「ASHING」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Since almost all the ashing gas composed of oxygen gas, the formation of an alteration layer such as the generation of a new deposited reactant caused by the ashing itself is extremely rare.例文帳に追加

しかも、本発明におけるアッシングガスのほとんどは酸素ガスからなることを特徴としているため、このアッシング自体に伴う新たなデポ反応物の生成等の変質層の生成はきわめて少ない。 - 特許庁

To provide an ashing device and an ashing method in which oxygen gas in a chamber can be exhausted efficiently and a work to be processed can be irradiated with UV-rays effectively.例文帳に追加

チャンバー内の酸素ガスを効率良く排気できるとともに、処理されるワークに対し、効果的に紫外線を照射することのできるアッシング処理装置およびアッシング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved plasma ashing process for removing a photoresist and a postetched residue.例文帳に追加

フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去するための改良されたプラズマアッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

ASHING METHOD, DRY ETCHING DEVICE, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING ELECTRO-OPTICAL DEVICE例文帳に追加

アッシング方法、ドライエッチング装置、電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置 - 特許庁

To provide a method of fine adjustment for the capacity of a wave director system for a microwave ashing device, and to provide its method.例文帳に追加

マイクロ波アッシング装置用導波器システムの容量を微調整する方法と装置の提供。 - 特許庁

Next, the wafer is mounted in a plasma ashing device and the etching mask 118 is removed by oxygen plasma.例文帳に追加

次に、ウエハーをプラズマアッシング装置に導入し、酸素プラズマによってエッチングマスク１１８を除去する。 - 特許庁

To suppress a loss of a treatment gas by improving treatment efficiency in surface treatment such as ashing or etching.例文帳に追加

アッシングやエッチング等の表面処理における処理効率を向上させ、処理ガスのロスを抑制する。 - 特許庁

A great amount of free carbon included in the residue is subjected to low temperature ashing processing to remove the most of them.例文帳に追加

残渣中に含まれる大量の遊離カーボンを低温灰化処理することで大部分を除去する。 - 特許庁

By the introduction of high temperature gas, an ashing process of a resist and the removal of the remaining chlorine-based gas are simultaneously performed.例文帳に追加

高温ガスの導入により、レジストのアッシングと残存する塩素系ガスの除去を同時に行う。 - 特許庁

A resist 30 is removed by ashing employing plasma using mixture gas containing nitrogen and hydrogen.例文帳に追加

窒素および水素を含有する混合ガスを用いたプラズマを用いたアッシングによりレジスト３０を除去する。 - 特許庁

After the resist pattern which becomes unnecessary is removed by ashing, the surface of the semiconductor substrate 1 is cleaned.例文帳に追加

不要となったレジストパターンをアッシングにより除去した後、半導体基板１の表面を洗浄する。 - 特許庁

Ozone decomposition ashing treatment is employed for the removal of the resist surface layer 3 so as to avoid electrification.例文帳に追加

レジスト表面層３の除去には、チャージアップが発生しないように、オゾン分解アッシング処理を用いる。 - 特許庁

The Al patterns 12 are oxidized by oxygen plasma ashing treatment, by which the Al_2O_3 patterns 13 are formed.例文帳に追加

そして、Ａｌパターン１２を酸素プラズマアッシング処理により酸化してＡｌ_２Ｏ_３パターン１３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be manufactured by using O_2 ashing, after resin embedding planarization.例文帳に追加

樹脂埋め込み平坦化の後にＯ_２アッシングを使用して製造可能な半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To develop a detergent for a photoresist ashing residue having high cleaning property for the photoresist ashing residue, having a high preventing effect against corrosion of the base such as a electrically conductive film and insulating film, and having a long allowance for cleaning time.例文帳に追加

フォトレジストアッシング残滓の洗浄性が高く、また、導電性膜、絶縁膜等の下地の腐食の防止効果も高く、洗浄時間の許容幅が長いフォトレジストアッシング残滓洗浄剤を開発すること。 - 特許庁

