「薄膜デバイス」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

少なくとも一対の分極性電極を、セパレータを介して、またはセパレータを介さずに配置するとともに、その一対の分極性電極間に電解液を充填させてなる蓄電デバイスにおいて、カーボンナノ薄膜材料を同程度および異なった表面密度および嵩密度で、導電性基板上に成長させた分極性電極の構造とする。例文帳に追加

This accumulation device is configured by arranging at least a pair of polarizable electrodes with or without a separator, a space between the pair of polarizable electrodes is filled with electolyte, and the structure of a polarizable electrode where carbon nano thin film materials are grown on a conductive substrate with surface density and bulk density whose level is almost identical and different is provided. - 特許庁

さらにトレンチよりも大きいＰ型不純物領域電極コンタクトおよびＮ型不純物領域電極コンタクトを設けて、Ｐ型不純物領域、Ｎ型不純物領域とも薄膜シリコン層、半導体基板の両方から電極をとるようにし、ＳＯＩデバイスでありながらダイオードに大電流を流せるようにする。例文帳に追加

Further, a P-type impurity region electrode contact and N-type impurity region electrode contact larger than the trenches are provided, electrodes are provided from both the thin film silicon layer and the substrate for the P-type impurity region and the N-type impurity region so that a large current can flow to the diode of the SOI device. - 特許庁

現状よりも安価、省資源で炭化ケイ素基板を製造、提供できることを目的とし、さらに、適用するデバイス構造に適したウエハ仕様を実現することが可能な、炭化ケイ素基板の製造方法およびその製造方法により製造された炭化ケイ素基板、ならびに、ショットキーバリアダイオードおよび炭化ケイ素薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fabricating method of silicon carbide substrate which provides a substrate adapted its specification of wafer to the structure of a device including the substrate, as well as the substrate fabricated with this method, and a fabricating method of a Schottky barrier diode and a silicon carbide film in a way of saving more money and resources than the present. - 特許庁

効率の高い導波路型光増幅素子、導波路型レーザー素子、これらの素子に光合波、分岐等の導波路型光受動素子を一体化した光集積回路、アップコンバージョン及びエレクトロルミネセンス表示デバイス等に有用な、フォノンエネルギーが低い、環境に対する負荷の小さいフッ化物薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a fluoride thin film low in phonon energy, small in a load on the environment and useful, e.g. for a high efficiency waveguide type light amplifying element or wave guide type laser element, a light integrated circuit in which a waveguide type light receiving element for light multiplexing, branching or the like is integrated into these elements and a display device utilizing up-conversion and electroluminescence. - 特許庁

結晶粒界のキャリア輸送メカニズムがトランジスタ特性に対して特に支配的である多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、活性層中の結晶粒界を通過するキャリア流密度を、結晶粒界における自由キャリアの散乱効果を考慮して算出し、これを基にデバイス特性を支配するパラメータを決定する。例文帳に追加

In a polycrystalline silicon thin film transistor whose carrier transport mechanism at a grain boundary is dominant over transistor characteristics, the flow density of carriers that pass through the grain boundary in the active layer is calculated considering scattering effects of free carriers in the grain boundary, and on the basis of the result, a parameter which is dominant over device characteristics is determined. - 特許庁

バルク単結晶ＳＴＯは、低温で高い誘電率を示すため、超伝導や低温デバイスの実用化で極めて有用な誘電体であるにも関わらず、薄膜化すると誘電率が低下してしまうという欠点があったが、上記欠点を克服したチタン酸ストロンチウム積層体を誘電体とする平行平板コンデンサを提供することにある。例文帳に追加

To provide a parallel flat plate capacitor that uses a strontium titanate laminate as a dielectric, which has solved the problem wherein a bulk single crystal STO's dielectric constant drops when used as a thin film although it is a very useful dielectric in practically using a superconducting or low temperature device because of its high dielectric constant at a low temperature. - 特許庁

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering. - 特許庁

電子デバイスに要求される低い電気抵抗と、耐熱性、耐食性、そして基板への密着性を兼ね備えたＡｇ合金膜を安定的かつ大面積のＦＰＤ基板に均一に形成するための薄膜形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット材およびそのＡｇ合金スパッタリングターゲット材で形成するＡｇ合金膜を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target material made of an Ag alloy, for stably and uniformly forming an Ag alloy thin film having all of low electrical resistance, heat resistance, corrosion resistance and adhesiveness to a substrate on a FPD (flat panel display) substrate having a large area, which are required in electronic devices, and to provide the Ag alloy film formed by using the sputtering target material of the Ag alloy. - 特許庁

