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AL isの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3962



例文

The outermost layer is formed of nitride, carbonic nitride nitrided oxide or carbonic oxide of Al, and has a hexagonal crystal structure.例文帳に追加

最表層は、Alの窒化物、炭窒化物、窒酸化物または炭窒酸化物からなり、六方晶の結晶構造を持つ。 - 特許庁

An etching treatment is performed on the Al alloy film formed by sputtering this sputter target, thus forming Al alloy wiring.例文帳に追加

このスパッタターゲットをスパッタして形成したAl合金膜にエッチング処理を施してAl合金配線を形成する。 - 特許庁

(1) An Al-based III nitride producing method is the method for allowing an Al raw material containing a halogen gas to act with a nitrogen raw material containing ammonia, on a crystal surface.例文帳に追加

〔1〕ハロゲンガスを含むAl原料とアンモニアを含む窒素原料を結晶表面で反応させるAl系III族窒化物の製造方法。 - 特許庁

A wiring layer 8 comprising Al film is formed continuously on the buffer layer 9 in vacuum without exposed to the atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

さらに酸素を含む雰囲気にさらすことなく真空中連続でバッファー層9上にAl膜からなる配線層8を形成する。 - 特許庁

例文

The sealing treatment to the Al layer 3 is performed by dipping the metal member 2C formed with the Al layer 3 into hot water.例文帳に追加

Al層3に対する封孔処理は、Al層3が形成された金属部材2Cを、熱水中に浸漬することにより行う。 - 特許庁


例文

The Al layer 306 is physically thicker than the barrier Al layer 304 in order to effectively suppress the generation of hillocks etc.例文帳に追加

また、ヒロック等の発生を効果的に抑制するために、純Al層306がバリアAl層304よりも物理的に厚い。 - 特許庁

To provide an aluminum based alloy which is small in linear expansion coefficient with an Al-Cu based alloy having excellent high temperature properties as a base.例文帳に追加

高温特性に優れたAl‐Cu系合金を基本にして、線膨張係数が小さいアルミニウム基合金を提供する。 - 特許庁

The metal bonding layer is composed of a metal or an alloy having density of ≤5.0 g/cm^3, and uses metal Al or an Al alloy.例文帳に追加

上記金属結合層が、5.0g/cm^3以下の密度を有する金属若しくは合金とし、金属Al又はAl合金を利用する。 - 特許庁

The Al conductor paste is formed from paste containing at least one of an organic metal or low softening point glass in the Al powder.例文帳に追加

前記Al導体ペーストは、Al粉末に有機金属又は低軟化点ガラスの少なくとも一方を含むペーストで形成される。 - 特許庁

例文

When forming the Al wiring layer ML, energy of a Al ion incident to a substrate WA is set in 30 to 90 eV.例文帳に追加

Al配線層MLの成膜に際して、基板WAに入射するAlイオンのエネルギーを30〜90eVとする。 - 特許庁

例文

The intermediate layer 14 is constituted of a non-magnetic alloy consisting essentially of Co and Cr and oxides of Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zn and the like.例文帳に追加

中間層14はCoおよびCrを主原料とする非磁性合金と、Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zr等の酸化物で構成される。 - 特許庁

It is preferable that the metal film 4 contains at least one selected from a group of Au, Ag, Cu, Pt, Ni, Co, Fe, and Al.例文帳に追加

金属膜4は、Au、Ag,Cu,Pt、Ni、Co、Fe及びAlからなる群より選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。 - 特許庁

The leg 2 is formed by consecutively extending the Al layer 11, SiN layer 12 and Al layer 13 configuring the mirror 1.例文帳に追加

脚部2は、ミラー1を構成するAl層11、SiN層12及びAl層13がそのまま連続して延在することにより、構成される。 - 特許庁

The composition ratio x of Al constituting the high crystalline Al_xGa_1-xN semiconductor layer is preferably in the range of 0.01 to 0.25.例文帳に追加

また、高結晶性Al_x Ga_1-x N半導体層を構成するAlの組成比率xは、0.01〜0.25であることが好ましい。 - 特許庁

The concentration of Al of the second copper alloy wiring is lower than the concentration of Al of the first copper alloy wiring.例文帳に追加

そして、第二の銅合金配線のAlの濃度は、第一の銅合金配線の前記Alの濃度未満である。 - 特許庁

Thereby, the oxide phosphor having the longer life than that of an SrTiO_3:Pr, Al phosphor and emitting light at the high luminance even by exciting with the low-energy electron beams is obtained.例文帳に追加

そのため、SrTiO_3:Pr,Al蛍光体よりも長寿命を有し且つ低速電子線で励起しても高輝度で発光する酸化物蛍光体が得られる。 - 特許庁

Further, at least a part of the metal layer is formed of alloy layers 40 and 44 containing Cu other than Zn and Al.例文帳に追加

