「AL is」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, an Al thin film 9 is formed on the AlGaN electron donor layer 14.例文帳に追加

そして，ＡｌＧａＮ電子供給層１４の直上に薄膜のＡｌの薄膜９を形成する。 - 特許庁

By mixing Al powder in the metal powder to be coated, a diffusion layer 20 containing AlN is formed.例文帳に追加

塗布する金属粉末にＡｌ粉末を混合すれば、ＡｌＮを含む拡散層２０が形成される。 - 特許庁

A photo resist film 18 is formed on an Al film 14 with a step 16 formed therein.例文帳に追加

段差１６が形成されたＡｌ膜１４上にフォトレジスト膜１８を形成する。 - 特許庁

The average composition of Al content contained in the clad layer is set at 0.02 to 0.04.例文帳に追加

このクラッド層中に含まれるＡｌの平均組成を０．０２〜０．０４とする。 - 特許庁

In the second process, a second metal film 36 composed of Al is formed on the first metal film 38.例文帳に追加

第２工程では、その第１金属膜３８上に、Ａｌの第２金属膜３６を形成する。 - 特許庁

Next, the preform A coated with the Al sheet S is preheated using a heater 20.例文帳に追加

次に、ヒータ２０を用いて、ＡｌシートＳで被覆したプリフォームＡを予熱する。 - 特許庁

A side of the n-side electrode in contact with the n-type layer is composed of an Al layer 11a.例文帳に追加

このｎ側電極のｎ形層との接触面側が、Ａｌ層１１ａにより形成されている。 - 特許庁

The multicomponent carbonitride preferably includes Al as the component, which is further preferably combined.例文帳に追加

なお、多元系炭窒化物は、Ａｌが構成成分としてさらに化合しているものであることが好ましい。 - 特許庁

The Al film is etch-removed from unwanted parts such as the lens array's surface, etc., thus forming the interconnect line 28.例文帳に追加

Ａｌ膜は、レンズアレイ表面等、不要部分からエッチング除去され、配線２８が形成される。 - 特許庁

In the layer A, an amolphous microcrystal (Al_aSi_1-a)(N_xB_1-x) is interposed.例文帳に追加

Ａ層内にはアモルファス微細結晶（Ａｌ_ａＳｉ_１−ａ）（Ｎ_ｘＢ_１−ｘ）が介在する。 - 特許庁

The Al layer is formed in AlN layer 14 through the nitriding process.例文帳に追加

そして、前記Ａｌ層を窒化処理してＡｌＮ層１４とする（窒化処理工程Ｓ３）。 - 特許庁

Next, an etching resistance protection film (Al film) 103 is formed on the surface of the SiN film 102.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜102の表面に耐エッチング保護膜(Ａｌ膜)103を形成する。 - 特許庁

With Ti, Mg and Al, the crystal structure is stabilized, and charge and discharge cycle characteristics can be improved.例文帳に追加

Ｔｉ，Ｍｇ，Ａｌにより結晶構造を安定化させ、充放電サイクル特性を向上させることができる。 - 特許庁

Moreover, the layer of Al_2O_3 is made to include the supplementary layer of at least one layer containing Al, Si and O.例文帳に追加

さらに、Ａｌ_２Ｏ_３層は、Ａｌ、Ｓｉ及びＯを含有する少なくとも１層の副層を含む。 - 特許庁

An Fe or Ni layer is arranged on the Al layer as a clad material 4.例文帳に追加

そしてクラッド材４として、Ａｌ層上にＦｅまたはＮｉ層を配置する。 - 特許庁

The electron supply layer 12 is formed by setting an Al composition ratio and a film thickness to 10-18[%] and 5-15 [nm], respectively.例文帳に追加

電子供給層１２は、Ａｌ組成比率を１０〜１８[％]とし、膜厚を５〜１５[nm]として形成する。 - 特許庁

The electron supply layer 15 is formed, by setting the Al composition ratio and film thickness to 10-18[%] and 5-15 [nm], respectively.例文帳に追加

電子供給層１５は、Ａｌ組成比率を１０〜１８[％]とし、膜厚を５〜１５[nm]として形成する。 - 特許庁

Lastly, an Al metal film 6 is vapor-deposited on the insulating layer 4 to form a gate portion.例文帳に追加

最後に、絶縁層４上にＡｌ金属膜６を蒸着させてゲート部を形成する。 - 特許庁

A quartz rod 2 doped with Er and Al is inserted into a quartz tube 1 and fixed.例文帳に追加

石英管１にＥｒ及びＡｌをドープした石英棒材２を挿入し、固定する。 - 特許庁

In this way, the SiC/Si-Al composite material is obtained without forming Al_4C_3.例文帳に追加

こうしてＡｌ_４Ｃ_３を生成させることなく、ＳｉＣ／Ｓｉ−Ａｌ複合材料を得る。 - 特許庁

The base metal is alloy of Ni, Fe, Ti, Co, Al, Nb, or Mo base.例文帳に追加

ベース金属は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｎｂ、またはＭｏベースの合金である。 - 特許庁

The speed of an alloying is slowed down because the supplies of Al from the pads 1 are stopped in the recessed sections 4.例文帳に追加

凹部４ではパッド１からのＡｌの供給が途絶えるため、合金化速度が遅くなる。 - 特許庁

A dummy via 20 for determining the position and form of a via hole is formed on an Al alloy layer 9.例文帳に追加

ビアホールの位置および形状を規定するダミービア２０をＡｌ合金層９上に形成する。 - 特許庁

The atomic ratio is represented by a compositional formula Al_xMnSi_y(0.6≤x≤0.9, 1.12≤y≤1.42).例文帳に追加

