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A.U.を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1758



例文

A clad wire is characterized in that a core material is composed of Zn, Sb, In, or an alloy of them, and a cladding-material comprising Au or an alloy of Au is coated on its outer circumferential surface.例文帳に追加

芯材がZn又はSb又はIn若しくはこれらの合金からなり、外周面にAuまたはAu合金からなる被覆材を被覆したクラッドワイヤである。 - 特許庁

An Ni plating layer 2 is formed on a Cu electrode part 1 by nonelectrolytic plating, Au is deposited on the Ni plating layer 2 by a sputter film forming method, and an Au layer 6 is formed.例文帳に追加

Cu電極部1上に無電解めっきによりNiめっき層2を形成し、スパッタ成膜法によりNiめっき層2上にAuを堆積させAu層6を形成した。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au laminated metallic layer 30 connected with an Au plate layer having an exposed face through an Fe doped InP layer 20 to an outside atmosphere is formed on the side face of the active layer of the columnar part.例文帳に追加

柱状部の活性層の側面に、FeドープInP層20を介して外部雰囲気に露出面を有するAuメッキ層に接続されたTi/Pt/Au積層金属層30が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a recess structure with a gate electrode made of Ti, Pt and Au, and suppresses diffusion of Pt or Au on Ti into an AlGaAs layer on a surface of an element region.例文帳に追加

Ti、PtおよびAuからなるゲート電極を有するリセス構造を有し、Ti上のPt若しくはAuが、素子領域表面のAlGaAs層に拡散することを抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a gold-encapsulating core-shell monodispersion spherical mesoporous silica, in which Au nanoparticles are easily introduced into the particles and there is little possibility of precipitation of Au nanoparticles on the particle surface.例文帳に追加

粒子内部にAuナノ粒子を導入することが容易であり、しかも、粒子表面にAuナノ粒子が析出するおそれの少ない金内包コアシェル型単分散球状メソポーラスシリカを提供すること。 - 特許庁


例文

To provide a separator material for a fuel cell capable of strongly and uniformly forming an Au layer or a layer including Au in the surface of a titanium base material and capable of securing adhesiveness and corrosion resistance to be required for a separator for a fuel cell.例文帳に追加

チタン基材表面にAu層又はAuを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。 - 特許庁

To provide a structure that never makes a step-cut of a barrier metal layer on a ridge-portion contact layer to prevent Au of an Au layer on the barrier metal layer from being diffused into a ridge from the step-cut portion.例文帳に追加

リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし、バリアメタル層上のAu層のAuが上記段切れ部分からリッジ内部へ拡散するのを防止する。 - 特許庁

The first Au based layer 10a and the second Au based layer 10b are stuck tightly each other and then pasted by heat treating at a temperature of 180-360°C.例文帳に追加

そして、それら第一Au系層10aと第二Au系層10bとを密着させ、180℃よりも高温かつ360℃以下で熱処理することにより貼り合わせる。 - 特許庁

This aqueous gas shift reaction catalyst comprises a metal oxide on which at least one metal selected from a metal group A (Pt, Pd, Ni, Ir, Rh, Co, Os, Ru, Fe, Re, Tc, and Mn) and at least one metal selected from a metal group B (Au, Ag, and Cu) are deposited.例文帳に追加

金属種群A(Pt, Pd, Ni, Ir, Rh, Co, Os, Ru, Fe, Re, Tc,Mn)から選ばれる少なくとも1種と金属種群B(Au, Ag, Cu)から選ばれる少なくとも1種とが、金属酸化物上に担持されていることを特徴とする水性ガスシフト反応用触媒に関する。 - 特許庁

例文

When "AU" is selected by reverse display RD1, illustrative information of "AU" is read from the elementary school 2nd-grade dictionary table, and displayed as content information CT1 and a writing order image PC (c).例文帳に追加

反転表示RD1によって「会」を選択すると、「会」の説明情報が小2用辞書テーブルから読み出されて内容情報CT1及び書き順画像PCとして表示される(c)。 - 特許庁

