「A.U.」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

A converting unit 103 of the multiplex system conversion device comprises a packet loss deciding unit 202 for deciding the packet loss of a TS packet, performing error processing when the packet loss is detected, and outputting pay load data after performing the error processing, and a Box creating unit 206 for creating 'moov' data and 'mdat' data including error information based on a displaying time in inputted AU data and a PES header.例文帳に追加

多重化方式変換装置の変換部１０３は、ＴＳパケットのパケットロスを判定し、パケットロスが検出された際には、エラー処理を行い、エラー処理後のペイロードデータを出力するパケットロス判定部２０２と、入力されたＡＵのデータおよびＰＥＳヘッダにおける表示時間に基づいて、エラー情報を含むmoov、およびmdatを作成するＢｏｘ作成部２０６とを備える。 - 特許庁

The method for purifying the exhaust gas includes a step of obtaining an alloy containing at least one metal selected from the group consisting of Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Ag, and Au, and Al by dissolving the at least one metal and Al, and a step of obtaining a porous metal with main micro pore diameter of 1-15 nm by eluting the Al from the alloy.例文帳に追加

Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択される少なくとも１つの金属とＡｌとを溶解させて、前記金属とＡｌとを含有する合金を得る工程と、前記合金からＡｌを溶出させて、中心細孔直径が１〜１５ｎｍの細孔を有する多孔性金属を得る工程と、を含むことを特徴とする排ガス浄化用触媒の製造方法。 - 特許庁

The vapor deposition source consisting of alloyed AuSn is prepared, an Sn-rich first layer is formed onto the semiconductor light-emitting device by heating the vapor deposition source at a first temperature to selectively evaporate Sn from the AuSn alloy, and an Au-rich second layer is formed onto the first layer by heating the vapor deposition source at a second temperature higher than the first temperature to evaporate all of the vapor deposition source.例文帳に追加

合金化したＡｕＳｎからなる蒸着源を準備し、蒸着源を第１の温度で加熱してＡｕＳｎ合金からＳｎを選択的に蒸発させて半導体発光素子へＳｎリッチな第１の層を形成し、蒸着源を第１の温度より高い第２の温度で加熱して蒸発源を全て蒸発させて第１の層の上へＡｕリッチな第２の層を形成する。 - 特許庁

The electrodes 7 and 8 of an InGaN light emitting diode 10 have Si_3N_4 protective films 9A and 9B for preventing oxidation formed on the surface wherein the Si_3N_4 protective films 9A and 9B are covering an Au pad electrode layer 7b, an Al pad electrode layer 8b, and an Ni ohmic electrode layer 7a, a Ti ohmic electrode layer 8a.例文帳に追加

このＩｎＧａＮ発光ダイオード素子１０の電極７，８は、酸化を防止するＳｉ_３Ｎ_４保護膜９Ａ，９Ｂが表面に形成され、このＳｉ_３Ｎ_４保護膜９Ａ，９ＢがＡｕパッド電極層７ｂ，Ａｌパッド電極層８ｂおよびＮｉオーミック電極層７ａ，Ｔｉオーミック電極層８ａを覆っている。 - 特許庁

The composition contains (A) a copolymer resin prepared by adding glycidyl acrylate and/or glycidyl methacrylate to a copolymerized product of methylmethacrylate and methacrylic acid and/or acrylic acid, (B) a photopolymerization initiator, (C) photopolymerizable monomers, (D) at least one kind of conductive metal powder selected from a group comprising Au, Ag, Ni and Al, (E) glass frit and (F) a phosphoric acid compound.例文帳に追加

組成物は、（Ａ）メチルメタクリレートとメタクリル酸及び／又はアクリル酸との共重合物にグリシジルアクリレート及び／又はグリシジルメタクリレートを付加させた共重合樹脂、（Ｂ）光重合開始剤、（Ｃ）光重合性モノマー、（Ｄ）Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌよりなる群から選ばれた少なくとも１種の導電性金属粉、（Ｅ）ガラスフリット、及び（Ｆ）リン酸化合物を含有する。 - 特許庁