After forming a film 132 including a substance having a high selectivity for a medium used in an ashing process on an interlayer insulation film 121, a dual damascene structure is formed by deforming the film 132 through the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程で使われる媒体に対して高い選択性を有する物質を含む膜１３２を層間絶縁膜１２１上に形成した後で、それをアッシング工程で変成させてデュアルダマシン構造を作る。 - 特許庁

To provide an efficient method and apparatus for ashing through a convenient arrangement wherein a stabilized discharge state can be realized under conditions of atmospheric pressure in the ashing step of a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるアッシング工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置でアッシングをすることができる効率的な方法及び装置の提供。 - 特許庁

In the ashing processing method of a semiconductor wafer for making resist on a semiconductor wafer react with reaction gas in plasma for ashing elimination, the mixed gas of O_2, N_2 and H_2O is used as the reaction gas.例文帳に追加

半導体ウェハ上のレジストをプラズマ中で反応ガスと反応させて灰化除去するための半導体ウェハのアッシング処理方法において、上記反応ガスとして、Ｏ_２と、Ｎ_２と、Ｈ_２Ｏとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

To prevent oxidation of a metal wiring containing copper at ashing time of a resist, to improve the through-put of resist ashing, and to prevent progress of oxidation or erosion of an exposed metal wiring.例文帳に追加

レジストのアッシング時に銅を含む金属配線の酸化を防止できるようにすること、レジストアッシングのスループットを向上させること、また、露出した金属配線の酸化や腐食の進行を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a photoresist ashing residual cleaning agent with which the cleaning ability of a photoresist ashing residual is high, the anti-corrosion effect of a base such as insulating film, low-dielectric film or wiring is high and further, corrosion does not occur at the time of rinsing in water.例文帳に追加

フォトレジストアッシング残さの洗浄性が高く、また、絶縁膜、低誘電膜、配線等ぼ下地の防食効果も高い上、水リンス時の腐食も起こさないフォトレジストアッシング残さ洗浄剤を開発すること。 - 特許庁

An etching device 21 comprises a load lock chamber 23, an etching chamber 24, an ashing chamber 25, and an unload lock chamber 26.例文帳に追加

エッチング装置２１は、ロードロック室２３と、エッチング室２４と、アッシング室２５と、アンロードロック室２６とを有する。 - 特許庁

The resin is removed from the original pattern by using the ashing gas and the near-field light.例文帳に追加

そして、前記アッシングガスおよび前記近接場光を用いて、前記パターン原版から前記樹脂を除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can reduce contamination of metal generated in the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程において発生する金属汚染を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the yield of a device by preventing scattering in a resist curing layer, and to improve the maintenance of an ashing chamber.例文帳に追加

レジスト硬化層の飛散を防止してデバイスの歩留まりの向上、アッシングチャンバーのメンテナンスの向上を図る。 - 特許庁

After this, the resist is removed by dry ashing using a plasma or wet processing, using a resist-peeling liquid.例文帳に追加

その後、プラズマを用いたドライアッシングまたはレジスト剥離液を用いたウエット処理により、前記レジストを除去する。 - 特許庁

To increase exposure accuracy of a resist layer as much as possible, while increasing durability of a flattening structure against ashing.例文帳に追加

平坦化構造のアッシングに対する耐性を高めつつ、レジスト層の露光精度についても可及的に高める。 - 特許庁

The method may include an ashing stage (B) of cleaning the surface exposed by the dry etching before the stage (A).例文帳に追加

工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 - 特許庁

The substrate manufacturing method performs primary plasma ashing processing, after a first heating of the substrate, on which a photoresist is formed.例文帳に追加

基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

While a platinum film 79 exists on the ruthenium film 55, the photoresist film 70 is removed by ashing.例文帳に追加

ルテニウム膜５５上に白金膜７９が存在する状態でフォトレジスト膜７０をアッシングにより除去する。 - 特許庁

To enable anisotropic ashing of a photoresist in high precision, without causing plasma damages.例文帳に追加

プラズマダメージを与えることなく、フォトレジストをプラズマ処理にて異方的に高精度にアッシングすることを可能とする。 - 特許庁

Then, after decreasing the substrate temperature in the state of atmospheric pressure, secondary plasma ashing processing of the substrate is once again performed.例文帳に追加

