「薄膜デバイス」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

カーボンブラックに担持した触媒上にイオン伝導性の高分子電解質薄膜が被覆された構造を持ち、触媒の利用率が高く高温でも長期間安定に作動する優れたガス拡散電極とその製造法、およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a gas diffusion electrode having a structure in which a polymer electrolyte thin film having ion conductivity is coated on a catalyst carried on carbon black and having high utilization rate of catalyst and superior in operation for a long period stably even under high temperature, and its manufacturing method, and an electrochemical device using the same. - 特許庁

得られたポーラスアルミナ箔は、隣接エッチド孔間に未反応の金属Ａｌ5が残存していないので、耐熱性，化学的安定性に優れ、光触媒用担体や各種光学デバイス用素材としても有効な複合多孔質薄膜体となる。例文帳に追加

The obtained porous aluminum foil shows superior heat resistance and chemical stability because of leaving no unreacted metallic Al 5 among the adjacent etched pores, and is used for a composite porous thin film body which is effective as a photocatalytic carrier or a material for various optical devices. - 特許庁

スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン注入層を形成しても、圧電基板から圧電薄膜を問題なく分離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that separates, when manufacturing a piezoelectric compound substrate through smart-cutting, even if an ion implantation layer is formed while fixing the piezoelectric substrate at some places around the piezoelectric substrate using a fixing tool, a piezoelectric thin film from the piezoelectric substrate without fail. - 特許庁

エピタキシャル薄膜成長とそのデバイス作製に使用される口径５０ｍｍ以上のＳｉＣ単結晶ウエハであって、ウエハ面内の任意の２点間での結晶方位のずれが６０秒／ｃｍ以下であるモザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ。例文帳に追加

The SiC single crystal wafer used for growing the epitaxial thin film and for producing the device has a diameter of ≥50 mm, and the SiC single crystal wafer is so small in mosaic property that the deviation in the crystal orientation between optional two points in the wafer surface is ≤60 s/cm. - 特許庁

このような４Ｈ型単結晶炭化珪素を成長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法により、この基板上に単結晶炭化珪素薄膜を成長させれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイスを製作することができる。例文帳に追加

By using the obtained 4H type single crystal silicon carbide as a growth substrate and growing a single crystal silicon carbide thin film by a vapor phase epitaxial growth method on the substrate, a high voltage-resistant and environment-resistant electronic device having excellent electric characteristics can be fabricated. - 特許庁

電気化学デバイスのリード３は、Ａｌを含むリード本体３Ａと、リード本体３Ａの先端部に設けられ、この先端位置から突き出した一対の第1及び第２の金属薄膜３ａを有し、これらの先端は互いに接触している。例文帳に追加

A lead 3 of an electrochemical device includes a lead body 3A including Al and a pair of first and second metal thin films 3a which is provided at the tip of the lead body 3A and protrudes from this tip position, and these tips come into contact with each other. - 特許庁

電気化学デバイスのリード３は、Ａｌを含むリード本体３Ａと、リード本体３Ａの先端部に設けられ、リード本体３Ａの幅方向端部に位置する２つの側面位置をそれぞれ境界として折り曲げられた金属薄膜３ａを有している。例文帳に追加

A lead 3 of an electrochemical device includes a lead body 3A including Al and a metal thin film 3a which is provided at the tip of the lead body 3A and is folded with two side face positions located at the end in a width direction of the lead body 3A as a boundary. - 特許庁

基材薄板（１）と、該基材薄板とは異なる熱膨張係数を有する素材を前記基材薄板表面に被着せしめたミラー金属薄膜（３）と、前記基材薄板の内部または表面に形成された加熱素子（４）と、から構成される可変曲率ミラーデバイスである。例文帳に追加

The variable curvature mirror device comprises: a thin base plate (1); a mirror metallic thin film (3) formed by depositing a material having a coefficient of thermal expansion different from that of the thin base plate, on a surface of the thin base plate; and a heating element (4) formed in or on the surface of the thin base plate. - 特許庁

本発明の半導体装置は、シリコン基板１ａ上に形成されたデバイス２と、層間絶縁膜３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄと、電源線４ｄ、接地線４ｅを含む配線と、最上層絶縁膜３ｄ上に形成された薄膜コンデンサ１４とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a device 2 formed on an silicon substrate 1a, layer insulation films 3a, 3b, 3c, 3d, wirings including a power line 4d and a ground line 4e, and a thin film capacitor 14 formed on the topmost insulation film 3d. - 特許庁