例文

In that state, the electron beams are focused, shapes of the Au particles 102 are calculated, and differences from circular proximity of the Au particles 102 are analyzed, and, based on the analysis result, the aberration correction is carried out.例文帳に追加

この状態で電子線を合焦し、Auパーティクル102の形状を算出して、Auパーティクル102の円形近似との差異を解析し、この解析結果を踏まえて収差補正を実行する。 - 特許庁

By the instruction, AUs accumulated in an AU buffer 70 and outputted from the encoding part 40, or AUs delayed in an AU delay buffer 80 are outputted.例文帳に追加

この指示により、AUバッファ70に蓄積された符号化部40から出力されたAU、又はAU遅延バッファ80で遅延されたAUが出力される。 - 特許庁

At the time of the bonding by the layer 54, an Au-Sn alloy layer 55 having Au of 91 wt% or more, and Sn of 9 wt% or less is formed by diffusing the layer 53 and the layer 54.例文帳に追加

ハンダ層54による接合の際に、Auコーティング層53とハンダ層54とを拡散させて、Au91wt%以上、Sn9wt%以下のAu−Sn合金層55を形成する。 - 特許庁

An Au surface layer conductor 16 is formed on the surface of a ceramic wafer 11, and this Au surface layer conductor 16 is directly connected to an Ag via conductor 14 of the top layer.例文帳に追加

セラミック基板11の表面にAu系表層導体16を形成し、このAu系表層導体16を最上層のAg系ビア導体14に直接接続する。 - 特許庁

An Ni-P coated film and an Au coated film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic body through a pre-treatment step 11, an autocatalytic Ni plating step 12 and a displacement Au plating step 13.例文帳に追加

前処理工程11、自己触媒Niめっき工程12、及び置換Auめっき工程13により、セラミック素体の表面に形成されたCu電極上にNi−P皮膜及びAu皮膜を順次形成する。 - 特許庁

Alternatively, the powder and metal powder, specifically, the metal powder of one or more kinds of elements selected from Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and Pt are mixed, and next, the powdery mixture is sintered.例文帳に追加

または、該粉末と金属粉末、具体的にはCu、Ag、Au、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ptから選ばれる1種もしくは2種以上の元素の金属粉末を混合し、次いで該混合粉末を焼結する製造方法にて得ることもできる。 - 特許庁

The light emitter comprises wiring layers 3A, 3B on the surface of a sub-mount element 3, an Au layer 32 formed as a conductive layer on the sub-mount element 3, and a Cr layer 31 on the Au layer 32 for forming a light reflective layer.例文帳に追加

サブマウント素子3の表面に設けられる配線層3A、3Bは、サブマウント素子3上に導電層として設けられるAu層32と、Au層32上に設けられて光反射層を形成するCr層31を有する。 - 特許庁

Thus, the Kirkendall effect, that Ag atoms are diffused from the Ag via conductor 14 to the Au surface layer conductor 16, is reduced and a void is prevented from being generated in the Ag-Au bonding part by the Kirkendall effect.例文帳に追加

これにより、Ag系ビア導体14からAg原子がAu系表層導体16に拡散するカーケンドール効果が少なくなり、Ag−Au接合部にカーケンドール効果による空隙が生じることが防止される。 - 特許庁

Here, the I/O branch wiring 17 is, for example, such a wiring as being comprised of a multilayer structure where Au/Ni/Cu/Cr are laminated, and Au/Ni/Cu is etched at a part of the wiring to provide Cr resistor.例文帳に追加

この場合、例えば、I/O分岐配線17をAu/Ni/Cu/Crを積層した多層構造を有する配線とし、この配線の一部においてAu/Ni/CuをエッチングしてCr抵抗を設ける。 - 特許庁

After the Ti layer and the Au layer 16 are formed, since these are not subjected to heat treatment, sufficient wire bond strength can be obtained, while a base metal, that is, Ta, As, Ni, Ge or the like is not pile up on the surface of the Au layer.例文帳に追加

