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AL isの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3962



例文

A protuberant bump electrode 6 is formed on the Al electrode 2.例文帳に追加

Al電極2上には、隆起状のバンプ電極6が形成されている。 - 特許庁

Otherwise, it is compared with the abnormal load determination level AL corresponding to the speed.例文帳に追加

他は、速度に応じた異常負荷判定レベルALと比較する。 - 特許庁

The whisker is an oxide, containing Al, Cr, Mn and the like.例文帳に追加

ウイスカーはAl、Cr及びMnなどを含む酸化物である。 - 特許庁

An Al electrode 2 is formed on the element forming face of the substrate 1.例文帳に追加

基板1の素子形成面上には、Al電極2が形成されている。 - 特許庁

例文

Substitutional reaction between polycrystalline silicon and Al is utilized.例文帳に追加

多結晶シリコンとAl間における置換反応を利用する。 - 特許庁


例文

Then, a second SiO2 film 4 is formed on the Al film 3.例文帳に追加

その後、Al膜3上に第2のSiO_2膜4を形成する。 - 特許庁

An Al wiring 20 around a light-emitting element is formed into a ladder shape.例文帳に追加

発光素子周辺のAl配線20の形状を梯子状にする。 - 特許庁

A lattice of the wire grid 20 is constituted, for example, by an Al thin wire.例文帳に追加

ワイヤーグリッド20の格子は例えばAl細線で構成する。 - 特許庁

Preferably, this metal is Fe-Cr-Al system stainless steel or the like.例文帳に追加

この金属としては、Fe−Cr−Al系ステンレス鋼などが望ましい。 - 特許庁

例文

The base metal 1 is an alloy of an Fe system or Al system or Ti system.例文帳に追加

母材1は、Fe系又はAl系の合金、又はTi系合金である。 - 特許庁

例文

The Al alloy solidified material is fabricated by the electron beam evaporation method.例文帳に追加

Al合金固化材は、電子ビーム蒸着法により製造する。 - 特許庁

The Al powder is used in a flake form having10 ratio of grain diameter/thickness.例文帳に追加

Al粉末の形状が、粒径/厚さ比が10以上のフレーク状である。 - 特許庁

Machining is carried out by selecting this standard machining condition (al, a2).例文帳に追加

この標準加工条件を選択して加工を行う(a1,a2)。 - 特許庁

Disclosed is an alloy including 0.05 to 1.5% Al, and the balance Ir.例文帳に追加

Alを0.05〜1.5%を含有し残部がIrである合金。 - 特許庁

An Al layer 17 is formed on the surface of the Ti oxide 16 (c).例文帳に追加

Ti酸化物16の表面にAl層17を形成する(図1(c))。 - 特許庁

Al is added to the molten metal of an iron based alloy comprising C and Si.例文帳に追加

C及びSiを含む鉄基合金の溶湯に対し、Alを添加する。 - 特許庁

An Al film 10a is spattered to the rear surface of the silicon substrate 1 after grinding.例文帳に追加

研削後のシリコン基板1の裏面にAl膜10aをスパッタする。 - 特許庁

A layer 16 of an Ni-Al-Hf material is deposited on the platinum layer.例文帳に追加

Ni‐Al‐Hf材料の層16は、プラチナ層の上に堆積される。 - 特許庁

In the core layer 21, Si from the Al-Si alloy layer 22 is diffused.例文帳に追加

芯層21にAl−Si合金層22からのSiが拡散している。 - 特許庁

A Ta film/Al film is formed on a gate insulating film 103.例文帳に追加

ゲート絶縁膜103上にTa膜/Al膜を成膜する。 - 特許庁

Also, the Al foil 5a is not contacted with the frame 7 in its edge portions.例文帳に追加

また、縁部においてAl箔5aが枠体7に接触しない。 - 特許庁

A taper θ is formed in the Al alloy layer 1011.例文帳に追加

Al合金層1011にはテーパθが形成されている。 - 特許庁

Thus, the Al layer 16 is prevented from peeling off from the base material 12.例文帳に追加

このため、Al層16が基材12から剥離することが防止される。 - 特許庁

An Al film of the second layer is formed on the surface of the silicon oxide film 48.例文帳に追加

