「A.U.」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor comprises (Al, Ga, In) N compound semiconductor layer grown on a substrate, and an electrode formed of at least one metal selected from a group comprising Pt, Pd and Au, or an alloy of them on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。 - 特許庁

To provide a novel resin composition for sealing semiconductors exhibiting high adhesive properties to Ag, Pd and Pd-Au and hardly undergoing peeling after moisture absorption reflow, and a semiconductor device sealed with the resin composition for sealing semiconductors.例文帳に追加

Ag、Pd、Pd-Auとの接着性が高く、吸湿リフロー後の剥離の少ない新しい半導体封止用樹脂組成物と、このような半導体封止用樹脂組成物を用いて封止した半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the separator material for the fuel cell, an oxidized layer containing oxygen of 20 mass% or more is formed at the thickness of 5-30 nm between the Ti base material and the Au layer or the Au alloy layer.例文帳に追加

Ｔｉ基材と、Ａｕ層又はＡｕ合金層との間に、Ｏが２０質量％以上含まれる酸化層が５〜３０ｎｍの厚みで形成されている燃料電池用セパレータ材料である。 - 特許庁

The conductive material forming the individual electrodes 43 is Au, the conductive material forming the filler 65 is Ag, and Au is a material less likely to cause migration than Ag.例文帳に追加

個別電極４３を形成する導電性材料はＡｕであり、充填材６５を形成する導電性材料はＡｇであり、ＡｕはＡｇよりもマイグレーションが生じにくい材料となっている。 - 特許庁

A p-GaN layer 5 as III-nitride-system compound or the like is formed on a sapphire substrate 1 with the MOVPE method, and a first metal layer 6 composed of Co/Au is formed on the layer 5.例文帳に追加

サファイア基板１上にMOVPE 法等によりIII 族窒化物系化合物半導体等であるp-GaN 層５を形成し、その上にCo/ Auからなる第１金属層６を形成する。 - 特許庁

To provide a display device where a plurality of conductive particles can be captured on Au bumps, even when an Au bump area is made to be small for miniaturization and multiple output of a driver LSI.例文帳に追加

ドライバーＬＳＩの小型化や多出力のためにＡｕバンプ面積を小さくした場合であっても、導電粒子がＡｕバンプ上に複数個捕捉されることができる表示装置を提供する。 - 特許庁

Holes 142 and 144 communicated to the electrodes 120 and 130 are formed in the solder resist 140, and Ni/Au electrode layers 122 and 132 are formed on the upper faces of the electrodes 120 and 130 in the holes 142 and 144.例文帳に追加

ソルダレジスト１４０には、電極１２０，１３０に連通された孔１４２，１４４が形成されており、孔１４２，１４４内において、電極１２０，１３０の上面には、Ni/Au電極層１２２，１３２が形成されている。 - 特許庁

Since the final alloy layer 9 of the Ga-Au alloy and the In-Au alloy is solid at room temperature, a liquid part is not present in the joining structure, making handling easy.例文帳に追加

また、最終的に構成されるＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９が常温個体のものであるため、接合構造中に液状の部分が残らず、取り扱い易いものとすることが可能である。 - 特許庁

To provide an Au bump construction and its manufacturing method capable of solving mismatching problem and of securing a proper current flow between the Au bump and a relevant IC.例文帳に追加

不整合問題を解決すると共にＡｕバンプと関連するＩＣとの間の適切な電流の流れを確保することが可能なＡｕバンプ構成及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thickness of the electrolytic Au plating layer 57 in the terminal pad 15 for power feeding is made larger than the thickness of the electroless Au plating layer 66 in the terminal pad 10 for device.例文帳に追加

給電用端子パッド１５における電解Ａｕメッキ層５７の厚さを、素子用端子パッド１０における無電解Ａｕメッキ層６６の厚さよりも大に調整する。 - 特許庁

The laminated electrode structure of Au/Mo/Pd/Pd-Ga is formed on the p-type group-III nitride semiconductor contact layer by laminating metal layers in the sequence of Pd and Mo, then executing the heat treatment, and thereafter sequentially laminating Mo and Au.例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体コンタクト層上に、Ｐｄ、Ｍｏの順に金属層を積層し、熱処理を施し、その後にＭｏ、Ａｕを順次積層して、Ａｕ／Ｍｏ／Ｐｄ／Ｐｄ−Ｇａ積層電極構造を形成する。 - 特許庁

The external lead-out electrode 12 containing Au or Al is directly connected to the wiring layer 11, and the projection electrode 15 is connected to the external lead-out electrode 12 containing Au of other semiconductor chips 1 by ultrasonic pressure bonding.例文帳に追加