A manufacturing method of the semiconductor device includes: (a1) a step for preparing a semiconductor laminated structure; (b1) a step for forming an ohmic electrode layer on the semiconductor laminated structure; (c1) a step for forming an adhesion layer comprising Au on the ohmic electrode layer; and (d1) a step for forming the barrier metal layer without discharging air from the step (c1).例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、（ａ１）半導体積層構造を準備する工程と、（ｂ１）前記半導体積層構造上にオーミック電極層を成膜する工程と、（ｃ１）前記オーミック電極層上にＡｕを含む接着層を成膜する工程と、（ｄ１）前記工程（ｃ１）から大気開放せずにバリアメタル層を成膜する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass ceramic multilayer wiring board calsined at a low temperature using a ceramic green sheet, which is excellent in non-binder performance and the handling at the time of row processing because of the moderate sheet strength and moderate flexibility, and especially excellent in property of forming fine via holes at a narrow pitch with a low fusion point metals such as Ag, Cu or Au as a wiring material.例文帳に追加

特にＡｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの低融点金属を配線材料とし、脱バインダー性に優れ、生加工時の取り扱い性、具体的には適度なシート強度、適度な柔軟性、特に狭ピッチの微細なビアホールの形成性に優れるセラミックグリーンシートを用いた低温焼成のガラスセラミック多層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gold alloy for forming the optical recording disk reflection film has a composition containing at least one kind of element selected from the groups consisting of Mg, Al, Ti, Co, Ge, Zr, Sb, Zn, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy and Ca in 0.05 to 0.2 wt.%, and the balance Au.例文帳に追加

光記録ディスク反射膜形成用の金合金であって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．２重量％含有し、残部がＡｕからなることを特徴とする光記録ディスク反射膜形成用金合金。 - 特許庁

After drawer electrodes and exciting electrodes are formed at a crystal vibrator 3, at least only extraction electrodes 32 and 34 of the lower surface side are heated locally by hot-blast radiation or heater heating, and metal in a surface metal layer is deposited at the surface of an AU layer as a surface deposit layer, then it is accommodated and held for curing, at the lower surface of the base substrate using silicon conductivity adhesive.例文帳に追加

水晶振動子３に引き出し電極及び励振電極を形成後、少なくとも下面側の引き出し電極３２、３４のみを局所的に熱風照射またはヒーター加熱により加熱し、下地金属層の金属をＡｕ層の表面に表面析出層として析出させ、その後、シリコーン系の導電性接着材を用いて基体の下面に収容・保持し、硬化させる。 - 特許庁

A solar cell is equipped with a transparent anti-reflection film 1 which contains crystalline fine particles that are 0.1 μm or below in grain diameter and is formed on a light receiving surface 2, where the crystalline fine particles are doped with at least one element selected out of an element group composed of Ce, Eu, Tb, Sm, Yb, Au, Cu, Mn, and Sb.例文帳に追加

粒子径０．１μｍ以下の結晶性微粒子を含む透明反射防止膜１を受光面２に形成してなり、この結晶性微粒子が、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｓｍ、Ｙｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＳｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素がドープされたものであることを特徴とする太陽電池を構成する。 - 特許庁

To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.例文帳に追加

水晶振動子表面にＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをＡｕバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたＮｉ膜、Ａｇ膜とＮｉ膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁

The main face of the board 11 and the via hole 11a of the diameter of about 100 μm penetrating the contrary side face to the main face are formed on each corner part of the main face of the board 11, and a metal film 14 comprising Ti/Au of thickness of about 2 p m is formed along the wall face on the wall face of the via hole 11a.例文帳に追加

基板１１の主面の各隅部には、基板１１の主面と該主面と反対側の面とを貫通する径が約１００μｍのバイアホール１１ａが形成され、バイアホール１１ａの壁面上には該壁面に沿って厚さが約２μｍのＴｉ／Ａｕからなる金属膜１４が形成されている。 - 特許庁

