「Area-type～」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The primary customers of the Theme Type come from outside the city, the Large Area Hub Type from within the city, and the Life-connected Type from within walking distance例文帳に追加

～主な顧客はテーマ型は市外、広域拠点型は市内、生活密着型は徒歩圏域から～ - 経済産業省

The transistor 10 includes an emitter area 28, a p-type base area 26, an n-type base area 24, and a trench gate electrode 34.例文帳に追加

トランジスタ１０は、エミッタ領域２８と、ｐ型ベース領域２６と、ｎ型ベース領域２４と、トレンチゲート電極３４を備えている。 - 特許庁

Two boundary lines between the n-type polycrystalline Si 5a and p-type polycrystalline Si 5b are on the n-type CCD channel area 3 adjacent to the boundary between the n-type CCD channel area 3 and p+-type channel stop area 4.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ５ａとｐ型多結晶Ｓｉ５ｂとの境界線は２個所ともｎＣＣＤチャネル領域３とｐ^+型チャネル阻止領域４との境界近傍のｎ型ＣＣＤチャネル領域３上にある。 - 特許庁

A P-type SiC area 30 is formed in a part of the surface layer of an N-type SiC epitaxial area 20, and a gate electrode is formed through a gate insulating film 40 on the surface of the P-type SiC area 30 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 adjacent to this P-type SiC area 30.例文帳に追加

Ｎ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表層の一部にＰ型ＳｉＣ領域３０を設け、Ｐ型ＳｉＣ領域３０とこれに隣接するＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面にゲート絶縁膜４０を介してゲート電極を設ける。 - 特許庁

Another theory suggests a different type of soup broth, Tokai type or Nagoya type, existing in addition to the Kanto and Kansai types, by regarding the Tokai region as an area with separate Udon noodle cultures, not as an area merely lying halfway between the Kanto and Kansai regions. 例文帳に追加

これに東海地域を中間とせず別個とした、、と区別する意見もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A first n type conductive area 2 and a second n type conductive area 3 are formed on a p type semiconductor substrate 100.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of the P-type well area 52C is formed, and a MOS transistor is formed in the P-type well area 52C.例文帳に追加

Ｐ型ウエル領域５２Ｃの底部に接するＰ＋型埋め込み層５５を設け、Ｐ型ウエル領域５２Ｃの中にＭＯＳトランジスタを設ける。 - 特許庁

The recording medium 1 is a hybrid type of a non-writable area (ROM area 11) and a writable area (RAM area 12).例文帳に追加

記録媒体１は書込不可領域（ＲＯＭ領域１１），書込可能領域（ＲＡＭ領域１２）のハイブリッド型とする。 - 特許庁

A first n-type conductive area 2 and a second n-type conductive area 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1, and first p-type conductive areas 4, 5, and 6 are formed in the first conductive area 2, and second p-type conductive areas 7, 8, and 9 are formed in the second n-type conductive area 3.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１Ｎ型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内にＰ型の第２Ｐ型導電領域７，８，９を形成する。 - 特許庁

A lower current route comprised of an N-type area 5, a P-type area 6 and an N-type area 7 is formed in the silicon substrate 2, and an upper current route comprised of an N-type area 8, a P-type part 9 and an N-type part 10 is formed in the silicon film 4.例文帳に追加

シリコン基板２には、Ｎ型領域５、Ｐ型領域６及びＮ型領域７からなる下側の電流経路を形成し、シリコン膜４には、Ｎ型部分８、Ｐ型部分９及びＮ型部分１０からなる上側の電流経路を形成する。 - 特許庁

Then, the channel area 380 consists of a P^- type gate semiconductor area 250, an N^- type berried channel area 260, and a P^- type body semiconductor area 252.例文帳に追加

そして、チャネル領域３８０は、Ｐ- 型ゲート半導体領域２５０と、Ｎ- 型埋込チャネル領域２６０、及びＰ- 型ボディ半導体領域２５２から構成される。 - 特許庁

Basic data structures in a read-in area are all made identical in a reproduction only type, a DRAW type and a rewriting type, and the read-in area is divided into a system read-in area and a data read-in area.例文帳に追加

リードインエリアにおける基本的なデータ構造を再生専用／追記型／書換え型の全てで一致させ、リードインエリアをシステムリードインエリアとデータリードインエリアに分割する。 - 特許庁

An n-type diffusion area 4 and a p-type diffusion area 5 separately from the n-type diffusion area 4 are formed on the surface layer of an n-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の表面層にｎ形拡散領域４とこのｎ形拡散領域４と離してｐ形拡散領域５を形成する。 - 特許庁

