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AL isの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3962



例文

Further, for promoting the desulfurization, the melting and refining time is lengthened or the deoxidizer such as Si, Al, is added.例文帳に追加

また、脱硫を促進するため、溶解精錬時間を長くするか、またはSiやAl等の脱酸剤を添加する。 - 特許庁

The sequence of the gene is specified and it is confirmed to enhance the sprouting yeast's Al tolerance ability.例文帳に追加

その配列を特定するとともに、出芽酵母Al耐性能を高めることを確認した。 - 特許庁

Thereby, the Al wiring layer ML on which the Al ion is deposited is activated.例文帳に追加

これにより、Alイオンが既に堆積したAl配線層MLを活性化する。 - 特許庁

In the case of the Mg-mixed Al powder, the Al-Mg alloy is first generated but thereafter the same process is carried out.例文帳に追加

Mg混合Al粉末の場合、まずはAl−Mg合金が生成するがその後は同様である。 - 特許庁

例文

The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加

前記コア部2は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部3はSiO_2から形成される。 - 特許庁


例文

Al is covered by a sputtering method on the insulating film 12, and an Al film 13 is formed.例文帳に追加

絶縁膜12上にAlをスパッタリング法により被着してAl膜13を形成する。 - 特許庁

The Al cabling is made a multi-layer structure and an element which does not form a continuous solid solution with Al is added to each layer.例文帳に追加

Al配線を多層構造とし、各層にはAlと全率固溶しない元素を添加する。 - 特許庁

As a result, the granular growth of Al is not helped, such that the protrusion of Al is suppressed.例文帳に追加

その結果、Alの粒成長は助長されず、Alの突き出しが抑えられる。 - 特許庁

(3) The Al-based III nitride producing method described in (1) or (2) is the method where the Al raw material is AlCl_3.例文帳に追加

〔3〕前記Al原料がAlCl_3である〔1〕または〔2〕記載のAl系III族窒化物の製造方法。 - 特許庁

例文

The catalyst for cleaning the exhaust gas is obtained by supporting Rh on a CeO_2-ZrO_2-Al_2O_3 compound oxide in which Al/(Ce+Zr) is within a range of 5/20 to 40/20.例文帳に追加

Al/(Ce+Zr)が 5/20〜40/20の範囲にあるCeO_2−ZrO_2−Al_2O_3複合酸化物にRhを担持した。 - 特許庁

例文

The catalyst for cleaning the exhaust gas is obtained by supporting Pt on a CeO_2-ZrO_2-Al_2O_3 compound oxide in which Al/(Ce+Zr) is within a range of 1/20 to 50/20.例文帳に追加

Al/(Ce+Zr)が 1/20〜50/20の範囲にあるCeO_2−ZrO_2−Al_2O_3複合酸化物にPtを担持した。 - 特許庁

An Al of 4,000 ppm is doped in the core, and an Al doping amount is desirably set to zero.例文帳に追加

コア部に4000ppm以下のAlをドープし、望ましくはAlのドープ量を零とする。 - 特許庁

The negative electrode 1 is composed of aluminum (Al), aluminum-manganese alloy (Al-Mn), or lithium-aluminum-manganese alloy (Li-Al-Mn).例文帳に追加

負極1は、アルミニウム(Al)、アルミニウム−マンガン合金(Al−Mn)またはリチウム−アルミニウム−マンガン合金(Li−Al−Mn)からなる。 - 特許庁

This Al-based alloy film is preferably an Al-Ni based alloy film containing Ni and more preferably an Al-Ni-B based alloy film containing B.例文帳に追加

このAl系合金膜は、Niを含有するAl−Ni系合金膜が好ましく、さらにBを含有するAl−Ni−B系合金膜が望ましい。 - 特許庁

An Al layer 24 comprising Al or an Al alloy is formed in the upper surface of the plate base 21 and the inner surface of the sidewall 21a by plating or the like.例文帳に追加

板状基部21の上面および側壁21aの内面には、AlまたはAl合金によるAl層24が、めっき等により設けられている。 - 特許庁

The Al fin material for the heat exchanger consisting of an Al or Al alloy plate is formed so that the plate has a surface roughness factor of 100 or more.例文帳に追加