To improve reliability by preventing a formed compound AuIn or AuSn from being fragile so that junction strength of a junction part is improved, when an Au plated layer of a metal pedestal and a rear surface of a submount are jointed together with a solder containing In or Sn in between, in a semiconductor laser wherein a semiconductor laser chip is fixed to the metal pedestal with the submount in between.例文帳に追加

半導体レーザ・チップ７をサブマウント８を介して金属基台９に固定した半導体レーザ装置において、ＩｎあるいはＳｎを含む半田１３を介して、金属基台９のＡｕメッキ層１０とサブマウント８裏面とを接合する際に、形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡｕＳｎが脆弱なものとなることを防止して、接合部の接合強度を向上させて信頼性向上を図る。 - 特許庁

Amplitudes of current-control signals Vu, Vv, Vw inputted into a driving circuit 50 are fine-adjusted using an amplitude adjusting circuit 40, so as to obtain the constant amplitudes in the armature currents Au, Av, Aw finally outputted from the driving circuit 50, even when some variations are found in characteristics of components constituting a drive control circuit 20a of a spindle device 1.例文帳に追加

スピンドル装置１の駆動制御回路２０ａを構成する部品の特性に多少のばらつきがあったとしても、最終的に駆動回路５０から出力される電機子電流Ａｕ，Ａｖ，Ａｗの振幅が一定値に揃うように、振幅調整回路４０を用いて、駆動回路５０に入力される電流制御信号Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗの振幅を微調整する。 - 特許庁

In the shape variable mirror 1 whose mirror surface is deformed, a thin layer of Au is vapor-deposited on each of joining surfaces on which a mirror part 3 and piezoelectric elements 4 are joined and each of surfaces on which the piezoelectric elements 4 and a supporting substrate 2 are joined and joining operation is performed by press-fixing at high temperature of 400 to 500°C.例文帳に追加

鏡面を変形させる形状可変ミラー１において、ミラー部３と圧電素子４が接合される各接合面、及び、圧電素子４と支持基板２とが接合される各接合面には、Ａｕの薄層が蒸着されており、各接合は４００℃以上５００℃以下の高温で圧着することにより行われる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, first, a second photoresist mask 14 is removed by melting using a solvent, and then the multilayer metal film is ion-milled using a mixed gas of Ar and N_2 or a mixed gas of Ar and O_2 as a mixed gas having a larger selectivity against the multilayer metal film (especially, Au) than against a Ti film 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、先ず、第２のフォトレジストマスク１４を溶剤を使用して溶解除去した後、Ｔｉ膜９に対して積層金属膜（主にＡｕ）の選択比の大きな混合ガスとしてＡｒとＮ_２の混合ガス、または、ＡｒとＯ_２の混合ガスのいずれかを使用して積層金属膜をイオンミリングする。 - 特許庁

The transflective film is composed of the Ag base alloy made by compositely adding a specified small amount of Cu and P to Ag at the ratio of Cu≥P and, further as necessary, by additionally adding at least one kind of In, Sn, Zn, Au, Pt and Pd and/or at least one kind of Ni, Fe and Bi in a small amount.例文帳に追加

Ａｇに特定少量のＣｕとＰをＣｕ≧Ｐの比で複合添加し、さらに必要に応じてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄの少なくとも１種および／またはＮｉ、ＦｅおよびＢｉの少なくとも１種を少量追加添加してなるＡｇ基合金から構成された半反射型半透過膜。 - 特許庁

This drying device is provided with a drying chamber 40 connected to a duct 10 of an air conditioning unit AU through a communicating path 16, an operation panel 60 (operation means) for an operation ON or OFF of a drying function of the drying chamber 40, a temperature sensor 52 for detecting a chamber temperature of the drying chamber 40 and a microcomputer 51 (control means).例文帳に追加

