does not contain a halogen atom or a phosphorus atom is coated on the back side of a polyester fiber-based fabric to be treated and dried. - 特許庁

高分子バインダーであるアクリル樹脂、アクリルゴム、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン−プロピレン−ジエンゴム、あるいはアクリロニトリルブタジエンゴム、あるいはその混合物に軟磁性金属粉末を充填し、難燃剤として、３００℃以上の分解温度の特性を有した、赤リン及び窒素系化合物の混合物または窒素系化合物を添加する。例文帳に追加

Soft magnetic metal powder is filled in an acrylic resin, acrylic rubber, an ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-propylene-diene rubber or acrylonitrile butadiene rubber which is a polymeric binder or the mixture, and the mixture of red phosphorus and a nitrogen-based compound or the nitrogen-based compound which has the characteristics of a decomposition temperature ≥300°C is added as a flame retarder. - 特許庁

酸化硬化形樹脂、金属ドライヤー、及び含窒素化合物を含み、全溶剤のうち５０重量％以上が脂肪族炭化水素である塗料組成物において、該含窒素化合物として、加水分解性シリル基含有ケチミン化合物を酸化硬化形樹脂の固形分１００重量部に対し０．１〜２０重量部混合する。例文帳に追加

The coating composition contains the oxidatively curable resin, a metaldryer and a nitrogen-containing compound, wherein 50 wt.% or more of the total solvent represents an aliphatic hydrocarbon, and, as the nitrogen-containing compound, a hydrolyzable silyl group-containing ketimine compound is incorporated at 0.1-20 pts.wt. based on 100 pts.wt. of the solids of the oxidatively curable resin. - 特許庁

薄膜１１は、薄膜が１．０×１０^8〜１．０×１０^12Ω／□の表面抵抗を呈するように、不活性ガスと窒素の混合物から成るガスの雰囲気の不活性ガスと窒素の混合比を調整しつつ、該ガスの雰囲気中で金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより基板１０の表面に形成される。例文帳に追加

The thin film 11 is formed on the surface of the substrate 10, while the mixing ratio between inert gas and nitrogen in an atmosphere of gas composed of a mixture of inert gas and nitrogen is controlled in such a manner that the thin film shows the surface resistance of 1.0×108 to 1.0×1012 Ω/square, by executing sputtering using a metallic oxide target in the atmosphere of the gas. - 特許庁

燃料電池用の電極触媒層２０に含まれる界面活性剤を連続トンネル炉１で熱分解除去する場合、酸素濃度計１０を用い、触媒金属の発火等が起きないような酸素濃度になるよう、中央付近の高温部４に窒素ガス供給口７から窒素ガスを供給する。例文帳に追加

When a surface active agent included in an electrode catalyst layer 20 for a fuel cell is thermally decomposed and removed by the continuous tunnel furnace 1, an oximeter 10 is used so that a nitrogen gas is supplied from a nitrogen gas supply opening 7 to a high-temperature part near a center in a state of keeping oxygen concentration not causing firing or the like of catalytic metal. - 特許庁

５００〜７００℃の温度でＭｇ蒸気を充満させた窒素雰囲気中にセラミックス粉末またはセラミックス繊維からなるプリフォームを挿入して保持し、続いてそのプリフォームを非加圧の窒素雰囲気中で７００〜９００℃の温度で溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金中に浸漬することとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。例文帳に追加

A preform made of ceramic powder or ceramic fiber is inserted and held in a nitrogen atmosphere filled with Mg vapor at from 500°C to 700°C and then the preform is immersed in aluminum or an aluminum alloy melted at from 700°C to 900°C in a non-pressurized nitrogen atmosphere to obtain the metal-ceramic composite material. - 特許庁

金属を担持したゼオライトを含む窒素酸化物浄化用触媒であって、ゼオライトが骨格構造に少なくともケイ素原子、アルミニウム原子、及びリン原子を含み、該触媒に対する２５℃、相対蒸気圧０．５における水の吸着量が０．０５〜０．２（ｋｇ−水／ｋｇ−触媒）以下である窒素酸化物浄化用触媒。例文帳に追加

