「ASHING」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A substrate is subjected to ashing after etching through a photoresist pattern disposed on the substrate as a mask and then the substrate is treated by applying the solution.例文帳に追加

そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理をした後、上記処理液組成物を適用して基板を処理する。 - 特許庁

To provide a photoresist stripper formulation and a method for removing photoresist, an etching residue or an ashing residue from a semiconductor device surface.例文帳に追加

半導体デバイスの表面からフォトレジスト、エッチング残留物又はアッシング残留物を除去するためのフォトレジスト剥離剤配合物及び方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the resist mask 4a is removed and the surface of the remaining mask layer 6 is denatured to the SiOX layer 6a through the ashing in the oxygen plasma.例文帳に追加

その後、酸素ガスプラズマ中でアッシングを行うことにより、レジストマスク４ａを除去し且つ残存するマスク層６の表面をＳｉＯ_x層６ａに変質させる。 - 特許庁

After removing the barrier metal film 106, the organic resin film 103 is removed by dry etching using a halogen gas or by ashing using an oxygen-based gas.例文帳に追加

バリアメタル膜１０６を除去した後、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングまたは酸素系ガスによるアッシングにて有機系樹脂膜１０３を除去する。 - 特許庁

To suppress the peel-off of a TiN film from Al alloy wiring in an ashing process when the TiN film is used as an antireflection film.例文帳に追加

反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いる場合において、アッシング工程にてＴｉＮ膜がＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できるようにする。 - 特許庁

Also, it is possible to prevent corrosion of the metal plug, by ashing the photoresist with oxygen plasma and then processing it with a pure steam plasma.例文帳に追加

また、酸素プラズマでフォトレジストのアッシングを行った後、純水蒸気プラズマ処理することによっても金属プラグの腐蝕を防止することができる。 - 特許庁

Since the insulating film 3 is finally removed, the influence of damages given to the low-k film 9 by the plasma or ashing can be eliminated.例文帳に追加

絶縁膜３は最終的に除去されてしまうので、プラズマあるいはアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくせる。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁

The method for regenerating the mold for forming optical glass on the formed surface of which a carbon-based film is formed includes: (a) a process for removing the carbon-based film by oxygen-plasma ashing, (b) a process for cleaning the formed surface by argon-plasma ashing, and (c) a process for newly forming a carbon-based film on the cleaned formed surface.例文帳に追加

成形面に炭素系膜が形成された光学ガラス成形用金型の再生方法であって、(a) 前記炭素系膜を酸素プラズマアッシングにより除去する工程と、(b) 前記成形面をアルゴンプラズマアッシングにより洗浄する工程と、(c) 洗浄された成形面に前記炭素系膜を新たに形成する工程を有する方法。 - 特許庁

In a step of removing a resist layer formed on an electrode material layer, ashing using gas containing at least fluorine is carried out, and after the ashing, ashes of at least the resist layer formed on the surface of the electrode material layer, or a compound of the electrode material layer is removed.例文帳に追加

電極材料層上に形成されたレジスト層を除去する工程において、少なくともフッ素を含むガスを用いたアッシングを行い、該アッシング後に、前記電極材料層表面に形成された、少なくとも前記レジスト層の灰化物もしくは前記電極材料層の化合物のいずれかを除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optic device which is capable of efficiently performing an etching process step and an ashing process step, an electro-optic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

エッチング工程およびアッシング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

This seaweed ash-based antimicrobial agent against scurf causative contains a seaweed ash obtained by ashing Phaeophyceae such as wakame seaweed called Undaria pinnatifida, sea tangle and sea grape, or an extract thereof as an active ingredient.例文帳に追加

海藻原料、例えばワカメ、コンブ、ホンダワラなどの褐藻類を灰化することにより得られる海藻灰、あるいは、その抽出液を有効成分とする抗フケ菌剤。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device, which suppress film characteristics of a low-dielectric-constant film from deteriorating when resist removal is carried out in an ashing process.例文帳に追加