車載用乾燥装置は、エアコンユニットＡＵのダクト１０に連通路１６を通して接続される乾燥室４０と、乾燥室４０の乾燥機能を作動オンまたは作動オフるための操作パネル６０（操作手段）と、乾燥室４０の室内温度を検出する温度センサ５２と、マイコン５１（制御手段）とを備える。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor, excellent in high-temperature strength, excellent in adhesion to a semiconductor element, a lead frame, etc., and in solder resistance, particularly in solder resistance at a high temperature of solder treatment compared with conventional, and excellent in adhesivity to pre-plating frame such as Ni, Ni-Pd, Ni-Pd-Au, etc.例文帳に追加

熱時強度に優れ、半導体素子、リードフレーム等の各種部材との接着性、基板実装時の耐半田性、特に半田処理温度が従来よりも高い場合の耐半田性に優れ、又Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームとの密着性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In this biosensor for detecting the interaction between substances based on surface plasmon resonance, the substrate has a metal thin film including ≥90 mol% and less than 99.95 mol% of Ag as a first metal element, and ≥0.05 mol% and less than 10 mol% of at least one of Au, Pt, Cu, Bi, Nd, Ti or Sb as a second metal element.例文帳に追加

表面プラズモン共鳴に基づいて物質間の相互作用を検出するバイオセンサーにおいて、前記基板が、第一の金属元素としてのＡｇを９０モル％以上９９．９５モル％未満と、第二の金属元素としてのＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｓｂから選ばれる少なくとも１種を０．０５モル％以上１０モル％未満と、を含む金属薄膜を備えたバイオセンサー。 - 特許庁

This medicinal composition contains, as the active component, the X-ray-intercepting gold complex of mono-L-aspartyl chlorin e6 or mono-L-glutamyl chlorin e6, or a pharmaceutically permissible salt thereof, and is prepared by coordinate-bonding or chelate-bonding of a cation of Au on the chlorine ring of the mono-L-aspartyl chlorin e6 or the mono-L-glutamyl chlorin e6.例文帳に追加

本発明においては、モノ-L-アスパルチルクロリンe6またはモノ-L-グルタミルクロリンe6のクロリン環に金原子のカチオンを配位結合またはキレート結合して生成されたモノ-L-アスパルチルクロリンe6またはモノ-L-グルタミルクロリンe6のＸ線遮断性金錯体、あるいはこれの薬理学的に許容できる塩を有効成分として含有する、医薬組成物が提供される。 - 特許庁

In this method, a glass having a color pattern of an arbitrary shape therein and the trace of the condensed point being colored at least in two colors is manufactured by irradiating and condensing a pulse laser light of a specified wave length inside the glass containing an Au ion with not less than two specified peak power densities while moving the condensed point, then heating the glass.例文帳に追加

Ａｕイオンを含有するガラス内部に、所定の波長のパルスレーザ光を集光点を移動させながら、二以上の所定のピークパワー密度でガラス内部に集光照射した後、該ガラスを加熱することにより、集光点の軌跡が二以上の色に着色した、内部に任意の形状のカラーパターンを有するガラスを作製する。 - 特許庁

A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。 - 特許庁

The method for producing the plastic package 10 comprises a step for providing a second plating resist film 19 for forming the coating 14 of Ni plating and Au plating on a first plating resist film 18 and/or the metal wiring pattern 13 and then forming the coating 14 by electrolytic plating using the first plating resist film 18 and the second plating resist film 19.例文帳に追加

また、プラスチックパッケージ１０の製造方法において、第１のめっきレジスト膜１８及び／又は金属配線パターン１３上に、Ｎｉめっき及びＡｕめっきのめっき被膜１４形成用の第２のめっきレジスト膜１９を設け、第１のめっきレジスト膜１８及び第２のめっきレジスト膜１９を用いて、電解めっきによってめっき被膜１４を形成する工程を有する。 - 特許庁

A hydrogen absorbing body preferably includes at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ni, Zn, Ti, Zr, Al, Fe, Sn, In, Pt, Pd, Au and Ag, in addition to a hydrogen absorbing material, and the hydrogen absorbing composite includes an inorganic porous material which covers the partial or whole surface of the hydrogen absorbing body.例文帳に追加