これにより、ウエハＷの上面中央部のデバイス形成領域にエッチング液が流れ込むのを防止しつつ、ウエハＷの下面から上面に回り込むエッチング液により、ウエハＷの下面周縁部、端面および上面周縁部に形成された金属薄膜を除去することができる。例文帳に追加

By this setup, the etching solution is prevented from flowing into a device forming a region located at the center of the wafer W, and a metal thin film formed on the under peripheral edge, end face, and upper peripheral edge of the wafer W is removed by the etching solution flowing from the undersurface to the top surface of the wafer W at the same time. - 特許庁

透明陽極２と薄膜陰極５よりなる一対の電極間に、電子輸送層としての蛍光発光層４と正孔輸送層３とを有する注入形電場発光デバイス６であって、前記電極間に、多環状芳香族炭化水素の、アルキル置換体、アルコキシ置換体、シアノ置換体、ハロゲン置換体、より選ばれた一種を含有した蛍光発光層４が形成される。例文帳に追加

This electroluminescent device 6 is formed with a fluorescent light emission layer 4 as an electron transport layer and a hole transport layer 3 between a pair of electrodes, i.e., a transparent anode 2 and thin film cathode 5, wherein the fluorescent light emission layer 4 is positioned between the two electrodes and contains one of alkyl, alkoxy, cyano, and halogen substitution product of polycyclic aromatic hydrocarbon. - 特許庁

基材の薄膜化を必要な部分のみに施し、薄い基材であっても高い寸法安定性を確保できるとともに接合電子デバイス等との高い適合性を確保でき、全体として優れた屈曲性や柔軟性を確保できるポリイミドフィルム回路基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polyimide film circuit board which can secure high size stability even with a thin base material by making only a necessary portion of the base material into a thin film and also can secure high adaptability to a bonded electronic device etc., and which has superior bendability and flexibility on the whole, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

そして、ヒートシンク基板３４と共にＭＯＳデバイスが形成されたｎ型シリコン基板３０をダイシングカットすることで、ヒートシンク１０７と一体化された半導体チップ１０６を形成でき、ヒートシンク１０７と共に半導体チップ１０６を取り扱うことができるため、この後の工程でも薄膜状態でのハンドリングを行わなくて済むようにできる。例文帳に追加

Then an n-type silicon substrate 30 where the MOS device is formed is cut by dicing together with the heat sink substrate 34 to form a semiconductor chip 106 united with the heat sink 107, and the semiconductor chip 106 can be handled together with the heat sink 107, so the handling in the thin-film state is not necessary even in subsequent processes. - 特許庁

次に第一基板と第二基板との間に糸又は細い棒を挿入し、此等糸又は細い棒を第一基板側に引きつつ、第二基板法線に対して斜め方向に力を加える事で糸又は細い棒を第二基板の水平方向に移動させて、薄膜デバイスを第一基板から第二基板へと移設する。例文帳に追加

Then, a thread or thin rod is inserted between the first substrate and second substrate and while the thread or thin rod is drawn toward the first substrate, force is applied obliquely to a second substrate normal to move the thread or thin rod in the horizontal direction of the second substrate, thereby transferring the thin film device from the first substrate to the second substrate. - 特許庁

腕時計のガラス面に半導体材料層を形成し、その半導体材料層上に、半導体デバイスの薄膜形成プロセスにより、温度センサーとして機能するトランジスタと、そのトランジスタの導通状態を検出することで温度を検出する温度検出回路と、温度検出回路によって検出された温度を温度データとして記憶する半導体メモリーとを形成する。例文帳に追加

The semiconductor material layer is formed on the glass face of the wrist watch, and a transistor functioning as the temperature sensor, the temperature detection circuit for detecting the temperature by detecting the conduction state of the transistor, and the semiconductor memory for storing the temperature detected by the temperature detection circuit as temperature data are formed on the semiconductor material layer by the membrane formation process of the semiconductor device. - 特許庁

基材フィルムの少なくとも一方の面に形成された無機薄膜層を少なくとも1層有するガスバリア性積層体を複数枚有し、各ガスバリア性積層体をガスバリア性が優れるとともに、異物及び／又は気泡の数が少ない接着剤層により接着してなる有機デバイス用ガスバリア性積層フィルム。例文帳に追加

