「"AL is"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The amount of [Al+Ti] is 3.4 to 4.2%, and a ratio of Cr/Al is 4.5 to 8.例文帳に追加

「Ａｌ＋Ｔｉ」量が３．４〜４．２％、Ｃｒ／Ａｌ比が４．５〜８である。 - 特許庁

Al is added to the molten metal of an iron based alloy comprising C and Si.例文帳に追加

Ｃ及びＳｉを含む鉄基合金の溶湯に対し、Ａｌを添加する。 - 特許庁

In this case, a charging ratio of Al is greater than 0 and is 0.17 or lower.例文帳に追加

この場合、Ａｌの仕込み比を０より大きく０．１７以下とする。 - 特許庁

This HBT is also suitable, when Al is replaced with In.例文帳に追加

このＨＢＴは、Ａｌに代えてＩｎとする場合にも適合する。 - 特許庁

Further, for promoting the desulfurization, the melting and refining time is lengthened or the deoxidizer such as Si, Al, is added.例文帳に追加

また、脱硫を促進するため、溶解精錬時間を長くするか、またはSiやAl等の脱酸剤を添加する。 - 特許庁

Next, a group III nitride film 2 containing Al is formed on the surface nitride layer section 1B.例文帳に追加

次いで、表面窒化層部分１Ｂ上にＡｌ含有III族窒化物膜２を形成する。 - 特許庁

In addition, a surface layer formed of oxide containing Al is formed on the coating layer.例文帳に追加

被覆層の上には、更に、Ａｌを含む酸化物よりなる表面層が形成されている。 - 特許庁

Al is obliquely deposited on a spacer film 5 to form an etching guard metal film 6.例文帳に追加

スペーサ膜５に対して，Ａｌを斜め蒸着し，エッチングガード用メタル膜６を形成する。 - 特許庁

Al having low resistivity or an alloy mainly composed of Al is used for the upper electrode 18.例文帳に追加

上部電極１８としては、比抵抗が低いＡｌ又はＡｌを主成分とする合金が利用される。 - 特許庁

In the second process, a second metal film 36 composed of Al is formed on the first metal film 38.例文帳に追加

第２工程では、その第１金属膜３８上に、Ａｌの第２金属膜３６を形成する。 - 特許庁

A quartz rod 2 doped with Er and Al is inserted into a quartz tube 1 and fixed.例文帳に追加

石英管１にＥｒ及びＡｌをドープした石英棒材２を挿入し、固定する。 - 特許庁

Al is made to react with hydrogen halide at a temperature of 700°C or lower to suppress the generation of aluminum chloride (AlCl) and aluminum bromide (AlBr), which react with quartz.例文帳に追加

Alとハロゲン化水素とを、７００℃以下の温度で反応することで、上記課題を解決した。 - 特許庁

The mixed amount of Si and Al is controlled to 2 to 15 wt.% to the whole wire for thermal spraying.例文帳に追加

ＳｉとＡｌとを混合した量は、溶射用ワイヤ全体に対して２〜１５重量％とする。 - 特許庁

Al is preferably 0.2 to 2.0 mass% in aluminum and dissolved.例文帳に追加

ここで、Ａｌは、Ａｌ換算で０．２〜２．０重量％の固溶しているのが好ましい。 - 特許庁

Preferably, the additive amount of Al is 1-8 at% and the additive amount of Zr is 0.5-2 at%.例文帳に追加

Ａｌ添加量は１〜８at％、Ｚｒ添加量は０．５〜２at％が望ましい。 - 特許庁

Alternatively, a re-grown interface which contains Al is subjected to a cleaning treatment by the use of BHF or the like before re-growth.例文帳に追加

或いは、再成長前にＡｌを含む再成長界面をＢＨＦ等で清浄化処理する。 - 特許庁

Al is covered by a sputtering method on the insulating film 12, and an Al film 13 is formed.例文帳に追加

絶縁膜１２上にＡｌをスパッタリング法により被着してＡｌ膜１３を形成する。 - 特許庁

Then, the group III nitride film 2 containing Al is formed on the surface-nitrided part 1B.例文帳に追加