ＡｕまたはＡｌを含む外部引出電極１２は、配線層１１に直接に接合され、突起電極１５は、他の半導体チップ１のＡｕを含む外部引出電極１２に対して超音波圧着により接続されている。 - 特許庁

Then a 3rd electrode layer 6 made of Al or an alloy whose principal component is Al or made of Au or an alloy whose principal component is Au is formed to cover an upper face and side faces of the 2nd electrode layer 5.例文帳に追加

そして、第２の電極層５の上面および側面を被覆するように、Ａｌもしくはこれを主成分とする合金またはＡｕもしくはこれを主成分とする合金からなる第３の電極層６を形成する。 - 特許庁

A silver halide emulsion is provided which has been chemically sensitized with a gold chalcogenide compound having a bond of an anionic chalcogenide and a gold (I) ion and capable of releasing an ionic species represented by Au-Ch^- on a chemical reaction.例文帳に追加

化学反応によりAu-Ch^-で表されるイオン種を放出しうる、アニオン性カルコゲニドと金（Ｉ）イオンとの結合を有する金カルコゲニド化合物により化学増感されたハロゲン化銀乳剤。 - 特許庁

As a metal 25 for forming an alloy interface, an Au-Ge 12% alloy, with a melting point of 350°C or less, an Au-Sn 20% alloy or an alloy consisting mainly of Sn is used.例文帳に追加

合金界面形成用金属２５として、融点が３５０℃以下の金属であるＡｕ−Ｇｅ１２％合金やＡｕ−Ｓｎ２０％合金やＳｎを主成分とする合金を用いる。 - 特許庁

Next, a conductor film 3 composed of only Au(gold) film or a laminated film of a Ti(titanium) film, a Ni(nickel) film, and an Au film is formed on the natural oxide film 2, and the rear face of the silicon substrate 1 is metallized.例文帳に追加

次に、自然酸化膜２上にＡｕ（金）膜のみ、あるいはＴｉ（チタン）膜、Ｎｉ（ニッケル）膜、Ａｕ膜の積層膜で構成される導体膜３を形成して、シリコン基板１の裏面をメタライズ加工する。 - 特許庁

The sensing layer includes a sensing material made of a Pd-based alloy, such as nano-PdOx, nano-Pd(x)Au(y)Ni(1-x-y) or nano-Pd/Au/WOx.例文帳に追加

感知層は、ナノＰｄＯｘ、ナノＰｄ(ｘ)Ａｕ(ｙ)Ｎｉ(１−ｘ−ｙ)又はナノＰｄ／Ａｕ／ＷＯｘのようなＰｄ基合金からなる感知材料を含んでいる。 - 特許庁

To provide a separator material for a fuel cell capable of firmly and uniformly forming an Au layer or a layer containing Au on the surface of a titanium substrate and securing corrosion resistance necessary to a separator of the fuel cell.例文帳に追加

チタン基材表面にＡｕ層又はＡｕを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される耐食性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。 - 特許庁

The application header extension includes the second access information (AU-START, AU-END) to be used in accessing the inside of the data unit to be accessed by the first access information.例文帳に追加

そして、前記アプリケーションヘッダエクステンションが、前記第１のアクセス情報によりアクセスされる前記データ単位の内部にアクセスするときに用いられる第２のアクセス情報（ＡＵ＿ＳＴＡＲＴ、ＡＵ＿ＥＮＤ）を含む。 - 特許庁

A surface plating layer 27 formed of Au is formed by Au plating on the one surface 21a of the base metal 21 in all areas including the abrasive grain layer 24.例文帳に追加

台金２１の一面２１ａ上において砥粒層２４上も含む全領域に、ＡｕめっきによってＡｕからなる下地めっき層２７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing metallic particles for an anisotropic conductive film having high hardness, small in the defect of contact and having a uniform shape instead of the conventional conductive particles in which resin particles are applied by Au plating.例文帳に追加

従来の樹脂粒子にAuメッキを施した導電粒子に代わる、高硬度で、接触不良が少ない均一な形状を有する異方性導電膜用金属粒の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the resistance of rewiring is a problem, an Au film is formed on the Pd film and a rewiring structure having Ti film/Pd film/Au film from a lower layer is obtained.例文帳に追加

再配線の抵抗が問題となる場合には、Ｐｄ膜上にＡｕ膜を形成し、下層からＴｉ膜／Ｐｄ膜／Ａｕ膜を有する再配線構造とする。 - 特許庁

To prevent or relax the fact where electrodes which comprise an Au (gold) or whose main component are Au chemically react to cause an accident with a semiconductor device, with a simple means.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、Ａｕ或いはＡｕを主成分とする電極が化学反応を起こして半導体装置に事故を発生させることを簡単な手段で防止或いは緩和できるようにする。 - 特許庁