The gas barrier laminated film for the organic device includes two or more gas barrier laminates having at least one layer of an inorganic thin film layer formed on at least one surface of a base film, wherein each of the gas barrier laminates is adhered by an adhesive layer which is excellent in gas barrier properties and includes few foreign substances and/or air bubbles. - 特許庁

本発明は、酸化アルミニウムと酸化チタンの交互の層からなる、実質的にアルカリ金属を含まないガラス基板上に堆積された薄膜構造の絶縁膜、ならびにエレクトロルミネセンスデバイスに関し、その絶縁膜がケイ光物質層と誘電体層との間に絶縁層として挿入されている。例文帳に追加

An insulating film for a thin-film structure is deposited on a glass board not substantially containing alkali metal consisting of alternately laid layers of aluminum oxide and titanium oxide and thereby an electroluminescence device is formed, wherein the insulating film is interposed as insulating layer between a fluorescent material and a dielectric substance layer. - 特許庁

成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a high-density silicon oxide film, which suppresses the occurrence of a sub-oxide layer as much as possible without damaging a surface of a film formation substrate and improves insulating characteristics of an oxide film furthermore to make the oxide film thin, and a silicon substrate and a semiconductor device which include the high-density silicon oxide film manufactured by the manufacturing method. - 特許庁

コアワイヤ２２とセンサ素子２３とを備える、生体内における生理学的変数を血管内で測定するセンサ・ガイドワイヤアセンブリ２１において、センサ素子２３は、コアワイヤ２２に装着される装着部２４と、その上面に薄膜２６等の感圧デバイスが設けられる感圧部２５とを備える。例文帳に追加

In this sensor-guide wire assembly 21 provided with a core wire 22 and a sensor element 23 to measure physiological variable in organism in a blood vessel, the sensor element 23 is provided with a mounting part 24 mounted on the core wire 22 and a pressure sensitive part 25 in which a pressure sensitive device such as a thin membrane 26 is provided on its upper face. - 特許庁

薄膜デバイス１の製造方法は、基板２の上に平坦化膜３を形成する工程と、平坦化膜３の上に下部導体層１０を形成する工程と、下部導体層１０の上に誘電体膜２０を成膜する工程と、誘電体膜２０の上に上部導体層３０を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The method for fabricating a thin device 1 comprises a process for forming a flat film 3 on a substrate 2, a process for forming a lower conductor layer 10 on the flat film 3, a process for forming a dielectric film 20 on the lower conductor layer 10, and a process for forming an upper conductor layer 30 on the dielectric film 20. - 特許庁

薄膜ＳＯＩデバイスにおいて、▲１▼超高選択比エッチング条件にてサイドウォールを形成し、ＳＯＩ層の膜減の量を極力低減すること、▲２▼安定した高い電流駆動能力を持つこと、▲３▼高歩留まりを実現することの可能な電解効果トランジスタの製造方法及びエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor manufacturing and etching methods that can (1) form a sidewall on condition of very high selective etching and reduce as much film decrease in an SOI layer as possible in a thin film SOI device, (2) have a stable and high current drive capability, and (3) realize a high yield. - 特許庁

負極１９と、正極２３と、これら両極間に挟持されたプロトン伝導体膜１４とからなる燃料電池４０等の電気化学デバイスに対し、メタノール等の液体燃料から水素を取り出すためのＰｔ系の触媒層４と、液体不透過性であって水素は透過するＰｄ薄膜等の水素透過層５とを有する燃料改質器１から取り出される水素を供給すること。例文帳に追加

To the electrochemical device such as a fuel cell 40 comprising a negative electrode 19, a positive electrode 23, and a proton conductor film 14 held between both electrodes, hydrogen taken from the fuel reformer 1 comprising a Pt-based catalyst layer 4 for taking hydrogen from liquid fuel such as methanol, and a hydrogen transmitting layer 5 such as a Pd thin film to transmit hydrogen, but not liquid, is supplied. - 特許庁

正極リード線２２・負極リード線２３の立ち上がり端子部２２ａ，２３ａを貫通させる状態で集積型薄膜太陽電池デバイス１６の裏面全体を封止絶縁フィルム２４およびバックフィルム２５でラミネート封止し、各立ち上がり端子部２２ａ，２３ａに端子ボックス２６を接続する。例文帳に追加

Finally, the whole backside of the laminated thin film solar battery device 16 is lamination scaled with scaled insulating film 24 and a back film 25 in the state of penetrating the erected terminal parts 22a, 23a of the positive electrode lead wire 22, negatice electrode lead wire 23 so as to connect a terminal box 26 to respective terminal part 22a, 23a. - 特許庁