水素吸蔵材料に加えて、好ましくはＣｕとＮｉとＺｎとＴｉとＺｒとＡｌとＦｅとＳｎとＩｎとＰｔとＰｄとＡｕとＡｇとからなる一群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有してなる水素吸蔵体及び、この水素吸蔵体の表面の一部又は全部を覆うように無機多孔質体を含んでなる水素吸蔵複合体を提供する。 - 特許庁

The cathode electrode 6 for plating the wafer for supplying plating current to the wafer 2 by coming into contact with the end edge 10 of the wafer consists of a base layer 13 formed of Au, an intermediate layer 14 formed of Ti and a wafer contact layer 15 formed of any one among TiN, WN, TaN, W and Ta.例文帳に追加

ウェーハ２の縁端部１０と接触しめっき電流を供給するためのウェーハめっき用カソード電極６において、カソード電極６は、Ａｕにより形成されたベース層１３と、Ｔｉにより形成された中間層１４と、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＮ、Ｗ、Ｔａのいずれか１つにより形成されたウェーハ接触層１５とからなるものとした。 - 特許庁

The lead frame 1 includes a reflection film 13 having a thickness of 50 nm or more composed of aluminum or an aluminum alloy and formed on a substrate 11 composed of copper or a copper alloy, and a noble metal film 14 having a thickness of 5-50 nm consisting of one kind or more selected from Pd, Au, Pt and formed on the reflection film 13.例文帳に追加

リードフレーム１は、銅または銅合金からなる基板１１に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上の反射膜１３を備え、さらに反射膜１３上にＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜１４を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This metallic separator for the solid high polymer fuel cell has a noble metal layer, such as Au, provided on a surface of a metal plate, such as an Fe group alloy, and these are turned into a clad by performing rolling work at a draft rate not less than 5%, and a flowing passage is arranged for passing fuel gas or oxidizing gas.例文帳に追加

Ｆｅ基合金等の金属板の表面上にＡｕ等の貴金属層を有し、これらが５％以上の圧下率で圧延加工をされてクラッド化されたものであり、更に燃料ガス又は酸化性ガスを通す流通路が設けられていることを特徴とする固体高分子型燃料電池用金属セパレータ。 - 特許庁

While the alloy layer 116 which contains Ni being prevented from Au atom diffusing into the semiconductor layer, the internal dispersion and the absorption loss are eliminated at the interface between the semiconductor layer 111 or the contact layer 114 and the electrode 115 by preventing the aggravation of the interface flatness between the semiconductor layer and the electrode 115.例文帳に追加

上記Ｎiを含む合金層１１６が、Ａu原子の半導体層中への拡散を防止する共に、半導体層と電極１１５との界面の平坦性の悪化を防止して、半導体層１１１やコンタクト層１１４および半導体層と電極１１５との界面での内部散乱や吸収損失をなくす。 - 特許庁

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb.例文帳に追加

１−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第ＶＩＩＩ族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁

This automatic construction system loads a program for inputting the construction data of a portable telephone Web site from a personal computer and a program for automatically converting the input data into HTML language common to such a carrier as NTT DoCoMo, au and Softbank, and for automatically starting it as a Web site to a Web server and provides it through the Internet.例文帳に追加

ウェブサーバーに、パソコンから携帯電話ウェブサイトの構築データを入力するプログラムと、入力されたデータを、ＮＴＴドコモ、ａｕ、ソフトバンクなどのキャリアに共通するＨＴＭＬ言語に自動変換し、ウェブサイトとして自動的に立ち上げるプログラムを搭載し、インターネットを通じて提供する。 - 特許庁

The catalyst contains one or more noble metals selected from the group consisting of Au, Ag, Pt, Pd, Rh, Rg, Ir, Os, and alloys thereof, wherein the noble metal particles have a relative degree of crystallinity of greater than 2 as determined by X-ray diffraction and an average particle size of about 2-10 nm.例文帳に追加

この触媒は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓおよびそれらの合金からなる群から選択される１以上の貴金属を含有し、ここで、この貴金属粒子は、エックス線回折によって決定される、２より大きな相対結晶化度および約２ｎｍと約１０ｎｍとの間の平均粒径を有する。 - 特許庁