Al又はAl合金板よりなる熱交換器用Al製フィン材において、上記板の表面の粗度係数を100以上とする。 - 特許庁

In the Al_xGa_(1-x)As layer, a composition ratio x of Al in the main face 11a is lower than a composition ration x of Al in the rear face 11b.例文帳に追加

Al_xGa_(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。 - 特許庁

In the Al_xGa_(1-x)As layer, an Al composition ratio x in the main surface 11a is lower than an Al composition ratio x in the rear face 11b.例文帳に追加

Al_xGa_(1-x)As層において、主表面11aのAlの組成比xは、裏面11bのAlの組成比xよりも低い。 - 特許庁

An Al layer 24 by Al or an Al alloy is formed on the upper surface of the flat base 21 and on the inner surface of the sidewall 21a by plating or the like.例文帳に追加

板状基部21の上面および側壁21aの内面には、AlまたはAl合金によるAl層24が、めっき等により設けられている。 - 特許庁

Alternatively, the content of Si is controlled to ≤3%, and Al to 0.2 to 1.9% in the same chemical components.例文帳に追加

また、この発明の化学成分の内SiとAlをSi:3%以下、Al:0.2〜1.9%としたことを特徴とする高周波特性に優れた無方向性電磁鋼板。 - 特許庁

A fixed electrode 6b is formed by titanium (Ti), zirconium (Zi), aluminum (Al), and the like.例文帳に追加

固定電極6bはチタン(Ti),ジルコニウム(Zi),アルミニウム(Al)等により形成されている。 - 特許庁

The Mg alloy is prepared by adding 5-7 mass% aluminum (Al), 1-5 mass% barium (Ba) and 1-10 mass% tin (Sn).例文帳に追加

5〜7mass%のアルミニウム(Al)と、1〜5mass%のバリウム(Ba)と、1〜10mass%のスズ(Sn)とを添加したMg合金である。 - 特許庁

Al of the oxidizing layer 14 is selectively oxidized, and becomes Al oxide layer 15 on the both sides of the mesa.例文帳に追加

メサの両側では、酸化用層のAlが選択的に酸化され、Al酸化層15になっている。 - 特許庁

The Al alloy wire is produced through a process of castingrollingwire drawingsoftening treatment.例文帳に追加

このAl合金線は、鋳造→圧延→伸線→軟化処理という工程を経て製造される。 - 特許庁

The inorganic substrate is a monolayer of an Al alloy or a double layer comprising an Al alloy and a barrier metal.例文帳に追加

前記無機質基体は、Al合金の単層またはAl合金とバリアメタルとからなる複層である。 - 特許庁

The substrate 2 is made of Al and contains ≤0.1 wt.% impurities other than Al.例文帳に追加

また、支持体2はAl製であり、Al以外の不純物を0.1重量%以下含有する。 - 特許庁

The lining layer 3 is composed of one kind selected from Cu, Al, a Cu alloy and an Al alloy.例文帳に追加

ライニング層3はCu,Al,Cu合金およびAl合金から選択される一種よりなる。 - 特許庁

The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.例文帳に追加

スパッタリングターゲットはAlを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。 - 特許庁

The oxidized Al layer 42 is formed by selectively oxidizing the Al in the ALInAs layer.例文帳に追加

Al酸化層は、AlInAs層中のAlを選択的に酸化させたものである。 - 特許庁

Further, as the Al alloy sheet, an Al alloy comprising 0.6 to 6.0% MgO is used.例文帳に追加

さらにAl合金板として、Mg0.6〜6.0%を含有するAl合金を用いる。 - 特許庁

A first insulating film 5 is provided as a liner film to contact the support of the Al electrode 4.例文帳に追加

Al電極4の支持部分に接触するように、ライナー膜として、第1絶縁膜5が設けられている。 - 特許庁

Al having low resistivity or an alloy mainly composed of Al is used for the upper electrode 18.例文帳に追加

上部電極18としては、比抵抗が低いAl又はAlを主成分とする合金が利用される。 - 特許庁

A wiring layer 17 consisting of an Al layer or an Al alloy layer is deposited on the film 10.例文帳に追加

