「ASHING」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE OF INFORMATION RECORDING DISK AND METHOD FOR PLASMA ASHING例文帳に追加

情報記録ディスク製造装置及び製造方法並びにプラズマアッシング方法 - 特許庁

METHOD OF DECIDING ENDING POINT OF OXYGEN-FREE PLASMA TREATMENT AND ASHING METHOD例文帳に追加

無酸素プラズマ処理における終了点の決定方法およびアッシング方法 - 特許庁

In the resist film ashing process for lower electrode processing in the MIM capacitor, the proportion of the oxygen gas for ashing at the predetermined temperature without a bias is set to the proportion of the oxygen at which the oxidation amount of a first metal film is independent of the ashing time.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの下部電極加工のレジスト膜アッシング工程において、バイアス無しで所定の温度で行う際の酸素ガスの割合が、第１の金属膜の酸化量がアッシングする時間に依存しない酸素の割合以下に設定する。 - 特許庁

That is, after etching its ferroelectrics film by using a resist as a mask, it is subjected to the wet processings by using the aqueous solution of the phosphoric acid, after a resist ashing or both before and after the resist ashing.例文帳に追加

レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 - 特許庁

GAS FEED SYSTEM, ITS PRODUCING METHOD, ASHING SYSTEM, AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

ガス導入装置及びその生産方法、並びに、アッシング装置及びその運転方法 - 特許庁

To provide a gas feed system, ashing system, etc., which can suppress the fall of the ashing efficiency with respect to a photoresist on a wafer and can be prevented from falling in throughput.例文帳に追加

ウェハ上のフォトレジストに対するアッシング効率の低下を抑えることができ、スループットの低下を防止できるガス導入装置、アッシング装置等を提供する。 - 特許庁

Remaining resist is subject to ashing for a comparatively long period of time employing the oxygen plasma.例文帳に追加

残ったレジストは、酸素プラズマを用いて比較的長時間にわたりアッシングされる。 - 特許庁

To prevent the damage of a wafer processing chamber in the case of ashing causing the generation of particles.例文帳に追加

アッシングの際のウェハ処理室のダメージ、それによるパーティクル発生を防止する。 - 特許庁

To dispense with a large-scale evacuator, to obtain a big discharge space and to effectively utilize plasma in an ashing device and in an ashing method.例文帳に追加

アッシング装置及びアッシング方法において、大掛かりな真空排気装置を必要としないこと、大きな放電空間を得ること、プラズマを有効利用することを目的とする。 - 特許庁

To provide an ashing device for suppressing the etching and damage of an oxide film or a nitride film on a semiconductor substrate, and for uniformly ashing resist at an extremely high speed.例文帳に追加

半導体基板上の酸化膜や窒化膜のエッチングとダメージを抑制し、かつ、非常に高速度で均一にレジストをアッシングすることを可能とするアッシング装置を提供する。 - 特許庁

CHUCK PLATE OF ASHING EQUIPMENT, FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND CHUCK ASSEMBLY BODY USING THE SAME例文帳に追加

半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体 - 特許庁

In an ashing method, an ashing processing is performed on a substrate to be processed W, which has the organic low dielectric film and the resist film formed as the upper layer.例文帳に追加

有機系低誘電体膜とその上層として形成されたレジスト膜とを有する被処理基板Ｗに対してアッシング処理を施すためのアッシング方法である。 - 特許庁

Next, the photoresist 5 is removed by ashing treatment using oxygen gas plasma 7.例文帳に追加

次に、酸素ガスプラズマ７を用いたアッシング処理によって、フォトレジスト５を除去する。 - 特許庁

On the other hand, it promotes the growth of the foreign matter so that an ashing process excluding H_2O is provided.例文帳に追加

その反面、異物の成長を促すので、Ｈ_２Ｏを除いたアッシング処理を設ける。 - 特許庁

This enables the resist pattern to be efficiently removed in an ashing step.例文帳に追加

これにより、アッシング工程において効率よくレジストパターンを除去することが可能となる。 - 特許庁

To prevent temporal change of the density of generated plasma to keep an ashing rate of a wafer surface.例文帳に追加