さらに、その金属層の少なくとも一部が、Zn、Alの他に、Cuを含む合金層40、44で形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The random clock signal (CK-al) is preferably used as the base for operation for processing at least secret data.例文帳に追加

好ましい態様では、少なくとも機密データを処理する操作に対しては、ランダムクロック信号(CK-al)がベースにされる。 - 特許庁

The Al/O in the weld metal is regulated to over 0.5 and below 1.2 preferably from the viewpoint of the improvement in the weld metal toughness.例文帳に追加

なお、溶接金属靭性向上の観点からは、溶接金属中のAl/Oを0.5 超え1.2 未満に調整することが好ましい。 - 特許庁

The light emitting device structure 11 consisting of a lower clad layer containing Al, an active layer, and an upper clad layer containing Al is formed on the underlying layer 21.例文帳に追加

下地層21の上に、Alを含む下部クラッド層と、活性層と、Alを含む上部クラッド層からなる発光素子構造11を形成する。 - 特許庁

In this precipitation hardening type Al alloy, the average area of a eutectic structure present in the Al alloy is <4 μm2.例文帳に追加

Al合金中に存在する共晶組織の平均面積が4μm^2未満の析出硬化型Al合金である。 - 特許庁

Then, a first Al wiring connected to the tungsten plug 48 is formed by vapor depositing and patterning an Al film.例文帳に追加

しかる後、Al膜を蒸着しパターニングして、タングステンプラグ48に接続される第1Al配線を形成する。 - 特許庁

The Al-Si alloy casting is made by solidifying an Al-Si alloy material in which a solid phase and the liquid phase coexist.例文帳に追加

Al−Si系合金鋳物は,固相と液相とが共存したAl−Si系合金材料を凝固させたものである。 - 特許庁

To provide a hydration treatment method for an anodization film of Al or an Al alloy in which the tolerance of hydration treatment time is wide.例文帳に追加

水和処理時間の許容範囲が広いAlまたはAl合金の陽極酸化皮膜の水和処理法を提供すること。 - 特許庁

A nitride semiconductor shown in general formula Al_xGa_yIn_1-x-yN (where 0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤1-x-y≤1) is used for the semiconductor region 12.例文帳に追加

半導体領域12には、一般式がAl_x Ga_y In_1-x-yN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1)で表される窒化物半導体が用いられている。 - 特許庁

The lead-free solder alloy or solder alloy powder, is composed of, by weight, 0.14% Ni, 0.08% Al, 0.06% Ge, 0.5% Bi and the balance Sn.例文帳に追加

Ni:0.14wt%; Al:0.08wt%; Ge:0.06wt%; Bi:0.5wt%;; 残部Snからなる鉛フリー半田合金又は半田合金粉末である。 - 特許庁

In this extra-thin Fe-Cr-Al alloy foil with a sheet thickness of <50 μm, surface roughness Ry is controlled to 0.1 to 0.6 μm.例文帳に追加

表面粗さRyが0.1 〜0.6 μmであることを特徴とする板厚50μm未満の極薄Fe-Cr-Al系合金箔である。 - 特許庁

In the Al pad 311 of the Al wire, a curved loop-shaped part 311c is formed between flat parts 311a, 311b.例文帳に追加

Al線のAlパッド311は、平坦部311a,311bの間に湾曲したループ状部311cを形成してある。 - 特許庁

Al composition x in Al_xGa_1-xN of the n-type cladding layer 102 is 0.025 or more and 0.04 or less.例文帳に追加

また、n型クラッド層102を構成するAl_xGa_1−xNにおけるAl組成xは、0.025以上且つ0.04以下である。 - 特許庁

An Fe-Al-based single crystal is grown with an optical floating zone method from an Fe-Al-based aloy ingot.例文帳に追加

Fe−Al系合金インゴットから、光学式浮遊帯域法によってFe−Al系単結晶を成長させる。 - 特許庁

This sliding bearing 1 is composed of a back plate layer 2, an Al group alloy intermediate layer 3 and an Al group bearing alloy layer 4.例文帳に追加

すべり軸受1を裏金層2、Al基合金中間層3及びAl基軸受合金層4から構成する。 - 特許庁

This water-based ink composition is obtained by using titanium dioxide surface-treated in a composition ratio Al/(Al+Si+Zn+Zr) of ≤0.5, and a thickening water-soluble resin.例文帳に追加

水性インキ組成物に、表面処理の成分の組成比Al/(Al+Si+Zn+Zr)が0.5以下である二酸化チタンと増粘性水溶性樹脂とを用いる。 - 特許庁

This phase shift mask is formed by using the material containing Cr, Al, O and N as the phase shift material on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に位相シフト物質としてCr、Al、OおよびNを含む物質を使用したことを特徴とする。 - 特許庁

A hot-dip Al-Si alloy plated steel sheet having an Al-Si plated layer having an Si content in the range of 5 to 13 mass% is prepared.例文帳に追加

