「薄膜デバイス」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

更に、分離された半導体デバイスの分離面側から薄膜半導体層３を部分的に除去し、半導体デバイスと他の半導体デバイスとの間を電気的に絶縁する。例文帳に追加

Further, the thin-film semiconductor layer 3 is partially eliminated from the separation surface side of the separated semiconductor device, and the semiconductor device and other semiconductor devices are electrically insulated. - 特許庁

基板の除去の際に第三薄膜に対する不具合が起こり難くなる電子デバイスの製造方法及びこれにより製造された電子デバイス及び圧電デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an electronic device by which deficiencies are unlikely to be caused to third thin films, when a substrate is removed, and to provide the electronic device and a piezoelectric device manufactured using the method. - 特許庁

また、本発明は、前記製造方法により作製された薄膜トランジスタ、前記製造方法を少なくとも工程に備えるデバイスの製造方法、及び該デバイスの製造方法により作製されたデバイスを提供する。例文帳に追加

The thin film transistor manufactured by this manufacturing method, the method of manufacturing the device which at least includes the manufacturing method as a process, and the device manufactured by the device manufacturing method, are provided. - 特許庁

特性に優れた薄膜トランジスタを製造することができる薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film transistor capable of manufacturing a thin film transistor with good characteristics, the thin film transistor to be manufactured by the method for manufacturing the thin film transistor, a thin film transistor circuit provided with the thin film transistor, an electronic device and an electronic apparatus. - 特許庁

特性に優れる薄膜トランジスタを、簡易な方法で製造することができる薄膜トランジスタの製造方法、かかる薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタ、および、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor manufacturing method capable of manufacturing by a simple method a thin-film transistor having an excellent characteristic, the thin-film transistor manufactured by the same method, and a thin-film transistor circuit, an electronic device and an electronic appliance which have the thin-film transistors. - 特許庁

ドライエッチング処理して半導体デバイスの電極（薄膜状の電極および配線）を形成するのに最適な、Ａｌ合金薄膜を有する半導体デバイス電極用膜／配線用膜を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device electrode film/wiring film having an Al alloy thin film which is optimum for forming electrodes (thin film-like electrodes and wiring) of the semiconductor device by dry etching. - 特許庁

キャパシタンスの電圧依存性を適宜調整することのできる新しいキャパシタ素子、薄膜積層デバイス、回路およびそのようなキャパシタ素子や薄膜積層デバイスを製造する技術を提供する。例文帳に追加

To provide new capacitor elements capable of suitably adjusting the voltage dependence of capacitance, thin film lamination devices, and circuits and technology for manufacturing the capacitor elements and the thin film lamination devices. - 特許庁

薄膜デバイスの配線接続あるいは外部取り出し用電極において、高精度で高耐候性の薄膜デバイスの構造、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film device in which wiring connection or lead-out electrodes have high accuracy and high weather resistance, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

本発明の課題は、陽極と陰極の間に少なくとも一層の電子輸送層あるいは電極界面層を有する有機薄膜電子デバイスであって、高効率で駆動可能であり長寿命な有機薄膜電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an organic thin-film electronic device which comprises at least one electron transport layer or electrode interface layer between an anode and a cathode, can be driven with high efficiency, and has a long service life. - 特許庁

積層体の製造方法、それを用いた有機デバイスの製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法、ならびに有機デバイスおよび有機薄膜太陽電池例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING LAMINATION, PROCESS FOR FABRICATING ORGANIC DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL USING IT, AND ORGANIC DEVICE AND ORGANIC THIN FILM SOLAR CELL - 特許庁

複雑な形状の面の上であっても、厚みが均一な有機半導体層を形成することができる有機薄膜デバイスの製造方法及び有機薄膜デバイスを得る。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an organic thin film device, by which an organic semiconductor layer having a uniform thickness is formed even on a surface having a complicated shape, and to provide the organic thin film device. - 特許庁