A catalyst for nitrogen oxide removal comprises a zeolite loaded with a metal, wherein the zeolite has a framework structure which contains at least silicon atoms, aluminum atoms, and phosphorus atoms and the amount of water that is adsorbed onto the catalyst at 25°C and a relative vapor pressure of 0.5 is 0.05-0.2 (kg-water/kg-catalyst). - 特許庁

また、窒素化合物を連続的に活性化しながら、この活性化された雰囲気にIII Ａ族元素から選択される１以上の元素を含む有機金属化合物を間欠的に導入して、窒素及び前記III Ａ族元素を含む窒化物系化合物による膜を基板上に形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing the semiconductor device, while a nitride is continuously being activated, an organic metal compound comprising at least one element selected out of III A group element is intermittently introduced in the activated atmosphere to form on a substrate, a film of nitride group compound comprising nitrogen and the III A group element. - 特許庁

その後、水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、アンモニアガス、水素ガスとヘリウムガスとの混合ガス、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスおよび水素ガスと窒素ガスとの混合ガスの中から選択したガスを用いたリモートプラズマによって金属薄膜５０４を処理する（工程（ｄ））。例文帳に追加

Then, the metal thin film 504 is processed with remote plasma generated using a gas selected out of a hydrogen gas, a helium gas, an argon gas, a nitrogen gas, an ammonium gas, a mixed gas of a hydrogen gas and a helium gas, a mixed gas of a hydrogen gas and an argon gas, and a mixed gas of a hydrogen gas and a nitrogen gas (step (d)). - 特許庁

炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を焼結して得られ、窒素を導入してなる焼結体であって、密度が２．９ｇ／ｃｍ^3 以上、不純物元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、且つ、窒素を１５０ｐｐｍ以上含有する炭化ケイ素焼結体により形成されること、を特徴とする。例文帳に追加

The heating vessel is formed of a sintered body of silicon carbide which is obtained by sintering a mixture of silicon carbide powder and a non-metallic sintering aid while introducing nitrogen gas and which has a density of ≥2.9 g/cm3, and an impurity content of ≤10 ppm and contains nitrogen in an amount of ≥150 ppm. - 特許庁

酸性チタン化合物を含窒素塩基で中和させて得た酸化チタンおよび／または水酸化チタンを、加水分解性金属化合物（例、ハロゲン化チタン）を含む雰囲気で熱処理した後、さらに水分量０.５〜４.０ｖｏｌ％のガス中で３５０℃以上の温度で熱処理して、窒素を含有する酸化チタン光触媒を製造する。例文帳に追加

Titanium oxide and/or titanium hydroxide obtained by neutralizing an acidic titanium compound with a nitrogen-containing base is heated in atmosphere containing a hydrolyzable metal compound (e.g. titanium halide) and successively heated at 350°C or higher in a gas containing 0.5 to 4.0 vol% of water to produce the nitrogen-containing titanium oxide photocatalyst. - 特許庁

コンタクト形成領域１１内で、ＳｉとＴｉとの反応によるＴｉＳｉ_２部分１２、ＴｉとＡｌＧａＮとの反応によるＴｉＮ部分１３、および窒素空孔１４、窒素を失ったＧａとＡｌのＩＩＩ 族金属部分が発生して、ＴｉＳｉ_２を主体とする低抵抗の電極膜が形成される。例文帳に追加

An electrode film of low resistor which is mainly composed of TISi_2 is formed by the occurrence of a TiSi_2 part 12 by the reaction with the Si and Ti, a TiN part 13 by the reaction with the Ti and the AlGaN, a nitrogen vacancy 14, and a metallic part of group III with Ga and Al having lost nitrogen in the ohmic contact forming region 11. - 特許庁

繊維表面に、炭素数１４〜１６のアルコールの部分燐酸エステルアルカリ金属塩と、含窒素カチオン型及び／又は含窒素ノニオン型の制電剤とが、好ましくは５０：５０〜９０：１０の重量比で、その合計の付着量で０．１〜１．０重量％付与した全芳香族ポリアミド短繊維。例文帳に追加