半導体デバイスなど電子機器の製造において、硬いバリア層や層間絶縁膜を研磨する際に、凹部の銅或いは銅合金表面を研磨中に保護することにより、研磨後に平坦性に優れた清浄な基体表面が得られる研磨液、及び前記研磨液を用いて生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度に優れ、信頼性の高い化学機械研磨を行う研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing solution for polishing hard barrier layers and layer insulation films while the surface of cupper or a cupper alloy in a recess is protected during polishing to obtain a polished superior-flatness clean substrate surface, in the manufacturing of an electronic apparatus such as a semiconductor device, and to provide a high reliability chemical/mechanical polishing method superior in microprocessing, thinning, and dimension accuracy. - 特許庁

光学デバイス１は、光を反射する反射膜２１ｂを有する可動板１１と、可動板１１をＸ軸周りに回動可能に支持する弾性支持部１３とを備え、可動板１１は、Ｘ軸と水平に直交する方向における長さが反射膜２１ｂの長さより大きい薄膜２１ａを有する。例文帳に追加

This optical device 1 includes a movable plate 11 having a reflecting film 21b for reflecting a light, and an elastic support 13 for supporting the movable plate 11 turnably around an X-axis, and the movable plate 11 has a thin film 21a of which the length along a direction orthogonal horizontally to the X-axis is longer than a length of the reflecting film 21b. - 特許庁

ホットキャリアによる特性劣化のない真性トランジスタに非線形抵抗素子や真性トランジスタとは異なる特性のトランジスタを結合した薄膜トランジスタのデバイスモデルを用いることで、汎用の回路シミュレータであってもホットキャリア劣化後の回路動作をシミュレートできるようにしたシミュレーション方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for simulation which can simulate a circuit operation after hot carrier deterioration even in a general purpose circuit simulation by using a device model of a thin film transistor in which a transistor having characteristics different from those of a nonlinear resistance element or an intrinsic transistor is coupled to an intrinsic transistor having no characteristic deterioration due to a hot carrier. - 特許庁

薄膜シリコン系デバイスに用いる結晶質シリコン膜に光を照射し、結晶質シリコン膜で反射された反射光を検出し、検出した反射光の輝度に係るパラメータを計測し、該輝度に係るパラメータが予め設定されている適正範囲内であるか否かに応じて、該結晶質シリコン膜の膜質評価を行う。例文帳に追加

A crystalline silicon film for a thin-film silicon device is irradiated with light, reflection light reflected on the crystalline silicon film is detected, a parameter of the luminance of the detected reflection light is measured, and the film quality of the crystalline silicon film is evaluated depending on whether the parameter of the luminance is within a previously set appropriated range. - 特許庁

基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a polycrystalline thin film and a method for producing a composite nanocrystal layer, with which variation in size of a great number of columnar crystals grown in a direction perpendicular to one surface of a substrate and variation in formation positions can be suppressed, and a field-emission electron source enhancing electron emission efficiency and a luminescent device enhancing luminous efficiency. - 特許庁

ソース電極１７とドレイン電極１８との間のｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用層をドライエッチングによりジャストエッチングして除去し、真性アモルファスシリコンからなるデバイス用半導体薄膜１４の上面の両側にオーミックコンタクト層１５、１６を形成する。例文帳に追加

A layer for ohmic contact layer formation composed of n-type amorphous silicon between a source electrode 17 and the drain electrode 18 is removed by performing just etching by dry etching, and the ohmic contact layers 15 and 16 are formed on both sides of the upper surface of the semiconductor thin film 14 for the device composed of true amorphous silicon. - 特許庁

最適な吐出条件を決定し得る手法を提供するべく、液滴の着弾時の挙動等を容易に認識できるようにし、これにより最適な吐出条件の下でより精密で良好な微細パターンの機能性薄膜を形成できるようにした、液滴吐出装置およびデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid drop ejector wherein the behavior of liquid drops at the time of impact can be recognized easily and a functional thin film of a more precise good fine pattern can be formed under the optimal ejection conditions to provide a technique of determining the optimal ejection conditions, and provide a method for producing a device. - 特許庁

透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法において、半導体デバイスの特定箇所の観察断面に非晶質構造の保護膜を形成する工程と；前記保護膜が形成された観察断面の周囲を除去する工程と；少なくとも前記保護膜を含む領域を薄膜化する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