A groove 10 is formed in such a manner that it penetrates the surface of an n+-type source area 4, the n+-type source area 4, a p-type well area 3 to the midway of an n-type silicon epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域４の表面から該ｎ^+形ソース領域４およびｐ形ウェル領域３を貫通してｎ形シリコンエピタキシャル層２の途中まで溝１０が形成されている。 - 特許庁

An n+-type silicon single crystal area 28 is formed in the area 26a of an IGBT1.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１の領域２６ａには、ｎ^+型シリコン単結晶領域２８が形成されている。 - 特許庁

The second conductive type of drain extension area is formed in the drain extension area (12).例文帳に追加

第２の導電型のドレイン拡張領域をドレイン拡張領域（１２）内に形成する。 - 特許庁

The first conductive type electrode portions are formed from the active area to an element separating area.例文帳に追加

第１導電型の電極部は、アクティブ領域から素子分離領域にわたって形成されている。 - 特許庁

The pants type wear article 1 includes a front body circumferential area 6; and a rear body circumferential area 7.例文帳に追加

パンツ型着用物品１が前胴周り域６と後胴周り域７とを有する。 - 特許庁

Large stores in the area were often visited in the Large Area Hub Type, while stores in the shopping district were visited for the other types例文帳に追加

～広域型は周辺の大型店に、その他の型は、商店街内の店舗に立ち寄る～ - 経済産業省

Shopping times for the Large Area Hub Type, the Newly Accumulated Type and the Theme Type were overwhelmingly during the daytime on holidays, while weekday mornings were common for the Life-connected Type例文帳に追加

～広域・新興・テーマ型では圧倒的に休日の昼間が多く、生活密着型では平日の午前中が多い～ - 経済産業省

Furthermore, a boundary between Kanto-type soup broth and Kansai-type soup broth also exists in the Japan Sea area. 例文帳に追加

他に日本海側でも関東風・関西風つゆ境界線が実在する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The P-type electrode Lp is larger in area than the N-type electrode Ln.例文帳に追加

Ｐ型電極ＬｐとＮ型電極Ｌｎとでは、Ｐ型電極Ｌｐの方が面積が広い。 - 特許庁

The storage area 191 includes a p-type well 105, an n-type well 113, and a bottom well 102.例文帳に追加

記憶領域１９１は、ｐ型ウェル１０５と、ｎ型ウェル１１３と、ボトムウェル１０２とを含む。 - 特許庁

METHOD OF DISCRIMINATING UNIT OVERLAPPING AREA FOR COUPLING TYPE SPEECH SYNTHESIS AND METHOD OF COUPLING TYPE SPEECH SYNTHESIS例文帳に追加

連結型音声合成のための単位重複領域の識別方法および連結型音声合成方法 - 特許庁

An independent P type or N type semiconductor area is provided in each of the plurality of individual areas.例文帳に追加

複数の個別領域の各々に独立したＰ型またはＮ型の半導体領域を備える。 - 特許庁

The N-type diffusion area 53d is connected to a connection node 90, and the N-type diffusion areas 53s are connected to GND.例文帳に追加

N型拡散領域53dが接続ノード90に接続され、N型拡散領域53sがGNDに接続されている。 - 特許庁

In the Kanto area and Sanin region, the former type is simply called 'sakuramochi', while it is the latter type that is referred to as 'sakuramochi' in areas west of the Kinki region, in Hokkaido and in the Hokuriku area. 例文帳に追加

関東周辺や山陰の一部では主に前者を単に「桜餅」、近畿より西や北海道・北陸では後者を単に「桜餅」と呼ぶ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

BROAD-AREA TYPE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, BROAD-AREA TYPE SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, LASER DISPLAY, AND LASER IRRADIATION APPARATUS例文帳に追加

ブロードエリア型半導体レーザ素子、ブロードエリア型半導体レーザアレイ、レーザディスプレイおよびレーザ照射装置 - 特許庁

A guard ring area 17 of a p-type group III nitride semiconductor is provided on the second area 13c of the n-type barium nitride semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体のガードリング領域１７はｎ型窒化ガリウム系半導体層１３の第２のエリア１３ｃ上に設けられる。 - 特許庁

In this case, the total impurity quantity of the p-type semiconductor area 210 is made larger than that of the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

この場合には、ｐ型半導体領域２１０の総不純物量がｎ型半導体領域２２０の総不純物量よりも多くなるようにする。 - 特許庁

The N-type and P-type semiconductor devices of Peltier element have a small area on the side of cooling surface plate while a large area on the side of heating surface plate.例文帳に追加