This totally aromatic polyamide short fiber is obtained by imparting an alkali metal salt of a partial phosphoric acid ester of a 14-16C alcohol and an anti-electrostatic agent of a nitrogen-containing cationic type and/or nitrogen-containing nonionic type to its fiber surface in preferably (50:50)-(90:10) their weight ratio and by 0.1-1.0 wt.% total attached amount. - 特許庁

分子中の窒素原子数が４以上のエチレンアミンからなる群より選ばれる１種又は２種以上を原料に用い、これを周期律表第ＶＩＩＩ族の金属を含有する触媒と接触させて改質反応を行い、原料のエチレンアミンに比べて、分子式中の窒素原子数が１又は２以上少ないエチレンアミンを生成させる。例文帳に追加

By using at least one kind selected from the group consisting of ethyleneamines having four or more nitrogen atoms in each molecule as a raw material and by catalytically reacting the raw material in the presence of a catalyst containing a group VIII metal, an ethyleneamine having at least one smaller number of nitrogen atoms than that of the raw material ethyleneamine is produced. - 特許庁

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen. - 特許庁

該フォトマスクブランクは、ドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、透光性基板側から、金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料からなる層と、主にクロムと窒素とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ(２００)からなる層とを有する。例文帳に追加

The photomask blank is for dry-etching processing and has, in order from the light-transmissive substrate side, a layer comprising a material having metal, silicon, oxygen, and/or nitrogen as main components and a layer comprising a material mainly containing chromium and nitrogen and substantially having a diffraction peak of CrN(200) in X-ray diffraction. - 特許庁

本発明の中性固化材は、土壌中で炭酸と接触又は混合させることにより固化するものであり、土壤中の有害物質、例えば、クロム、セレン、ヒ素等の重金属、硝酸態窒素や亜硝酸態窒素、フッ素、ホウ素、ダイオキシン類、トリクロロエチレンやテトラクロロエチレン等の揮発性有機化合物類等を低減することができ、しかも有害物質低減能力が非常に大きい等の効果を奏する。例文帳に追加

The neutral solidifying material is used for solidification by contact or mix with carbonic acid in soil, and reduces harmful materials in soil, for example, heavy metals such as chromium, selenium and arsenic, nitrate nitrogen and nitrite nitrogen, and fluorine, boron and dioxins, and volatile organic compounds such as trichloroethylene and tetrachloroethylene, and further exhibits very excellent effects on reducing capacity of harmful materials. - 特許庁

塩化第一銅よりも難水溶性の第一銅化合物、とりわけ亜酸化銅、と窒素置換ジアルキルジチオカルバミン酸の常温で気体のアンモニアまたは低級脂肪族アミン塩と反応させるか、または前記した第一銅化合物と窒素置換ジチオカルバミン酸のアルカリ金属塩、および常温で気体のアンモニアまたは低級脂肪族アミンのハロゲン化水素酸塩を反応させる。例文帳に追加

This production process comprises reacting a cuprous compound more hardly water-soluble than cuprous chloride, particularly cuprous oxide with a salt of nitrogen-substituted dialkyl dithiocarbamic acid and ammonia gaseous at room temperature or a lower aliphatic amine, or reacting the cuprous compound, an alkali metal salt of nitrogen-substituted dithiocarbamic acid, and ammonia gaseous at room temperature or the salt of a lower aliphatic amine hydrohalide. - 特許庁

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁

アルミナを主結晶相とし、その粒界相が、少なくとも珪素、窒素および酸素を含み、かつ珪素の含有量が全量中０．０１〜０．５モル％、窒素の含有量が全量中０．０１〜１モル％、アルミニウムおよび珪素以外の金属元素の含有量が０．１モル％以下の割合で含む。例文帳に追加

This alumina material comprises alumina as the main crystalline phase, the grain boundary phase of which contains at least silicon, nitrogen and oxygen, and contains 0.01 to 0.5 mol% of silicon, 0.01 to 1 mol% of nitrogen and less than 0.1 mol% of metallic elements other than aluminum and silicon each based on the total of the material. - 特許庁