第2層のAl膜はシリコン酸化膜48の表面に形成する。 - 特許庁

D is selected from the group comprising rare earth elements, Al, and Cr.例文帳に追加

Dは、希土類、Al及びCrからなる群から選択される。 - 特許庁

This green fluorescent substance is a fluorescent substance comprising ZnS:Cu and Al.例文帳に追加

さらに緑色蛍光体がZnS:Cu,Al蛍光体である。 - 特許庁

Al contained in the P-AlInAs layer is oxidized into an Al oxide layer 29 which is formed on each side of a ridge stripe of P-AlInAs layer to serve as a current constriction structure, and the N-AlInAs layer 22 is turned into an Al oxide layer 30 where Al contained in all the layer 22 is all oxidized.例文帳に追加

リッジストライプを構成するp−AlInAs層の両側部は、AlInAs層中のAlが酸化されたAl酸化層29となって電流狭窄構造を構成し、n−AlInAs層22は、全層にわたりAlが酸化されたAl酸化層30になっている。 - 特許庁

Thereby, the Al-N film is clarified and becomes a transparent film 3.例文帳に追加

これにより、Al−N膜は透明化し、透明膜3となる。 - 特許庁

The high-temperature and high-humidity resistance is improved by adding a trace amount of Al and Mg.例文帳に追加

また、AlやMgの微量添加により、耐高温高湿性を改善する。 - 特許庁

Further, a crystallized compound phase is included in the phases other than the Al phase.例文帳に追加

また、Al相以外の相中に晶出化合物相が含まれている。 - 特許庁

This composite material is composed of metal consisting essentially of Al and particles consisting essentially of SiC, one end of which is provided with a metallic layer consisting essentially of Al, and in contact with the Al metallic layer, the other end of which is arranged with a compounded in which SiC is dispersed into an Al metal matrix.例文帳に追加

Alを主成分とする金属と、SiCを主成分とする粒子からなり、一端にAlを主成分とする金属層を有し、このAl系金属層に接して他端側にはAl系金属マトリックス中にSiCが分散した複合化層が配置されている。 - 特許庁

The oxidation suppressing element is one kind or two kinds of Al and V.例文帳に追加

酸化抑制元素がAl、Vの1種または2種である。 - 特許庁

Cr is preferably added further in the Fe-Al alloy material.例文帳に追加

Fe−Al合金材料には、Crを更に添加することが好ましい。 - 特許庁

To the gate electrode 6, an Al gate pad 102 is connected.例文帳に追加

またゲート電極6にはAlのゲートパッド102が接続される。 - 特許庁

The electrode finger group 12a is composed of at least selected one of Al and an alloy whose main component is Al, and the alloy contains Al and a metallic element M2 whose standard electrode potential is large than the standard electrode potential of Al.例文帳に追加

電極指群12aは、Alを主成分とする合金およびAlから選ばれる少なくとも1つからなり、その合金は、標準電極電位がAlの標準電極電位よりも大きい金属元素M2とAlとを含む合金である。 - 特許庁

This method is provided with a stripe-type ridge or mesa-post structure comprising a semiconductor layer 15 which contains Al and an InP layer 16, and a confinement structure is constituted of an Al oxide layer herein and Al of a semiconductor layer comprising Al is selectively oxidized.例文帳に追加

本半導体素子の作製方法は、Alを含む半導体層15とInP層16とを有するストライプ状のリッジ又はメサポスト構造を備え、かつAlを含む半導体層のAlを選択的に酸化させてなるAl酸化層により閉じ込め構造を構成する半導体素子の作製方法である。 - 特許庁

It is possible that, as the fluidizing gas, the gaseous nitrogen is mixed with an inert gas such as gaseous argon or the like to control the temp. in the furnace, and moreover, the mixing ratio of the Mg, Al or Al-Mg alloy powder/ceramics particles in the treating agent is preferably controlled to ≤3 mass %.例文帳に追加