微細素子の製作に際してフォトリソグラフィによるパターニングを施すことなく、低コストで簡易に半導体素子、集積回路、画像ディスプレー用デバイス等の微細素子を作製するための基板、該基板の作製方法、及び該基板を用いる薄膜形成方法を提示すること。例文帳に追加

To present a substrate for easily fabricating a fine element such as a semiconductor element, an integrated circuit, and a device for an image display at a low cost without patterning by photolithography for the fabrication of the fine element, a fabrication method for the substrate, and a thin-film forming method using the substrate. - 特許庁

積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスにおいて、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止する。例文帳に追加

To prevent dielectric film characteristics from varying or a constant dielectric film thickness from deteriorating due to a part not reaching a balanced state, in the lower conductor layer of a thin-film device, on which a lower conductor layer, a dielectric film and an upper conductor layer have been laminated. - 特許庁

封止キャップと透明絶縁基板を貼り合わせるに際して、塗布した接着剤の塗布パターンが内側あるいは外側に広がることを制御でき、接着剤の厚さを一定にすることができる有機薄膜ＥＬデバイスの製造方法の提供。例文帳に追加

To manufacture an organic thin film EL device which can make constant the thickness of adhesives through the control of spreading of the adhesive applying pattern to the inside or outside when a seal cap is to be affixed to a transparent insulated base board. - 特許庁

内部空間を有するパッケージに収容され、基板４０上に例えば電気回路を構成する構造体を具備してなるチップデバイスにおいて、電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部５７を設ける。例文帳に追加

The chip device which is stored in a package having an internal space and equipped with a structure having, for example, an electric circuit constituted on a substrate 40 is provided with a dew condensation part 57 made of a metal thin film on the surface where the electric circuit is not provided. - 特許庁

耐熱基材１００の上に、分離層１２０として、液相存在により、耐熱基材１００に対する密着力が低減して剥離現象を生ずる性質を有する有機物膜を形成し、その上に薄膜デバイス相１４０を形成する。例文帳に追加

An organic film that has a property to generate a peeling phenomenon because an adhesion to the heat-resistance substrate 100 is lowered due to liquid phase, is formed as an isolating layer 120, and a thin-film device phase 140 is formed thereon. - 特許庁

櫛形電極１４と１６との間の抵抗薄膜１８は、ＳＡＷデバイス１０の動作時に影響を与えず、且つ、櫛形電極１４または１６に蓄積された電荷を放電し、静電破壊を防止するのに十分な程度の抵抗値を有している。例文帳に追加

The resistance thin film 18 between the interdigital electrodes 14 and 16 exerts no influence when a SAW (surface acoustic wave) device 10 operates and also has enough resistance value to prevent dielectric breakdown by discharging the electric charges accumulated in the interdigital electrode 14 or 16. - 特許庁

基板１０と、基板１０の表面に形成された光導波路１２と、光導波路１２上に形成された周期的な分極反転領域１１と、光導波路１２の一部に形成された光学薄膜１４とにより光導波路デバイスを構成する。例文帳に追加

The optical waveguide path device is constituted of a substrate 10, an optical waveguide path 12 formed on the surface of the substrate 10, a cyclic polarized inversion area 11 formed on the optical waveguide path 12 and an optical thin film 14 formed on a part of the optical waveguide path 12. - 特許庁

成膜対象となる面の性質と、積層する塗布液に使用する溶剤との関係を考慮しないで機能性積層膜を形成する機能性積層膜の形成方法、この形成方法で製造した積層薄膜デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の提供。例文帳に追加

To provide a method of forming a functional laminated film to form the functional laminated film without considering relationship between characteristics of a face to become a film forming object and a solvent used for a lamination coating liquid, a laminated thin film device and an organic electroluminescent display device manufactured by the method. - 特許庁

低温poly-Si TFT用四角形のガラス基板面内の膜厚均一性を改善し、基板面内でデバイス特性のばらつきが発生する要因を少なくし、膜厚のばらつきが低くなるような半導体薄膜の作製法および成膜装置の提供。例文帳に追加

To provide a production method of a semiconductor thin film, which improves film thickness uniformity in the glass substrate surface of a quadrangle for low-temperature poly-Si TFT, reduces the number of factors causing scatter ing of device characteristics in a substrate surface, and reduces scattering of film thickness, and to provide a film-forming apparatus. - 特許庁