ペルチェ素子のＮ型及びＰ型半導体素子は、冷却面板側の面積が小さく且つ発熱面板側の面積が大きい形状である。 - 特許庁

A bonded area Sn between the N-type electrode Ln and the bump 55b is larger than a bonded area Sp between the P-type electrode Lp and one of the bumps 55a.例文帳に追加

Ｎ型電極Ｌｎとバンプ５５ｂとの接合面積Ｓｎは、Ｐ型電極Ｌｐと１個のバンプ５５ａとの接合面積Ｓｐより大きい。 - 特許庁

SOLDERING DEVICE AND METHOD OF SOLDERING AREA ARRAY TYPE PART USING THE SAME, AND METHOD OF REMOVING THE AREA ARRAY TYPE PART例文帳に追加

半田付け装置とこの半田付け装置を用いたエリアアレイ型部品の半田付け方法及びエリアアレイ型部品の取り外し方法。 - 特許庁

A mesh type (hole type) dummy pattern is used as the wiring system dummy pattern, and the area ratio and the peripheral length which are necessary in small area are maintained.例文帳に追加

配線系ダミーパターンとしてメッシュ型（ホール型）ダミーパターンを使用し、小面積で必要な面積率、周辺長を維持する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory in which a memory block can be divided arbitrarily to a 1T/1C type area and a 2T/2C type area.例文帳に追加

メモリブロックを１Ｔ／１Ｃ型領域と２Ｔ／２Ｃ型領域とに任意に分割できる強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type impurity area 26 constituting a collector area, in a prescribed depth from a surface of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の表面から所定の深さに、コレクタ領域を構成するｎ型の不純物領域２６を備える。 - 特許庁

In a peripheral termination area of an element area, impurities of the first conductivity type of the pillar structure are excessive as compared with those of the second conductivity type.例文帳に追加

素子領域の周辺の終端領域では、ピラー構造の第１導電型の不純物が第２導電型の不純物に対し過剰である。 - 特許庁

The carrier concentration of the first p-type inversion area 5a is set higher than that of second p-type inversion area 5b.例文帳に追加

第１のｐ型反転領域５ａのキャリア濃度は第２のｐ型反転領域５ｂのキャリア濃度より高く設定されている。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises a first conductivity type semiconductor layer 1, and a charge storage area 7 consisting of a second conductivity type impurity area.例文帳に追加

第１導電型の半導体層１と、半導体層１に設けられた、第２導電型の不純物領域からなる電荷蓄積領域７とを備える。 - 特許庁

A creation unit creates a first type of CSR containing an extended area and a second type of CSR not containing an extended area (S2 to S16).例文帳に追加

作成部は、拡張領域を含む第１種のＣＳＲと、拡張領域を含まない第２種のＣＳＲとを作成する（Ｓ２〜Ｓ１６）。 - 特許庁

A light emitting area 17 is provided between the first conductivity type clad layer 13 and a second conductivity type clad area 19.例文帳に追加

発光領域１７は、第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド領域１９との間に設けられる。 - 特許庁

The second photo resist 5 is removed, and then the P-type impurity area 4 and the N-type impurity area 6 are thermally diffused.例文帳に追加

その後、第２のホトレジスト５を除去した後に、Ｐ型の不純物領域４及びＮ型の不純物領域６の熱拡散を行う。 - 特許庁

[Large Area Hub Type] Located in central shopping districts of major cities such as prefectural capitals, this type attracts customers from a wide area, including from within the prefecture.例文帳に追加

【広域拠点型】県庁所在地等の大都市の中心市街地内に所在し、県内などからも広く集客する。 - 経済産業省

Frequent responses in the Large Area Hub Type and Theme Type were "it is a busy area" and "a synergistic effect with surrounding stores and facilities can be expected."例文帳に追加

広域型やテーマ型においては、「人通りが多いから」、「周辺店舗や施設との相乗効果が期待できるから」という答えが多い。 - 経済産業省

In an RESURF MOSFET, an n-type upper diffusion area 115 that has higher n-type impurity concentration than that in other parts of a drift area 102 is provided between a drain area 109 and a drift embedded area 114 on the surface of an n-type drift area 102.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦＭＯＳＦＥＴにおいて、Ｎ型ドリフト領域１０２の表面部におけるドレイン領域１０９とドリフト埋め込み領域１１４との間に、ドリフト領域１０２の他の部分と比べてより高いＮ型不純物濃度を有するＮ型上部拡散領域１１５が設けられている。 - 特許庁