The sealing material for the low-temperature operating solid oxide fuel cell which operates in the range of 650-800°C, is characterized in that it is made of a metal brazing material containing at least one type of metal selected from the group consisting of Ag, Cu, Ti, Ni, Au and Al or containing their metal brazing materials and ceramics.例文帳に追加

６５０〜８００℃の範囲で作動する低温作動の固体酸化物形燃料電池用シール材であって、該シール材がＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ及びＡｌのうち少なくとも１種の金属を含む金属ろう材からなるか、または、それら金属ろう材とセラミックスを含むシール材からなることを特徴とする低温作動固体酸化物形燃料電池用シール材。 - 特許庁

A precious metal tip 16 is welded on a center electrode 3 of the spark plug for an internal combustion engine, and on a surface 21 of the precious metal tip 16 contacting with the center electrode 3, a diffusion preventing layer 19 made of either metal of Ag, Au, Mg, Ti, and Zr (a simple metal or a compound of that metal) is formed.例文帳に追加

内燃機関用スパークプラグの中心電極３上に貴金属チップ１６が溶接されるが、その貴金属チップ１６と中心電極３とが接する貴金属チップ１６の面２１にＡｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒの何れか１種類の金属（単体金属又はその金属の化合物）による拡散防止層１９を形成する。 - 特許庁

When a decoder buffer filling amount after encoding of one or more encoded pictures, following the encoding of the forcedly encoded I-picture, is not smaller than the code amount of the forcedly encoded I-picture, an AU rearrangement control part 60 instructs rearrangement for arranging picture data of the I-picture, following the encoded picture data of the one or more pictures.例文帳に追加

ＡＵ並び換え制御部６０は、強制的に符号化されたＩピクチャの符号化に続いて符号化された一又は二以上のピクチャの符号化後のデコーダバッファ充足量が、強制的に符号化されたＩピクチャの符号量以上であるときに、その一又は二以上のピクチャの符号化されたピクチャデータに続いてＩピクチャのピクチャデータを配置する並び換えを指示する。 - 特許庁

The Ag-based alloy wiring electrode film for a flat panel display comprises 0.01 to 1.5at% Bi (can comprise one or more kinds selected from the group composed of Cu, Au and Pd by 0.1 to 1.5at% in total), and the remainder substantially composed of Ag.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ用の配線電極膜であって、Ｂｉを０．０１〜１．５ａｔ％含有し(Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１．５ａｔ％含んでいてもよい）、残部実質的にＡｇからなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜。 - 特許庁

This information recording medium of surface light incident type has a feature that a granular structural reflective layer containing a metal selected from among Ag, Au, Al and Cu, and a magneto-optical recording layer are provided in this order at least on one surface of a supporting body.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、及びＣｕから選択される金属を含むグラニュラー構造の反射層、光磁気記録層をこの順に有することを特徴とする表面光入射型情報記録媒体、及び上記表面光入射型情報記録媒体にレーザー光を照射して情報を記録再生する情報記録再生方法。 - 特許庁

While an electrode 30a of the SAW resonator formed on a substrate is made of Al or an Al alloy, a connection pattern 34 for interconnecting SAW resonators and a bonding pad are made of the Al or Al alloy film 36 vapor-deposited on the substrate and an Au film 37 vapor- deposited on the film 36.例文帳に追加

基板上に形成されたＳＡＷ共振子の電極３０ａがＡｌまたはＡｌ合金で形成されるのに対し、該ＳＡＷ共振子間を接続する接続パターン３４と、ボンディングパッドとは、基板に蒸着されたそのＡｌまたはＡｌ合金の膜３６と、その上に蒸着されたＡｕの膜３７とで構成されている。 - 特許庁

The multilayer circuit board and the connecting method therefor are provided, in which Pd plating or Au flash plating to form a base for Pd is effected so as to prevent oxidation and migration within the multilayer circuit board, or at portions serving as connecting terminals at the time of being connected to other substrates or at the time of mounting semiconductor parts.例文帳に追加