本発明は、以下を含有する、組成物を提供する：（ａ）以下の（ｉ）と（ｉｉ）との反応生成物から誘導された実質的に窒素を含まない分散剤：（ｉ）ポリアルケニル置換アシル化剤；および（ｉｉ）ポリオール；（ｂ）第一級ヒドロカルビルジチオリン酸金属；（ｃ）潤滑粘性のあるオイル；および（ｄ）必要に応じて、粘度調整剤、ここで、該組成物は、実質的に窒素を含まない分散剤から誘導された窒素を約３５ｐｐｍ以下で含有する。例文帳に追加

The present invention relates to a composition containing: (a) a substantially nitrogen-free dispersant derived from the reaction product of (i) a polyalkenyl-substituted acylating agent and (ii) a polyol; (b) a primary metal hydrocarbyl dithiophosphate; (c) an oil of lubricating viscosity; and (d) optionally a viscosity modifier, wherein the composition contains about 35 ppm or less of nitrogen derived from a substantially nitrogen-free dispersant. - 特許庁

本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for growing an indium nitride-containing semiconductor layer comprises the steps of: forming indium hydride by causing hydrogen atoms resulting from the decomposition by plasma to react with an indium source including indium metal or indium-containing compound; forming nitrogen atoms by decomposing nitrogen with plasma; and forming an indium nitride-containing semiconductor layer on a substrate by causing the indium hydride and the nitrogen atoms to react with each other. - 特許庁

酸化チタン担体にタングステン、モリブデン、バナジウムのうち少なくとも１つ金属の酸化物を担持させた複合酸化物から構成されるアルデヒド類および窒素酸化物の除去触媒である。例文帳に追加

This catalyst for removing aldehydes and nitrogen oxides is composed of a compound oxide obtained by depositing an oxide of at least one metal selected from tungsten, molybdenum and vanadium on a titanium oxide carrier. - 特許庁

ビスメチルビフェニル誘導体とフェノールまたはクレゾールとの反応生成物とエピハロヒドリンとを、窒素雰囲気中でアルカリ金属水酸化物の存在下に反応させることを特徴とするエポキシ樹脂の製造方法。例文帳に追加

The producing method of the epoxy resin comprises reacting a reaction product of a bismethyl biphenyl derivative and phenol or cresol with an epihalohydrin in a nitrogen atmosphere in the presence of an alkali metal hydroxide. - 特許庁

窒素酸化物分解除去用触媒１は，ゼオライトからなる担体２に，ＣｕもしくはＣｕ及び他の金属からなる触媒成分３を担持してなる。例文帳に追加

The catalyst 1 for decomposing and removing nitrogen oxides is formed by supporting Cu or a catalyst component 3 consisting of Cu and other metals on a carrier 2 consisting of zeolite. - 特許庁

窒化マンガンを主成分とする耐摩耗性イオンプレーティング皮膜を、金属マンガンを蒸発源とし窒素雰囲気中でＨＣＤイオンプレーティングを行うことにより基板上形成する。例文帳に追加

A wear resistant ion plating film having manganese nitride as the main composition is formed on a substrate by performing HCD ion plating in an nitrogen atmosphere with metallic manganese as an evaporation source. - 特許庁

本発明に係るオレフィン重合触媒は、（Ａ）ホウ素、窒素、酸素、リン、イオウおよびセレンからなる群より選ばれる原子を２つ以上含む遷移金属化合物またはランタノイド化合物および（Ｂ）ルイス酸を含む。例文帳に追加

The olefin polymerization catalyst comprises (A) a transition metal compound containing at least two atoms selected from the group consisting of boron, nitrogen, oxygen, phosphorus, sulfur and selenium or a lanthanoid compound and (B) a Lewis acid. - 特許庁

これらの錯体は、テンプレートとしての金属カチオン、水素と窒素を含む中性リガンド、及びその錯体の電荷をバランスさせるのに足る十分な酸化性アニオンから成る。例文帳に追加

