「ASHING」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

After removing a deposition film 105 on the sidewall of the recess 104 by ashing, second time dry etching is performed to form a structure including a level difference shape of two steps.例文帳に追加

次に、凹部１０４の側壁に堆積されたデポ膜１０５をアッシングにより除去してから、２回目のドライエッチングを行い、２段の段差形状を含む構造体を形成する。 - 特許庁

To provide a chemical compound, which removes residue after a resist ashing process effectively, and simultaneously does not corrode or degrade potentially precise structures required to fix on a wafer.例文帳に追加

レジストアッシング工程後の残留物を効果的に除去すると同時に、ウエハ上に留めたい緻密構造を侵食したり潜在的に劣化させることがない化学配合物を提供する。 - 特許庁

A first Si oxide film 102, a diamond-like film (DLC film) 103, an ashing protective film (a-Si film) 104 and a second Si oxide film 105 are formed in order on the surface of an Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１表面に第１のＳｉ酸化膜１０２、ダイヤモンドライク膜（ＤＬＣ膜）１０３、アッシング保護膜（ａＳｉ膜）１０４、第２のＳｉ酸化膜１０５を順次形成する。 - 特許庁

To obtain a composition for an underlayer film of a resist excellent in adhesion to the resist and resistance to a developing solution and less liable to reduce film thickness in the oxygen ashing of the resist.例文帳に追加

レジストとの密着性に優れ、現像液に対する耐性に優れ、レジストの酸素アッシング時の膜減りの少ないレジスト下層膜用組成物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a waste decomposition apparatus capable of minimizing the production of dioxin, reliably ashing waste, and also shortening a thermal decomposition time by using a magnetic action.例文帳に追加

ダイオキシンの発生を最小限に抑えられ、より確実に廃棄物の灰化を行うとともに、その熱分解処理時間を短縮化できる磁気作用を用いた廃棄物分解装置を提供する。 - 特許庁

For forming a light transmission path with resist, a well in half-round form is formed on the surface of the substrate 1, resist is formed selectively in the well, and reflow and ashing is performed.例文帳に追加

レジストで光伝送路を形成するには、基板表面に半円形の溝を形成し、この溝の部分にレジストを選択的に形成した後、このレジストのリフローおよびアッシング処理を行う。 - 特許庁

The photoresist peeling process includes three processes: a metal wiring exposure process of performing full ashing by using a mixed gas with a fluorocarbon gas containing oxygen and hydrogen; a cleaning process of cleaning by pure water; and an ashing process by a plasma using oxygen.例文帳に追加

塩素ガス又は塩素を含む反応ガスを用いるドライエッチング工程である金属配線形成工程と、ホトレジストを剥離するホトレジスト剥離工程とを有し、このホトレジスト剥離工程は、酸素と水素を含むフッ化炭素との混合ガスを用いフルアッシングする金属配線露出工程と、純水により洗浄する洗浄工程と、酸素を用いるプラズマでアッシングと、の３つの工程からなる。 - 特許庁

A process for forming the metal film on the carrier surface is provided before a process for attaching the depositing substrate to the carrier after a process for removing by ashing the carbon protective film deposited and adhered to the carrier surface.例文帳に追加

また、キャリア表面に堆積付着したカーボン保護膜をアッシング除去する工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。 - 特許庁

(a) After a resist mask 22 is removed by an ashing process, (b) the separation-material composition for a resist is used to separate and remove at least either residues of the resist mask or a by-product polymer.例文帳に追加

そして、（ａ）このレジスト用剥離剤組成物を用いて、灰化処理を施してレジストマスク２２を除去した後に、（ｂ）前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する。 - 特許庁

A substrate is subjected to etching and ashing in succession with a photoresist pattern formed on the substrate as a mask, the photoresist pattern is removed using the removing solution and then the substrate is rinsed with water.例文帳に追加

そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、続いてアッシング処理をした後、上記剥離液を用いてホトレジストパターンを剥離し、次いで基板を水でリンス処理する。 - 特許庁

To enable ashing processing without exerting any adverse influence even if an interwire insulating film made of a low dielectric-constant material is exposed, and to contribute the realization of fine wires complying with recent demands.例文帳に追加

低誘電率材料からなる配線間絶縁膜が露出していても悪影響を及ぼすことなくアッシング処理を行うことを可能とし、近時の要請に対応した微細配線の実現に寄与する。 - 特許庁

Resin for structuring the adhesion layer 22 is resolved and removed by ashing using plasma P, and a fixing layer is formed on the electronic device 14, a surface of a protective layer 15, and the surface of the second substrate 21.例文帳に追加