層間絶縁膜の上に、Al若しくはAl合金からなる配線層を堆積する。 - 特許庁

By mixing both the Al-mixed powders, an Al-mixed powder Z is prepared (step S106).例文帳に追加

そして、両Al混合粉末を混合して、Al混合粉末Zを作製する(ステップS106)。 - 特許庁

This lead-free solder alloy is composed of, by weight, 0.10% Ni, 0.08% Al, 0.06% Ge, 0.2% Bi, 0.2% Ag and the balance Sn.例文帳に追加

Ni:0.10wt%;Al:0.08wt%;Ge:0.06wt%;Bi:0.2wt%;Ag:0.2wt%;残部Snからなる鉛フリー半田合金である。 - 特許庁

Al is made to react with hydrogen halide at a temperature of 700°C or lower to suppress the generation of aluminum chloride (AlCl) and aluminum bromide (AlBr), which react with quartz.例文帳に追加

Alとハロゲン化水素とを、700℃以下の温度で反応することで、上記課題を解決した。 - 特許庁

The magnesium alloy sheet is made from a magnesium alloy containing Al and Mn.例文帳に追加

このマグネシウム合金板は、AlとMnとを含有するマグネシウム合金から構成されている。 - 特許庁

The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.例文帳に追加

スパッタリングターゲットは、Alを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。 - 特許庁

The Al alloy wire is produced via successive steps of casting, rolling, wire drawing, and softening treatment.例文帳に追加

このAl合金線は、鋳造→圧延→伸線→軟化処理という工程を経て製造される。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a Ti-Al alloy containing Al in the range of 5-50 atom%.例文帳に追加

スパッタリングターゲットはAlを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。 - 特許庁

A base material 3 made of cylinder-shaped or columnar-shaped Al for forming a thermal spray film is prepared (a).例文帳に追加

溶射膜を形成するための、円筒形または円柱形のAlからなる基材3を用意する〔(a)〕。 - 特許庁

At least one end surface of a heat sink 5 is covered with Al to form an Al layer.例文帳に追加

ヒートシンク5の少なくとも一端面をAlで被覆してAl層を形成する(被覆工程S1)。 - 特許庁

A base material 3 made of Al of a cylindrical or columnar shape is prepared for forming a spray film (a).例文帳に追加

溶射膜を形成するための、円筒形又は円柱形のAlからなる基材3を用意する〔(a)〕。 - 特許庁

Before completing the blowing, a deoxidizing agent is preferably added at 0.1 kg/ton of molten metal in terms of Al.例文帳に追加

Arの吹き込み終了以前に脱酸剤を溶湯1t当たり、Alで0.1kg/t以下添加とするとよい。 - 特許庁

At least one king of metal selected from the group consisting of Zn, Al, Si, Mg and Ti is made to be contained in the Sn plating layer in an amount of 1 mass% or less.例文帳に追加

前記SnめっきにZn, Al, Si, Mg, Tiのうちの1種以上の金属を1mass%以下含有させる。 - 特許庁

The Al film is patterned to form an Al layer 106 by each gate wiring.例文帳に追加

Al膜をパターニングしゲート配線ごとにAl層106を形成する。 - 特許庁

The pressure reducing speed in the vacuum vessel is set according to Al adding quantity per ton of the molten steel.例文帳に追加

溶鋼1ton あたりのAl添加量に応じて真空槽の減圧速度を設定する。 - 特許庁

The surface is coated with Al and then subjected to a thermal treatment for the formation of an Al alloy film 8 (d).例文帳に追加

表面をAlで被覆を熱処理して、Al合金膜8を形成する(d)。 - 特許庁

There is disclosed agglomerates of faujasite X with an Si/Al ratio of 1.例文帳に追加

本発明はSi/Al比が1であるフォージャサイトXの凝集塊に関するものである。 - 特許庁

例文

Further, by suppressing the content of S and/or Al, cracking at a slab corner part is prevented.例文帳に追加

また、Sおよび/またはAlの含有量を低く抑えることにより、スラブコーナー部での割れを防ぐ。 - 特許庁

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