アッシング処理によりレジスト除去を行う場合に、低誘電率膜の膜特性が劣化することを抑制する半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

In ashing, the temperature of substrate is about 100°C, a chamber pressure is about 200 Pa, the flow rate of oxygen gas is about 1.0 slm, and a discharge duration is about 9 min.例文帳に追加

アッシング条件は、基板温度を約１００℃とし、チャンバ圧力を約２００Ｐａとし、酸素ガスの流量を約１．０ｓｌｍとし、放電時間を約９分間とする。 - 特許庁

Temperature of the intense heat ashing treatment is set to not less than the melting point of zinc and not more than the boiling point of cadmium, and pH of solution supplied for measurement is adjusted to 3.5 to 5.5.例文帳に追加

強熱灰化処理温度は、亜鉛の融点以上でありカドミウムの沸点以下の温度とし、測定に供される溶液のｐＨは３．５から５．５に調節する。 - 特許庁

The electron density in a chamber at the time of ashing is set to 4.0E10cm^-3 or less so that the film damage on a low dielectric constant film can be suppressed.例文帳に追加

アッシング時におけるチャンバ内の電子密度を４．０ Ｅ１０ｃｍ^−３以下にすることで、低誘電率膜に対する膜ダメージを抑制することが可能になる。 - 特許庁

After the element section is formed on the resist base section, the resist base section is removed by ashing, thus composing a suspension type element without etching the substrate by CF4, or the like.例文帳に追加

素子部をレジスト台部上に形成した後、レジスト台部をアッシングにより除去し、基板をＣＦ４等によりエッチングすることなく、懸架型素子を構成することができる。 - 特許庁

Improved compositions and processes for removing photoresists, polymers, post-etch residues, and post-oxygen-ashing residues from interconnect, wafer level packaging, and printed circuit board substrates are disclosed.例文帳に追加

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。 - 特許庁

To provide a method for peeling a resist capable of improving the peelability of the resist existing on the surface of a substrate without requiring an ashing process, particularly the method for peeling the resist having the excellent peelability of the ion-implanted resist.例文帳に追加

灰化工程を必要とせず、基板の表面に存在するレジストの剥離性能を向上させることができるレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device without any risk that a gate oxide film is contaminated by a resist and that the gate oxide film is affected by ashing damage.例文帳に追加

ゲート酸化膜がレジストによる汚染を受ける虞がなく、またゲート酸化膜がアッシングダメージの影響を受ける虞もない半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an ashing method capable of efficiently suppressing the rise of the level of dielectric constant film without increasing a manufacturing cost.例文帳に追加

製造コストの増大を招くことなく、低誘電率膜の誘電率の上昇を効率的に抑制することができるアッシング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A discharge jacket 45 is provided on the ashing matter discharging side of the rotary furnace 37 and a stoker 46 provided in the discharge jacket 45 is composed of a steel material containing no chromium.例文帳に追加

回転炉３７の灰化物排出側には排出ジャケット４５を設け、この排出ジャケット４５に設けられる火格子４６をクロムを含有しない鋼材で構成する。 - 特許庁

A resist base section formed by resist removed by ashing is provided on a substrate, and an element section, such as tunnel junction and island electrodes, is formed on the resist base section.例文帳に追加

基板上に、アッシングより除去できるレジストによって形成されたレジスト台部を設け、レジスト台部上に、トンネル接合及び島電極等の素子部を形成する。 - 特許庁

After removing the resist pattern 13 by ashing, the substrate 10 is cleaned by using ammonium phosphate cleaning liquid and thus the residue 15 at the hole bottom part or the like is removed.例文帳に追加

アッシングによりレジストパターン１３を除去した後、りん酸アンモニウム洗浄液を用いて基板１０を洗浄し、それによりホール底部等の残渣１５を除去する。 - 特許庁

Next, a trench 9a leading to the connection hole 4 is made using dry etching method, and then the polyimide film within the connection hole 4 is removed by ashing.例文帳に追加