The electrode film for feeding the plating power is composed of a film specifically made of at least one metal selected among Au, Pt, Rh, Ru and Pd, or an alloy thereof.例文帳に追加

メッキ給電用電極膜は、具体的には、Au、Pt、Rh、RuもしくはPdから選択された少なくとも一種又はそれらの合金の膜によって構成することができる。 - 特許庁

Succeedingly, the sapphire substrate 101 is separated, an Au upper electrode 108 is formed on the AIN thin film surface, and the resonator is formed, wherein an air gap 111 is formed under the AIN layer 103.例文帳に追加

続いてサファイア基板１０１を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極１０８を形成し、AlN層１０３下方に空隙１１１が形成された共振器を形成する。 - 特許庁

The brazing filler metal is an alloy mainly consisting of Au and Sn, and the weight ratio of Sn to Au is set in a range of 16-25 wt.%.例文帳に追加

ＡｕとＳｎを主成分とした合金であり、Ａｕに対するＳｎの重量比率が１６ｗ％〜２５ｗ％の範囲に設定されているろう材である。 - 特許庁

On the surface of the nickel plating layer, a plurality of Au-Ag plating layers having different rate of Ag is formed such that the rate of Ag increases from the basic material side toward the surface side thus forming a multilayer Au-Ag plating layer.例文帳に追加

そして、該ニッケルめっき層の表面に、Ａｇの割合が異なる複数のＡｕ−Ａｇめっき層を、基材側から表面側にかけてＡｇの割合が増加するように積層し、多層Ａｕ−Ａｇめっき層を形成する。 - 特許庁

In an Si substrate 101, a protective layer 107, an Au electrode 108 composed of Au, and an alignment marker 105 are formed on the surface to which a photodiode 111 for receiving is bonded.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１において，受信用フォトダイオード１１１が接合される面には，保護層１０７，Ａｕから成るＡｕ電極１０８，およびアライメントマーカ１０５が形成されている。 - 特許庁

When the gate electrode with the Ti layer and the Au layer is to be formed on the InGaP layer, the Ti and Au layers are formed at a substrate temperature of 180°C or lower.例文帳に追加

さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 - 特許庁

Then the metal film, for example 450 nm Au layer 38, is deposited on the Ti/Au laminate film 36 by means of electrolytic plating process, and a gate opening 34 is embedded.例文帳に追加

次いで、電解メッキ法で金属層、例えば膜厚４５０ｎｍのＡｕ層３８をＴｉ／Ａｕ積層金属膜３６上に堆積させ、かつゲート開口３４を埋め込む。 - 特許庁

On an upper portion surface to the step 8, a semiconductor light emitting device 1 is mounted via an AuSn solder layer 2 and the electrode of this semiconductor light emitting device 1 is connected with a terminal for the electrode wiring using an Au wire.例文帳に追加

段差８の上側面にはAuSn系半田層２を介して半導体発光素子１をマウントし、この半導体発光素子１の電極を電極配線用ターミナルとAuワイヤーにより接続する。 - 特許庁

The miniature contact point is formed by preparing a surface layer 6 composed of the thin Au film of 0.05 to 0.2 μm thickness, on the surface of the third layer 5 composed of Au-Ni alloy.例文帳に追加

Ａｕ−Ｎｉ合金からなる第３層５の表面に、厚さ０．０５μｍ〜０．２μｍのＡｕ薄膜からなる表面層６を形成した微小接触力用接点。 - 特許庁

In heating the solder ball 114 and fixing it to the connection terminal 208 in a step of mounting the semiconductor package 100 onto the wiring board 200, Au in the Au layer 212 diffuses into the solder ball 114.例文帳に追加

半導体パッケージ１００を配線基板２００に実装する工程において、はんだボール１１４を接続端子２０８に加熱固定する際に、Ａｕ層２１２のＡｕがはんだボール１１４中に拡散する。 - 特許庁

In addition, an Au metal film 44 low in resistance is laminated by the nonelectrolytic plating on the Ni metal film 43, and a Cu metal film 45 low in resistance is laminated on the Au film 44 at a low cost.例文帳に追加

さらに、そのＮiからなる金属膜４３上に、無電解メッキにより低抵抗なＡuからなる金属膜４４を積層し、Ａu膜４４上に電気メッキにより低抵抗で低コストなＣuからなる金属膜４５を積層する。 - 特許庁