設計情報に基づいた条件で成膜およびＣＭＰを実施し、検査を経て製造される薄膜デバイスの設計、製造技術において、ＣＭＰ後のウェハに対して詳細に膜厚を計測し、実測した膜厚データに基づいて設計及びプロセスを変更して最適化する。例文帳に追加

In the design and the manufacturing technology of a thin film device in which a film is formed and a CMP is effected under conditions depending on design information to manufacture through an inspection, a wafer after the CMP is measured in a film thickness in detail, and the design and process are altered based on actually measured film thickness data to optimize. - 特許庁

容量のばらつきを抑えるとともに、Ｖ_BDをより高めつつ、個体間のＶ_BDのばらつきを抑え、且つ、層間剥離を十分に抑止することができ、デバイス特性及び製品の信頼性、並びに、生産性及び経済性を向上させることが可能な薄膜コンデンサ等を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film capacitor in which variation in capacitance is suppressed, V_BD is raised while suppressing its variation among individuals, delamination is fully deterred and thereby the device characteristics, the reliability of product, productivity and economy are enhanced. - 特許庁

ガラス基板の成膜を行う面に光触媒特性を有する薄膜デバイス用ガラス基板の提供し、および、この基板を用いて成膜する前に、この基板の成膜を行う面に紫外光または可視光を照射する成膜方法を提供する。例文帳に追加

The glass substrate for thin-film devices is provided which has a photocatalyst characteristic on the plane to be formed with a film; and a film deposition is processed wherein ultraviolet light or visible light is irradiated on the plane of the substrate to be formed with the film, before depositing the film on the substrate. - 特許庁

機械的強度が高く、外部応力に対する形状維持性が優れるゲル状イオン伝導性電解質及び薄膜化、積層形成、簡略化及び軽量化が可能であり、パッケージの寸法精度に優れる電気化学的デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a gel-like ion conductive electrolyte having high mechanical strength and excellent shape maintainability to external stress, and an electrochemical device that can be reduced in film thickness, formed in laminated layers, simplified and reduced in weight while having excellent dimensional accuracy of a package. - 特許庁

本発明は、薄膜化が可能で、イオン透過性に優れて低抵抗であり、且つ、電極間の短絡および自己放電がしにくく、しかも有機溶剤やイオン性液体存在下の高温環境下での長期使用後においても耐久性に優れる蓄電デバイス用セパレータを提供する。例文帳に追加

To provide a power storage device separator, which can be reduced in film thickness with excellent ion permeability and reduced resistance, hardly causes a short-circuit between electrodes and self-discharge thereof, and can maintain excellent durability even after long-term use under high-temperature environment in the presence of an organic solvent or ionic liquid. - 特許庁

これにより、接合の際に、突起物１２の凸形状が複数あると凸形状間で空隙ができてしまうことを回避し、また、頭頂部１２ａを形成する角度を浅くして、接合時の変形量を減少、接合時の加重を低く、デバイスの他の薄膜層へのダメージを低減する。例文帳に追加

Thus, a situation causing gaps among the projected shapes because of a plurality of projecting projections 12 is avoided, and an angle forming the top part 12a is made small to reduce a quantity of deformation are reduced at bonding, a weighting load during bonding, and damage to the other thin-film layers of a device. - 特許庁

薄膜デバイス１０の製造過程において、被覆絶縁膜１３により被覆された状態の導電膜パターン１２を被覆するように樹脂絶縁膜１４が充填されやすくなるため、その導電膜パターン１２が周辺から十分に絶縁される。例文帳に追加

In a manufacturing process of the thin film device 10, a resin insulating film 14 is likely to be filled so as to coat the conductive film pattern 12 covered with a covering insulating film 13 so that the conductive film pattern 12 is sufficiently insulated from the circumference. - 特許庁

積層された下部導体層、誘電体膜および上部導体層を備えた薄膜デバイスにおいて、下部導体層中の平衡状態に達していない部分に起因して、誘電体膜の特性が変化したり誘電体膜の厚みの均一性が低下したりすることを防止する。例文帳に追加