次にこのシリコン酸化膜６に、ドライエッチング法を用いて、接続孔４に通じるトレンチ９ａを形成した後、接続孔４内のポリイミド膜５をアッシング除去する。 - 特許庁

The resist removing agent composition is primarily used as a chemical cleaning liquid to remove the resist residue and byproduct polymers after the ashing process of a resist mask.例文帳に追加

本レジスト用剥離剤組成物は、主として、レジストマスクをアッシング処理した後にレジスト残渣及び副生ポリマーの除去のための薬液洗浄液理液として使用される。 - 特許庁

To provide a photoresist removing solution which excellently prevents corrosion of metal wiring of both Al and Cu and which has excellent power to remove a photoresist film and residue after ashing.例文帳に追加

ＡｌおよびＣｕの両者の金属配線の防食性に優れ、かつ、ホトレジスト膜およびアッシング後の残渣物の剥離性に優れたホトレジスト用剥離液を提供する。 - 特許庁

A very small amount of a first gas containing fluorine atoms in molecules and having a function to remove a dopant and a second gas restraining the first gas from corroding the surface of a wafer as an object of processing are added to an oxygen gas for obtaining a reactive gas to use, and the above reactive gas is excited into high-density plasma to remove an ashing retardant resist film by ashing.例文帳に追加

酸素ガスに、分子中にフッ素を含有し、前記ドーパントを除去する作用を有する第１のガス微量加えるとともに、前記第１のガスの非処理体であるウェハ表面に対する腐食を抑制する第２のガスを加えたものを反応ガスとして用い、高密度プラズマを励起して難灰化性レジスト膜を灰化・除去する。 - 特許庁

The ashing treatment is performed under a condition of plasma formation wherein high frequency electric power is 300 W, atmospheric pressure is 30 Pa, an oxygen flow rate is 100 sccm, and substrate temperature is 25°C.例文帳に追加

かかるアッシング処理は、高周波電力が３００Ｗ、雰囲気圧力が３０Ｐａ、酸素流量が１００ｓｃｃｍ、基板温度が２５℃のプラズマ形成条件下で実施される。 - 特許庁

The removal of the damage layer 7 on the rear surface of the semiconductor substrate 1 and a process for planarizing the inner wall surface of the via hole 9 are continuously performed from the ashing process by the same device.例文帳に追加

次に、半導体基板１の裏面のダメージ層７の除去及び、ビアホール９の内壁面の平坦化工程についても、上記アッシング工程と同一装置で連続的に行う。 - 特許庁

A second polymer removing liquid capable of removing a second-class polymer generated in ashing processing is supplied to a center portion (portion inner from the circumferential edge portion) of the surface of the wafer W.例文帳に追加

また、ウエハＷの表面の中央部（周縁部よりも内側の部分）には、アッシング処理時に生じた第２のポリマーを除去可能な第２ポリマー除去液が供給される。 - 特許庁

To solve a problem that in an interlayer isolation film of SiOCH film, which is a low dielectric constant film, O_2 ashing resistance is low since a CH_3 group is contained in the film, and adhesion with a SiO_2 film is also low.例文帳に追加

低誘電率膜であるＳｉＯＣＨ膜の層間絶縁膜は、膜中にＣＨ３基が含まれるためにＯ２アッシング耐性が低く、ＳｉＯ２膜との密着性も低い。 - 特許庁

The blowing nozzle 46 of the plasma gun 42 forms a spot plasma smaller than the area of adhesive adhering to the component 16 and the adhesive is irradiated with that plasma and removed by ashing.例文帳に追加

プラズマガン４２の吹出しノズル４６は、部品１６に付着している接着剤の付着面積以下のスポット状プラズマを形成して接着剤に照射し、接着剤をアッシング除去する。 - 特許庁

Since the substrate W is transferred between the plasma ashing chamber and first to third liquid-phase treatment chambers in the prescribed order, the throughput of the substrate treating apparatus is not controlled by the rate-determining treatment.例文帳に追加

