「AL is」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The Al layer 17 is made to react on the Ti oxide 16 through vacuum annealing to form an Al oxide layer 18 at an interface between the Al layer 17 and the Ti oxide 16 (d).例文帳に追加

真空アニールを行ってＡｌ層１７とＴｉ酸化物１６とを反応させて、Ａｌ層１７とＴｉ酸化物１６との界面にＡｌ酸化物層１８を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

In forming an oxidized film on the surface of the Al film and patterning an ITO film, the erosion of the Al film is prevented and the Al oxidized film/the ITO film exhibit the function as antireflection films in the pixel electrodes 66.例文帳に追加

また、Ａｌ膜の表面に酸化膜を形成しておき、ＩＴＯ膜をパターニングする際、Ａｌ膜が侵されるのを防止し、かつ、画素電極６６では、Ａｌ酸化膜／ＩＴＯ膜が反射防止膜としての機能を発揮させる。 - 特許庁

In the Al-Mn alloy coating layer 2, an Al-Mn intermetallic compound is dispersed and precipitated, and elements of Al, Mn, Fe, Si, Zn, Cu, etc., are included.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｎ合金被覆層２には、Ａｌ−Ｍｎ系金属間化合物が分散析出しており、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｕ等の元素が含有されている。 - 特許庁

In the packaging material (10) using cardboard (11) as the base material, having the heat-sealable thermoplastic resin layer (12) as the innermost layer and having the Al foil (13) inside the thermoplastic resin layer, the Al foil is a degreased Al foil.例文帳に追加

板紙（１１）を基材とし最内層にヒートシール可能な熱可塑性樹脂層（１２）を、その内側にはＡｌ箔（１３）をそれぞれ備えた包装材料（１０）において、Ａｌ箔が脱脂Ａｌ箔であること。 - 特許庁

By injecting a molten metal of Al alloy containing Al or Si into a metallic mold filled with SiC powder and then casting, the plate member 1 composed of the Al/SiC composite material is formed.例文帳に追加

ＳｉＣ粉体が充填された金型にＡｌあるいはＳｉを含有するＡｌ合金の溶湯を注入して鋳造することにより、Ａｌ／ＳｉＣ複合材からなる板部材１を形成する。 - 特許庁

Especially, the alloy layer 20 of the cathode 2 preferably contains an Al-Au intermediate phase and is composed of a first layer containing the Al-Au intermediate phase being contact with the surface of the solid electrolyte and a second layer containing the metal Al phase covering the first layer.例文帳に追加

特に、カソードの合金層は、Ａｌ−Ａｕ中間相を含むものがよく、固体電解質表面に接するＡｌ−Ａｕ中間相を含む第１層と、該第１層を覆う金属Ａｌ相を含む第２層とから構成される。 - 特許庁

The Al-based alloy molded article has a quasi-crystal particle dispersion structure, and is formed using powder consisting of Al-based alloy having Al content of 97-98 at%, by the cold spray method.例文帳に追加

本発明に係るＡｌ基合金成形体は、準結晶粒子分散構造を有し、且つＡｌ含有量が９７〜９８ａｔ％であるＡｌ基合金からなる粉末を用いてコールドスプレー法にて形成したことを特徴としている。 - 特許庁

An upper layer light shielding Al film 9a formed by patterning an Al film being used in the upper layer Al film 9b for the pat of a TEG is provided on the source-drain regions 5a and 5b of the monitor transistor.例文帳に追加

ＴＥＧのパット用上層Ａｌ膜９ｂに用いられるＡｌ膜をパターニングして形成された遮光用上層Ａｌ膜９ａを、モニタ用トランジスタのソース／ドレイン領域５ａ、５ｂ上に設ける。 - 特許庁

A Sn-based layer 11a is formed by cladding or press forming as an outermost layer of an alloy foil 13 which comprises Sn 11b and Al 12 as major components and which has an Al content of 40 mass% or less, thereby removing an oxide film from the alloy surface layer.例文帳に追加

Sn１１bとAl１２を主成分とする合金箔１３でありAl含有率が40mass%以下の合金箔１３の最表層にSn系層１１aをクラッドまたは加圧成形して、合金表層の酸化膜を除去する。 - 特許庁