Ti層およびAu層が形成された後,熱処理が施されないため,下地金属,すなわちGa,As,Ni,Ge等がAu層の表面にパイルアップすることなく,十分なワイヤボンド強度を得ることが可能となる。 - 特許庁

The Au wire or the Cu wire is employed which is obtained by applying the coating of a substance for increasing a reflection factor on the Au wire or Cu wire for the wire bonding of the semiconductor light emitting device.例文帳に追加

半導体発光装置のワイヤーボンディングに使用されているAu線やCu線の表面に反射率を高める物質をコーティングしたAu線やCu線を用いる。 - 特許庁

On the other hand, a second Au based layer 10b having Au content of95 mass% is arranged on the pasting side major surface, i.e. the major surface of the element substrate 7 intended to be located on the emission layer part 24 side.例文帳に追加

また、素子基板7の、発光層部24側に位置することが予定された主表面を貼り合わせ側主表面として、該貼り合わせ側主表面にAu含有率が95質量%以上の第二Au系層10bを配置する。 - 特許庁

Au plating films 12 of conductive powder particles 10 adjacent to each other make contact with each other at a number of points, and a plurality of the conductive powders 10 flocculate through the mutual Au plating films 12 by strong forces to form one conductive lump 20.例文帳に追加

隣接する導電粉10のAuのメッキ被膜12どうしが多数の箇所で接して、複数の導電粉10が、Auのメッキ被膜12どうしを介して強い力で凝集し、1つの導電塊20を形成する。 - 特許庁

On the insulating substrate 5, an LD 11 is jointed and one Au wire 12 for power supply connected to an external lead wire is connected to each of the relay bases 7, which are connected to the LD 11 by an Au wire 13.例文帳に追加

そして、絶縁基板5上にLD11が接合され、外部のリード線に接続された給電用のAuワイヤ12が1本ずつ各中継台7に接続され、各中継台7とLD11とがAuワイヤ13により接続される。 - 特許庁

A method for improving the wettability of an Au surface 4 formed on the surface of a substrate 1 includes bringing the Au surface 4 into contact with ozonized water 3 containing carbonic acid in an amount of 100 ppm or more and having a temperature of 50°C or more.例文帳に追加

基板1の表面に形成されたAu表面4のぬれ性を改善する方法であって、前記Au表面4を、オゾン濃度が100ppm以上の炭酸を含む50℃以上のオゾン水3と接触させる。 - 特許庁

After Au plating film 12 is formed on a surface of a plate-like metal base material 13, made of less noble metal than Au, molding is carried out by cutting working along a cutting-scheduled line 18 to reflect the outline of the member.例文帳に追加

Auよりも卑な金属にてなる板状の金属基材13の表面に、Auメッキ膜12を形成したのち、部材の外形線を反映した切断予定線18に沿って切断加工することにより成形する。 - 特許庁

Before the Os film is formed, a preparatory protective film comprising at least one kind of a component selected from the group consisting of Pt, Au, Pd, Pt-Pd and Au-Pd is formed by a vacuum vapor deposition method.例文帳に追加

Os膜を形成する前に、Pt、Au、Pd、Pt−Pd、Au−Pdからなる群から選ばれる1種以上からなる予備保護膜を真空蒸着法により形成する前記記載の作製方法。 - 特許庁

When compared with a prior art n-type electrode of a laminated structure of the Ti layer, the Al layer, the Mo layer and the Au layer; the insertion of the Pt layer enables suppression of delamination of the Au layer.例文帳に追加

従来n型電極としてよく用いられているTi層、Al層、Mo層、Au層の積層構造に比べ、Pt層を挿入したことにより、Au層の剥がれが抑えられる。 - 特許庁

The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.例文帳に追加

ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか1種の酸化物、またはいずれか2種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁

To suppress the destruction of an Au wire in a secondary-side bonding section, in a connection structure for wire-bonding the Au wire, with the secondary side being an Al pad.例文帳に追加

Alパッドを2次側としてAuワイヤをワイヤボンディング接合する接続構造において、2次側接合部におけるAuワイヤの破壊を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, a second noble metal layer (36) containing the Au through a second adhesion layer (32) is formed on a second substrate (30) having a second flow passage part (38) formed thereon and the second noble metal layer (36) and the Au structure body (40) are joined.例文帳に追加