本発明において、前記流動化ガスとして窒素ガスに不活性ガス、例えばアルゴンガスを混入して炉内温度を調整するようにしてもよく、また、処理剤中におけるMg、AlまたはAl-Mg合金粉末/セラミックス粒子の混合割合は3質量%以下とすることが好ましい。 - 特許庁

and others (`et al.' is used as an abbreviation of `et alii' (masculine plural) or `et aliae' (feminine plural) or `et alia' (neuter plural) when referring to a number of people) 例文帳に追加

そして、他のもの(多数の人を参照するとき、『et al.(他)』は『et alii』(男性複数)、『et aliae』(女性複数)または『et alia』(中性複数)の略語として使用される) - 日本語WordNet

The alloy is an aluminium-scandium (Al-Sc) alloy or an aluminium-silicon (Al-Si) alloy.例文帳に追加

合金は、アルミニウム−スカンジウム(Al−Sc)合金またはアルミニウム−シリコン(Al−Si)合金である。 - 特許庁

This layered double hydroxide is constructed by metal hydroxides other than Mg-Al system using glycine as an intercalating ion.例文帳に追加

層状複水酸化物の層間イオンとして、グリシンを用いるとともに、Mg-Al系以外の金属水酸化物からなる層状複水酸化物を構築する。 - 特許庁

A noble metal is supported on a carrier obtained by adding at least one element selected from alkali metals, alkaline earth metals and Al to ZrO_2.例文帳に追加

ZrO_2にアルカリ金属、アルカリ土類金属あるいはAlから選ばれる少なくとも一種が添加された担体に、貴金属を担持した。 - 特許庁

It is preferable that the metals or the alloys indicating the potential lower than the corrosion potential of the carbon steel are Zn, Al, Mg and their alloys.例文帳に追加

炭素鋼の腐食電位より卑な電位を示す金属または合金としては、Zn、Al、Mg、およびそれらの合金とすることが好ましい。 - 特許庁

The galvanized steel sheet is a Zn-Al system plated steel sheet containing 4 to 25 wt.% aluminum or over 25 to 75 mass % aluminum.例文帳に追加

また亜鉛系めっき鋼板が、アルミニウムを4〜25重量%またはアルミニウムを25超〜75重量%含むZn-Al系めっき鋼板である。 - 特許庁

As a result, the gene encoding a vacuole membrane aluminum transporter protein contributing to detoxifying intracellular Al is identified and isolated as a new gene.例文帳に追加

その結果、細胞内Alの無毒化に寄与する液胞膜アルミニウム輸送体タンパク質の遺伝子を同定し、新規遺伝子として単離した。 - 特許庁

Preferably, the package substrate is a metal substrate mainly made of Al or Al-based metal.例文帳に追加

好ましくは、上記パッケージ基板はアルミニウム基板またはアルミニウムを主成分とする金属基板である。 - 特許庁

By weight, 20 to 150 ppm B is added to an NiCrAl alloy containing 55 to 58% nickel(Ni), 38 to 42% chromium(Cr) and 2 to 4% aluminum(Al).例文帳に追加

重量比で、ニッケル(Ni)を55〜58%、クロム(Cr)を38〜42%、及びアルミニウム(Al)を2〜4%含有するNiCrAl合金に、ボロン(B)が、重量比で20〜150ppm添加されている。 - 特許庁

Further, the non-halogen base flux for refining the molten Al alloy is made to include the azodicarbonamide.例文帳に追加

また、Al合金溶湯精錬用の非ハロゲン系フラックスをアゾジカルボンアミドを含むものとすることである。 - 特許庁

A source drain electrode 34 is composed of a nitrogen containing layer and a thin film of pure Al or Al alloy.例文帳に追加

本発明のソース−ドレイン電極34は、窒素含有層と純AlまたはAl合金の薄膜とからなる。 - 特許庁

Al ions are implanted into an area 10 aside a mesa stripe 6 in a ridged laser wherein a GaInNAs quantum well layer 4 is an active layer.例文帳に追加

GaInNAs量子井戸層4を活性層とするリッジ型レーザにおいてメサストライプ6の脇の10の領域にAlをイオン注入する。 - 特許庁

例文

The semiconductor device is connected to an Al or Al-alloy electrode pad by the gold-alloy bonding wire.例文帳に追加

さらに、上記金合金ボンディングワイヤにより、AlまたはAl合金電極パッドと接続した半導体装置。 - 特許庁

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