The vacuum chamber is cast by pouring molten Al alloy containing 0.5-5.8 wt.% Ni and the balance Al or 0.5-2.4 wt.% Mn and the balance Al into a sand mold B.例文帳に追加

Ｎｉを０．５〜５．８ｗｔ％を含み残部がＡｌのＡｌ合金又はＭｎを０．５〜２．４ｗｔ％含み残部がＡｌのＡｌ合金の溶湯を砂型Ｂに注湯して真空チャンバを鋳造する。 - 特許庁

An Al_xGa_1-xN(0≤x≤0.5) barrier layer 30 exists on the Al_yGa_1-yN layer 28 on the reverse side of the GaN buffer layer 26, and the Al concentration of the layer 28 is higher than that of the barrier layer 30.例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．５）バリア層３０が、ＧａＮバッファ層２６の反対側でＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層２８上にあり、該層２８のＡｌ濃度は、バリア層３０よりも高い。 - 特許庁

The Al alloy conductive wire is formed of an Al alloy comprising, by mass, 0.15 to 0.4% Si, 0.6 to 2.4% Fe and 0.06 to 0.2% Cu, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｓｉ：０．１５〜０．４質量％、Ｆｅ：０．６〜２．４質量％、Ｃｕ：０．０６〜０．２質量％を含み、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金で形成したＡｌ合金導電線。 - 特許庁

To elongate a service life of an Al alloy member on which an Al-Zn sprayed coating is layered by providing a method of improving swelling-resistance and peeling resistance of the Al-Zn sprayed coating.例文帳に追加

Ａｌ−Ｚｎ溶射皮膜の耐膨れ性・耐剥離性を高める方法を見出し、Ａｌ−Ｚｎ溶射皮膜が積層されたＡｌ合金部材の長寿命化を図る。 - 特許庁

To provide an embossed Al alloy plate which is thin-walled and weight-reduced and improves the formability of the pressing or the like without degrading characteristics of the embossed plate.例文帳に追加

薄肉軽量化したAl合金製エンボス加工板について、エンボス加工板の諸特性を低下させずに、プレス成形などの成形性を向上させたAl合金製エンボス加工板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a flux composition for hot dip Zn-Al-Mg alloy coating capable of easily performing the hot dip Zn-Al-Mg alloy coating which is uniform and beautiful in appearance, and a method for manufacturing a hot dip Zn-Al-Mg alloy coated steel using the same.例文帳に追加

本発明は、均一で外観美麗な溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金めっきを簡易に可能とするフラックス組成物及びこれを用いた溶融Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金めっき鋼材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the insulating substrate, an Al-Zn alloy, having a composition consisting of, by mass, 40-60% Al, ≤2% Si with inevitable impurities, and the balance Zn, is used as an Al alloy for the plated steel sheet.例文帳に追加

絶縁基板はめっき鋼板のＡｌ系合金をＡｌ：４０〜６０ｍａｓｓ％、Ｓｉおよび不可避的不純物：２ｍａｓｓ％以下、残部：ＺｎからなるＡｌ−Ｚｎ系合金にした。 - 特許庁

The Al-Fe-Si-based alloy layer satisfies the condition (1) that the mean thickness of the Al-Fe-Si-based alloy layer is ≤15 μm, and preferably satisfies the condition (2) two layers of a phase A with high Cu concentration and a phase B with low Cu concentration coexist in the Al-Fe-Si-based alloy layer.例文帳に追加

（１）Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層の平均厚さが１５μｍ以下であること （２）Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系合金層は、Ｃｕ濃度が高いＡ相とＣｕ濃度が低いＢ相の２相が混在したものであること - 特許庁

Before charging the semi-molten Al alloy material 16 into the sleeve 14, a volume Va of the surface layer 39 of the semi- molten Al alloy material 16 existing in the Al-can 34, is obtained.例文帳に追加

スリーブ１４内への半溶融Ａｌ合金材料１６の装入前に，Ａｌ缶３４内に在る半溶融Ａｌ合金材料１６の表面層３９の体積Ｖａを求める。 - 特許庁

An Al alloy thin film (Al-Nd-Ti alloy thin film or Al-Nd alloy thin film) 22 is formed on a glass substrate 21 at a substrate temperature of 50 to 150°C or thereabout, desirably 80 to 130 through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板温度を５０〜１５０℃程度好ましくは８０〜１３０℃程度として、ガラス基板２１上にＡｌ合金薄膜（Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜またはＡｌ−Ｎｄ合金薄膜）２２を成膜する。 - 特許庁

