「ASHING」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma stripping method, having a high selective ratio and a high processing capacity and a dry ashing process.例文帳に追加

高選択比で、高処理能力を有したプラズマストリッピング処理方法および乾式アッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

The ashing device is constituted so that plasma by the mixture gas is produced to remove the resist by generated hydrogen radical.例文帳に追加

これらの混合ガスによるプラズマを生成させ、発生した水素ラジカルによってレジストを除去するように構成される。 - 特許庁

Before a plasma ashing section 12 performs an ashing process, a wafer W is carried in a chemical cleaner section 13 and is subjected to resist-surface reforming treatment applied to softening a hard layer formed on the surface of a resist pattern on the surface of the wafer W with a liquid chemical.例文帳に追加

プラズマアッシング部１２によるアッシング処理に先立って、ウエハは、薬液洗浄部１３に搬入されて、ウエハＷ上のレジストパターンの表面に形成されている硬質層を薬液で軟化するためのレジスト表面改質処理を受ける。 - 特許庁

In a first dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the upper layer resist 13 as a mask and in a first ashing step, ashing is applied to an area exposed with a weak beam up to the glass substrate 1 with the intermediate layer 12 as a mask.例文帳に追加

第１のドライエッチング工程で、上層レジスト１３をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第１のアッシング工程で、上記中間層１２をマスクにして弱いビームで露光された領域を硝子基板１までアッシングする。 - 特許庁

When a resist pattern 10 and an organic antireflective film 9 are removed by ashing processing, damage is suppressed by using gas of only water or mixed gas containing water as ashing gas even if a portion of the interwire insulating film 4 is exposed.例文帳に追加

レジストパターン１０及び有機反射防止膜９をアッシング処理して除去する際に、配線間絶縁膜４の一部が露出していても、水の単独ガス又は水を含有する混合ガスをアッシングガスとして用いることでダメージを抑止する。 - 特許庁

In a step of ashing a resist mask used for etching the layer having a low dielectric constant included in this method of manufacturing the semiconductor element, the ashing is performed so as to suppress the arrival of oxygen radicals at the surface of the layer having the low dielectric constant.例文帳に追加

半導体素子の製造方法における低誘電率層のエッチングに用いたレジストマスクをアッシングする工程であって、前記低誘電率層表面への酸素ラジカルの到達を抑制するようにアッシングすることを特徴とする。 - 特許庁

To protect carbon from separation from the exposed surface of a recess area due to the plasma used for the ashing when such ashing of a resist film at the upper part of a SiOCH film is conducted to a wafer having the SiOCH film to which the recess area is formed by the etching process.例文帳に追加

エッチングによって凹部の形成されたＳｉＯＣＨ膜を有するウェハに対してＳｉＯＣＨ膜の上方のレジスト膜のアッシングを行うにあたり、アッシングに用いられるプラズマによって前記凹部の露出面から炭素を脱離させないこと。 - 特許庁

Before resist 8a on the channel area of a TFT part is removed by ashing using the halftone mask at the channel part of the TFT, the resist 8b is applied again and then ashing is performed to make it possible to suppress the expansion of the channel length.例文帳に追加

ＴＦＴのチャンネル部にハーフトーンマスクを使用してＴＦＴ部のチャンネル領域上のレジスト８ａをアッシングで除去する前に、再度レジスト８ｂ塗布し、その後アッシングを行うことでチャンネル長の広がりを抑えることを可能とする。 - 特許庁

Organic substances and foreign substances are removed by mounting a plasma ashing apparatus 200, which covers the wafer holder 7 when cleaning and generates a plasma on the exposure system used in the photolithographic process for semiconductor manufacturing, and then by plasma- ashing the wafer holder.例文帳に追加

半導体製造のホトリソグラフィ工程で使用される露光装置に、ウェーハホルダ７のクリーニング時にウェーハホルダを覆ってプラズマを発生させるプラズマアッシング装置２００を装着して、ウェーハホルダをプラズマアッシングすることにより、有機物・異物を除去する。 - 特許庁

Since the susceptor 1 is not directly brought into contact with the substrate mounting face in the device, the uniformity of temperature of the wafer 2 and the uniformity of ashing speed related thereto are remarkably improved as compared with the conventional technology, and ashing without unevenness is enabled.例文帳に追加

