「AL is」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

(3) In the Al-Cu joined structure manufacturing method, when brazing the Al member and the Cu member by using Al-Si brazing filler metal, Ag is used for the insert of the joining surface thereof, the brazing temperature is > 813°K, and the Ag layer is remained thereon.例文帳に追加

（３）Ａｌ−Ｓｉ系のろう材を用いてＡｌ部材とＣｕ部材とをろう付け接合するに際し、これらの接合面のインサート材としてＡｇを用い、ろう付け温度を８１３Ｋ超えとして、当該Ａｇ層を残存させることを特徴とするＡｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法である。 - 特許庁

To provide direct contact technique such that an Al alloy film can be brought into direct contact with a transparent pixel electrode since contact electrical resistance between the Al alloy film and transparent pixel electrode can be reduced and heat resistance is superior, and the Al alloy is reduced in electrical resistivity more, and productivity is more improved.例文帳に追加

Ａｌ合金膜と透明画素電極との接触電気抵抗を低減でき、耐熱性にも優れているため、Ａｌ合金膜を透明画素電極に直接接触させることができ、しかも、Ａｌ合金の電気抵抗率も一層低減され、生産性もより高められたダイレクトコンタクト技術を提供する。 - 特許庁

This composite body is an Al-SiC composite body formed using an SiC porous body impregnated with a metal containing Al as its main component and the Al-SiC composite body is characterized by that the composite body contains 40 vol.% or higher of SiC and the Charpy impact value of the composite body is 0.1 J/cm2 or higher.例文帳に追加

ＳｉＣ多孔体にＡｌを主成分とする金属を含浸したＡｌ−ＳｉＣ複合体であり、該複合体はＳｉＣを４０体積％以上含有し、該複合体のシャルピー衝撃値が０．１Ｊ／ｃｍ^2以上であることを特徴とする。 - 特許庁

the fifth pillar of Islam is a pilgrimage to Mecca during the month of Dhu al-Hijja 例文帳に追加

イスラム教の5本目の柱は、巡礼月の月の間のメッカへの巡礼である - 日本語WordNet

The second study reviewed here is that of Kuraki et al.（2003）, who evaluated the PRID model.例文帳に追加

ここでレビュウーされた2番目の研究はKurakiら（2003）によるもので，彼らはPRIDモデルを評価した。 - 英語論文検索例文集

Probably the most complete review of the chemistry of diesel fuels is the study by Akagi et al.（2004）.例文帳に追加

ディーゼル燃料の化学に関する，おそらく最も完全なレビューはAkagiら（2004）による研究である。 - 英語論文検索例文集

The second study reviewed here is that of Kurama et al.（2003）, who evaluated the PRID model.例文帳に追加

ここでレビューされた2番目の研究はKuramaら（2003）によるもので，彼らはPRIDモデルを評価した。 - 英語論文検索例文集

The thermal spraying metallic layer 17 is composed of an alloy of aluminum (Al), zinc (Zn), indium (In).例文帳に追加

この溶射金属層１７はアルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）の合金でなる。 - 特許庁

There is a small hole on the cathode Al and helium ions are generated and enters a beam collector.例文帳に追加

陰極Ａｌに小穴がありヘリウムイオンが発生し、ビ−ムコレクタ−に入る。 - 特許庁

The alkoxy silane compound is introduced and bonded to Al contained in the silica fine particles.例文帳に追加

シリカ微粒子に含有させているＡｌに対してアルコキシシラン化合物が結合導入される。 - 特許庁

At the time, the n type dopant N ion 12 is injected by a dose amount smaller than that of the Al ion.例文帳に追加

この際、ｎ型ドーパントＮイオン１２をＡｌイオンより少ないドーズ量で注入する。 - 特許庁

The aluminum alloy plate for press molding is formed of an Al-Mg-Si based alloy.例文帳に追加

プレス成形用アルミニウム合金板は、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金からなる。 - 特許庁

During operation, Al contained in the steel forms a strong alumina film and high temperature oxidation is remarkably prevented.例文帳に追加

運転中、鋼中含有Ａｌが強固なアルミナ被膜を形成し、高温酸化が顕著に防止される。 - 特許庁

Preferably, Al deoxidation is performed by making free oxygen in molten steel before deoxidation ≥100 ppm.例文帳に追加

また、好ましくは脱酸前の溶鋼中フリー酸素量を１００ｐｐｍ以上としてＡｌ脱酸する。 - 特許庁

Since the catalyst layer has the catalyst containing the oxide of the Al and Ni, the cracking efficiency of the PFC is improved.例文帳に追加

Ａｌ及びＮｉの酸化物を含む触媒を用いているので、ＰＦＣの分解効率が向上する。 - 特許庁

A 6000 system of Al-Mg-Si is desirably used as the aluminum alloy.例文帳に追加

アルミ合金として、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉの６０００系を用いることが望ましい。 - 特許庁

To be optimum, the high tension aluminum is made of an Al-Zn-Mg-Cu alloy.例文帳に追加

また高張力アルミニウムはＡｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ系合金とすれば最適である。 - 特許庁

As an etchant for a TiW film 4, a solution having an ionization tendency Al>TiW>CrSi is used.例文帳に追加

また、ＴｉＷ膜４のエッチング液として、イオン化傾向がＡｌ＞ＴｉＷ＞ＣｒＳｉとなる溶液を用いる。 - 特許庁

Further, in the subsequent nitriding treatment, the compositional ratio of an (Al, Si) N inhibitor is controlled.例文帳に追加

また、その後の窒化処理において（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎインヒビターの組成比の調整を行う。 - 特許庁