The complex comprises a metal cation as a template, a neutral ligand containing hydrogen and nitrogen, and oxidizing anion enough to balance the charge of the complex. - 特許庁

酸素過剰雰囲気で水分共存条件下に炭化水素を還元剤として用いて窒素酸化物を分解する、金属酸化物担体にパラジウムおよび白金を担持してなる触媒である。例文帳に追加

The catalyst is obtained by making palladium or platinum support to a metal oxide carrier, and decomposes nitrogen oxide with hydrocarbon as a reducing agent in an oxygen-surplus atmosphere under the condition where moisture is coexistent. - 特許庁

ここで、板状構造は、有機金属化学気相成長方法において、ジメチルヒドラジンを窒素源に用いることによって水素を含有せずに形成されている。例文帳に追加

In this case, the plate structure is formed, without containing hydrogen by using dimethyl hydrazine as a nitrogen source through organic metal chemical vapor phase deposition. - 特許庁

該ギ酸分解用触媒は、シクロペンタジエン置換体からなる配位子ならびに窒素含有複素環式化合物からなる配位子を有したロジウム単核金属錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩を含む。例文帳に追加

The catalyst for decomposing formic acid contains a mononuclear rhodium complex, which has a ligand consisting of substituted cyclopentadiene and another ligand consisting of a nitrogen-containing heterocyclic compound, its tautomer or stereoisomer or their salts. - 特許庁

金属窒素化合物と水素ガスからなる系での可逆的不均化反応を利用した水素貯蔵材料の水素放出温度を低温化させること。例文帳に追加

To reduce a hydrogen release temperature of a hydrogen storage material utilizing a reversible disproportionation reaction in a system comprising a metal nitrogen compound and a hydrogen gas. - 特許庁

窒素原子を含有するガスを添加することにより、選択的酸化工程でシリコンの酸化には何の影響を与えず金属電極の酸化を最小化できる。例文帳に追加

By adding the gas which contains nitrogen atoms, oxidation of the metal electrode can be minimized without exerting influence on oxidation of silicon in the selective oxidation process. - 特許庁

そして、上記において、ハーフトーン位相シフト層が金属シリサイドを主成分とし、酸素、窒素、フッ素の中から少なくとも一つ以上の元素を含む１層を含む、単層または多層膜からなる。例文帳に追加

The halftone phase shift layer comprises a monolayer or multilayer film including one metal silicide-base layer containing one or more elements selected from oxygen, nitrogen and fluorine. - 特許庁

これにより、ガリウム含有窒化物を超臨界窒素含有溶媒中にアルカリ金属含有成分の存在下に少なくとも１つの種結晶１７上に結晶させる。例文帳に追加

Thereby, a gallium-containing nitride is crystallized on at least one seed crystal 17 in the presence of an alkali metal-containing component in a supercritical nitrogen-containing solvent. - 特許庁

シリカまたはシリカアルミナから選ばれる担体に、ロジウム、ルテニウムおよびパラジウムからなる群から選ばれる少なくとも１つの貴金属を担持してなる触媒等を用いて亜酸化窒素を分解する。例文帳に追加

Nitrous oxide is decomposed by using the catalyst formed by supporting at least one of novel metal selected from rhodium, ruthenium and palladium on a support selected from silica or silica alumina. - 特許庁

金属ゲート電極形成方法において、ゲート電極パターニング後実施されるシリコンに対する選択的酸化工程を、窒素原子を含有するガスを含むガス雰囲気で実施する。例文帳に追加

In a metal gate electrode forming method, a selective oxidation process to silicon which is executed after gate electrode patterning is executed in a gas atmosphere containing gas which contains nitrogen atoms. - 特許庁

ジエン系ゴム（ａ）、金属を含まずイオン結合を有する含窒素化合物の塩（ｂ）およびカーボンブラック（ｃ）を含むタイヤトレッド用ゴム組成物である。例文帳に追加

The rubber composition for the tire tread contains a diene rubber (a), a salt (b) of the nitrogen-containing compound free from the metal and having the ion bond, and carbon black (c). - 特許庁