「AL is」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Into Nb matrix, Al-X alloy of eutectic series (X is a metallic element capable of forming eutectic with Al) or its powder, or mixed powder of Al and metallic element X capable of forming the eutectic with Al is added as the core, and after having worked this composite into a linear form, rapid heating and quenching are applied and a minute Al-X eutectic texture is formed.例文帳に追加

Nbマトリックス中に共晶系のAl-X合金（Xは、Alと共晶化可能な金属元素）若しくはその粉末又はAlと、Alと共晶化可能な金属元素Xとの混合粉末を芯として入れ、この複合体を線状に加工した後、急熱急冷処理し、微細なAl-X共晶組織を形成させる。 - 特許庁

To provide a treatment method for scrap of Al alloys, which practically and economically separates scrap of Al wrought alloys, and which is indispensable for reusing the scrap of the Al wrought alloys mixed with the scrap of Al cast alloys, as a raw material for producing standard Al wrought alloys.例文帳に追加

Al合金鋳造材屑を混在したAl合金展伸材屑を、展伸材用の規格Al合金溶解原料として再利用するために不可欠な、Al合金展伸材屑の分別、分離を現実的かつ経済的に行えるAl合金屑の処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, as to the metal composite material in this invention, at least one kind of metallic continuous phase selected from the groups consisting of aluminum, an Al-Si, an Al-Cu, an Al-Mg, an Al-Si-Cu and an Al-Si-Mg composite is present in the gaps of the porous preform.例文帳に追加

また、本発明の金属基複合材料は、多孔質プリフォームの空隙に、連続相としてアルミニウム、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Mg系、Al−Si−Cu系、Al−Si−Mg系からなる群から選択される少なくとも1種の金属連続相が存在することを特徴とする。 - 特許庁

As a buffer layer 11, Al_xGa_1-xN_1-yP_y, Al_y, or Al_xGa_1-xN_1-yAs_y is used.例文帳に追加

バッファ層１１としてＡｌ_xＧａ_1-xＮ_1-_yＰ_yあるいはＡｌ_yあるいはＡｌ_xＧａ_1-xＮ_1-yＡｓ_yを用いる。 - 特許庁

Since a Ti film exists in contact with an Al film, occurrence of the Al hillock in the Al film is suppressed.例文帳に追加

Ａｌ膜に接してＴｉ膜が存在することで、Ａｌ膜でのＡｌヒロックの発生を抑制する。 - 特許庁

At this point, a following formula, (Al composition of GaN crystal layers)≤(Al composition x of Al_xGa_1-xN crystal), is satisfied.例文帳に追加

このとき、（ＧａＮ系結晶層のＡｌ組成）≦（前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶のＡｌ組成ｘ）とする。 - 特許庁

In this case, (Al composition of the GaN system crystal layer)≤(Al composition x of the Al_xGa_1-xN crystal) is established.例文帳に追加

このとき、（ＧａＮ系結晶層のＡｌ組成）≦（前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶のＡｌ組成ｘ）とする。 - 特許庁

The inequality 1 is 2×mass%Si+mass%Al+mass%Cr≤7.5.例文帳に追加

２×ｍａｓｓ％Ｓｉ＋ｍａｓｓ％Ａｌ＋ｍａｓｓ％Ｃｒ≦７．５・・・（式１） - 特許庁

A slab having a composition containing ≤0.02% Al and 0.0050 to 0.0250% N, and in which N/Al is controlled to ≥0.3 is subjected to hot rolling so as to satisfy FDT: ≥800°C and is thereafter coiled at CT: ≤750°C.例文帳に追加

Al：0.02％以下、Ｎ：0.0050〜0.0250％を含み、かつＮ／Alを0.3 以上としたスラブをFDT ：800 ℃以上とする熱延後、CT：750 ℃以下で巻き取る。 - 特許庁

A Cu film 5 is formed on an Al film 3 which is formed as Al wiring.例文帳に追加

Ａｌ配線としてのＡｌ膜３上にＣｕ膜５を形成する。 - 特許庁

The amount of [Al+Ti] is 3.4 to 4.2%, and a ratio of Cr/Al is 4.5 to 8.例文帳に追加

「Ａｌ＋Ｔｉ」量が３．４〜４．２％、Ｃｒ／Ａｌ比が４．５〜８である。 - 特許庁

Although a crystal is grown on semiconductor crystal containing Al, this semiconductor laser element is formed by using a material containing no Al.例文帳に追加

Alを含む半導体結晶の上に結晶成長をさせていたが、Alを含まない材料を用いて半導体レーザ素子を形成する。 - 特許庁

The carrier is formed from an Al-Ce-Zr-Pr complex oxide obtained by compositing oxides of Al, Ce, Zr and Pr, and at least one of noble metals is supported on the carrier.例文帳に追加

Al酸化物，Ce酸化物，Zr酸化物及びPr酸化物が複合したAl−Ce−Zr−Pr複合酸化物から担体を形成し、それに貴金属を担持した。 - 特許庁

The Al thin film mirror is a laminate comprising a pure Al layer as the undermost layer and an Al alloy layer thereon and an optical component is composed using the Al thin film mirror.例文帳に追加