その後、被除去金属層１４をエッチングにより除去して、積層基板１０からデバイス構成層及び薄膜基材１を有してなる薄膜デバイスＳを分離して得る。例文帳に追加

Thereafter, the metal layer 14 to be removed is removed by the etching process, and a thin film device S having the device forming layer and thin film base material 1 is obtained by separating this device from the laminated substrate 10. - 特許庁

有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイスの製造方法、有機電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス、及び電子機器例文帳に追加

METHOD FOR FORMING THIN FILM OF ORGANOMETALLIC COMPOUND, ORGANOMETALLIC THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTRONIC DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME, ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

剥離後の再付着や、剥離時の撓みによる基板の破損を生じにくくすることが可能な薄膜電子デバイスの製造装置及び薄膜電子デバイスの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a thin film electronic device wherein resticking after peeling and the breakage of a substrate caused by flection after the peeling are hardly caused, and a method for manufacturing the thin film electronic device. - 特許庁

有機薄膜太陽電池デバイスの短絡欠陥を除去し、光電変換効率を向上させることができる有機薄膜太陽電池デバイスの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an organic thin-film solar cell device which can improve the photoelectric conversion efficiency, by eliminating defects due to short circuit of the organic thin-film solar cell device. - 特許庁

転写前の薄膜デバイス３０をガラス基板１０に形成し、その後、その薄膜デバイス３０を接着剤層４０を介してプラスチックフィルム５０側に転写する。例文帳に追加

A thin film device 30 before transfer is formed on a glass substrate 10 and then transferred onto a plastic film 50 by way of an adhesive layer 40. - 特許庁

薄膜デバイス、有機ＥＬ装置および液晶表示装置、電子機器、薄膜デバイスの製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法例文帳に追加

THIN MEMBRANE DEVICE, ORGANIC EL DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC UNIT, MANUFACTURING METHOD OF THIN MEMBRANE DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC EL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE - 特許庁

圧電特性の向上を図った圧電薄膜素子を提供し、高性能かつ高信頼の薄膜圧電体デバイスを実現すると同時に、当該デバイスの製造歩留りを向上する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric thin film element capable of improving piezoelectric properties, to obtain a thin film piezoelectric device having high performance and high reliability, and to improve the manufacturing yield of the thin film piezoelectric device. - 特許庁

本発明の目的は、フッ化物ガラスに光学薄膜が成膜された光デバイスにおいて、光学薄膜の密着性が向上した光デバイスを提供することである。例文帳に追加

To provide an optical device having an optical thin film deposited on fluoride glass where the bonding performance of the optical thin film is improved. - 特許庁

IGZO系酸化物半導体薄膜において、膜中水分量を低減可能な組成を明らかにし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。例文帳に追加

To make clear a composition whose moisture amount in a film can be reduced in an IGZO-system oxide semiconductor thin film, and to obtain an oxide semiconductor thin film that has a high reproducibility, and that is suitable for producing a large area device, in particular, a flexible device. - 特許庁

光学的品質の薄膜を製造することに関し、特に非線形光学デバイス及び有機発光デバイスで利用されるそのような薄膜の低圧製造を提供する。例文帳に追加

To provide a low pressure manufacturing method for thin films particularly used for nonlinear optical devices and organic light-emitting devices with reference to manufacturing of thin films of optical quality. - 特許庁

薄膜デバイスの転写時点における温度変化を最小限に抑え、薄膜デバイスを含む機器のその後の使用時の温度にできるだけ近付ける。例文帳に追加

To suppress the change of the temperature in a thin film transfer process and to make the temperature as close as possible to that of an instrument including the thin film device in subsequent use. - 特許庁

囲み部材を容易に所望の形状に形成可能な薄膜電子デバイスの製造方法及び薄膜電子デバイスの製造装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film electronic device that easily form an enclosing member in a desired shape, and an apparatus for manufacturing the thin film electronic device. - 特許庁

薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM DEVICE, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING, ELECTROOPTICAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

これは、ＢＣＥＴＦＴ（バックチャンネルエッチ型薄膜トランジスタ）デバイスにもＥＳＴＦＴ（エッチストップ型薄膜トランジスタ）デバイスにも応用可能である。例文帳に追加

This is applicable to a BCETFT (back channel etch thin film transistor) device and an ESTFT (etch stop thin film transistor) device as well. - 特許庁

薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE, THIN-FILM DEVICE, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND ELECTROOPTICAL DEVICE - 特許庁

２枚の基板を貼り合わせた大型の基板を分割して複数の薄膜デバイスを得る製造方法において、基板の材質によらずに基板を薄型化して分割することが可能な薄膜デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for thin film device in which a large-sized substrate formed by sticking two substrates together is divided into a plurality of thin film devices, wherein the substrate is made thin and divided irrelevantly to the material of the substrate. - 特許庁

デバイスへのダメージが少なく、またコスト低減を可能にした被転写層の剥離方法と、これを用いた薄膜デバイス装置の製造方法、さらには薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for peeling a transferred layer that causes less damage to a device and reduces costs, and also to provide a method for manufacturing a thin-film device using the same, the thin-film device, a method for manufacturing an active matrix substrate, the active matrix substrate, and an electrooptical device. - 特許庁

共振デバイス２単独の共振周波数と、成膜時の共振デバイス２の共振周波数と、薄膜の密度及び厚さと、共振デバイス２単独のヤング率、密度及び厚さとに基づいて、薄膜のヤング率を演算装置２４が算出する。例文帳に追加

An arithmetic unit 24 calculates the Young's modulus of the thin film based on the resonance frequency of the resonance device 2 alone, the resonance frequency of the film-formed resonance device 2, the density and thickness of the thin film, the Young's modulus, the density and the thickness of the resonance device 2 alone. - 特許庁

圧電薄膜音響共振デバイスによって生成される横方向に伝搬する波が、該デバイス放れることおよび／または隣接するデバイスまたはシステムと干渉することを防止するために、該デバイスを分離する方法を提供する。例文帳に追加

A method which isolates a piezoelectric thin film acoustic resonance device is provided in order to prevent a wave which is generated with the device and propagates in the lateral direction from leaving the device and/or interfering with an adjacent device or a system. - 特許庁

非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置およびその製造方法、ならびに該半導体装置の単結晶Ｓｉ薄膜デバイスを形成するための単結晶Ｓｉ基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, in which a non-single crystal Si thin film and a single crystal Si thin-film device are formed and a high-performance system is integrated, to provide a method for manufacturing it, and to provide a single-crystal Si substrate for forming the single crystal Si thin-film device of the semiconductor device. - 特許庁

デバイス形成領域外に第１薄膜１３と第２薄膜１５とを堆積し、第２薄膜１５にマスクを介してドライエッチングにより検査穴１７を形成し、この状態で第２薄膜１５をマスクとして検査穴１７に対応する第１薄膜１３をウエットエッチングする。例文帳に追加

First and second thin films 13, 15 are so deposited in a region present on the outside of a device-forming region and inspecting holes 17 are so formed in the second thin film 15 via a mask by dry etching as to wet-etch in this state the first thin film 13, corresponding to the inspecting holes 17 by using the second thin film 15 as a mask. - 特許庁

基板上に、少なくとも低熱伝導率薄膜、高熱伝導率薄膜および半導体膜が該順序にて積層形成された半導体デバイスであって、該低熱伝導率薄膜の熱伝導率が該基板の熱伝導率よりも低く、かつ該高熱伝導率薄膜の熱伝導率が該低熱伝導率薄膜の熱伝導率よりも高いことを特徴とする半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