本装置において、サセプタ１は前記基板載置面と直接接触しないので、ウェーハ２の温度の均一性と、それと関連するアッシング速度の均一性が、従来技術に較べて飛躍的に向上し、むらの無いアッシングが可能となる。 - 特許庁

Resist ashing is performed under such conditions as the ratio Z between the quantity of hydrogen X and the quantity of other elements Y in the plasma of an ashing system does not exceed 6.4×10-2 or the ratio of emission intensity between oxygen radicals and hydrogen radicals under ashing does not exceeds 1.80 or the residence time of hydrogen in the plasma process does not exceeds 0.08 sec.例文帳に追加

レジストアッシング時に、アッシャー装置のプラズマ中の水素量Ｘとその他の元素量Ｙとの比Ｚが６．４×１０^-2以下となる条件で処理し、或いはアッシング中の酸素ラジカル発光強度と水素ラジカルの発光強度の比が１．８０以下となるように処理し、あるいはプラズマプロセス中の水素のレジデンスタイムを０．０８(sec)以下となる条件で処理する。 - 特許庁

This concentration measuring device 10 is equipped with a filtration part 11 for extracting particles having a prescribed or smaller size from dust suspended in the air by filtration using a thin film filter, an ashing part 13 for ashing an organic substance, and a count part 20 for counting fibrous particles included in the dust passing the inside of a channel 14 after passing the filtration part 11 and the ashing part 13.例文帳に追加

濃度測定装置１０は、薄膜フィルタを用いたろ過により大気中に浮遊する粉塵から所定の大きさ以下の粒子を抽出するろ過部１１と、有機物を灰化する灰化部１３と、ろ過部１１及び灰化部１３を通過した後の流路１４内を通過する粉塵に含まれる繊維状粒子をカウントするカウント部２０とを備える。 - 特許庁

While the ashing of the bulk part is carried out, the concentration of oxygen radicals is kept low because oxygen radicals are consumed.例文帳に追加

バルク部のアッシングを行っている間は、酸素ラジカルが消費されているので、酸素ラジカル濃度は低くなった状態を保つ。 - 特許庁

After ashing the first organic film 8, the stopper film 3 is dry-etched to form a via hole which reaches a copper interconnection layer 1.例文帳に追加

第１の有機膜８をアッシングした後、ストッパー膜３をドライエッチングして銅配線層１に達するビアホールを形成する。 - 特許庁

When an organic copolymer is used as a solid component, the structure is released from a mold by a conventional ashing process.例文帳に追加

固体成分として有機重合体を使う場合、従来のアッシング・プロセスによって構造を再び離型することが出来る。 - 特許庁

To suppress damage which an ashing process gives to a low dielectric constant film when forming a dual damascene structure on the low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜にデュアルダマシン構造を形成する際に、アッシング工程が低誘電率膜に与えるダメージを抑制する。 - 特許庁

Thus, residue due to the residual peeling of a resist film is effectively suppressed, and the ashing processing is economically carried out.例文帳に追加

これによって、レジスト膜の剥離残りによる残渣が効果的に抑制されると共に、経済的にアッシング処理を実施できる。 - 特許庁

To prevent oxidation of a metal nitride film on the occasion of plasma ashing of photoresist embedded into the groove via the metal nitride film.例文帳に追加

溝の内部に窒化金属膜を介して埋め込まれたフォトレジストのプラズマアッシングに際して、窒化金属膜の酸化を防止する。 - 特許庁

The method also includes ashing by using a mixture gas 12 containing hydrogen and helium gas at 200-400°C, and removing of the resist pattern 8.例文帳に追加

水素とヘリウムガスとを含む混合ガス１２を用いて、２００℃〜４００℃の温度でアッシングを行い、レジストパターン８を除去する。 - 特許庁

Then, after the resist film 7 is removed by ashing, cleaning treatment is made to the surface of the silicon substrate 1 by a liquid-containing water.例文帳に追加

次に、レジスト膜７をアッシングによって除去した後、シリコン基板１の表面に水を含む液体で洗浄処理を施す。 - 特許庁

Hereby, in board processing, especially in the ashing of each kind of resist where ions are implanted, the setting of the water temperature can be diversified.例文帳に追加

これにより、基板処理、特に種々のイオン注入したレジストのアッシングにおいて、ウェーハ温度の設定が多様化できる。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition capable of forming a cured film excellent in liquid repellent and UV-proof ozone ashing.例文帳に追加