生成されるプラズマ密度の経時変化を防ぎ、ウエハ表面のアッシングレートを維持する。 - 特許庁

Subsequently, ashing treatments are applied on the upper layer resist pattern and the lower resist layer 103.例文帳に追加

次に、上層レジストパターン及び下層レジスト層１０３に対しアッシング処理を実行する。 - 特許庁

The substrate processing equipment includes an ashing portion and cleaning treatment portions MPC1, MPC2.例文帳に追加

基板処理装置は、アッシング（灰化処理）部および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２を備える。 - 特許庁

Then a second pattern is formed on the resist film by ashing and the metal layer is etched.例文帳に追加

その後アッシングによりレジスト膜に第２のパターンを形成し、金属層をエッチングする。 - 特許庁

Inert gas is introduced into a vacuum container after an ashing processing is terminated.例文帳に追加

アッシング処理終了後、真空容器内に不活性ガスを導入することで解決できる。 - 特許庁

After transfer, the first substrate is reutilized by removing residues by ashing the surface of the substrate with oxygen.例文帳に追加

また、転写後の基板表面を酸素アッシングして残渣を除去し、基板を再利用する。 - 特許庁

The surface of the resist layer 17 is subjected to hydrophilic treatment by ashing.例文帳に追加

次に、第２のレジスト層１７の表面に対して、アッシングによる親水性処理を行う。 - 特許庁

Ashing gas introduced from a gas control unit 20 is inert gas to which H_2 is added.例文帳に追加

ガス制御部２０から導入されるアッシングガスは、Ｈ_2を添加した不活性ガスである。 - 特許庁

To achieve ashing in a resist even when ion implantation of any density is applied to the resist.例文帳に追加

いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。 - 特許庁

SOLUTION AND METHOD FOR REMOVING ASHING RESIDUE IN Cu/LOW-K MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE例文帳に追加

Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ多層配線構造のアッシング残渣の剥離液及び剥離方法 - 特許庁

A porous apatite bone forming body is made by carbonizing and ashing a mixed burnable material.例文帳に追加

また混合した可燃物は炭化した後灰化して多孔質アパタイト造骨体が出来る。 - 特許庁

To provide a resist ashing method and a device, where a resist film that is loaded with a dopant and modified into an ashing retardant film is very efficiently removed by ashing without leaving any residues of the resist film, and corrosion or the like having an adverse effect on the surface of a wafer as an object of processing can be reduced to an irreducible minimum.例文帳に追加

ドーパントの混入により変質し難灰化性となったレジスト膜を残渣を残すことなく高効率に灰化除去することが可能であり、その際に被処理物であるウェハ表面への悪影響となる腐食等を最低限に抑制する。 - 特許庁

To provide an ashing method and an ashing device capable of preventing occurrence of popping, and removing fragments of an altered layer which is scattered when the popping occurs.例文帳に追加

ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。 - 特許庁

Then, by using an ashing gas, which is the gaseous mixture of O_2 and N_2 for which the composition rate of N_2 is 50% or higher, plasma ashing is performed at the substrate temperature of 200°C or higher, and the resist pattern 3 is peeled off.例文帳に追加

そして、Ｏ_2とＮ_2の混合ガスでありＮ_2の組成比が５０％以上であるアッシングガスを用い、基板温度を２００℃以上にしてプラズマアッシングを行い、レジストパターン３を剥離する。 - 特許庁

The resist processing apparatus and a resist processing method are constituted in such a way that processing is implemented by a first process of ashing chiefly taking oxygen ion and a second process of ashing chiefly taking oxygen radical.例文帳に追加

酸素イオンを主体としたアッシングの第一の工程と酸素ラジカルを主体としたアッシングの第二の工程によって処理を行うレジスト処理装置およびレジスト処理方法。 - 特許庁

To provide an ashing method and an ashing device capable of preventing a porous Low-K film exposed on a wafer from the deterioration of film quality and surely removing resist from the wafer.例文帳に追加