Ａｌ薄膜ミラーを最下層の純Ａｌ層とその上のＡｌ合金層とからなる積層体とし、これにより光学部品を構成する。 - 特許庁

The maximum size of the grains of the respective crystallized products is 0.1 to 1 μm, and also, the mass ratio of Al to Mn: Al/Mn is 2 to 5.例文帳に追加

各晶出物の粒子は、最大径が0.1μm以上1μm以下であり、かつMnに対するAlの質量比:Al/Mnが2以上5以下である。 - 特許庁

In the method of producing Fe-Cr-Al alloy foil, an Fe-Cr-Al alloy hot rolled sheet is cold-rolled into foil, and the foil is heat-treated at a temp. of >500 and ≤850°C.例文帳に追加

Fe−Cr−Al合金箔の製造方法において、Fe−Cr−Al合金熱延板を冷間圧延して箔とし、この箔を温度500 ℃超850 ℃以下で熱処理する。 - 特許庁

Determine whether code is in tableD.1 (Characters with bidirectional property ``R'' or ``AL''). 例文帳に追加

code がテーブル D.1 (双方向プロパティ ``R'' または ``AL'' を持つ文字) かどうか判定します。 - Python

A Schottky layer of Al_yIn_1-yAs 20 is disposed below the resistive layer 18.例文帳に追加

Al_yIn_1-yAsのショットキー層20を上記抵抗層18の下に配置する。 - 特許庁

An aluminum phosphate compound coating film is formed on the surface of a Cu-Al sprayed layer.例文帳に追加

Cu-Al系溶射層の表面にリン酸アルミニウム化合物皮膜を形成する。 - 特許庁

An Al wiring layer is formed above the recessed part as a capacitor lower electrode 13.例文帳に追加

その上部にキャパシタ下部電極１３としてAl配線層を形成する。 - 特許庁

The electrodes are made of Al or an alloy whose major component is Al.例文帳に追加

さらに、電極は、ＡｌあるいはＡｌを主成分とする合金からなる。 - 特許庁

A T-type Al electrode 4 is provided on the bottom surface of the recess slot 3.例文帳に追加

リセス溝３の底面上に、Ｔ字型のAl電極４が設けられている。 - 特許庁

The coating layer has an Al 203 layer, and the thickness of the Al 203 layer is 0.5 to 10 μm.例文帳に追加

この被覆層はAl_２O_３層を有し、Al_２O_３層の厚さが0.5〜10μｍである。 - 特許庁

The second metal 64 is composed of an alloy of Mn, Al and Cu.例文帳に追加

第２金属６４は、MnとAlとCuの合金で構成されている。 - 特許庁

The surface of the conductor is Al, Al alloy or Ni, for example.例文帳に追加

前記導電体表面は、例えばＡｌ、Ａｌ合金またはＮｉである。 - 特許庁

The inner layer is composed of a compound of Al, Si and B of periodic table IVa, Va, VIa group metal.例文帳に追加

内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁

(The Electronic Frontier Foundation is sponsoring one of these suits, Bernstein v. Department of Justice, et al ).* 例文帳に追加

(Electronic Frontier Foundation は、こうした訴訟の一つ Bernstein v. Department of Justice, et al を資金援助している)*。 - Electronic Frontier Foundation『DESのクラック：暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』

The etching gas CF4O2 for the Ti oxide does not etch Al and no galvanic corrosion is caused between the Ti oxide and Al.例文帳に追加

Ti酸化物のエッチングガスであるCF_4O_2はAlをエッチングせず、また、Ti酸化物とAlとの間には電触が発生しない。 - 特許庁

Each of the aluminum oxynitride layers is formed of an Al-O-N solid solution, an Al-O-N compound or a mixture of both of them, and AIN may additionally be mixed to it.例文帳に追加

酸窒化アルミニウム層は、Al−Ｏ−Ｎ固溶体、もしくはAl-N-O化合物もしくは両者の混合物からなり、更に、AlNを添加することもあり得る。 - 特許庁

The aluminum alloy wire (Al alloy wire) is composed of 0.6-1.5 mass% Fe, 0.05-0.5 mass% Mg and the balance Al with impurities.例文帳に追加

アルミニウム合金線(Al合金線)は、Fe:0.6質量％〜1.5質量％、Mg:0.05質量％〜0.5質量％含有し、残部がAl及び不純物からなる。 - 特許庁

The Zn-Al alloy 103 exists in the clad material, but the ratio of the Zn-Al alloy 103 is taken as ≤40% of the whole.例文帳に追加

クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。 - 特許庁

To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.例文帳に追加

Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁

Each Al purity in the first and second Al sheets is ≥99.98 wt.%, and the brazing filler metals are of Al-Si series or Al-Ge series.例文帳に追加

第１及び第２Ａｌ板の各Ａｌ純度は９９．９８重量％以上であり、ロウ材はＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｇｅ系である。 - 特許庁