In the semiconductor device in which at least a low thermal conductivity thin film, a high thermal conductivity thin film and a semiconductor film are sequentially laminated and formed on a substrate; the thermal conductivity of the low thermal conductivity thin film is lower than that of the substrate; and the thermal conductivity of the high thermal conductivity thin film is higher than that of the low thermal conductivity thin film. - 特許庁

半導体薄膜の形成方法およびその方法を用いて製造された半導体薄膜付き基板およびその半導体薄膜付き基板を用いた半導体デバイス。例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM, SUBSTRATE THEREWITH MANUFACTURED BY THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING SUBSTRATE THEREWITH - 特許庁

照明・光源、ディスプレイ用等の薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスに用いる蛍光体薄膜として、化学的安定性に優れかつ白色の蛍光特性を有するペロブスカイト型酸化物蛍光体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a perovskite type fluorescent oxide thin film which has excellent chemical stability and white fluorescence property and is useful as thin-film electroluminescent devices for illuminators/light sources, display and the like. - 特許庁

半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。例文帳に追加

The barrier layer for a semiconductor metallization element provides a silicon nitride thin film, formed in a recess of the element, and a heat resistant metal thin film, formed on the silicon nitride thin film. - 特許庁

１つのパターン化薄膜に対し、他のパターン化薄膜を、高度の位置決め精度をもって形成できるマスク形成方法、パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a mask formation method capable of forming other patterning thin films to one patterning thin film with high positioning precision, a forming method of the patterning film , and a manufacturing method of a microdevice. - 特許庁

薄膜トランジスタの特性を低下させることなく、生産性を向上させることができる薄膜形成方法およびそれによって製造した薄膜デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film forming method for improving productivity without lowering thin film transistor characteristics, and to provide a thin film device manufactured thereby. - 特許庁

微細なパターン化薄膜を有し、安定した一定の特性を発揮し得るマイクロデバイス、特に、薄膜インダクタまたは薄膜磁気ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a micro device having a fine patterned thin film capable of exerting stable and constant characteristics, and especially, a thin film inductor or a thin film magnetic head. - 特許庁

ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。例文帳に追加

To enhance the reliability of a thin film device such as a microwave integrated circuit by improving the adhesiveness with a metal thin film and the forming accuracy of the metal thin film or the like while utilizing the high heat radiation characteristics of an AlN substrate. - 特許庁

仕切部材であるバンク(110)で囲まれた領域(101)に１層以上の薄膜層(131)が積層された薄膜構造を備える機能性薄膜デバイスである。例文帳に追加

The functional thin film device is provided with a thin film structure formed by laminating at least one layer of thin film layer 131 on a region 101 surrounded by a bank 110 as a partition member. - 特許庁

半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。例文帳に追加

The barrier layer for the semiconductor device metallization component provides a silicon nitride film formed in a component recess and a refractory metal film formed over the silicon nitride film. - 特許庁

レジストパターンの形成技術に依存することなく、より狭い孤立トレンチ幅を得ることができる薄膜パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film patterning method for obtaining narrower isolated trench width, without having to depend on the formation technique of a resist pattern, manufacturing method of a thin-film device, and to provide a manufacturing method of a thin-film magnetic head. - 特許庁

低屈折率で高い膜強度を有し、絶縁性の優れた薄膜、反射防止基材及び半導体デバイスと、薄膜形成に用いる微粒子製造方法及び薄膜製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film which has low refractive index, high film strength and is superior in insulation, a reflection preventing base material, a semiconductor device, a particulate manufacturing method used to form the thin film and a thin film manufacturing method. - 特許庁

電子デバイス等の金属配線を構成する低応力かつ比抵抗の小さい配線用薄膜、およびこの配線用薄膜の成膜方法並びにこの配線用薄膜からなる金属配線の形成方法を提供する。例文帳に追加

To realize a thin film for wiring having low stress and low relative resistance, which constitutes a metal wiring of a electronic device or the like, a forming method of the thin film for the wiring, and a forming method of a metal wiring consisting of the thin film for the wiring. - 特許庁