In this method, a process is provided wherein when the Al oxide layer is formed by selectively oxidizing an Al of the semiconductor layer comprising Al, a protective layer 19 resistant to oxidizing atmosphere for oxidizing Al is provided on a perimeter and bottom surface of the mesa-post or a side surface and bottom surface of the ridge, except for the semiconductor layer comprising Al.例文帳に追加

本方法では、Ａｌを含む半導体層のＡｌを選択的に酸化させてＡｌ酸化層を形成する際、Ａｌを含む半導体層を除くリッジの側面及び底面又はメサポストの外周面及び底面に、Ａｌを酸化する酸化雰囲気に抗する保護層１９を設ける工程を備えている。 - 特許庁

The oxide film has an Al concentration transit region where the highest concentration part of the Al concentration is formed on the outer surface side and the lowest concentration part of the Al concentration is formed on the base metal surface side, and the difference in the Al concentration between the highest concentration part and the lowest concentration part is controlled to ≥30% of the Al concentration in the base metal.例文帳に追加

前記酸化被膜は、外表面側にＡｌ濃度の最高濃度部が形成され、母材表面側にＡｌ濃度の最低濃度部が形成されたＡｌ濃度移行領域を有し、前記最高濃度部と最低濃度部におけるＡｌ濃度の差が母材のＡｌ濃度の３０％以上とされたものである。 - 特許庁

The MIG welding titanium alloy wire has an outer layer containing 0.5 to 10% Al by mass around a titanium or titanium alloy core wire, and the outer layer is one of an Al or Al alloy plating film, an Al oxide spray film, or an Al vapor film.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金芯線及び該芯線の外周にＡｌ：０．５〜１０質量％を含む外層を有するＭＩＧ溶接用チタン合金溶接ワイヤ、であり、この外層がＡｌまたはＡｌ合金めっき皮膜、Ａｌ酸化物の溶射皮膜、Ａｌ蒸着皮膜の何れか１種からなるＭＩＧ溶接用チタン合金溶接ワイヤである。 - 特許庁

In the flip-chip mounting structure, wherein an IC chip 21 containing an Al electrode 22 and a substrate 41 containing an Au electrode 43 are connected with wireless; a bump 52 comprising Al or Al alloy is formed on the Al electrode 22 of the IC chip 21; and the Al electrode 22 of the IC chip 21 and the Au electrode 43 of the substrate 41 are bonded via the bump 52.例文帳に追加

Ａｌ電極２２を有するＩＣチップ２１とＡｕ電極４３を有する基板４１とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ＩＣチップ２１のＡｌ電極２２上にＡｌもしくはＡｌ合金よりなるバンプ５２を形成し、そのバンプ５２を介してＩＣチップ２１のＡｌ電極２２と基板４１のＡｕ電極４３とを接合する。 - 特許庁

Mubarak is considered to be a wise lord for leading the restoration of the House of Al-Sabah and is respectfully called "Paramount Chief." 例文帳に追加

ムバラクはサバーハ家中興の英主とされ「大首長」と尊称される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

(2) The Al-based III nitride producing method described in (1) is the method where the halogen gas is chlorine.例文帳に追加

〔２〕前記ハロゲンガスが塩素である〔１〕記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。 - 特許庁

When the processing relating to al the manuscripts is performed, the processing is shifted to image forming processing (S 110).例文帳に追加

すべての原稿について処理が行われると、画像形成処理に移行する（Ｓ１１０）。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate having group III nitride which is rich in Al and is of low transition.例文帳に追加

Ａｌリッチであってかつ低転位であるIII族窒化物を有するエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

At first, a first SiO2 film 2 is formed on a silicon substrate 1 and an Al film 3 is formed thereon.例文帳に追加

先ず、シリコン基板１上に第１のＳｉＯ_2膜２を形成し、その上にＡｌ膜３を形成する。 - 特許庁

The porous sintered layer is formed of an Al alloy to which the resin layer is bonded.例文帳に追加