続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

For a porous low-k dielectric, especially main ashing plasma further includes a hydrocarbon gas (84), such as methane.例文帳に追加

ポーラス低−ｋ誘電体については特に、メインアッシングプラズマは、更に、メタン等の炭化水素ガス（８４）を含有する。 - 特許庁

A substrate conveyance robot CR conveys a substrate W delivered from an indexer robot IR to an ashing part ASH.例文帳に追加

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗをアッシング部ＡＳＨに搬送する。 - 特許庁

The oxide layer 134 can be simultaneously formed while the resist is removed when the resist mask 136 is subjected to ashing.例文帳に追加

酸化物層１３４は、レジストマスク１３６をアッシングするときに、レジスト除去と同時に形成することができる。 - 特許庁

To properly ashing-process resist where a transformed layer is formed by the implantation of high dozed ions with high throughput.例文帳に追加

高ドーズイオンの注入により変質層が形成されたレジストを高スループットにて適切にアッシング処理する。 - 特許庁

The cleaning method for the ashing residual uses an aqueous solution containing ammonium carbonate and having pH of >7 and <8.6.例文帳に追加

炭酸アンモニウムを含有し、ｐＨが７以上８．６未満である水溶液を用いるアッシング残渣の洗浄方法。 - 特許庁

To provide a cleaning method which suppresses occurrence of corrosion, without depending on ashing condition of a resist film.例文帳に追加

レジスト膜のアッシング条件に依存せず、かつコロージョンの発生を抑制する洗浄方法が望まれている。 - 特許庁

The expansion of the channel length can be further suppressed by performing the ashing as anisotropic etching.例文帳に追加

また、前記アッシングを異方性エッチングで行うことにより、さらにチャンネル長の広がりを抑えることが可能となる。 - 特許庁

In this state, ashing is started, but since the wafer 10 does not come into contact with the stage 32, the wafer 10 results in being heated indirectly by the stage 32, the temperature of the wafer 10 is kept low, and the ashing at low temperature can be realized.例文帳に追加

この状態でアッシングを開始するが、ウエハ１０は、ステージ３２に接触していないため、ステージ３２により間接的に加熱されることになり、ウエハ１０の温度は低く保たれ低温でのアッシングを実現することができる。 - 特許庁

When the ashing of the altered hardened layer approaches the end point, a bulk part is exposed, oxygen radicals are consumed in ashing the bulk part and the concentration of oxygen radicals lowers slowly from T2 to T3.例文帳に追加

そして、変質硬化層のアッシングが終点に近づくと今度はバルク部が露出してくるので、バルク部のアッシングに酸素ラジカルが消費され、その結果、Ｔ２からＴ３に示すように、酸素ラジカル濃度が徐々に低下してくる。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process improved in ashing speed after substrate etching, whereby a substrate just beneath a resist underlayer film can be prevented from changing in quality during ashing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

The first layer 102 after the ashing is a lower layer 111 of the mask 110 and the second layer 103 is an upper layer 112.例文帳に追加

アッシング後の第１の層１０２はマスク１１０の下層１１１となり、第２の層１０３は上層１１２となる。 - 特許庁

Thus, a via contact of single damascene structure without defects such as the recess can be formed utilizing the ashing process.例文帳に追加

これにより、リセスなどの欠陥のないシングルダマシン構造のビアコンタクトをアッシング工程を活用して容易に形成できる。 - 特許庁

To remove a resist film on a workpiece by ashing without giving any damage onto the low-k film of the workpiece.例文帳に追加

被処理体が備えるＬｏｗ−ｋ膜にダメージを与えることなく，被処理体上のレジスト膜をアッシング除去する。 - 特許庁

Since oxygen radicals do not contribute toward ashing an altered hardened layer, the concentration of oxygen radicals is kept high up to T2.例文帳に追加

そして、酸素ラジカルは変質硬化層のアッシングには寄与しないので、酸素ラジカル濃度は高いままＴ２まで至る。 - 特許庁