また、第2流路部(38)が形成された第2基板(30)に、第2密着層(32)を介してAuを含む第2貴金属層(36)が形成されており、第2貴金属層(36)とAu構造体(40)が接合されている。 - 特許庁

The base 11 and the lead 13, 15 are plated so that Au plating on the outermost surface, performed onto the leads 13, 15, differs from the material of plating performed onto the outermost surface of the base 11 or the thickness of the Au plating.例文帳に追加

このリード13、15に施される最表面のAuメッキが、ベース11の最表面に施されるメッキの材料またはAuメッキの厚さと異なるようにベース11およびリード13、15にメッキが施されている。 - 特許庁

The vamp can be formed using Au, Ni, Ag, Cu or the like, and vamp size of the substrate can be identical to that of the chip, further, either of them can be enlarged more than the other, and the substrate is plated by Au, Ag, Cu, and Sn.例文帳に追加

バンプは、Au、Ni、Ag、Cuなどを用いて形成することや、基板のバンプサイズとチップのバンプサイズとを同一にすることや、いずれかの一方をより大きくすることができ、基板にはAu、Ag、Cu、Snメッキを施す。 - 特許庁

The adhesive film is stuck to a Ni/Au plated Cu circuit printed board, a chip is placed facing the circuit board, and the bump of the chip and the Ni/Au plated Cu circuit printed board are positioned, heated, pressed and connected.例文帳に追加

接着フィルムをNi/AuめっきCu回路プリント基板に貼付け、チップを対向し、チップのバンプとNi/AuめっきCu回路プリント基板の位置あわせを行い、加熱、加圧を行い接続を行う。 - 特許庁

When the operating condition of the unit is changed by the recording of data or the deleting of data, the AU management table is updated and information indicating that the AU management table is updated is recorded in the table.例文帳に追加

データの記録または削除によりユニットの使用状況が変わったときには、AU管理テーブルを更新し、AU管理テーブルを更新したことを示す情報を記録しておく。 - 特許庁

The Au bonding wire is made of Be of 4-7 mass ppm, Ca of 15-30 mass ppm, Y of 15-30 mass ppm, Ce of 15-30 mass ppm, and the remaining of Au.例文帳に追加

Beを4〜7質量ppm、Caを15〜30質量ppm、Yを15〜30質量ppm、Ceを15〜30質量ppmおよび残部Auからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pressure sensor capable of preventing a corrosive medium from intruding to the side of a pad from the interface between an Au film and an Al film and the pad from being corroded by heightening an adhesive force of the Au film and the Al film.例文帳に追加

Au膜とAl膜との密着力を高めることで、これらの界面から腐食媒体がパッド側に浸入することを防止でき、パッドが腐食されることを防止できる圧力センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the wax materials are screen-printed on the Au plating 32 ((h) wax material paste print process), and then made to reflow so that the Au plating 32 can be coated with the wax materials ((i) wax material reflow process), and the wax material layer 34 is formed.例文帳に追加

次に、ろう材をAuメッキ32上にスクリーン印刷し((h)ろう材ペースト印刷工程)、続いて、これをリフローしてAuメッキ32上にろう材を被着させ((i)ろう材リフロー工程)、ろう材層34を形成する。 - 特許庁

An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed.例文帳に追加

MgO(100)基板1上にAu薄膜2を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径50nmのGa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域3を形成し、Au薄膜2を除去する。 - 特許庁

To provide a separator material of a fuel cell for firmly and uniformly forming an Au layer or a layer including Au on the surface of a stainless steel base material and securing corrosion resistance required for a separator of a fuel cell.例文帳に追加

ステンレス鋼基材表面にAu層又はAuを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される耐食性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。 - 特許庁

According to the structure, the interdiffusion of Ga and As in the p-type GaAs layer 1 and Au in the metallic layer 5 is prevented while the fluctuation of the resistivity of the ohmic electrode 6 can be suppressed at a small value under the high-temperature and high-humid environment.例文帳に追加