プラズマＰを用いたアッシングにより、粘着層２２を構成する樹脂を分解して除去し、電子デバイス１４および保護層１５の表面と第２基板２１の表面とに固定層を形成する。 - 特許庁

Further, at an initial stage of the step of subjecting the carbon film to the ashing removal, a concentration of inactive gas in the plasma is increased as compared with an oxygen gas concentration and the oxygen gas concentration is then increased as compared with the concentration of the inactive gas.例文帳に追加

また、カーボン保護膜をアッシング除去する工程の初期においてプラズマ中の不活性ガス濃度を酸素ガス濃度に対して高め、その後、酸素ガス濃度を不活性ガス濃度に対して高める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser element that can reduce damage to a semiconductor laminate caused by ashing by reducing production of deposits produced when a mask made of an insulating silicone compound is formed.例文帳に追加

絶縁性シリコン化合物からなるマスクを形成する際の堆積物の発生を低減し、アッシングによる半導体積層へのダメージを抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the damage of a magnetic element and to prevent oxidation of a conductive member existing in a lower layer without using an ashing process for processing a lower electrode film when a semiconductor device equipped with the magnetic element is manufactured.例文帳に追加

磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。 - 特許庁

Next, after removing a natural oxide film and an ashing oxide film, a lower electrode having a designated grain spacing is formed, by processing the grain spacing of the HSG grains for wet etching with ammonia hydrogen peroxide or the like (Fig.(F)-(G)).例文帳に追加

次に、自然酸化膜やアッシング酸化膜を除去後、アンモニア過酸化水素水などでＨＳＧ粒の粒間隔をウェットエッチングし、所定の粒間隔を有する下部電極を形成する（図１（Ｆ）〜（Ｇ））。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having high separability by which a chlorine component remaining on a substrate is positively eliminated without deteriorating an ashing rate and corrosion preventing performance, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

アッシングレートや防食性能を低下させることなく、基板上に残留する塩素成分が確実に除去され、剥離性の高い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the terminal pads 1 and 6 do not receive an electric stress because charges in the ashing process flow through the silicon board 56 and are not charged even in an NC terminal and an input terminal having a low electrostatic breakdown strength.例文帳に追加

これにより端子パッド１，６は、ＮＣ端子や静電耐圧の低い入力端子であっても、アッシング工程における電荷がシリコン基板５６に流れてチャージされないため、電気ストレスを受けない。 - 特許庁

Further, in addition to plasma CVD, plasma treatment such as ion etching, ion ashing and ion bombardment can be performed even to the other members as well as a vapor-deposited tape since plasma can be generated without depending on the electric resistance of a base material.例文帳に追加

また、蒸着テープに限らず、基材の電気抵抗に依存せずにプラズマを発生させることができるため、プラズマＣＶＤの他、イオンエッチング、イオンアッシング、イオンボンバード等のプラズマ処理が可能である。 - 特許庁

After an aluminum wiring layer 26 is formed by first wet etching like broken lines in Figure 3A, the edge 28b of a photoresist layer 28 used for the first wet etching is recessed by first ashing.例文帳に追加

第１ウエットエッチングによりアルミ配線層２６を図３Ａの破線のように形成した後、第１のアッシングにより第１ウエットエッチングに用いたフォトレジスト層２８の縁部２８ｂを後退させる。 - 特許庁

Whereafter a nitrogen gas is introduced into the waiting chamber 2 through a pipe 21 to increase a pressure in the waiting chamber to 200 to 3000 Pas, and in parallel with this, gas for ashing is introduced into the treatment chamber 3.例文帳に追加

この後、配管２１を用いて待機室２内に窒素ガスを導入して待機室２内を２００〜３０００Ｐaまで圧力を高め、これと並行して処理チャンバー３内にアッシング用ガスを導入する。 - 特許庁

Thus, occurrence is prevented in reaction products inevitable when removing the mask by plasma ashing, so that dicing is carried out without occurrence of quality deterioration due to the deposited particles.例文帳に追加

これにより、プラズマアッシングによってマスクを除去する場合に避けがたい反応生成物の発生を防止して、堆積したパーティクルによる品質劣化を生じることなくダイシングを行うことができる。 - 特許庁

To provide a method for recovering and reducing relative dielectric constant of an interlayer insulating film which has been deteriorated and raised, being influenced by preceding etching, ashing or the like treatment, with a comparatively simplified arrangement.例文帳に追加

