「A.U.」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The material Sn in its single substance state has a melting point lower than an Au-Sn alloy, but has a diffusion coefficient higher than Au.例文帳に追加

Ｓｎは、単体の状態の融点がＡｕ−Ｓｎ合金の融点よりも低いが、Ａｕに対する拡散係数が高い。 - 特許庁

The residual O atoms on an active site are controlled as the residual O atoms are detached through an outlet of Au which is hard to oxidize.例文帳に追加

また残留するＯ原子は難酸化性のAuを出口として脱離されるので、活性サイト上へのＯ原子の残留が抑制される。 - 特許庁

Also, since the Ti layer 15 functions as an etching stopper, etching of each Au layer and AuGe-Ni-Au alloy layer can be carried out independently.例文帳に追加

また，Ｔｉ膜は，エッチングストッパとして働くため，Ａｕ層，ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層それぞれのエッチングは，完全に独立して行われる。 - 特許庁

To provide a lead-free solder alloy in which the erosion of Au generated upon the soldering of Au wire is prevented.例文帳に追加

Ａｕワイヤーのはんだ付時に生じるＡｕ食われを防止する鉛フリーのはんだ合金を提供する。 - 特許庁

To provide an Au-Sn alloy powder to be used for manufacturing an Au-Sn alloy solder paste causing less void.例文帳に追加

ボイド発生の少ないＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを製造するために使用するＡｕ−Ｓｎ合金粉末を提供する。 - 特許庁

An electric field concentrates at the interface between the NTCDA film 4 and the Au electrode 6, electron injection occurs from the Au electrode 6, and doubling phenomena arise.例文帳に追加

ＮＴＣＤＡ膜４とＡｕ電極６の界面に電界が集中し、Ａｕ電極６から電子注入が起こって増倍現象が発生する。 - 特許庁

The Au bumps (9a-9d) of the semiconductor chip 5 are connected to the lead patterns 17 through an Au-Sn eutectic alloy layer.例文帳に追加

半導体チップ５のＡｕバンプ（９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ）は、Ａｕ−Ｓｎ共晶合金層を介してリードパターン１７に接続されている。 - 特許庁

Thereafter, the sol of Au-containing fine particles and the carrier are mixed and the Au-containing fine particles are carried by the carrier (Step S120).例文帳に追加

その後、金含有微粒子のゾルと担体とを混合し、担体上に金含有微粒子を担持させる（ステップＳ１２０）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving wet resistance and of restraining an Au plated part from being deteriorated owing to ion migration in the Au plated part.例文帳に追加

耐湿性を向上させることができ、Ａｕメッキ部のイオンマイグレーションによる劣化を抑制することができる半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a production method of an Au-Sn alloy foil which efficiently and inexpensively produces a high-quality, ultra-thin Au-Sn alloy foil.例文帳に追加

高品質の極薄膜Ａｕ・Ｓｎ合金箔を効率的にかつ安価に製造することが可能なＡｕ・Ｓｎ合金箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the metal film 4 contains at least one selected from a group of Au, Ag, Cu, Pt, Ni, Co, Fe, and Al.例文帳に追加

金属膜４は、Au、Ag,Cu,Pt、Ni、Co、Fe及びAlからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。 - 特許庁

To secure a melting point and a brazing property while reducing a weight ratio of Au in a brazing filler of an Au-Ag-Sn alloy.例文帳に追加

Ａｕ−Ａｇ−Ｓｎ合金のろう材を構成するＡｕの重量比を少なくしながら融点及びろう付け性を確保する。 - 特許庁

Ir has a strong NO_x adsorbing property but Au being generally said to be an inactive noble metal has a property hardly oxidized as compared with Ir.例文帳に追加

IrはNO_x を吸着する性質が強いが、Auは一般に不活性な貴金属といわれIrに比べて酸化されにくい性質をもつ。 - 特許庁

A surface layer covering the elastic layer is formed with Au, and the protrusion 23 is formed with any one of: an alloy of Cu and Ni; Ni; and Au.例文帳に追加

弾性層を覆う表面層はＡｕで形成されており、突出部２３はＣｕとＮｉの合金、ＮｉまたはＡｕのいずれかで形成される。 - 特許庁

The first semiconductor substrate 2 is so overlapped with the second semiconductor substrate 3 that the Au thin film layer 14 faces the Au thin film layer 34.例文帳に追加