上記構造とすることにより、p型GaAs層1のGa、Asと、金属層5のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極6の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 - 特許庁

To prevent Au of an Au layer on a barrier metal layer from diffusing from a step disconnection to a ridge inside by achieving a structure which does not generate step disconnection of a barrier metal layer on a ridge contact layer.例文帳に追加

リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし バリアメタル層上のAu層のAuが 上記段切れ部分からリッジ内部への拡散を防止する。 - 特許庁

The above heat treatment for the Au-Sn brazing material before slitting, enables the foil-shaped Au-Sn soldering material to be continuously slit at the ambient temperature, and makes a ribbon-shaped brazing material manufactured more easily.例文帳に追加

このように、スリット加工前のAu−Snろう材に対して熱処理を行うと、箔状のAu−Snろう材を常温で連続してスリット加工できるようになり、リボン状のろう材の製造がより容易になる。 - 特許庁

The metallic wire layer 20 has at its uppermost layer an Au layer 22 made of Au with which an alloy can be formed with an Sn component being a component of the solder bump 40, the Sn component being diffused by heat produced at the solder reflow.例文帳に追加

金属配線層20は、はんだリフロー時の熱によりはんだバンプ40を構成するSn成分が拡散して合金を形成可能なAuよりなるAu層22を最表層に備える。 - 特許庁

The GaN substrate 15' is etched as far as the n-GaN contact layer 16 with a width 100 μm, parallel to the strip formed on a p-electrode surface to form a groove, and an n-electrode 28 comprising Ti/Au is formed on the surface of the groove.例文帳に追加

GaN基板15'に、p電極面に形成されたストライプと平行に、幅100μmでn−GaNコンタクト層16までエッチングして溝を形成し、その溝の表面にTi/Auよりなるn電極28を形成する。 - 特許庁

To always guarantee high corrosion resistance even in the case of an ultrathin Au layer, for a corrosion-resistant conductive member with a stainless steel sheet equipped with an Au-plating layer of a thickness of 100 nm or less, to be used as a separator for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池のセパレータとする、ステンレス鋼板に厚さ100nm以下のAuメッキ層を設けた耐食性導電部材において、Au層がごく薄い場合でも、常に高い耐食性を保証できるものを提供する。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional systems that optical characteristics of a film are quite different from a design target, because Au atoms are mixed into the film formed in the end surface of a fiber having a ferrule.例文帳に追加

フェルール付きファイバの端面に成膜された膜中にAu原子が混入して当該膜の光学特性が設計値からかけ離れたものになる。 - 特許庁

The adhesion parts respectively include adhesion parts 32a, 42a which are formed by removing the Au layer on a plating surface by polishing, laser radiation, or the like and exposing a plating material located on a layer below the Au layer to the surface.例文帳に追加

上記密着部には、研磨やレーザ照射等によりめっき表面のAu層を除去して、その下層のめっき材料を表面に露出させた密着部32a,42aが含まれる。 - 特許庁

A first noble metal layer (26) containing Au through a first adhesion layer (22) is formed on a first substrate (20) having a first flow passage part (28) formed thereon, and an Au structure body (40) comprising a cylindrical structure is formed on the first noble metal layer (26).例文帳に追加

第1流路部(28)が形成された第1基板(20)に、第1密着層(22)を介してAuを含む第1貴金属層(26)が形成されており、第1貴金属層(26)上に筒状構造からなるAu構造体(40)が接合されている。 - 特許庁

例文

The adhesive film is adhered to a Ni/Au plated Cu circuit printed board; a chip is placed facing to the circuit board; and the bump of the chip and the Ni/Au plated Cu circuit printed board are positioned, heated, pressed and connected.例文帳に追加

接着フィルムをNi/AuめっきCu回路プリント基板に貼付けチップを対向し、チップのバンプとNi/AuめっきCu回路プリント基板の位置あわせを行い、加熱、加圧を行い接続を行う。 - 特許庁

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