This manufacturing method of a sample for a transmission type electron microscope includes a process for forming a protective film of an amorphous structure to the observation cross section of the specific place of a semiconductor device, a process for removing the periphery of the observation cross section to which the protective film is formed and a process for forming the region containing the protective film into a thin film state. - 特許庁

Ｓｉ基板表面に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第１の電極と第２の電極とを配置し、前記第１の電極と第２の電極との間の前記絶縁膜上に前記両電極間を電気的に接続する前記導電性有機薄膜を配置して、前記Ｓｉ基板を第３の電極とすることによって３端子有機電子デバイスが製造できる。例文帳に追加

This three-terminal organic electronic device is manufactured by forming an insulating film on an Si substrate surface, disposing the first electrode and the second electrode on the insulating film, disposing a conductive organic thin film electrically connecting the both electrodes on the insulating film between the first electrode and the second electrode, and configuring the Si substrate as a third electrode. - 特許庁

基体上に、一対の電極および該一対の電極に挟持される有機化合物薄膜を有する有機ＥＬ素子において、前記有機化合物薄膜は発光層と、前記発光層と隣接する隣接層とを有し、前記発光層を構成する発光材料および前記隣接層を構成する隣接層材料それぞれの蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることを特徴とする有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を用いた発光光源、照明装置、表示デバイスおよび発光方法。例文帳に追加

With the organic EL element having a pair of electrodes and an organic compound thin film pinched by the pair of the electrodes, the organic compound thin film is provided with a light emitting layer and an adjacent layer adjacent to the light emitting layer, with fluorescence maximum wavelength of each of light emitting material constituting the light emitting layer and an adjacent layer material constituting the adjacent layer of not more than 415 nm. - 特許庁

本発明により、金属チタン又は酸化チタンを圧力勾配型プラズマガンによるアーク放電イオンプレーティングを用い基板上に成膜するアナターゼ型酸化チタン薄膜の製造方法としたことで、低基板温度での成膜が可能となり、基板の種類の制限が少なくなるとともに、真空プロセスによる成膜であるため、多層構造のデバイスを製造するに他の層を形成する装置と同様なものが使用できるため、製造の効率を上げることができるものとし、課題を解決するものである。例文帳に追加

This thin film of anatase-type titanium oxide is obtained by film-forming metallic titanium or titanium oxide on a substrately, an arc- discharge ion plating by using a pressure-inclined type plasma gun. - 特許庁

このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリ物質の製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。例文帳に追加

Also provided are methods for producing the selenium ink and for using the selenium ink to deposit selenium on a substrate for use in the manufacture of a variety of chalcogenide-containing semiconductor materials, such as thin film transistors (TFTs), light emitting diodes (LEDs); and photoresponsive devices (e.g. electrophotography (e.g. laser printers and copiers), rectifiers, photographic exposure meters and solar cells) and chalcogenide-containing phase change memory materials. - 特許庁

電子デバイスであって、ゲートコンタクト、ソースコンタクト、ドレインコンタクト、半導体のうちのいくつかを備え、複数の部分的に形成された薄膜トランジスタと、部分的に形成されたトランジスタのうちの選択されたものの上に蒸着され、完全なトランジスタを構成するジェット印刷された材料と、トランジスタからの信号を検出し、符号化されたビットストリームを生成する読み出し用電子機器とを備える。例文帳に追加

An electronic device comprises: multiple partially formed thin film transistors, each of which includes some of a gate contact, a source contact, a drain contact, and a semiconductor; a jet-printed material that is deposited on selected partially formed transistors to form completed transistors; and readout electronic devices to detect signals from the transistors and generate an encoded bit stream. - 特許庁

ＳＴＩデバイス素子分離手法を実施するに際し、一般のミラー（鏡面研磨）シリコンウエハ表面に存在するナノトポグラフィー領域の微小うねりを簡易に、かつ、有効に減少させ、前記ＣＭＰ研磨処理により形成する薄膜の膜厚ムラの発現を減少させ、ＣＭＰ工程におけるパフォーマンス低下を誘引することがないナノトポグラフィー平坦性が改善されたシリコン単結晶ウエハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a silicon single crystal wafer that simply and effectively reduces minute waviness in a nanotopography region existing on the surface of a general (mirror surface-polishing) silicon wafer, reduces the manifestation of film thickness irregularity of a thin film by the CMP polishing treatment, and has improved nanotopography flatness where reduction in performance in the CMP process is not induced when performing the STI device element separation method. - 特許庁