その多孔質焼結層は、Ａｌ合金からなり、樹脂層が接合されている。 - 特許庁

The coal ash is preferably fly ash and the Si/Al ratio is preferably <5.例文帳に追加

石炭灰はフライアッシュであることが好ましく、原料の硅礬比は５未満であることが好ましい。 - 特許庁

It is desirable that the electrode pattern of the surface acoustic wave element is formed of Al.例文帳に追加

弾性表面波素子の電極パタンは、Ａｌで形成する方が好ましい。 - 特許庁

The Al film 3 is excellent in conductivity, thereby the gate leading- out part 6 is made low resistance.例文帳に追加

Ａｌ膜３は導電性が良好であり、それによってゲート引き出し部６が低抵抗化される。 - 特許庁

Next, the Al film 42h is etched until a surface of a SiO2 film 43g is exposed.例文帳に追加

次に、Ａｌ膜４２ｈをＳｉＯ_2膜４３ｇの表面が露出するまでエッチングする(e)。 - 特許庁

Preferably, the additive amount of Al is 1-8 at% and the additive amount of Zr is 0.5-2 at%.例文帳に追加

Ａｌ添加量は１〜８at％、Ｚｒ添加量は０．５〜２at％が望ましい。 - 特許庁

One member 1 is made of Si or SiC, and the other member 2 is made of Al or Cu.例文帳に追加

一方の部材１がＳｉまたはＳｉＣからなり、他方の部材２がＡｌまたはＣｕからなる。 - 特許庁

It is preferable that the Al-Mg die cast alloy is either ADC5 or ADC6 specified in Japanese Industrial Standard (JIS).例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ系ダイキャスト合金は、ＪＩＳ規定のＡＤＣ５またはＡＤＣ６であることが好ましい。 - 特許庁

Next, the heat treatment is executed to the heat sink 5 on which the Al layer is formed.例文帳に追加

次いで、前記Ａｌ層が形成されたヒートシンク５を加熱処理する（加熱処理工程Ｓ２）。 - 特許庁

Then, the Al layer is formed on the Ti layer where the Pd remains, and heat treatment is carried out.例文帳に追加

次いで、Ｐｄが残存したＴｉ層上にＡｌ層を形成し、熱処理を施す。 - 特許庁

To manufacture efficiently even when a material which is difficult to be extruded such as B-Al material is used.例文帳に追加

Ｂ−Ａｌ材のような難押し出し材を使用した場合であっても効率よく製造できること。 - 特許庁

Polyimide is used as the material of the protective film 10, and Al is used as the material of the second sacrificial layer 25.例文帳に追加

保護膜１０の材料にポリイミドが用いられ、第２犠牲層２５の材料にＡｌが用いられる。 - 特許庁

In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加

式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁

When the rate of Al in the third layers L3 is low, the occurrence of a two-dimensional electronic gas is suppressed.例文帳に追加

第３の層Ｌ３のＡｌの割合が低いと２次元電子ガスの発生が抑制される。 - 特許庁

Next, a metallic film 23 of Al, etc., is deposited, and this surface is nitrided so as to be covered with a nitride film 30.例文帳に追加

次に、Ａｌ等からなる金属膜２３を成膜し、この表面を窒化処理して窒化膜３０で覆う。 - 特許庁

The aluminum-containing flame-retardant inorganic compound is preferably a compound represented by the formula: wM×zH_2O (wherein M is Al, an Al oxide or an Al hydroxide; (w) is an integer selected from 1 to 5; and (z) is an integer selected from 0 to 10).例文帳に追加

上記アルミニウム含有難燃性無機化合物は、ｗＭ・ｚＨ_２Ｏ（Ｍは、Ａｌ、Ａｌの酸化物又はＡｌの水酸化物であり、ｗは１〜５より選ばれる整数であり、ｚは０〜１０より選ばれる整数である。）で表される化合物であることが好ましい。 - 特許庁

The light scattering film is an Al alloy film formed on a substrate wherein, when the total amount of Al and additional elements is 100%, the Al alloy film contains 0.1-1.0 atm% of Ge as an additional element, and the remaining portion is composed of inevitable impurities, and the diffuse reflection factor is 40% or higher.例文帳に追加

基板上に形成されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜はＡｌと添加元素の総量を１００％とした時、添加元素としてＧｅを０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物からなり、かつ拡散反射率が４０％以上である光散乱膜である。 - 特許庁