先行するエッチング、アッシング処理等の影響で劣化上昇した層間絶縁膜の比誘電率を比較的簡易な構成で回復低下させる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method manufacturing for a liquid crystal display device, by which the expansion of a channel length by ashing can be suppressed and the channel length can be controlled, when a TFT is manufactured using a halftone mask at the channel part of the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴのチャンネル部にハーフトーンマスクを使用して製造する際に、アッシングによるチャンネル長の広がりを抑制し、チャンネル長を制御することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The base material ashing-processed is carried out to a washing unit 5 by a carrying-out device provided to a carrying-out load lock chamber 14, and the washing unit 5 washes the surface of the base material with pure water, while rotating the base material.例文帳に追加

アッシング処理済の基材を、搬出用ロードロック室14に設けてある搬出装置によって洗浄器５に搬出し、洗浄器５は、基材を回転させつつその表面を純水で洗浄する。 - 特許庁

When ashing treatment is performed at low temperature, lift pins 51 are moved so that the height of a wafer 10 is positioned at a position lower than that of a protective ring 50 and is positioned at a position which does not come into contact with a stage 32.例文帳に追加

低温でのアッシング処理を行う場合においては、ウエハ１０の高さが保護リング５０より低い位置で且つステージ３２に接触しない位置になるようにリフトピン５１が移動する。 - 特許庁

To provide a chemical formulation which enables the effective removal of a residue following a resist ashing process, wherein there is no possibility of attacking and breaking a brittle structure to be left on a wafer.例文帳に追加

レジストアッシング工程に続いて残留物を効果的に除去する化学処方物であって、ウエハ上に残ることになる脆い構造を攻撃せずかつ分解するおそれのないものを提供すること。 - 特許庁

Plasma of oxidative gas produced by a plasma generating device 2, e.g. the plasma of oxygen gas or steam is guided into a processing chamber 11 and made to react on the substrate 19 to be processed, thereby performing ashing.例文帳に追加

プラズマ発生装置２で発生した酸化性ガスのプラズマ、例えば酸素ガスや水蒸気のプラズマを、処理室１１内に導き、処理対象基板１９と反応させ、例えばアッシングを行う。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing device capable of removing a predetermined part of a layer on a substrate without carrying out a complicated step such as etching, ashing, cleaning or the like.例文帳に追加

基板上の層の所定部分をパターニング、エッチング、アッシング、洗浄等の煩雑な工程を経ることなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a dry distillation gasification incineration method of wastes capable of shortening the time required for ashing the wastes without making the combustion state of a combustion furnace unstable in switching two gasification furnaces.例文帳に追加

２台のガス化炉の切換の際に燃焼炉の燃焼状態を不安定にせず、廃棄物の灰化に要する時間を短縮できる廃棄物の乾留ガス化焼却処理方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a composition for a film under a resist disposed between the resist and an antireflection film, having both adhesion to the resist and resistance to a resist developing solution and also having resistance to oxygen ashing in the removal of the resist.例文帳に追加

レジストと反射防止膜の間に設け、レジストとの密着性と耐レジスト現像液性を兼ね揃え、更にはレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性の有るレジスト下層用組成物を得る。 - 特許庁

To obtain a composition for a resist underlayer film disposed between a resist and an antireflection film, having both of adhesion to the resist and resistance to a resist developing solution, and further having resistance to oxygen ashing in resist removal.例文帳に追加

レジストと反射防止膜の間に設け、レジストとの密着性と耐レジスト現像液性を兼ね備え、更にはレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性の有るレジスト下層用組成物を得る。 - 特許庁

To provide a removing liquid which selectively removes a copper deteriorated layer containing copper oxide and/or copper oxide damaged by dry etching and/or ashing while suppressing the corrosion of copper.例文帳に追加

銅酸化物、及び/又は、ドライエッチング及び/又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層を、銅の腐食を抑制し選択的に除去するための除去液を提供する。 - 特許庁

The main ashing process includes exposing a previously etched dielectric layer to plasma (48) of hydrogen (50) and optional nitrogen (54), a larger amount of water vapor (60), and further a large amount of argon (80) or helium.例文帳に追加

メインアッシング工程は、水素（５０）及び任意の窒素（５４）、大量の水蒸気（６０）、更に大量のアルゴン（８０）又はヘリウムのプラズマ（４８）に、予めエッチングしておいた誘電体層を露出することを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing popping of a layer altered by ion implantation when removing a resist film by ashing, and suppressing oxidation and a hollow of a semiconductor substrate.例文帳に追加

レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element by which the occurrence of poisoned via holes can be suppressed at the time of ashing a resist provided with an interlayer insulating film including a film having a low dielectric constant as a base layer.例文帳に追加

下地層として低誘電率膜を含む層間絶縁膜を設けたレジストをアッシングするとき、ポイズンドビアの発生を抑制する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To overcome limitations and disadvantages by providing compositions and processes for removing polymers, post-etch residues, and post-oxygen-ashing residues, particularly from ICs, WLP circuits on wafer substrates, and PCBs.例文帳に追加

本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。 - 特許庁

The surface of the treated object is exposed to the vapor of the treatment liquid introduced in the treatment room, the surface reforming such as the wettability improvement or the surface treatment such as the ashing, the etching or a dry cleaning can be performed.例文帳に追加

被処理物表面は、処理室内に導入された処理液蒸気に曝露され、濡れ性向上などの表面改質、アッシング、エッチング、ドライ洗浄などの表面処理が行われる。 - 特許庁

To provide a photoresist remover excellent in property of preventing corrosion of metal wiring of both Al and Cu, excellent also in power to remove a photoresist film and residue after ashing and causing no precipitation of an anticorrosive.例文帳に追加

Ａｌ、Ｃｕ両者の金属配線の防食性に優れ、かつホトレジスト膜およびアッシング後の残渣物の剥離性に優れるとともに、防食剤の析出を生じないホトレジスト用剥離液を提供する。 - 特許庁

Utilizing the fact that the temperature of a wafer 15 increases abruptly at transition from a hardened layer to an unhardened layer during ashing, interface between the hardened layer and the unhardened layer is detected by providing a temperature probe 1 which makes contact with the wafer 15.例文帳に追加

アッシング中に硬化層から非硬化層に至るときウェハ１５の温度が急激に上昇することを利用して、ウェハ１５と接触する温度プロ−ブ１を設け、硬化層と非硬化層の界面を検出する。 - 特許庁

To make it possible to remove efficiently only a resist preventing change in properties of a chrome film and etching thereto, when the resist is removed from blanks prior to exposure and those posterior to exposure and development by means of dry ashing using O_2 gas.例文帳に追加

露光前および露光・現像後のブランクスからレジストをＯ_2ガスを用いたドライアッシングにより除去する場合に、クロム膜の変質やエッチングを防ぎつつレジストだけを能率良く除去することを可能にする。 - 特許庁

Recovery treatment is performed by heating a substrate at about 50°C to 300°C in a chamber after ashing treatment and supplying DPM (dipivaloylmethan(CH3)3CCOCH2COC(CH3)3) gas composed of C, H, and O only to the substrate.例文帳に追加

アッシング処理を行ったチャンバー内で、基板を５０℃〜３００℃程度に加熱すると共に、Ｃ、Ｈ、ＯのみからなるＤＰＭ（ジピバロイルメタン、（ＣＨ3）3ＣＣＯＣＨ2ＣＯＣ（ＣＨ3）3）ガスを基板に供給して回復処理を行う。 - 特許庁

After a resist layer thicker than a step is formed on an upper surface of the substrate based on the layers 14a, 16a, this resist layer is thinned by a sheet type ashing or etching process, so that resist layers 20A, 20B are left behind.例文帳に追加

基板上面に層１４ａ，１６ａに基づく段差より厚くレジスト層を形成した後、このレジスト層を枚葉式のアッシングまたはエッチング処理により薄くしてレジスト層２０Ａ，２０Ｂを残存させる。 - 特許庁

This system includes a microwave source 102, an impedance measurement device 112, a wave guide tube 104, and a resonator cavity 106, which is constructed to receive the target medium 108 (for example, emission gas for ashing photoresist) in it.例文帳に追加

このシステムは、マイクロ波源102、インピーダンス測定装置112、導波管104、共振器キャビティ106を含み、このキャビティは、その中に注目媒体108（例えば、フォトレジストのアッシングのための排出ガス）を受け入れるように構成されている。 - 特許庁

To provide a detergent for cleaning and removing residues with which an incompletely ashed photoresist or photoresist ashing residue such as deposits on side walls can be well removed and which has low corrosive property for an insulating film or conductive film on a substrate wafer.例文帳に追加

フォトレジストの不完全灰化物や側壁堆積膜等のフォトレジストアッシング残滓を良好に除去でき、基板ウェハ上の絶縁膜や導電性膜の腐食性も低い残滓洗浄除去剤を開発すること。 - 特許庁