原子比としては、Ａｌ_xＭｎＳｉ_y（０．６≦ｘ≦０．９、１．１２≦ｙ≦１．４２）である。 - 特許庁

The combination of the first and second coats is either Au/Au, Aau/Al, Zn/Cu, and Sn/Cu.例文帳に追加

第１及び第２の被膜の組合せはＡｕ／Ａｕ，Ａｕ／Ａｌ，Ｚｎ／Ｃｕ又はＳｎ／Ｃｕの何れかである。 - 特許庁

The mixed amount of Si and Al is controlled to 2 to 15 wt.% to the whole wire for thermal spraying.例文帳に追加

ＳｉとＡｌとを混合した量は、溶射用ワイヤ全体に対して２〜１５重量％とする。 - 特許庁

The screw formed body is made of magnesium alloy containing 4.0 to 10.0% in mass% of Al.例文帳に追加

上記ねじ成形体は、質量％でＡｌを４．０〜１０．０％含むマグネシウム合金からなる。 - 特許庁

Al is preferably 0.2 to 2.0 mass% in aluminum and dissolved.例文帳に追加

ここで、Ａｌは、Ａｌ換算で０．２〜２．０重量％の固溶しているのが好ましい。 - 特許庁

While limiting the maximal Si and Al contents, phosphorus is added in a level higher than that of conventional technology.例文帳に追加

最大Ｓｉ及びＡｌ含有量を制限しながら従来技術のレベルを越えてＰを加える。 - 特許庁

The resistivity of the high Al composition region 123 is the highest in the buffer layer 12.例文帳に追加

高Ａｌ組成領域１２３の抵抗率は、この緩衝層１２中で最も高くなっている。 - 特許庁

Furthermore, a fusing point of the heat absorption film 108 is higher than those of the Al film 107 and the protecting film 109.例文帳に追加

また、熱吸収膜１０８の融点は、Ａｌ膜１０７及び保護膜１０９の融点より高い。 - 特許庁

The yoke 2 is preferably constituted of stainless steel or a material mainly containing Al.例文帳に追加

ヨーク２は、ステンレス鋼またはＡｌを主とする材料で構成されたものであるのが好ましい。 - 特許庁

A copper coat 52 is formed on the protruding part 51 of the Al substrate 50 so as to be connected by solder.例文帳に追加

Ａｌ基板５０の凸部５１には半田接続可能なように、銅コート５２が形成されている。 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor is expressed by formula: Al_xIn_yGa_1-x-yN(where, 0≤x+y≤1).例文帳に追加

窒化物系化合物半導体は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。 - 特許庁

This method can be applied to the formation of a semiconductor layer whose Al ratio is 0.4 or smaller.例文帳に追加

Ａｌ混晶比が０．４以下の半導体層についても適用可能である。 - 特許庁

Lightness of the surface of the Zn coating layer containing molten Al and Mg is ≤60 in terms of an L-value.例文帳に追加

溶融Ａｌ、Ｍｇ含有Ｚｎめっき層表面の明度は、Ｌ値で６０以下である。 - 特許庁

The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In.例文帳に追加

この界面層１５は、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの少なくとも一種以上からなる。 - 特許庁

Alternatively, a re-grown interface which contains Al is subjected to a cleaning treatment by the use of BHF or the like before re-growth.例文帳に追加

或いは、再成長前にＡｌを含む再成長界面をＢＨＦ等で清浄化処理する。 - 特許庁

Etching processing is executed for an Al foil 11 to form an amorphous structure on at least a lower surface.例文帳に追加

Ａｌ箔１１に対してエッチング処理を行うことにより、少なくとも下面を多孔質構造にする。 - 特許庁

Then, the group III nitride film 2 containing Al is formed on the surface-nitrided part 1B.例文帳に追加

次いで、表面窒化層部分１Ｂ上にＡｌ含有III族窒化物膜２を形成する。 - 特許庁

The bond member 6 is selected from the group consisting of Ti, Al and a mixture thereof.例文帳に追加

ボンド部材はＴｉ、Ａｌ及びこれらの混合物からなる群から選択される。 - 特許庁

This is an Al alloy sheet for press forming such that, among the surfaces of the Al alloy sheet, assuming an average coefficient of dynamic friction in a plate sliding test of the surface in contact with a punch in press forming is μP and that in contact with a die is μD, the ratio of μP to μD, (μP/μD), is set to exceed 1.例文帳に追加

プレス成形用Al合金板であって、Al合金板表面の内、プレス成形においてパンチに当接する表面の平板摺動試験による平均動摩擦係数をμ_P およびプレス成形においてダイスに当接する表面の平板摺動試験による平均動摩擦係数をμ_D とした時、μ_P とμ_D との比（μ_P ／μ_D ）が１を超えるようにする。 - 特許庁

Also, the refractive index of the bonding surface side of the Al-Ni-based alloy layer is made preferably not less than 1.9.例文帳に追加

また、Ａｌ−Ｎｉ系合金層は、接合面側の屈折率が１．９以上であることが好ましい。 - 特許庁

The yoke 2 is composed of a material containing Fe or Al as a main component.例文帳に追加

ヨーク２は、ＦｅまたはＡｌを主とする材料で構成されたものである。 - 特許庁

The filament 23 is supported at a prescribed height by the Al wires 221, 222.例文帳に追加

フィラメント２３は、Ａｌワイヤー２２１，２２２によって所定の高さに保持されている。 - 特許庁