次いで、表面窒化層部分１Ｂ上にＡｌ含有III族窒化物膜２を形成する。 - 特許庁

The Al cabling is made a multi-layer structure and an element which does not form a continuous solid solution with Al is added to each layer.例文帳に追加

Ａｌ配線を多層構造とし、各層にはＡｌと全率固溶しない元素を添加する。 - 特許庁

The second metallic member 2 contains Cu, while the content of Al is less than 9.4% by weight.例文帳に追加

第２金属部材２は、Ｃｕを含み、Ａｌの含有量が９．４重量％未満である。 - 特許庁

At least one of Ag, Cu, and Al is contained in the light sensitive paste material.例文帳に追加

また、感光性ペースト中に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのうち少なくとも一つを含んでいる。 - 特許庁

Polyimide is used as the material of the protective film 10, and Al is used as the material of the second sacrificial layer 25.例文帳に追加

保護膜１０の材料にポリイミドが用いられ、第２犠牲層２５の材料にＡｌが用いられる。 - 特許庁

As a means to contain Al, a galvanized steel sheet containing Al is used, or metallic Al is separately supplied to a laser emitting zone preliminarily or during the irradiation.例文帳に追加

Ａｌを含ませる手段としては、めっき鋼板としてＡｌを含むものを用いるか、別途金属Ａｌをレーザ照射部位に予めあるいは照射中に供給する。 - 特許庁

A protective wall 52 of Al is formed on the ϕ_I wiring 32 and the bonding pad of this wiring while another protective wall 54 of Al is formed on a V_GA wiring 26 and the bonding pad of this wiring.例文帳に追加

φ_Ｉ 配線３２およびこの配線のボンディングパッド上にＡｌの保護壁５２を、Ｖ_ＧＡ配線２６およびこの配線のボンディングパッド上にＡｌの保護壁５４を形成した。 - 特許庁

Conventionally, the gas generation amount has been assumed to be suppressed if an additional amount of Al is increased, but it has been found that the gas generation increases significantly when the additional amount of Al is within a certain range (value).例文帳に追加

従来は、Ａｌの添加量を多くすればガス発生量が抑えられるとされてきたが、Ａｌの添加量が或る範囲（値）の時にガス発生が顕著に増大することが判明した。 - 特許庁

and others (`et al.' is used as an abbreviation of `et alii' (masculine plural) or `et aliae' (feminine plural) or `et alia' (neuter plural) when referring to a number of people) 例文帳に追加

そして、他のもの（多数の人を参照するとき、『et al.（他）』は『et alii』（男性複数）、『et aliae』（女性複数）または『et alia』（中性複数）の略語として使用される） - 日本語WordNet

After a clamping bolt 1 made of alloy steel is subjected to alkaline degreasing and cleaning, Al is vapor-deposited onto the bolt by vacuum deposition.例文帳に追加

合金鋼製の締付けボルト１に、アルカリ脱脂洗浄を施した後、真空蒸着によってＡｌを蒸着する。 - 特許庁

As a result, the gene encoding a vacuole membrane aluminum transporter protein contributing to detoxifying intracellular Al is identified and isolated as a new gene.例文帳に追加

その結果、細胞内Alの無毒化に寄与する液胞膜アルミニウム輸送体タンパク質の遺伝子を同定し、新規遺伝子として単離した。 - 特許庁

A sensor element 12a comprises MOSFET, and an aluminum electrode (AL) is arranged as a passive element 80.例文帳に追加

センサ要素１２ａは、ＭＯＳＦＥＴを含み、受動素子８０として、アルミ電極（ＡＬ）が配設されている。 - 特許庁

Next, a voltage to be supplied on the address line AL is made to be gradually reduced until a prescribed negative voltage.例文帳に追加

次に、アドレスドライバ２からアドレスラインＡＬに供給する電圧を所定の負電圧まで徐々に電位低下させる。 - 特許庁

A barrier metal layer AL is formed which covers sidewalls of a plurality of groove portions of an interlayer dielectric IL1 containing oxygen.例文帳に追加

酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。 - 特許庁

The magnesium based alloy wire comprises, by mass, 0.1 to 12.0% Al, is formed by roll rolling and has a noncircular cross-sectional shape.例文帳に追加

質量％で、Ａｌ：０．１〜１２．０％を含むマグネシウム基合金線であって、ロール圧延により成形され、断面形状が非円形である。 - 特許庁

A rare earth metal electrode in which the total content of Fe, Co, Ni, Cu and Al is controlled to 5 to 500 ppm is used as an electrode for rotary electrode atomizing.例文帳に追加

Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ及びＡｌの総量が５〜５００ｐｐｍである希土類金属電極を、回転電極アトマイズ用電極として使用する。 - 特許庁

On the surface of the active element of the semiconductor chip 2, an electrode 3 made of Al is formed, and is connected to a conductor 5a via a bump 4.例文帳に追加

半導体チップ２の能動素子面にはＡｌ製の電極３が形成され、電極３はバンプ４を介して導体５ａに接続されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and the semiconductor device in which Al is prevented from being protruded during annealing.例文帳に追加

アニール時に生じるＡｌの突き出しを防止することの可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a glass film is formed by heating it at a temperature lower than the diffusion temperature of Al and Al is diffused to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

次に、Ａｌの拡散温度よりも低い温度で加熱してガラス膜を形成し、しかる後、Ａｌを半導体基板１に拡散する。 - 特許庁

An N-side electrode 16 of Ti/Al is formed on the exposed of the N- type semiconductor layer 12 by the side of the resonator forming part.例文帳に追加

共振器形成部の側方であって、ｎ型半導体層１２の露出部には、Ｔｉ／Ａｌからなるｎ側電極１６が形成されている。 - 特許庁

On the other hand, positive voltages are supplied on data lines DL of non-light emitting pixels for a prescribed period after the potential of the address line AL is lowered.例文帳に追加

一方、非発光画素のデータラインＤＬにはアドレスラインＡＬの電位低下後に所定期間正電圧を供給する。 - 特許庁

This culture apparatus Al is equipped with a culture container 1, a pallet 2, a conveyor 3 and a nutritious liquid supplying apparatus 4.例文帳に追加

栽培装置Ａ１は、栽培容器１とパレット２とコンベヤ３と養液供給装置４を備えている。 - 特許庁

The random clock signal (CK-al) is preferably used as the base for operation for processing at least secret data.例文帳に追加

好ましい態様では、少なくとも機密データを処理する操作に対しては、ランダムクロック信号（ＣＫ-al）がベースにされる。 - 特許庁

A quartz rod 2 doped with Er and Al is inserted into a quartz tube 1 and one end of the quartz tube 1 is sealed.例文帳に追加

石英管１にＥｒ及びＡｌをドープした石英棒材２を挿入し、石英管１の一方の端を塞ぐ。 - 特許庁

The beam profile of the laser beam AL is photoelectrically converted in the camera 43 and an electric signal to correspond to the beam profile is obtained.例文帳に追加

ＣＣＤカメラ４３では、レーザ光ＡＬのビームプロファイルが光電変換されてビームプロファイルに相当する電気信号が得られる。 - 特許庁

Also, the active layer 8 including Al is not etched when the window structure is formed so that the oxidization of Al can be prevented from being generated.例文帳に追加

また、窓構造を形成する際に、Ａｌを含む活性層８をエッチングしないので、Ａｌの酸化も生じない。 - 特許庁

The collected activity level AL is discriminated on the basis of a plurality of discrimination levels AL1 and AL2.例文帳に追加

その集約されたアクティビティレベルＡＬを複数の弁別レベルＡＬ１，ＡＬ２でレベル弁別する。 - 特許庁

The light emitting device structure 11 consisting of a lower clad layer containing Al, an active layer, and an upper clad layer containing Al is formed on the underlying layer 21.例文帳に追加

下地層２１の上に、Ａｌを含む下部クラッド層と、活性層と、Ａｌを含む上部クラッド層からなる発光素子構造１１を形成する。 - 特許庁