The cathode formed on the surface of a solid electrolyte 1 is formed of an alloy layer 20 containing Au and Al.例文帳に追加

固体電解質の表面に形成されるカソードがＡｕとＡｌとを含む合金層で形成される。 - 特許庁

The adhesive layer (3) is coated with an Al diffusion layer (4) by alitizing.例文帳に追加

この接着層（３）はアリタイジングによってＡｌ拡散層（４）で被覆される。 - 特許庁

An Al component of the iron-aluminum-based material is set to 15 to 23 wt.%.例文帳に追加

前記鉄ーアルミニウム系材料のＡｌ成分を１５〜２３重量％とする。 - 特許庁

Contents of the glass frit is 0.5-10 vol% for Al powder.例文帳に追加

また、ガラスフリットの含有量を、Ａｌ粉末に対して０．５〜１０vol％とする。 - 特許庁

The oxide (II) is an oxide of at least one kind of metal element selected from Zr, Ti, and Al.例文帳に追加

酸化物（ＩＩ）：Ｚｒ、Ｔｉ、およびＡｌから選ばれる少なくとも一種の金属元素の酸化物。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, a first core layer 20 is formed of a compound semiconductor containing no Al.例文帳に追加

半導体基板の上に、Ａｌを含まない化合物半導体からなる第１のコア層２０を形成する。 - 特許庁

A wiring layer 4 to connect a metal electrode pad 2 with a solder bump 13 is made of an Al alloy.例文帳に追加

金属電極パッド２と半田バンプ１３とを接続する配線層４をＡｌ合金で形成する。 - 特許庁

The Schottky electrode 19 is disposed on the Al_YGa_1-YN epitaxial layer 15.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層１５上に設けられる。 - 特許庁

The thickness after the diffusion bonding of the Al-Ni intermetallic compound layer 4 is set to 0.5-2.0 μm.例文帳に追加

前記Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物層４は拡散接合後の厚さが０．５〜２．０μｍ とされる。 - 特許庁

An AlGaN (AlxGa1-xN, 0<x<1) substrate 1 is used as a group III nitride type compound semiconductor element substrate.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子の基板として窒化アルミニウムガリウム（Al_xGa_1-xN、0＜x＜1）基板１を用いる。 - 特許庁

Further, in nitriding treatment, the compositional ratio of an (Al, Si) N inhibitor is controlled.例文帳に追加

また、窒化処理において（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎインヒビターの組成比の調整を行う。 - 特許庁

An electrode pad 18 with an exposed Al film 32 is formed on the first semiconductor chip 13.例文帳に追加

第１半導体チップ１３上には、Ａｌ膜３２が露呈した電極パッド１８が形成されている。 - 特許庁

This Ni plated copper or copper alloy material is suitable for the wire bonding of Al wires.例文帳に追加

このＮｉめっき銅又は銅合金材は、Ａｌ線ワイヤボンディング用に適する。 - 特許庁

Consequently, a normal Au-Al alloy layer 54b is formed over the entire bonding interface.例文帳に追加

これにより、接合界面の全域に亘って正常なＡｕ−Ａｌ合金層５４ｂが形成される。 - 特許庁

It is preferable that the steel contains 0.015-0.050 mass% Al.例文帳に追加

また、鋼材は、０．０１５質量％以上０．０５０質量％以下のＡｌを含むことが好ましい。 - 特許庁

An external connection pad electrode 17 made of Al or Au is formed on the electrode 16.例文帳に追加

電極１６上にはＡｌまたはＡｕからなる外部接続用のパッド電極１７が形成されている。 - 特許庁

Next, a group III nitride film 2 containing Al is formed on the surface nitride layer section 1B.例文帳に追加

次いで、表面窒化層部分１Ｂ上にＡｌ含有III族窒化物膜２を形成する。 - 特許庁

A first metal wiring layer 7 that consists of an Al alloy layer is formed on a first interlayer insulating layer 5.例文帳に追加

第１層間絶縁層５上にＡｌ合金層からなる第１メタル配線層７を形成する。 - 特許庁

In addition, a surface layer formed of oxide containing Al is formed on the coating layer.例文帳に追加

被覆層の上には、更に、Ａｌを含む酸化物よりなる表面層が形成されている。 - 特許庁

The negative electrode is constituted by, for example, metals of Mg:Ag and/or Al, etc.例文帳に追加

陰極は、例えば、Ｍｇ：Ａｇ及び／又はＡｌ等の金属から構成される。 - 特許庁

The Al-Mg-Si aluminum alloy sheet is subjected thereafter to cold press forming, to be followed by the hem work.例文帳に追加

その後、前記アルミニウム合金板に対して冷間プレス成形し、さらにヘム加工を施す。 - 特許庁

Al is obliquely deposited on a spacer film 5 to form an etching guard metal film 6.例文帳に追加

スペーサ膜５に対して，Ａｌを斜め蒸着し，エッチングガード用メタル膜６を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film containing Hf, Al, O, and N is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、Ｈｆ、Ａｌ、Ｏ及びＮを含有するゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The metal contains Al, and the thickness of the gate electrode is 10-100 nm.例文帳に追加

また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 - 特許庁

On the foundation layer 2, an upper layer 3 is formed epitaxially with a second group III nitride rich in Al.例文帳に追加

下地層２の上に、上部層３をＡｌリッチな第２のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。 - 特許庁

In the groove 14, an active layer 15 (a second semiconductor layer) including an Al element is formed.例文帳に追加

溝１４内に、Ａｌ元素を含有する活性層１５（第２の半導体層）を形成する。 - 特許庁