Si含有量が5〜13質量%の範囲内のAl−Siめっき層を有する溶融Al−Si合金めっき鋼板を準備する。 - 特許庁

The hard protective film for a working tool is a composite film in which a nitride phase made of Cr-Al-N and a BN phase are three-dimensionally mixed.例文帳に追加

Cr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 - 特許庁

The connection material is composed of: an Mg-containing Al-based alloy layer 2; and Zn layers 3, 4 adjacent to both the sides of the Al based alloy layer 2.例文帳に追加

Mgを含有するAl系合金層2と、Al系合金層2の両面に隣接するZn層3,4とからなるものである。 - 特許庁

The surface of steel is coated with a rust layer of Al-substituted goethite of ≥0.1 atomic % Al content.例文帳に追加

鋼材表面がAl含有量で0.1原子%以上のAl置換ゲーサイトのさび層で覆われている鋼材。 - 特許庁

In this case, the Al composition (x) of the Al_xGa_1-xN layer is set so as to be more than 0.3, or not less than 0.5, and preferentially 0.4.例文帳に追加

ここで、Al_xGa_1−xN層のAl組成(x)は、0.3よりも大きく、0.5以下、好ましくは0.4とする。 - 特許庁

There is provided a CNT with an Al-containing coating film, in which the CNT has a coating film containing an Al component on the whole or part of the surface thereof.例文帳に追加

CNTの表面の全部又は一部にAl成分を含む被膜を有するAl含有被膜付きCNT。 - 特許庁

The collision energy absorbing member made of aluminum alloy is composed of a hot forging of Al-Mg-Si type aluminum alloy and can be manufactured by subjecting the Al-Mg-Si type aluminum alloy to hot forging, solution heat treatment and artificial aging treatment.例文帳に追加

Al−Mg−Si系アルミニウム合金を熱間鍛造し、溶体化処理および人工時効処理を施すことにより製造する。 - 特許庁

To provide a resin coated Al material which makes a resin film hardly peelable even when the Al material is subjected to thermal impact and secondary fabrication after severe working and which has excellent workability.例文帳に追加

苛酷な加工後に熱衝撃や二次加工を受けても樹脂皮膜が剥離し難い、加工性に優れた樹脂被覆Al材を提供する。 - 特許庁

An Al-mixed powder of Al and B or the B compound is prepared by a powder mixing means other than the mechanical alloying (step S105).例文帳に追加

またメカニカルアロイングによらない粉体混合手段によってAlとB又はB化合物のAl混合粉末を作製する(ステップS105)。 - 特許庁

A cold rolled steel sheet having carbon by 0.25 mass% or less is subjected to hot-dip galvanization at a sheet temperature of 500 to 600°C upon dipping and an Al concentration in a bath of 0.15 to 0.3 wt.%.例文帳に追加

C≦0.25mass%を含有する冷延鋼板に、浸入板温を500〜600℃、浴中Al濃度を0.15〜0.3wt%として溶融亜鉛めっきを施す。 - 特許庁

The rate of Al in the third AlGaN layers L3 is adjusted to zero or to a value between the rates of Al in the second and first layers L2 and L1.例文帳に追加

第3の層L3のAlの割合を零又は第2の層L2のAlの割合と第1の層L1のAlの割合との間の値にする。 - 特許庁

The surface of a work made of Al or an Al based alloy is coated with metal powder comprising prescribed metallic elements.例文帳に追加

Al又はAl基合金からなるワークの表面に、所定の金属元素を含む金属粉末を塗布する。 - 特許庁

To provide a welding joint material for a heat-treated Al alloy which is excellent in joint strength and joint extension.例文帳に追加

継手強度と継手伸びとが優れた熱処理型Al合金の溶接接合材を提供することを目的とする。 - 特許庁

A conductive layer for shielding, i.e. a fifth Al layer 38, is formed on the fourth Al interconnect line 35 through an interlayer insulating film 36.例文帳に追加

第4Al配線35上に層間絶縁膜36を介してシールド用の導電層である第5Al層38を形成する。 - 特許庁

To moreover improve iron loss in a nonoriented silicon steel sheet in which the contents of Si and Al are increased, and iron loss is reduced.例文帳に追加

Si、Al量を増大させ低鉄損化を図る無方向性電磁鋼板において、鉄損をさらに向上させる。 - 特許庁

SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加

SiC結晶中に不純物としてAlとTiを含み、原子比でTi濃度≦Al濃度であるp型SiC半導体。 - 特許庁

例文

The Al_xGa_(1-x)As substrate 10a may additionally comprise a GaAs substrate 13 which is arranged adjacent to the rear surface 11b of the Al_xGa_(1-x)As layer 11.例文帳に追加

またAl_xGa_(1-x)As基板10aは、Al_xGa_(1-x)As層11の裏面11bに接するGaAs基板13をさらに備えている。 - 特許庁

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