第１半導体基板２と第２半導体基板３は、Ａｕ薄膜層１４とＡｕ薄膜層３４とが対向するように重なり合っている。 - 特許庁

The mole ratio Pt/Au is preferably (200/1) to (1/1) and the mole ratio Rh/Au is preferably (200/1) to (1/1).例文帳に追加

好ましくは、Ｐｔ／Ａｕのモル比が２００／１〜１／１であり、かつＲｈ／Ａｕのモル比が２００／１〜１／１である。 - 特許庁

A first Au layer 51 and a second Au layer are formed on the surfaces of the pads 11 and 12 and the alignment mark.例文帳に追加

パッド１１，１２及びアライメントマークの表面に、直接第一Ａｕ層５１及び第二Ａｕ層を形成する。 - 特許庁

Then, an upper wiring, having a contact metal layer 7 comprising a Ti/Pt/Au sputtered film and an Au-plated film 8 (d) is formed.例文帳に追加

その後、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕスパッタ膜からなるコンタクトメタル層７とＡｕメッキ層８を有する上層配線を形成する（ｄ）。 - 特許庁

An Au film is formed on one main surface of the n-type semiconductor substrate 51, and Au is diffused in the n-type semiconductor substrate 51 by a heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板５１の一方の主面にＡｕ膜を形成し、熱処理によってＮ型半導体基板５１内にＡｕを拡散させる。 - 特許庁

It is desirable that the metal single crystal substrate is made of Au or Pt, and the surface of the substrate is a (110) face of the Au or the Pt.例文帳に追加

望ましくは、前記金属単結晶基板がＡｕまたはＰｔから成り、該基板面がＡｕまたはＰｔの（１１０）面である。 - 特許庁

An n-type InN layer 104 is formed in a part on the n-type AlGaN layer 103, and an Ni/Pt/Au electrode 106 is formed on the n-type InN layer 104.例文帳に追加

n型AlGaN層103上の一部にはn型InN層104が形成されており、n型InN層104上にはNi/Pt/Au電極106が形成されている。 - 特許庁

The p-type electrode materials are composed of an AuGa film 2, an Au film 3, a Pt film 4, and the Au film 5.例文帳に追加

Ｐ型電極材料は、ＡｕＧａ膜２、Ａｕ膜３、Ｐｔ膜４、およびＡｕ膜５からなっている。 - 特許庁

And, the Au-compound solution prepared is reduction treated to form a sol of Au-containing fine particles (Step S100).例文帳に追加

また、用意した金化合物溶液を還元処理して、金含有微粒子のゾルを形成する（ステップＳ１００）。 - 特許庁

An ohmic electrode 6 laminating a lower-layer Ti layer 2, a diffusion preventive layer 3, an upper-layer Ti layer 4 and a metallic layer (Au) 5 are provided on a p-type GaAs layer 1.例文帳に追加

ｐ型GaAs層１の上に、下層Ti層２、拡散防止層３、上層Ti層４、金属層（Au）５を積層したオーミック電極６が設けられている。 - 特許庁

A first high-melting-point metal 18 of which melting point is higher than Au and Ag is provided between an Au wiring 15 and an Ag wiring 16.例文帳に追加

Ａｕ配線部１５とＡｇ配線部１６との間に、Ａｕ及びＡｇに比べて高融点の第１高融点金属部１８が設けられている。 - 特許庁

The thin-film 4 has either or both functions of an antioxidation film or an antistatic film, and Au, Pt, C or Ru is used for the thin-film 4.例文帳に追加

薄膜４は、酸化防止膜、帯電防止膜のいずれか、又は両方の機能を有するもので、例えばAu、Pt、Ｃ、Ruが用いられる。 - 特許庁

(2) In the reflective film laminate, the Ag alloy contains totally 0.1 to 5 atom% of at least one of Au, Pt, Pd and Rh.例文帳に追加

７×［Ａ］＋１３×［Ｂ］≦８ ------（１）式(2) 前記反射膜積層体においてAg合金がAu、Pt、Pd、Rhの１種以上を合計で0.1 〜５原子％含有するもの等。 - 特許庁

Further, a second light absorption layer 30 comprising an Au thin film 31 and an Au-Si eutectic section 32 is formed also on the back of the silicon substrate 11.例文帳に追加

また、シリコン基板１１の裏面にも、同様にＡｕ薄膜３１とＡｕ−Ｓｉ共晶部３２をからなる第２光吸収層３０を形成する。 - 特許庁

Access units (AU) of n pieces, on each of which look-ahead can be performed to obtain timing information of the next AU, are configured into list.例文帳に追加