多層回路基板内部あるいは他の基板との接続や半導体部品の実装の際に接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のいためのＰｄメッキあるいはＰｄの下地にＡｕフラッシュメッキを施したことを特徴とする多層回路基板とその接続方法。 - 特許庁

Thus, at the time of forming the Au plating layer 44, the cyanogen-containing plating liquid is not infiltrated between the resist layer 42 and the Cu substrate 40 owing to the presence of the Cu plating layer 43, spiral contacts can suitably and securely be formed into a prescribed shape, and the generation of failures such as pits can be suppressed.例文帳に追加

このため前記Ａｕメッキ層４４をメッキ形成する際に、シアンを含むメッキ液が前記Ｃｕメッキ層４３の存在により前記レジスト層４２とＣｕ基板４０間に浸透せず、スパイラル接触子を所定形状に適切且つ確実に成形でき、またピット等の不具合が生じるのを抑制できる。 - 特許庁

A pair of excitation electrodes 13, formed on the opposite sides of a crystal oscillating element 11 and a lead electrode 14 extending to one end thereof comprise an electrode film of three layer structure, including an underlying metal layer 18a of Cr, Ni, Ti, Al or Ag exhibiting high affinity to crystal, an Au layer 18b formed thereon, and a Cr surface layer 18c formed further thereon.例文帳に追加

水晶振動片１１の両面に形成した１対の励振電極１３及びその一端に延出させた引出電極１４は、水晶との馴染みが良いＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ又はＡｇ等の下地金属層１８ａ、その上にＡｕ層１８ｂ及び更にその上にＣｒ表面層１８ｃを積層した３層構造の電極膜から構成される。 - 特許庁

The spectacles are provided with a structural member consisting of a metallic material essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 4.9% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 4.9% in total.例文帳に追加

本発明に係る眼鏡は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有する金属材料からなる構成部材を具備するものである。 - 特許庁

A metal paste sealing material contains a metallic particle made of Au and having an average particle size from 0.1 to 1.0 μm, an organic solvent, and a resin material in proportions of from 88 to 93 wt.%, from 5 to 15 wt.%, and from 0.01 to 4.0 wt.%, respectively, to hermetically seal the crystal resonator element in the package.例文帳に追加

Ａｕからなる平均粒径０．１〜１．０μｍの金属粉末と有機溶剤とセルロース系樹脂材料とを８８〜９３重量％、５〜１５重量％、０．０１〜４．０重量％の割合で配合した金属ペースト封止材を、水晶振動片５を一体に形成した中間水晶板２の外枠６上下面の導電金属薄膜９，１０に塗布し、比較的低温で加熱し、１次焼結処理を行う。 - 特許庁

In the package lid for the high-frequency circuit, a lid at least of which the surface is composed of Au and an electromagnetic absorption body are secured via at least one kind of a securing member selected from among a low-melting point metal, low-melting point glass, an inorganic adhesive and synthetic resin, and with the oxygen concentration of the surface of the lid set at 10 atom%.例文帳に追加

少なくとも表面がＡｕからなる蓋体と電磁波吸収体とが、低融点金属、低融点ガラス、無機接着剤、合成樹脂から選ばれる少なくとも１種の止着用部材を介して止着され、蓋体の表面の酸素濃度を１０原子％以下として高周波回路用パッケージ蓋体を構成する。 - 特許庁

Buffer memories 3, 5 for a data signal from the STM1 signal to the VC3 signal are placed in parallel for configuring a sole stage, and the write control of the buffer memories 3, 5 is made, on the basis of a result of an AU(administrative unit) pointer processing, and read control is conducted according to the result of staff information processing in the VC3.例文帳に追加

ＳＴＭ１信号からＶＣ３信号に至るデ−タ信号用のバッファメモリ３，５を並列に配置して唯一１段とし、そのバッファメモリ３，５の書込み側制御をＡＵポインタ処理結果に基づいて行い、読出し側制御をＶＣ３内のスタッフ情報処理結果に基づいて行っている。 - 特許庁