撥液性及び耐ＵＶオゾンアッシング性に優れる硬化膜を形成することができるポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

The ashing system 10 is provided with a GDC kit 20 disposed to face a susceptor 1 provided in a chamber 11.例文帳に追加

アッシング装置１０は、チャンバ１１内のサセプタ１に対向するように配置されたＧＤＰキット２０が設けられたものである。 - 特許庁

To effectively remove only a resist residue produced after ashing without deteriorating the other portion of a semiconductor element.例文帳に追加

アッシング後に生じたレジスト残渣を、半導体素子の他の部分を劣化させることなくレジスト残渣のみを効果的に除去する。 - 特許庁

To provide a chemical stripper formulation for removing photoresist and the residue of etching and ashing of electronic device substrates.例文帳に追加

フォトレジストならびに電子素子基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去するための化学的ストリッパー調合物の提供。 - 特許庁

When ashing is applied on the surface layer for only a comparatively short period of time employing oxygen plasma, the affinity with respect to the resist stripper is improved.例文帳に追加

その表層部を酸素プラズマを用いて比較的短時間だけアッシングすると、剥離液に対する親和性が高まる。 - 特許庁

In this case, this processing is executed by first ashing further added with a halogen compound gas, and second ashing to be thereafter performed in an oxygen-rich condition where the composition ratio of oxygen is larger than 2 mol:1 mol as a stoichiometric composition ratio of water (H_2O) in a mixed gas ratio of hydrogen and oxygen.例文帳に追加

この際、さらにハロゲン化合物ガスを添加した第１アッシングと、その後の、水素及び酸素の混合ガス比を水（Ｈ_2Ｏ）の化学量論組成比である２ｍｏｌ：１ｍｏｌより酸素の組成比が大きい、酸素リッチな状況で行う第２アッシングとにより行う。 - 特許庁

The ashing mechanism 19 feeds a reactive gas (ozone or the like) to the inside of the aligner apparatus, wherein the reactive gas such as ozone or the like removes the contamination adhering on each part inside the aligner apparatus by ashing to in-situ clean each part inside the aligner apparatus by the reactive gas.例文帳に追加

このアッシング機構１９は、露光装置内の各部に付着したコンタミネーションをアッシング除去する反応性ガス（オゾン等）を露光装置内に送り、このオゾン等の反応性ガスにより露光装置内の各部のｉｎ−ｓｉｔｕクリーニング等を行なう。 - 特許庁

In the method for ashing an organic resist pattern formed on an interlayer insulation film which is formed on an article being processed, while at least partially including an organic low permittivity film, an mixed gas plasma of oxygen gas and nitrogen gas is used for ashing.例文帳に追加

被処理体上の少なくとも一部に有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成された有機レジストパターンをアッシングする方法において、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスのプラズマを用いてアッシングする。 - 特許庁

The ashing process step ST4 of removing the resist mask 400 is performed every time the etching process step ST3 is performed and the etching process step ST3 and the ashing process step ST4 are continuously performed without removing the substrate 10b from a chamber with the same treating equipment.例文帳に追加

エッチング工程ＳＴ３を行うたびにレジストマスク４００を除去するアッシング工程ＳＴ４を行うが、エッチング工程ＳＴ３とアッシング工程ＳＴ４については、同一の処理装置で基板１０ｂをチャンバーから出すことなく連続して行う。 - 特許庁

The mechanical resonator having a suspended beam can be obtained by providing on a substrate a pedestal formed by resist that can be removed by ashing, and removing a metal layer by ashing except for both ends of the pedestal after forming the metal layer on the pedestal.例文帳に追加

基板上に、アッシングより除去できるレジストによって形成されたペデスタルを設けておき、当該ペデスタル上に金属層を形成した後、ペデスタルの両端を除いてアッシングにより除去することにより、懸架型のビームを有するメカニカル共振器を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing film carrier in which a resist pattern is stably formed using a batch type vacuum laminator for adhesion of dry film and a batch type vacuum ashing device for the ashing process and plating failure and adhesion failure in the mounting process are never generated.例文帳に追加