各々が次のアクセス・ユニット（ＡＵ）のタイミング情報を得ることができるように先読みできるｎ個のＡＵをリストに構成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element 10, an Au bump 46, an Sn layer 47 and an Au layer 48 are laminated on a bump 14 from the semiconductor side.例文帳に追加

半導体発光素子１０のバンプ１４において半導体層側からＡｕバンプ４６、Ｓｎ層４７、Ａｕ層４８を積層させた。 - 特許庁

A rear face side sealing member 3 has a through electrode 31 and an Au electrode 32, and for example, is composed of glass.例文帳に追加

裏面側封止部材３は、貫通電極３１及びAu電極３２を有するたとえばガラスよりなる。 - 特許庁

A point instructing start of AU is started from this list and the start of AU is repeatedly checked from the list.例文帳に追加

このリストからＡＵのスタートを指示するポイントをスタートし、リストからＡＵのスタートを繰り返しチェックする。 - 特許庁

In the method of etching the Au film, an insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and the Au film 3 is formed on the film 2 by means of a sputtering method or plating method.例文帳に追加

半導体基板１上に絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上にスパッタリング又はメッキ法によりＡｕ膜３を形成する。 - 特許庁

The Cr layer 31 has pattern-eliminated parts 31A for bonding Au bumps 4 to the Au layer 32.例文帳に追加

Ｃｒ層３１にはＡｕバンプ４によるＡｕ層３２への接合を行うためのパターン除去部３１Ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a production method of an Au catalyst which enables a carrier to carry Au with a smaller particle diameter by dispersion with a simple step while keeping a degree of freedom of selection of the carrier to be used.例文帳に追加

用いる担体の選択の自由度を確保しつつ、簡便な工程によって、担体上により小さな粒径で金を分散担持させる。 - 特許庁

An aluminum anodized coating is immersed into an aqueous solution containing the fluoro-complex salt of Zr, Si, Ti, Au, Ag, Co, Ni, Mo, Mn, Nb, Ta, W, Zn, Fe, Ir or Sc.例文帳に追加

アルミニウム陽極酸化皮膜を、Zr 、Si、Ti、Au、Ag、Co、Ni、Mo、Mn、Nb、Ta、W、Zn、Fe、Ir、又はScのフルオロ錯塩を含む水溶液に浸漬させることを特徴とする。 - 特許庁

Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein.例文帳に追加

30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta＞0at%、30≧Ni＞0at%、さらには、15≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+Os+Ir+希土類元素)＞0at%を含有させることが可能である。 - 特許庁

At least a part of the surface to be fastened of the semiconductor element is coated with Au, and the semiconductor element is placed on an electrode containing at least one material selected from among a group of Au, Ag and Al.例文帳に追加

特に半導体素子が発光素子である場合に、発光効率の低下を来すことなく半導体素子を電極上に固着する。 - 特許庁

The conductive particles are constituted of Au particles each being formed by applying Au coating on the surface of a plastic particle.例文帳に追加

この導電性粒子は、プラスチック粒子の表面にＡｕコーティングを行ったＡｕ粒子によって構成される。 - 特許庁

To provide a method of recovering Au in an aqueous solution containing Au and an oxidizing agent inexpensively and highly efficiently in high recovery rate.例文帳に追加

Ａｕと酸化剤を含有する水溶液中のＡｕを、低コストで効率良く、しかも高い回収率で回収する方法を提供する。 - 特許庁

Validates a 2/3 region (state) code.sample?php// Include the packagerequire_once('Validate/AU.php');$badRegion = 'asdf';$result = Validate_AU::region($badVAT);echo 'Test ' . 例文帳に追加

2/3 文字の地域 (州) コードの検証を行います。 - PEAR

OKIDA no Esaka, KIFUMI no Otomo, and AU no Shima were chosen for this task. 例文帳に追加

このときの使者に、大分恵尺、黄書大伴、逢志摩の3人が選ばれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Three envoys were selected: OITA no Esaka, KIFUMI no Otomo and AU no Shima. 例文帳に追加

このときの使者に、大分恵尺、黄書大伴、逢志摩の3人が選ばれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

AU no Shima (date of birth and death unknown) lived in the Asuka period in Japan. 例文帳に追加

逢志摩（あうのしま、生没年不詳）は、日本の飛鳥時代の人物である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Japanese team then moved to Léogâne, west of Port-au-Prince. 例文帳に追加

その後，日本のチームはポルトープランスの西にあるレオガンに移動した。 - 浜島書店 Catch a Wave