プラズマアッシング室と第１ないし第３の液相処理室との間で所定の順序で基板Ｗの搬送を行なうことから、律速する処理にスループットが左右されることもない。 - 特許庁

Resist 6 is patterned on the NSG film 5, the NSG film 5, the titanium nitride film 4 and the tantalum oxide film 3 are dry-etched by using the resist 6 as a mask, and then the resist 6 is removed by plasma ashing.例文帳に追加

ＮＳＧ膜５上にレジスト６をパターニングし、それをマスクとしてＮＳＧ膜５、チタン窒化膜４、タンタル酸化膜３をドライエッチングし、レジスト６を酸素プラズマアッシングにより除去する。 - 特許庁

Activated carbon is ignited at a predetermined ignition temperature to determine an ashing quantity as an ignition loss, and the determined ignition loss is taken as a catalyst component amount of the activated carbon.例文帳に追加

また活性炭を所定の強熱温度で強熱して灰化量を強熱減量分として求め、この求めた強熱減量分を活性炭の触媒成分量の補正値とする。 - 特許庁

After the photo-resist pattern is removed in an ashing step, a two-step isotropic etching step is carried out in a single cleaning system continuously with a conventional strip step.例文帳に追加

フォトレジストパターンをアッシング工程によって除去した後、単一の洗浄システム内で既存のストリップ工程と連続して行なわれる２段階の等方性湿式蝕刻工程を実施する。 - 特許庁

By alternately repeating the ashing step and the etching step in several times, each of the plurality of concave portions can be formed into a feature corresponding to an aspheric lens.例文帳に追加

当該製造方法では、アッシング工程とエッチング工程とを複数回交互に繰り返すことにより、複数の凹部の各々の形状を非球面形状のレンズに対応する形状とする。 - 特許庁

Then, a groove is formed on the non-porous insulation film by dry-etching with a resist pattern as a mask, and after the resist pattern is removed by ashing, the surface of the semiconductor substrate is cleaned.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより非多孔質絶縁膜に溝を形成し、アッシングによりレジストパターンを除去した後、半導体基板の表面を洗浄する。 - 特許庁

After first dry etching are carried out on the third insulating film 4 and the second insulating film 3 with the resist film 6 as a mask, the resist film 6 and the anti-reflection film 5 are removed by ashing.例文帳に追加

レジスト膜６をマスクとして、第３の絶縁膜４および第２の絶縁膜３に第１のドライエッチングを行った後、レジスト膜６および反射防止膜５をアッシングにより除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming copper wiring excellent in pattern shape and ashing a resist film without damaging a low-k film.例文帳に追加

パターン形状の良好な銅配線を形成するとともに、Ｌｏｗ−ｋ膜にダメージを与えずにレジスト膜をアッシングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

as the masking layer 46 does not protect fence structure 45F, 46F so as to be same as most part of the pad layer 45, the ashing processing eliminates the fence structure 45F, 46F.例文帳に追加

マスキング層４６はフェンス構造４５Ｆ，４６Ｆに対してパッド層４５の大部分ほどは保護しないので、灰化プロセスはパッド層４５のフェンス構造４５Ｆ，４６Ｆを取り除く。 - 特許庁

After the protective film is formed, the substrate 1 is taken out, an oxygen gas is introduced into the protective film forming chamber 21 and ashing by oxygen plasma is performed to remove a hard DLC film deposited on the electrodes 22.例文帳に追加

保護膜形成後、基板１を取り出し、保護膜形成室２１に酸素ガスを導入し、酸素プラズマによるアッシングを行い、電極２２に堆積した硬質ＤＬＣ膜を除去する。 - 特許庁

To provide a chemical composition for effectively removing a residue such as an inorganic residue from a semiconductor wafer including an elaborate communicating body structure of copper after a resist ashing step.例文帳に追加

精巧な銅の連絡構造物を含有する半導体ウェーハからの無機残留物などレジストアッシングステップ後に残留物を有効に除去する化学組成物を提供する。 - 特許庁