ドライフィルムの貼り合わせにバッチ式の真空ラミネータ装置、アッシングにバッチ式の真空アッシング装置を用いて、レジストのパターンを安定して形成し、まためっき不良や実装時の密着不良を発生させないフィルムキャリアの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning method for an ashing residual in which a cleaning property for the ashing residual is improved and not only metal wiring is hardly corroded but also removability from a semiconductor wafer after cleaning is improved even when a porous film is used as an insulating film.例文帳に追加

アッシング残渣の洗浄性に優れ、かつ金属配線の腐食を生じにくいだけでなく、絶縁膜として多孔質膜を用いた場合にも、洗浄後の半導体用基板からの除去性に優れたアッシング残渣の洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

A protection film for protecting an exposed area of the recess area of the SiOCH film is deposited from the plasma used for the ashing, by converting the CH_4 gas into the plasma before the ashing process and then depositing a sediment to the exposed area of the recess area of the SiOCH film using the plasma.例文帳に追加

アッシングを行う前にＣＨ４ガスをプラズマ化し、そのプラズマによりＳｉＯＣＨ膜の凹部の露出部に堆積物を堆積させて、アッシングにおいて用いられるプラズマから前記ＳｉＯＣＨ膜の凹部の露出部を保護する保護膜を堆積させる。 - 特許庁

The organic film 50 in a remaining part, except for that in the groove part is removed by subjecting it to ashing and the black matrix layer 20 is exposed.例文帳に追加

有機膜５０をアッシングして溝部分を除いた残りの部分の有機膜５０を除去してブラックマトリックス層２０を露出させる。 - 特許庁

Further, the short dimension of a light shielding film part is formed on the large side beforehand and the desired dimension is obtained with the light ashing using oxygen plasma.例文帳に追加

又、予め遮光膜部分の短寸法を大きく形成し、酸素プラズマを使用したライトアッシングにより、所望の寸法を得る。 - 特許庁

To provide ashing apparatus and method for reducing foreign objects that remain on an object to be treated, and to provide a method for manufactur ing a semiconductor device.例文帳に追加

被処理体上に残される異物を低減できるアッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, resist films formed on the front surface Wb and the rear surface Wa of the semiconductor substrate W are subjected simultaneously to ashing processing inside the plasma.例文帳に追加

そして、半導体基板Ｗの表面Ｗｂ及び裏面Ｗａに形成したレジスト膜を同時に、プラズマにてアッシング処理する。 - 特許庁

To provide a plasma process device, a temperature control device, and its control method used in ashing for removing a photoresist or residue.例文帳に追加

フォトレジストや残留物を取り去るアッシング処理に用いるプラズマ処理装置、温度制御装置及びその制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing method which minimizes charge-up damage on the substrate surface and facilitates high speed ashing of resist.例文帳に追加

基板表面のチャージアップダメージを抑制し、かつ、より高速度でレジストをアッシングすることが容易となる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Ashing treatment is applied to the surface of the SiO_2 film 15 with SF_6 gas (fluorine-based gas) to terminate the surface of the SiO_2 film 15 with fluorine.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜１５の表面をＳＦ_６ガス（フッ素系ガス）でアッシング処理して、ＳｉＯ_２膜１５の表面をフッ素で終端させる。 - 特許庁

To enable ashing of a photosensitive material for which selection ratio to Ru is improved, and to prevent the partial loss of an Ru film.例文帳に追加

Ｒｕに対する選択比を向上させた感光材料のアッシングを可能にするとともに、Ｒｕ膜の部分的な消失を防ぐ。 - 特許庁

To provide a dry processing device which is small in storage of charge and at the same time fast in reaction speed, and is suitable for etching and ashing treatment, or the like.例文帳に追加

電荷の蓄積が少なくかつ反応速度が速い、エッチング処理やアッシング処理等に適したドライプロセッシング装置を提供する。 - 特許庁

The ashing condition of the resist can be easily modified only by adjusting a height from the surface of the susceptor 1 of the pin 3.例文帳に追加

ピン３のサセプタ１の表面からの高さを加減することのみによって、レジストのアッシング条件を容易に変更することができる。 - 特許庁

Main ashing may be preceded by short surface treatment by plasma of a hydrogen-containing reducing gas, such as, the hydrogen and the optional nitrogen.例文帳に追加

メインアッシングは、水素及び任意の窒素等の水素含有還元ガスのプラズマにより、短い表面処理を施しておいてもよい。 - 特許庁