ウェーハ上に露出した多孔質Ｌｏｗ−Ｋ膜に対して、膜質の劣化を防ぎ、ウェーハからレジストを確実に除去することのできるアッシング方法及びアッシング装置を提供する。 - 特許庁

Concerning the photoresist ashing residual cleaning agent for semiconductor composed of a cleaning component such as super-deionized water or amine, this photoresist ashing residual cleaning agent contains super-deionized water more than 99%.例文帳に追加

超純水およびアミン等の洗浄成分からなる半導体用フォトレジストアッシング残さ洗浄剤であって、超純水を９９％以上含有するフォトレジストアッシング残さ洗浄剤。 - 特許庁

The photoresist film on a substrate surface is removed to clean the surface by keeping reduced pressure in an etching apparatus, and continuing to the etching treatment, performing ozone-water ashing or deionized-water ashing.例文帳に追加

エッチング装置の減圧状態を維持し、エッチング処理と連続してオゾン水アッシングや超純水アッシングを施すことで、基板表面のフォトレジスト膜を除去して清浄化する。 - 特許庁

A region of oxidation amount being independent of the ashing time is used, and an ashing speed causing no problem in the production is ensured because of an oxygen proportion which oxidizes no metal prior to resist removal.例文帳に追加

酸化量がアッシング時間に依存しない領域を用いて、金属が酸化しない酸素割合で生産上問題にならないアッシング速度を確保してレジスト除去を行う。 - 特許庁

To provide a cleaning composition and method for removing residues such as, for example, remaining photoresist and/or residues resulting from etching and/or ashing.例文帳に追加

フォトレジスト等の残渣、および／又はエッチング／アッシング後の残渣等の残渣が除去できる。 - 特許庁

To improve a plasma ashing method so as to compensate ununiformity of removing speed for a photoresist better.例文帳に追加

ホトレジスト除去速度の不均一性を一層よく補正するようにプラズマ灰化法を改良する。 - 特許庁

The resist pattern film 19 and the plating seed film 18 are removed by ashing and wet etching.例文帳に追加

レジストパターン膜１９とめっきシード膜１８とはアッシングとウエットエッチングとによって除去される。 - 特許庁

After anneal process, resist removal process (ashing) for removing resist by plasma treatment is carried out.例文帳に追加

アニール工程の後、プラズマ処理によりレジストを除去するレジスト除去工程（アッシング）を行う。 - 特許庁

Then the film 105 is patterned using a resist film as a mask and the resist film is removed by ashing.例文帳に追加

次にレジスト膜をマスクにして第２のＳｉ酸化膜をパターニングし、レジスト膜を灰化除去する。 - 特許庁

As a result, treatments such as an etching at a high speed and with uniformity, a deposition, a cleaning and an ashing can be carried out.例文帳に追加

結果として、高速かつ均一なエッチング、成膜、クリーニング、アッシング等の処理を可能とする。 - 特許庁

To prevent the attack or loss of a ruthenium film when a photoresist film is subjected to ashing.例文帳に追加

フォトレジスト膜のアッシングの際にルテニウム膜が浸食あるいは消失を受けることを防止する。 - 特許庁

Then, after an entire surface is subjected to O2 ashing treatment, the metal layer 21 below the opening (k) is eliminated.例文帳に追加

次に、全面をＯ_2アッシング処理した後に、前記開口部ｋ下の金属層２１を除去する。 - 特許庁

After finishing of the etching, the resist pattern on the silicon substrate is removed by the ashing (S105).例文帳に追加

エッチング処理の終了後に、シリコン基板上のレジストパターンをアッシングによって除去する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

Further etching for the insulation film on the barrier layer and ashing for the resist are performed in separate vessels.例文帳に追加

また、バリア層上の絶縁膜のエッチングと、レジストのアッシングを別の処理容器内で行う。 - 特許庁

In this way, the etching process and the subsequent ashing process are continuously performed by one processor.例文帳に追加

このように、エッチング工程とその後のアッシング工程とを一つの処理装置で連続的に行う。 - 特許庁