To prevent a change in characteristics of a dielectric film or a decline in uniformity of thickness thereof due to a portion of a lower conductor layer which has never reached an equilibrium state; in a thin-film device which comprises the lower conductor layer, the dielectric film, and an upper conductor layer which are stacked. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜であるシリコン窒化酸化膜の薄膜化において、窒素をゲート絶縁膜とシリコン基板の界面に導入しないようにし、デバイス特性劣化の防止が可能な半導体装置の製造方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of avoiding nitrogen from being delivered to a boundary between a gate insulating film and a silicon substrate, thereby being capable of preventing the characteristic of the device from being deteriorated in the case of manufacturing a thin silicon nitride oxide film that is a gate insulating film of a MOSFET. - 特許庁

エピタキシャル薄膜成長とそのデバイス作製に使用される口径５０ｍｍ以上のＳｉＣ単結晶ウエハであって、ウエハ面内の任意の２点間での結晶方位のずれが６０秒／ｃｍ以下であるモザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ。例文帳に追加

The SiC single crystal wafer used for growing the epitaxial thin film and for producing the device has a diameter of ≥50 mm, and the SiC single crystal wafer is small in mosaic property and has such a characteristic that the deviation in the crystal orientation between optional two points in the wafer surface is ≤60 s/cm. - 特許庁

簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高温、高湿度下においても経時安定性に優れた有機電子デバイス、特に有機薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an organic electronic device, especially an organic thin-film transistor, that can be manufactured in a simple wet process, has improved transistor characteristics, and has improved stability with the lapse of time in the atmosphere or at a high temperature and high humidity, and to provide a manufacturing method of the organic electronic device. - 特許庁

従来の薄膜トランジスタデバイスの製造におけるフォトリソグラフィ工程により生じる、材料、労働力、または技術コストの消耗、生産率の低下と生産時間などの浪費について、いずれかを減少できる簡略化した製造工程を提供するものである。例文帳に追加

To provide simplified manufacturing processes which can reduce any of the following: consumption of materials, manpower, or technology costs, decrease in the production rate, and waste of production time and the like, which are caused by photolithography processes in conventional methods for manufacturing thin-film transistor devices. - 特許庁

簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor material which can be manufactured in a simple process, has good characteristics as a transistor and is suppressed in secular change, and to provide an organic semiconductor film employing the same, an organic semiconductor device and an organic thin-film transistor. - 特許庁

薄膜電子デバイスの製造装置としての剥離装置１は、被転写体を挟んで貼り合わされた転写元基板３０と転写先基板４０とを、被転写体と転写元基板３０との間の積層界面において剥離する装置である。例文帳に追加

A peeling apparatus 1 as the apparatus for manufacturing the thin film electronic device peels a transfer source substrate 30 and a transfer destination substrate 40 having been stuck together with a body to be transferred interposed along a lamination interface between the body to be transferred and transfer source substrate 30. - 特許庁

溶媒への溶解性が高く、簡便な塗布プロセスによって製造することができ、特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定な有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor material which has high solubility in a solvent, can be manufactured by a simple coating process, has excellent characteristics, and is stable to oxygen in air; and to provide an organic semiconductor film, an organic semiconductor device, and an organic thin film transistor which use the same. - 特許庁

高価な基板を用いることなく製造することができるとともに、基板のカット角を制御する必要もなく、製造コストを低減でき、従来よりも電気機械結合係数が高く、高い性能を有する酸化亜鉛薄膜及びこれを用いた弾性表面波デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a zinc oxide thin film manufactured without using an expensive substrate, unnecessary for the control of the cut angle of a substrate, formed at reduced production cost and having higher electromechanical coupling factor and high performance as compared with a conventional zinc oxide thin film, and to provide a surface acoustic wave device using the same. - 特許庁

薄膜デバイスの製造工程において、問題の発生した装置を効率よく抽出する製品について製品検査に関連して得られるデータと、製造装置について状態を示すデータとの関連性を評価することにより、問題が発生した製造装置の候補を抽出する。例文帳に追加

In the manufacturing process of thin film devices, the apparatus extracts the candidates of manufacturing equipment in which a trouble has occurred, by evaluating the relationship between data obtained in relation to product inspection for a product, and data indicating the state of manufacturing equipment, for effectively extracting equipment in which a trouble has occurred. - 特許庁

可撓性を有する基板(10)と、所定形状にパターニングされており、前記基板の一方面側に設けられる導電膜(14)と、前記導電膜よりも硬度が高く、当該導電膜を覆うようにして設けられる硬質膜(16)と、を備える、薄膜デバイスである。例文帳に追加

A thin film device comprises the flexible substrate (10), a conductive film (14) which is patterned in a specified shape and disposed on one surface side of the substrate, and a hard film (16) which has higher hardness than the conductive film and is provided covering the conductive film. - 特許庁

簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor material which can be manufactured in a simple process, has good characteristics as a transistor, is stable to oxygen in the air and has sufficiently suppressed secular change, and to provide an organic semiconductor film employing the same, an organic semiconductor device and organic thin-film transistor. - 特許庁

耐熱性、耐薬品性、水蒸気バリア性に優れ、平均線膨張係数が低く、かつ、曲げ強度が高く、薄膜デバイス形成工程で反りや変形、配線の亀裂が生じにくいことを特徴とする表示素子用プラスチック基板を提供する。例文帳に追加

To provide a plastic substrate for a display element which is excellent in heat resistance, chemical resistance and steam barrier properties, low in average coefficient of linear expansion and is furthermore high in bending strength, and by which bending, deformation, or cracks due to wiring in a thin-film device forming process are hard to be generated. - 特許庁

外層をＳｉＮ_x、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_x、ＳｉＯＣ又はＳｉＣ_xの少なくとも１つを含む膜で保護された機能デバイスを駆動するための薄膜トランジスタであって、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏを主たる構成元素とする非晶質酸化物膜のチャネル層を持つ。例文帳に追加

The thin-film transistor drives a functional device wherein an outer layer is protected by a film containing at least one of SiN_x, SiON, SiO_x, SiOC, or SiC_x, and it is provided with a channel layer formed of an amorphous oxide film having a main constituent element of In-M-Zn-O. - 特許庁

薄型化、軽量化、堅牢化を達成でき、またプラスチック基板を使うことによってフレキシブルなディスプレイを実現できる薄膜デバイスの製造方法およびその製造方法により製造される半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a thin film device which can make a semiconductor device thin and can make it light in weight and can make it strong and also can realize a flexible display by using a plastic substrate and to realize the semiconductor device which is to be manufactured by the manufacturing method. - 特許庁

液晶ディスプレイ、発光ダイオード、有機ＥＬディスプレイ、タッチパネルなどの表示デバイスに用いられる透明酸化物層とＡｇ合金薄膜層との密着性を向上させた積層電極膜およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide: a layered electrode film used for display devices, such as a liquid crystal display, a light emitting diode, an organic EL display and a touch panel, in which adhesion between a transparent oxide layer and an Ag alloy thin film layer is improved; and a method for producing the layered electrode film. - 特許庁

本発明は、レーザーアニール装置および薄膜デバイスの作製方法において、レーザー処理の前にレーザー処理されるべき試料の表面が外気に触れることによる表面の汚染や、表面の原子の結合状態の変化を防止する。例文帳に追加

To prevent contamination of the surface of a sample and the change in the bonding state of atoms on the surface, due to the exposure of the surface of the sample to be laser-treated, to the atmosphere before laser-processing, in a laser-annealing apparatus, and to provide a method of manufacturing a thin-film device. - 特許庁

大型ガラス基板などの被処理誘電体基板を、これに形成されたデバイスの絶縁薄膜の絶縁破壊を確実に防止しながら表面処理を行ったのちに支障無く取り外すことのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an equipment for plasma processing which enable to demount without any trouble a dielectric substrate to be processed such as a large glass substrate after being subjected to the surface treatment, with the dielectric breakdown of an insulation thin film of a device formed on the substrate being surely prevented. - 特許庁

光学デバイスの製造に使用可能な有機発光材料の発光色を所望の波長に制御するための簡便な方法、および、同一基板上に複数の異なる発光色領域を有する有機発光材料の薄膜を作成するための簡便な方法の提供。例文帳に追加

To provide a simple method for controlling the luminescent color of an organic luminescent material usable for the manufacturing of an optical device so as to have a desired wavelength, and the simple method for forming a thin film of the organic luminescent material having a plurality of different luminescent regions on the same substrate. - 特許庁

バルク単結晶ＳＴＯは、低温で高い誘電率を示すため、超伝導や低温デバイスの実用化で極めて有用な誘電体であるにも関わらず、薄膜化すると誘電率が低下してしまうという欠点があり、現在に至るもこの欠点は、克服されていない。例文帳に追加

To solve a problem that a bulk single crystal STO is a very useful dielectric body because of the practical use of superconduction or a hygenic device since the STO shows a high dielectric constant at low temperatures, but the STO has a fault that the dielectric constant is lowered when the STO is changed into a thin film and the fault has not been overcome up to the present date. - 特許庁