The surface of an Al alloy flattening material rubbish where 5000-and 6000-family Al alloys are mixed is subjected to alkali etching for obtaining color tone difference, and the 5000- and 6000-family Al alloy flattening material rubbish is identified by the difference in the color tone.例文帳に追加

5000 系と6000系のAl合金が混在するAl合金展伸材屑の表面をアルカリエッチングして色調差を出し、この色調差により、前記5000系と6000系のAl合金展伸材屑を識別することである。 - 特許庁

In contemporary research operating systems -- such as Chorus Rozier et al, 1988 , Mach Accetta et al, 1986 , Tunis Ewens et al, 1985 , and the V Kernel Cheriton, 1988 -- this division of functionality is more than just a logical one. 例文帳に追加

同時代のオペレーティングシステムの研究、たとえば Chorus Rozier et al, 1988, Mach Accetta et al, 1986, Tunis Ewens et al, 1985, V Kernel Cheriton, 1988では、このカーネルという機能による区分が、さらに論理的に複数に分けられています。 - FreeBSD

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

There is provided the hot-dip Al-Zn plated steel sheet that has Al-Zn plating film having Al content of 20-95 mass% and a coating layer having the thickness of 0.1-5 μm, which contains aluminum oxide and/or aluminum hydroxide on the surface of the steel sheet in sequence.例文帳に追加

鋼板表面に、順に、Al含有量が20〜95mass%であるAl-Zn系めっき皮膜と、酸化アルミニウムおよび／または水酸化アルミニウムを含む厚さ0.1〜5μmの被覆層とを有することを特徴とする溶融Al-Zn系めっき鋼板。 - 特許庁

An anti-corrosive coating of Zn-Al base plating, Zn-Al-Mg base plating, and Zn-Al-Mg-Si base plating is applied on the surface of a metallic nail for fixing a roof tile in order to prevent the roof tile from cracking and scatting due to corrosion or rusting of the nail.例文帳に追加

屋根瓦を固定する金属釘の表面に、Zn-Al系めっき、Zn-Al-Mg系めっき、Zn-Al-Mg-Si系めっきの防食塗装が施されて、釘の腐食、錆によって生じる瓦のひび割れ、瓦の飛散を防止する。 - 特許庁

When the Al or Al alloy foil is melted by the heating, the Al or Al alloy is infiltrated into the Cu or Cu alloy plate, and a Cu-Al alloy layer is formed.例文帳に追加

この加熱によりＡｌまたはＡｌ合金箔が溶融すると、そのＡｌまたはＡｌ合金は、ＣｕまたはＣｕ合金板中に溶浸し、Ｃｕ−Ａｌ合金層を形成する。 - 特許庁

It is desirable that Al-based alloy is Al-Ni-based alloy and it is much more desirable that it is Al-Ni-B alloy.例文帳に追加

このＡｌ系合金は、Ａｌ−Ｎｉ系合金であることが好ましく、さらにＡｌ−Ｎｉ−Ｂ合金であることがより好ましい。 - 特許庁

The number of aluminum carbides in a pure Al based, Al-Mn based, AL-Mn-Mg based or Al-Mg based Al alloy rolled sheet is regulated to ≤30,000 pieces/g.例文帳に追加

純Ａｌ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｍｎ−Ｍｇ系、もしくはＡｌ−Ｍｇ系のＡｌ合金圧延板中のアルミニウム炭化物の個数を３００００個／ｇ以下に規制する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high Mg Al-Mg based alloy sheet by which Al-Mg based intermetallic compounds produced in a heat history step after being subjected to twin roll type continuous casting are suppressed and press formability of the high Mg Al-Mg based alloy sheet is improved as a result.例文帳に追加

双ロール式連続鋳造後の熱履歴工程で発生するAl-Mg 系金属間化合物を抑制して、プレス成形性を向上させた高MgのAl-Mg 系合金板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The spraying layer of the surface of swash plate is made of Al alloy, Cu alloy, or Au-Cu composite material, while the surface of the shoe is formed as a boron impregnation processed layer.例文帳に追加

斜板表面の溶射層をAl合金、Cu合金もしくはAl-Cu複合材料とし、且つシュー表面を浸ホウ素処理層とする。 - 特許庁

It is further preferable that the content of Mn is limited to the range of 0.01 to 0.1%, Al to 0.005 to 0.04% and C to ≤0.005%, or 0.0005 to 0.0030% B can be added thereto.例文帳に追加

さらにMn、Al、およびCの範囲を限定して、 Mn:0.01〜0.1%、Al:0.005〜0.04%、C:0.005%以下とすること、又は、B:0.0005〜0.0030%を添加することもできる。 - 特許庁

To provide a copper alloy for a sliding part, in which embrittlement is hard to occur even when the contents of Al is increased and which has excellent wear resistance and seizure resistance.例文帳に追加

Cu-Al系合金においてAl含有量を高くしても脆化を起こさず、耐摩耗性及び耐焼付性がすぐれた摺動材料を提供する。 - 特許庁