The Ni plating layer 53 and the electrolytic Au plating layer 54 are formed on the BGA array side, whereas the electrolytic Ni plating layer 55 and the electrolytic Au plating layer 56 are formed on the C4 side.例文帳に追加

各メッキ層は、ＢＧＡ側が電解Ｎｉメッキ層５３及び電解Ａｕメッキ層５４、Ｃ４側が無電解Ｎｉメッキ層５５及び無電解Ａｕメッキ層５６である。 - 特許庁

The oxidation preventive film 51 is formed by stacking an Au layer and a Cr layer alternately, and a front surface of an Au layer is bonded to the electrode film 31 for bonding.例文帳に追加

酸化防止膜５１は、Ａｕ層とＣｒ層を交互に重ねて構成されており、Ａｕ層の最上面は接合用電極膜３１に接合している。 - 特許庁

When single layer films of Au and Pt are formed and etched using an aqua regia based solution, etching rate of Au employed in the upper layer was about 100 nm/min and etching rate of Pt employed in the lower layer was about 80 nm/min.例文帳に追加

ＡｕとＰｔのそれぞれ単層膜を形成し、王水系の溶液を用いてエッチングしたところ、上層に用いたＡｕはエッチングレートが約１００ｎｍ／分で、下層に用いたＰｔは８０ｎｍ／分であった。 - 特許庁

Especially, the alloy layer 20 of the cathode 2 preferably contains an Al-Au intermediate phase and is composed of a first layer containing the Al-Au intermediate phase being contact with the surface of the solid electrolyte and a second layer containing the metal Al phase covering the first layer.例文帳に追加

特に、カソードの合金層は、Ａｌ−Ａｕ中間相を含むものがよく、固体電解質表面に接するＡｌ−Ａｕ中間相を含む第１層と、該第１層を覆う金属Ａｌ相を含む第２層とから構成される。 - 特許庁

An Ni-P film and an Au film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic element assembly through a pretreatment stage 11, an autocatalytic Ni plating stage 12 and a substitution Au plating stage 13.例文帳に追加

前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、置換Ａｕめっき工程１３を経て、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。 - 特許庁

The gold alloy for casting includes: 5-50 mass% of at least one of Pt and Pd; 0.8-5 mass% Ge; and the balance Au, wherein the surface thereof is covered with a white oxide layer.例文帳に追加

Pt及びPdの少なくとも１種を5〜50mass％、Geを0.8〜5mass％含み、残部がAuからなり、合金表面が白色酸化物層で覆われていることを特徴とする鋳造用金合金。 - 特許庁

Ni-P making up such a Ni-P layer 11 shows excellent adhesion for both Cu and Au, and can effectively prevent Au from being diffused.例文帳に追加

かかるＮｉ−Ｐ層１１を構成するＮｉ−Ｐは、ＣｕおよびＡｕの両者に対して優れた密着性を示し、また、Ａｕの拡散を効果的に防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring substrate capable of preventing dropouts of Ni/Au plated film of a bonding pad with the Ni/Au plated film plated.例文帳に追加

Ｎi／Ａｕめっき膜を被覆したボンディングパッドにおいて、Ｎi／Ａｕめっき膜の脱落を防ぐことができる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The start points Ad, Au and end points Bd, Bu of the plateau portion respectively corresponding to the Pcd, Pcu are respectively interpolated in relation to the rail pressures, thereby calculating the start point E and end point F of the plateau portion corresponding to the Pc.例文帳に追加

Pcd，Pcuにそれぞれ対応するプラトー部の開始点Ad，Au並びに終了点Bd，Buをレール圧に関してそれぞれ補間してPcに対応するプラトー部の開始点Ｅ並びに終了点Ｆが求められる。 - 特許庁

To provide a method for mounting electronic component elements by which the Au or Au alloy bump of an electromagnetic component element can be jointed stably to a prescribed position of a substrate, without causing positional deviations between them.例文帳に追加

電子部品素子のＡｕまたはＡｕ合金バンプと基体の所定位置との間で位置ずれが発生することがなく安定した接合が可能な実装方法を提供する。 - 特許庁

The p-type electrode has the structure in which a rubber negative resist pattern 15 arrayed in a dot state is embedded between a Cr/Au/Pt laminate film 13 and a Ti/Au/Pt laminate film 14.例文帳に追加

ｐ型電極はＣｒ／Ａｕ／Ｐｔ積層膜１３とＴｉ／Ａｕ／Ｐｔ積層膜１４との間にドット状に配列されたゴム系のネガレジストパターン１５が埋め込まれた構造を有している。 - 特許庁